专利名称：用于溶液工艺oled应用的聚合物及其制备方法
技术领域：
本发明涉及ー类新型可溶的聚合物和它们的制备方法。利用这些聚合物，可以制造溶液エ艺OLED。
背景技术：
自 Tang 等(US 4, 356, 429 ；Appl. Phys. Lett. 1987，51，12，913)在 1987 年证明第 ー个有机发光二极管(OLED)以来，OLED成为了ー个热点研究題目。由于OLED中的大多数材料不溶于常见的溶剤，OLED总是通过真空沉积法制造，真空沉积法在制造过程中浪费大多数材料。通常认为溶液エ艺(诸如旋涂法和印刷法)是解决此问题的最佳方式。Burroughes 等(Nature，1990，347，539-M1)在剑桥报道了使用PPV作为发射材料的第一个溶液エ艺 OLED0自此，开发出了大量的发射聚合物诸如MEH-PPV、PPP、PFO和PPP，并用作溶液エ艺 OLED中的发射材料。然而，所有这些聚合物都是纯的有机材料，受制于25 75的单线态与三线态激子比，因此正在研究包含金属的发射聚合物。在用于OLED发射材料的重金属中，铱(Ir)和钼(Pt)是最有希望的重金属。Ir和 Pt的配合物在真空沉积OLED中显示良好的器件效率，因此它们是用于溶液エ艺材料开发的良好选择。已经制备了大量含钼聚合物，用于溶液エ艺OLED应用。这些聚合物中的大多数使用2-苯基吡啶合(NC) (2，4_戊ニ酮)Pt(II) (PtNC)和其衍生物作为发射単元(J.Am. Chem. Soc.，2004，126，15388-15389)。由于 PtNC 的发射量子效率低(对于 PtNC 为 0. 15， Inorg. Chem. 2002，41，3055-3066)，因此限制了由这些聚合物制造的OLED的效率。且因为钼总是涉及合成中多于ー个的步骤(J.Am. Chem. Soc.，2004，126，15388-15389 2个步骤； Macromolecules 2009，42，6855-6864 2 个步骤)，因此浪费了大量的钼。
发明内容
在一方面中，本发明涉及具有结构I的化学结构的聚合物、它们的制备和它们在有机发光二极管(OLED)中的应用
6
其中A和B是空穴和/或电子传输单元氓是间隔基；も-も独立地选自氢、卤素、 羟基、未取代的烷基、取代的烷基、环烷基、未取代的芳基、取代的芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基、或烷氧基羰基；并且ηι、n2和n3是整数，其中Ii1或n3可以是0。在一个实施方式中，本发明提供了具有结构I的化学结构的聚合物
权利要求
1.一种具有结构I的化学结构的聚合物
2.权利要求1所述的聚合物，其中R1独立地选自丁基、戊基、己基、庚基、辛基、苯甲基、 苯乙基、苯丙基、苯丁基、苯戊基、苯己基、苯甲氧基、苯乙氧基、苯丙氧基、苯丁氧基、苯戊氧 基、苯己氧基。
3.权利要求1或2所述的聚合物，其中1 - 独立地选自取代或未取代的C1,烷基， 包括商素、羟基、氰基或氨基取代的C1,烷基或硫代C1,烷基；c3_1(l环烷基；取代或未取代 的c6_12芳基，包括卤素、羟基、氰基或氨基取代的C6_12芳基或硫代C6_12芳基酰基；C1, 烷氧基；C1,酰氧基；(ν1(1酰基氨基；c7_16芳烷基；c2_1(1羧基；c8_16芳乙烯基，包括苯乙烯基； C2-K1氨基羰基；C7_16芳氧基羰基，包括苯氧基羰基；或C2,烷氧基羰基。
4.权利要求1-3任一项所述的聚合物，其中II1是0-1000，n2是1-200，且n3是1-1000。
5.权利要求4所述的聚合物，其中 是1-20。
6.权利要求1-5任一项所述的聚合物，其中所述空穴传输单元选自咔唑、吩噻嗪和三芳胺。
7.权利要求1-5任一项所述的聚合物，其中所述空穴传输单元选自N，N'- 二 (萘-1-基)-N，N' -二(苯基)_联苯胺、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' -二(苯 基)_联苯胺、N，N' -二(萘-2-基)-N，N' -二(苯基)_联苯胺、N，N' -二(3-甲基 苯基)-N，N' -二(苯基)-9，9-螺二芴、N，N' -二(萘-1-基)-N，N' -二(苯基)-9， 9-螺二芴、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' -二(苯基)-9，9-二甲基-芴、N，N' -二 (萘-1-基)-N，N' -二(苯基)-9，9_ 二甲基-芴、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' -二 (苯基)-9，9_ 二苯基-芴、N，N' -二(萘-1-基)-N，N' -二(苯基)-9，9-二苯基-芴、 N,N' -二(萘-1-基)-N，N' -二(苯基)-2，2' -二甲基联苯胺、2，2' ,7,7'-四(N， N- 二苯基氨基)-9，9-螺二芴、9，9- 二 W- (N，N- 二-联苯基-4-基-氨基)苯基]-9H-芴、 9，9-二 W-(N，N-二-萘-2-基-氨基)苯基]-9!1-芴、9，9-二 (N-萘-1-基-N-苯基 氨基)-苯基]-9!1-芴、2，2' ,7,7'-四[N-萘基(苯基)-氨基]-9，9-螺二芴、N，N' -二 (菲-9-基)-N，N' -二(苯基)-联苯胺、2，2' -二 [N，N-二(联苯基-4-基)氨基]-9， 9-螺二芴、2，2' -二(N，N-二-苯基-氨基)-9，9_ 螺二芴、二 44-(N，N-二甲苯基-氨 基)-苯基]环己烷、2，2' ,7,7'-四(N，N-二甲苯基)氨基-9，9-螺-二芴、N，N，N'，
