专利名称：使用具有芴骨架的光聚合性聚合物的感光性组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及含有以芴骨架为主的光聚合性化合物和芴低分子材料的负型感光性组合物、以及使用该组合物的平坦化膜和微透镜。
背景技术：
对于电荷耦合元件(CXD)等摄像元件用微透镜或IXD (液晶面板)，一直在进行通过组合高折射率材料和低折射率材料来提高光的聚光率或提取效率的努力。例如，一般进行如下努力通过电荷耦合元件(CCD)的平坦化膜使用高折射材料、 微透镜使用低折射率材料，从而在防止反射的同时进行聚光；或者通过微透镜使用高折射率材料，从而即使到达二极管的距离较长也可以进行聚光；等等。另一方面，IXD是近年大画面化、高精细化、低耗电化的方向，因此必须提高IXD的光提取效率，作为其方法，一般使用低折射率材料的涂膜来提高光提取效率。在该方法中，使用含高分子的高折射率树脂和交联性高折射率材料的抗蚀剂组合物，将该组合物在基板上涂布制膜，然后通过光刻法进行图案形成并显影，从而形成一幅图案，获得平坦化膜或IXD用途的间隔物。进一步经过蚀刻工序等，从而形成微透镜。已经记载了使用使用了双酚芴型环氧丙烯酸酯与四羧酸二酐缩合而得的树脂的感光性组合物，作为滤色器、液晶显示元件、集成电路元件、固体摄像元件等的保护膜和/ 或层间绝缘膜利用(专利文献1、专利文献2和专利文献3)。专利文献1 日本特开2003-176343号公报专利文献2 日本特开2003-165830号公报专利文献3 日本特开2004-35685号公报
发明内容
发明要解决的课题近年来，相机的高精细化进步，开始要求相机的灵敏度，因此对数码照相机用途的微透镜开始要求高透明性和高聚光率。另外，在将微透镜用于车载用用途的情况下，进一步要求能经受长期使用的耐热性。另一方面，IXD是近年来大画面化、高精细化、低耗电化的方向，因此必须提高光提取效率，作为提高光提取效率的努力，将低折射率材料用于空气(LCD的外部)侧，与此相对，将高折射率材料用于ITO等金属氧化物侧，并进一步需要具有能够经受长期使用的耐热性、透明性的材料。现有的材料难以完全满足这些要求。本发明的课题是，使用具有芴的共聚物和芴交联性化合物，从而提供在不降低折射率的情况下同时满足耐热性和透明性的用于平坦化膜、间隔物、微透镜材料的负型感光性组合物，并提供使用该负型感光性组合物制成的固体摄像元件、微透镜、液晶显示元件、 以及使用了该负型感光性组合物的电子材料的制造方法。
用于解决课题的方法本发明作为第1观点，提供一种负型感光性组合物，该组合物包含具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)、具有芴骨架的单体(B)、和光聚合引发剂(C)。作为第2观点，提供根据第1观点所述的负型感光性组合物，其中，所述具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)包含可溶于碱性显影液的部位。作为第3观点，提供根据第1观点所述的负型感光性组合物，其中，所述具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)包含下述式(1)所示的结构单元，
权利要求
1.一种负型感光性组合物，该组合物包含具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)、具有芴骨架的单体(B)、和光聚合引发剂(C)。
2.根据权利要求1所述的负型感光性组合物，其中，所述具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)包含可溶于碱性显影液的部位。
3.根据权利要求1所述的负型感光性组合物，其中，所述具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)包含下述式(1)所示的结构单元，
4.根据权利要求1 3的任一项所述的负型感光性组合物，其中，所述具有芴骨架的单体⑶是下述式⑵所示的化合物，
5.根据权利要求1 4的任一项所述的负型感光性组合物，其中，所述X是下述式(3) 所示的有机基团，
6.根据权利要求1 5的任一项所述的负型感光性组合物，其中，所述Z分别独立地为下述式、式(5)或式(6)所示的有机基团，
7.根据权利要求1 6的任一项所述的负型感光性组合物，其中，所述具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)在该聚合物中含有30摩尔％以上的具有芴骨架的结构单元。
8.使用权利要求1 7的任一项所述的负型感光性组合物制成的固体摄像元件。
9.使用权利要求1 7的任一项所述的负型感光性组合物制成的微透镜。
10.使用权利要求1 7的任一项所述的负型感光性组合物制成的液晶显示元件。
11.权利要求8 10所述的电子材料的制造方法，包含下述工序将权利要求1 7的任一项所述的负型感光性组合物涂布在基板上，并烘烤、曝光、然后显影。
全文摘要
本发明的课题是提供在不降低折射率的情况下同时满足耐热性和透明性的平坦化膜、间隔物、微透镜材料。作为本发明的解决课题的方法是，一种负型感光性组合物，该组合物包含具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)、具有芴骨架的单体(B)、和光聚合引发剂(C)。具有芴骨架的光聚合性聚合物(A)包含下述式(1)所示的结构单元，(式中，R1分别是碳原子数1～10的烷基或卤原子，L分别是0～4的整数，X是末端包含不饱和键的有机基团，Y是由从四羧酸二酐中除去酸基后的部分形成的连接基团)。
文档编号C08G63/547GK102414616SQ20108001864
公开日2012年4月11日 申请日期2010年4月20日 优先权日2009年4月27日
发明者坂口崇洋, 庄田浩之, 汤川升志郎 申请人:日产化学工业株式会社