本发明涉及结构陶瓷产品制备技术，具体的，其展示一种高热导氮化铝陶瓷片快速制备方法。
背景技术：
氮化铝陶瓷的理论热导率非常高(约320w/m·k)，接近beo和sic，是al2o3的5倍以上。
氮化铝，共价键化合物，是原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。aln最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度，膨胀系数小，导热性好的特性，可以用作高温结构件热交换器材料等。
但是氮化铝陶瓷在工业生产过程中，一般需要加入其它成分的烧结助剂才能够制备，因而导致热导率大幅下降，一般约为170~200w/m·k。
因此，有必要提供一种高热导氮化铝陶瓷片快速制备方法来解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种高热导氮化铝陶瓷片快速制备方法，通过不添加烧结助剂的快速制备，提升烧结生产效率和产品的热导率性能，同时降低成本。
技术方案如下：
一种高热导氮化铝陶瓷片快速制备方法，具体步骤如下：
1）将氮化铝粉体装入石墨模具，压实；
2）将模具置于直流热压烧结装置中，电极在氮化铝粉体两侧加以压力和直流电压，控制电流，获得合适的反应温度，完成烧结；
3）降温，得到氮化铝陶瓷片。
进一步的，步骤1）中，氮化铝粉体中，氮化铝粒度为1微米，氧含量小于1wt.%，不用加入任何烧结助剂。
进一步的，步骤2）具体为：控制电流强度，使其快速加热到1600～1800℃，同时加压50~100mpa，保温3~5分钟。
进一步的，步骤2）中，烧结电极及模具的优选材料为高纯石墨。
进一步的，步骤2）中，烧结时间不超过10分钟。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1）大幅减少了工艺步骤，不需要添加烧结助剂进行混粉；
2）与传统的常压高温烧结工艺相比，使用的烧结温度下降了100～200℃；
3）烧结时间不超过10分钟，从而提高了生产效率，显著节约能源；
4）不用添加烧结助剂，制备的产品热导率更高，产品质量高。
具体实施方式
实施例：
本实施例展示一种高热导氮化铝陶瓷片快速制备方法，具体步骤如下：
（1）称取氮化铝25克，装入直径40毫米的圆柱形石墨模具中，压实；
（2）将模具置于直流热压烧结装置中，程序控制电流强度约7000a，可以在10分钟内加热至1600℃，同时加压70mpa，保温5分钟；
（3）关掉电源，随炉降温，得到氮化铝陶瓷片；
（4）将步骤3所得陶瓷片进行机械加工，抛光得到氮化铝陶瓷片。
其中：
步骤1）中，氮化铝粒度为1微米，氧含量小于1wt.%，不用加入任何烧结助剂。
步骤（3）仅为本实施例的一展现形式，其加热温度范围可在1600～1800℃，加压范围可在50~100mpa，保温时间可在3~5分钟。
烧结电极及模具的优选材料为高纯石墨。
同时烧结时间不超过10分钟。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1）大幅减少了工艺步骤，不需要添加烧结助剂进行混粉；
2）与传统的常压高温烧结工艺相比，使用的烧结温度下降了100～200℃；
3）烧结时间不超过10分钟，从而提高了生产效率，显著节约能源；
4）不用添加烧结助剂，制备的产品热导率更高，产品质量高。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。