1.一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，设于长晶设备中，所述长晶设备用于通过物理气相传输法生长氮化铝单晶，所述长晶设备包括用于放置氮化铝粉源的坩埚、用于为所述坩埚加热的加热机构、用于为所述坩埚隔热的隔热机构、用于微调所述坩埚位置的调整机构、用于测量所述坩埚底部温度和顶部温度的测温机构，其特征在于：所述固定装置包括可拆卸的设于所述坩埚中部的生长平台、用于固定所述生长平台的固定组件，所述籽晶或所述衬底固定在所述生长平台上；
所述生长平台具有第一形态和第二形态；
当所述生长平台为所述第一形态时，所述生长平台和所述坩埚内壁之间设有用于作为氮化铝气相传输通道的第一间隙；
当所述生长平台为所述第二形态时，所述生长平台中开设有用于作为氮化铝气相传输通道的第二间隙。
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，其特征在于：当所述生长平台为所述第一形态时，所述衬底即为所述生长平台。
3.根据权利要求1所述的一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，其特征在于：当所述生长平台为所述第二形态时，所述籽晶放置在所述生长平台上。
4.根据权利要求1所述的一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，其特征在于：所述生长平台包括实心平台、空心平台、网格平台或卡扣平台等。
5.根据权利要求1所述的一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，其特征在于：所述固定组件为一端连接在所述生长平台上的连接杆，所述连接杆的另一端连接在所述坩埚的顶部。
6.根据权利要求1所述的一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，其特征在于：所述生长平台与所述氮化铝粉源之间的距离为1-20mm。