一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法

文档序号:8932330阅读:138来源:国知局
一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,适合用于各种电子产品的电路板及芯片。
【背景技术】
[0002]高定向石墨拥有优良的导电导热性能,是现代科技发展不可缺少的理想材料。中科院山西煤化所翟更太等人利用PI薄膜层叠、热压工艺研制出热导率大于600W/(m*K)的高导热石墨块体材料。有机高分子炭化石墨化处理过程热解反应机理很复杂,对于易石墨化原料而言,炭化处理对于样品微晶结构的影响并不大,真正使微观结构发生质变的是在石墨化阶段h(HTT>2000° C)。虽然不少研宄人员在这方面作了很多工作,然而因研宄手段及测试条件的限制,目前还没有达到完全清楚的地步。
[0003]目前人工合成的大尺寸、超薄、高导热石墨膜,主要应用于空间有限的电子设备中,如手机、PAD等的高功率芯片、各种电子产品的电池、无线基站等需要降温的环境。信息产品散热市场上,高端石墨高导热膜的生产主要由松下等跨国公司垄断;国产石墨高导热膜由于性能、品质等原因,只能占领初级市场,甚至难为客户提供整张的A级石墨高导热膜品O

【发明内容】

[0004]针对以上情况,本发明的目的在于提供了一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,是产品采用骨架结构、原材料研宄和控制、专用催化剂、高低温处理、产品应用研宄和创新,能够量产整张的大尺寸、表面平整、全系列厚度、优异导热性能的高导石墨膜。项目的实施将填补国内大尺寸高导石墨膜产品空白,突破跨国公司高性能石墨膜的技术垄断,促进国内电子信息材料产业结构的优化,带动下游电子信息产业发展。使其在达到原有产品的性能的情况下,还能具有良好的使用效能。
[0005]本发明的技术方案是通过以下方式实现的:一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,包括以下步骤:1)PI薄膜叠层、2)热处理炭化、3)加压、4)收卷;其特征在于:
1)、PI薄膜叠层:将直径为40mm的PI薄膜80层叠层后放入炭化炉中,在冲头上加不同的重量以产生不同的压力;
2)、热处理炭化:封紧炭化炉,打开气瓶和减压阀,控制氩气的流量为10mL/min、通40min氩气,确保空气被全部赶尽后,开始升温;程序控制,阶段升温升至所需温度(500 V、700°C,8000C )后,在热处理温度点各恒温一小时;
所述的在炭化炉内设有磁感线圈,磁场强度为40-50MT,步骤2)在热处理的同时磁感线圈对PI薄膜施加磁场;
3)、加压:将炭化后的PI薄膜叠层在热压机中进行从2500°C到2800°C的高温石墨化处理,机械加压200kg/cm2;
4)、收卷:将经炭化加压后的PI薄膜叠层形成大尺寸高导热石墨膜,收卷入库。
[0006]本发明,经热处理后的大尺寸高导热石墨膜石墨化度已达74.4%,密度已达2.12g/cm3,接近单晶石墨的密度2.267g/cm3,热导率为850W/(m*K)~1000W/(πι.Κ),产品厚度公差范围在±2ym以内。
【具体实施方式】
[0007]一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,包括以下步骤:
KPI薄膜叠层:将直径为40mm的PI薄膜80层叠层后放入炭化炉中,在冲头上加不同的重量以产生不同的压力;
2、热处理炭化:封紧炭化炉,打开气瓶和减压阀,控制氩气的流量为10mL/min、通40min氩气,确保空气被全部赶尽后,开始升温;程序控制,阶段升温升至所需温度(500 V、700°C,8000C )后,在热处理温度点各恒温一小时;在炭化炉内设有磁感线圈,磁场强度为40-50MT,在热处理的同时磁感线圈对PI薄膜施加磁场;
3、加压:将炭化后的PI薄膜叠层在热压机中进行从2500°C到2800°C的高温石墨化处理,机械加压200kg/cm2;
4、收卷:将经炭化加压后的PI薄膜叠层形成大尺寸高导热石墨膜,收卷入库。
[0008]本发明,在制备高定向石墨材料的过程中,由于所用原料PI薄膜即聚酰亚胺薄膜含有氧、氮、氢等杂原子,薄膜的炭化过程是这些杂原子脱离,扩大构成芳香族分子的共轭系,进行高密度化的过程;具体地说随着热处理温度的升高,大量的小分子如0)、0)2為逸出,U产品中含炭量迅速增加,最终剩下以六角网层面为主的炭骨架,在XRD谱图上表现为衍射峰的锐化及层间距离的缩小,在2200°C附近时,完全排除炭以外的元素,积层构造成长、发达,炭体向石墨晶体方向发展。
【主权项】
1.一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,包括以下步骤:1)PI薄膜叠层、2)热处理炭化、3)加压、4)收卷;其特征在于: 1)、PI薄膜叠层:将直径为40mm的PI薄膜80层叠层后放入炭化炉中,在冲头上加不同的重量以产生不同的压力; 2)、热处理炭化:封紧炭化炉,打开气瓶和减压阀,控制氩气的流量为10mL/min、通40min氩气,确保空气被全部赶尽后,开始升温;程序控制,阶段升温升至所需温度(500°C、700°C,800°C )后,在热处理温度点各恒温一小时; 3)、加压:将炭化后的PI薄膜叠层在热压机中进行从2500°C到2800°C的高温石墨化处理,机械加压200kg/cm2; 4)、收卷:将经炭化加压后的PI薄膜叠层形成大尺寸高导热石墨膜,收卷入库。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤2)中炭化炉内设有磁感线圈,磁场强度为40-50MT,在热处理的同时磁感线圈对PI薄膜施加磁场。
【专利摘要】一种大尺寸高导热石墨膜的制备方法,包括以下步骤:1)PI薄膜叠层、2)热处理炭化、3)加压、4)收卷;本发明,经热处理后的大尺寸高导热石墨膜石墨化度已达74.4%,密度已达2.12g/cm3,接近单晶石墨的密度2.267g/cm3,热导率为850W/(m?K)~1000W/(m?K),产品厚度公差范围在±2μm以内。
【IPC分类】C01B31/04
【公开号】CN104909358
【申请号】CN201510269073
【发明人】杨云胜, 杨星, 郭颢, 蒋伟良
【申请人】镇江博昊科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月25日
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