一种环型高密度五氧化二钽镀膜材料的制备方法与流程

文档序号:25875901发布日期:2021-07-16 17:44阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种环型高密度五氧化二钽镀膜材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤1:将五氧化二钽粉体原料装入环型模具中,采用冷等静压成型为环型坯体;步骤2:将步骤1得到的坯体机加工为环型氧化钽中间品;步骤3:将步骤2得到的环型氧化钽中间品移入高温炉中进行烧结致密化,得到白色环型高密度五氧化二钽镀膜材料;步骤4:将步骤4得到的白色环型高密度五氧化二钽镀膜材料在真空条件下进行高温处理,得到灰色或黑色环型高密度五氧化二钽镀膜材料。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述五氧化二钽原料的粉体粒度d50<10μm,纯度>99.9%。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤2中,所述冷等静压成型的压力为50

220mpa。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤2中,所述冷等静压成型的优选压力为100~200mpa。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤2中,所述坯体机加工方式为车加工或磨床加工。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤3中,所述高温炉为马弗炉、硅碳炉、硅钼炉中的任意一种;所述烧结致密化的温度为1200

1700℃,所述烧结致密化的时间为2

10h。7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤3中,所述烧结致密化的优选温度为1400

1600℃,所述烧结致密化的优选时间为4

8h。8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤4中,所述真空条件为真空度<1000pa,所述高温处理的温度为1200

1800℃,所述高温处理的时间为2

20h。9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤4中,所述高温处理的优选温度为1400

1600℃,所述高温处理的优选时间为8

15h。
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