一种多晶硅加热装置的制作方法

文档序号:14588894发布日期:2018-06-02 06:08阅读:623来源:国知局

本实用新型属于机械加工领域,主要涉及一种多晶硅加热装置。



背景技术:

多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。

在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,就必须提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本。从国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜。

冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%,但半导体工业用硅还必须进行高度提—电子级多晶硅纯度要求11N,太阳能电池级只要求6N。而在提纯过程中,有一项“三氯氢硅还原法即西门子法”的关键技术我国还没有掌握,由于没有这项技术,我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了,不仅提炼成本高,而且环境污染非常严重。我国每年都从石英石中提取大量的工业硅,以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国,而这些国家把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料,以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。

对多晶硅进行快速加热和快速冷却,可以提高多晶硅的生产速度和效益。



技术实现要素:

针对现实中多晶硅加热速度和冷却速度慢等问题,本实用新型提供一种结构简单,方便、实用的而且可快速加热多晶硅,待加热处理完毕可快速冷却的多晶硅加热装置。

本实用新型所采用的设计方案是:一种多晶硅加热装置,包括外筒体1,所述外筒体1外边绕有金属丝2,所述外筒体1内装有内筒体3,所述外筒体1下端装有固定板5,所述固定板5套有方孔固定板6,所述方孔固定板6另一端套住底盘压板7,所述底盘压板7中间装有底盘固定螺丝8,所述底盘压板7装在底盘4上。

本实用新型提供的设计方案中,所述外筒体1的材料是陶瓷,碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅、磷化硼、磷化硅中的任意一种。

本实用新型提供的设计方案中,所述底盘7可以通过将方孔固定板6一端套在固定板5,另一端套在方孔固定板6上,再旋紧底盘固定螺丝8来固定在外筒体1上,旋松底盘固定螺丝8进行拆卸。

本实用新型提供的设计方案中,所述外筒体1和内筒体3之间有间隙。

本实用新型具有以下优点:

本实用新型提供的一种多晶硅加热装置,结构简单,方便、实用的装置,对多晶硅实现快速加热和冷却,可以降低多晶硅生产周期,从而提高生产速率,为企业带来经济效益。

附图说明

图1多晶硅加热装置的三维结构图,其中 1-外筒体,2-金属丝,3-内筒体,4-底盘,5-固定板,6-方孔固定板,7-底盘压板,8-底盘固定螺丝。

具体实施方式

下面将结合本实用新型附图和具体设计方案,对本实用新型实施例中的设计方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型专利中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利保护的范围。

实施例1

如图1多晶硅加热装置的三维结构图所示,一种多晶硅加热装置,包括外筒体1,所述外筒体1外边绕有金属丝2,所述外筒体1内装有内筒体3,所述外筒体1下端装有固定板5,所述固定板5套有方孔固定板6,所述方孔固定板6另一端套住底盘压板7,所述底盘压板7中间装有底盘固定螺丝8,所述底盘压板7装在底盘4上。

所述外筒体1的材料是陶瓷,碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅、磷化硼、磷化硅中的任意一种。

所述底盘7可以通过将方孔固定板6一端套在固定板5,另一端套在方孔固定板6上,再旋紧底盘固定螺丝8来固定在外筒体1上,旋松底盘固定螺丝8进行拆卸。

所述外筒体1和内筒体3之间有间隙。

在使用过程中,先将底盘7通过将方孔固定板6一端套在固定板5,另一端套在方孔固定板6上,再旋紧底盘固定螺丝8来固定在外筒体1上,再将多晶硅置入内筒体3内,将金属丝接在交流电源上,利用涡流效应开始对多晶硅进行快速加热,等到加热完毕时,断开金属丝2的交流电源,停止加热,再将水注入外筒体1和内筒体3中,开始对多晶硅快速降温冷却。

各位技术人员须知:虽然本实用新型已按照上述具体实施方式做了描述,但是本实用新型的发明思想并不仅限于此专利,任何运用本实用新型思想的改装,都将纳入本专利专利权保护范围内。

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