一种制备羰基钴的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种制备羰基钴的方法。
【背景技术】
[0002]羰基钴是一种重要的羰基络合物，也是一种重要的催化剂。常见的单核羰基钴主要有三种形态:Co2 (CO) 8、HCo (CO) 4及Na [Co (CO) 4]。由于羰基钴制成的催化剂活性高，价格比Pt、Pd、Rh络合物便宜，因此备受关注。其合成方法始终是一个难题，未取得重大进展。
【发明内容】
[0003]本发明的目的开发一种工艺简单、可规模化制备羰基钴的方法。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案。
[0005]一种制备羰基钴的方法，其特征在于其制备过程是采用钴颗粒为原料，将钴颗粒与CO在高压合成釜进行羰化合成生成羰基钴气体，再将羰基钴气体冷凝成羰基钴。
[0006]本发明的一种制备羰基钴的方法，其特征在于其钴颗粒为钴粉或者由电积钴制成的水淬钴或者磨细钴粉，其粒径小于5mm。
[0007]本发明的一种制备羰基钴的方法，其特征在于制备过程将钴颗粒置于高压合成釜内，由合成釜底部通入加热到150-170°C的高纯CO，控制合成釜压力20-25MPa，CO与钴颗粒羰化合成生成羰基钴气体，合成气由合成釜顶部排出，经过换热器将合成气温度降低到20-25 0C，羰基钴气体冷凝成羰基钴颗粒，由过滤器收集后包装到玻璃瓶内。
[0008]本发明的一种制备羰基钴的方法，采用钴颗粒为原料，将钴颗粒在反应釜内与通过反应釜的一氧化碳气进行反应，制备得到羰基钴，可以实现工业化生产。
【具体实施方式】
[0009]一种制备羰基钴的方法，其制备过程是采用钴粉或者由电积钴制成的水淬钴或者磨细的钴颗粒为原料，原料粒径应小于5_，将钴颗粒置于高压合成釜内，由合成釜底部通入加热到150-170°C的高纯CO，控制合成釜压力20-25MPa，CO与钴颗粒羰化合成生成羰基钴气体，合成气由合成釜顶部排出，经过换热器将合成气温度降低到20-25?，羰基钴气体冷凝成羰基钴颗粒，由过滤器收集后包装到玻璃瓶内。
[0010]实施例1
取钴粉2000g，置于高压合成釜内，由合成釜底部通入加热到150°C的高纯CO，控制合成釜压力20MPa，CO与钴粉羰化合成生成羰基钴气体，合成气由合成釜顶部排出，经过换热器将合成气温度降低到20-25?，羰基钴气体冷凝成羰基钴颗粒，由过滤器收集后包装到玻璃瓶。
[0011]实施例2
取钴颗粒2000g，置于高压合成釜内，由合成釜底部通入加热到160°C的高纯CO，控制合成釜压力22MPa，CO与钴颗粒化合成生成羰基钴气体，合成气由合成釜顶部排出，经过换热器将合成气温度降低到20-25?，羰基钴气体冷凝成羰基钴颗粒，由过滤器收集后包装到玻璃瓶。
[0012]实施例3
取粒径小于5mm磨细的钴颗粒2000g，置于高压合成釜内，由合成釜底部通入加热到170°C的高纯CO，控制合成釜压力25MPa，CO与钴颗粒化合成生成羰基钴气体，合成气由合成釜顶部排出，经过换热器将合成气温度降低到20-25?，羰基钴气体冷凝成羰基钴颗粒，由过滤器收集后包装到玻璃瓶。
【主权项】
1.一种制备羰基钴的方法，其特征在于其制备过程是采用钴颗粒为原料，将钴颗粒与CO在高压合成釜进行羰化合成生成羰基钴气体，再将羰基钴气体冷凝成羰基钴。
2.根据权利要求1所述的一种制备羰基钴的方法，其特征在于其钴颗粒为钴粉或者由电积钴制成的水淬钴或者磨细钴粉，其粒径小于5mm。
3.根据权利要求1所述的一种制备羰基钴的方法，其特征在于制备过程将钴颗粒置于高压合成釜内，由合成釜底部通入加热到150-170°C的高纯CO，控制合成釜压力20-25MPa，CO与钴颗粒羰化合成生成羰基钴气体，合成气由合成釜顶部排出，经过换热器将合成气温度降低到20-25?，羰基钴气体冷凝成羰基钴颗粒，由过滤器收集后包装到玻璃瓶内。
【专利摘要】本发明涉及一种制备羰基钴的方法。其特征在于其制备过程是采用钴颗粒为原料，将钴颗粒与CO在高压合成釜进行羰化合成生成羰基钴气体，再将羰基钴气体冷凝成羰基钴。本发明的一种制备羰基钴的方法，工艺简单、可规模化。
【IPC分类】C01G51-02
【公开号】CN104591300
【申请号】CN201410733238
【发明人】杨志强, 王芳镇, 肖冬明, 江龙, 王良, 王大窝, 孙渊君, 孙顺盈, 朱纪念, 李志鹏, 谢玉琴, 何云霞, 李琛, 廖永晖, 杨超, 魏小海
【申请人】金川集团股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月7日