8.权利要求1-7任一项所述的聚合物，其中所述电子传输单元选自嗯二唑或喹啉。
9.权利要求1-7任一项所述的聚合物，其中所述电子传输单元选自1，3，5_三 (1-苯基-I-H-苯并咪唑)苯、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_嚅二唑、2， 9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、二甲基_8_轻基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-^2,4-三唑、 4-(萘-1-基)_3，5- 二苯基-4H-1,2,4-三唑、1，3- 二 [2- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯、1，3，5_三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、4，4' -二(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)联苯基、1，3，5-三(ρ-吡啶-3-基-苯基)苯。
10.权利要求1所述的聚合物，其选自
11.权利要求1-10任一项所述的聚合物，其使用含钼材料通过一步反应制备。
12.权利要求11所述的聚合物，其中所述一步反应是含铀材料
13.权利要求12所述的聚合物，其中所述含钼材料是无机钼(II)盐。
14.权利要求12所述的聚合物，其中所述含钼材料选自K2PtCl4、Na2PtCl4、PtCl2、二 (吡啶)钼(II)、二氯(1，2-二氨基环己烷)钼(II)和二氯(二茂)钼(II)。
15.权利要求12-14任一项所述的聚合物，其中所述溶剂选自乙酸、二甲基甲酰胺、 氯N'-四-萘-2-基-联苯胺、N，N，N'，N'-四-(3-甲基苯基)-3，3' -二甲基联苯胺、 N, N' -二(萘基)-N，N' -二(萘-2-基)-联苯胺、N，N，N' ,N'-四-萘基-联苯胺、 N, N' -二(萘-2-基)-N，N' -二苯基苯-1，4-二胺、N1，N4-二苯基-N1，N4-二-m-甲苯基苯-1，4-二胺、拟，拟，呢，呢-四苯基萘-2，6-二胺、三(喹啉-8-基)苯基)胺、 2,2' -二(3-(N，N-二-ρ-甲苯基氨基)苯基)联苯基和N4，N4，N4' , N4'-四(联苯基-4-基)联苯基_4，4' - 二胺。
16.
17. 一种具有结构II的化学结构的的聚合单体，
18.权利要求17的聚合单体，其中1 - 独立地选自取代或未取代的C1,烷基，包括卤素、羟基、氰基或氨基取代的C1,烷基或硫代C1,烷基；C3_1(l环烷基；取代或未取代的C6_12 芳基，包括卤素、羟基、氰基或氨基取代的c6_12芳基或硫代c6_12芳基；(ν1(ι酰基；C1,烷氧基；C1,酰氧基；(ν1(1酰基氨基；c7_16芳烷基；c2_1(1羧基；c8_16芳乙烯基，包括苯乙烯基；C2_1Q 氨基羰基；C7,芳氧基羰基，包括苯氧基羰基；或CV1。烷氧基羰基；和队选自由己-1-烯基、 庚-1-烯基、辛-1-烯基、壬-1-烯基、癸-1-烯基、苯丙-1-烯基、苯丁-1-烯基、苯戊-1-烯基、苯己-1-烯基、苯庚-1-烯基和苯辛-1-烯基组成的组。
19.一种制备权利要求1至10任一项所述的聚合物的方法，其包括下列反应
20.权利要求19所述的方法，其中所述含钼材料是无机钼(II)盐。
21.权利要求19所述的方法，其中所述含钼材料选自K2PtCl4、Na2PtCl4、PtCl2、二氯二 (吡啶)钼(II)、二氯(1，2-二氨基环己烷)钼(II)和二氯(二茂)钼(II)。
22.权利要求19-21任一项所述的方法，其中所述溶剂选自乙酸、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二氯甲烷、三氯甲烷、苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃及其任何两种或以上的组合。
23.权利要求19所述的方法，其中所述一步反应是
24.一种有机发光二极管(OLED)，其包含作为发光材料的一种/多种权利要求1-16任一项所述的聚合物。
25.权利要求M所述的0LED，其通过旋涂法制造。
26.权利要求M所述的0LED，其通过印刷法制造。
27.权利要求1-16任一项所述的聚合物在制造有机发光二极管(OLED)中的用途。
全文摘要
本发明是关于具有结构I的化学结构的聚合物、它们的制备和它们在有机发光二极管(OLED)中的应用其中A和B是空穴和/或电子传输单元；R1是间隔基；R2-R5独立地选自氢、卤素、羟基、未取代的烷基、取代的烷基、环烷基、未取代的芳基、取代的芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、芳乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、或烷氧基羰基；并且n1、n2和n3是整数，其中n1或n3可以是0。
文档编号C07F15/00GK102558417SQ201110395898
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月2日 优先权日2010年12月2日
发明者居智辉, 支志明, 郭子中 申请人:纳米及先进材料研发院有限公司