用于封装的组合物和包括该组合物的封装的设备的制作方法
【专利摘要】本申请提供了用于封装的组合物和包括该组合物的封装的设备。该组合物可包含（A）(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物、（B）多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物和（C）引发剂，上述(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物具有由化学式1或2表示的结构。
【专利说明】用于封装的组合物和包括该组合物的封装的设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于封装的组合物和包括该组合物的封装的设备。
【背景技术】
[0002]有机光电子设备(例如有机发光二极管、包括光伏电池的设备或诸如有机薄膜晶体管显示器的显示设备)等必须被封装，以保护敏感元件免受空气(主要是氧气和/或水分)的影响。没有合适的保护，上述设备会糟受质量的劣化。质量的劣化主要由暗点的产生引起。在有机发光二极管中，水蒸气可能渗入二极管，并会劣化二极管的质量，特别是阳极(或阴极)和有机膜之间的界面的质量。
[0003]通常，通过使用粘合剂(具体地为呈现低的水蒸汽渗透性的粘合剂)将玻璃盖结合到显示设备而进行封装。通常，固体水分吸收剂可插入基板和上述盖之间以延长设备的寿命。虽然这对于刚性设备可能是合适的，使用上述盖封装对于例如柔性显示器的柔性支撑单元可能是不合适的。
[0004]此外，这样的封装技术不能应用于基板上的电路中具有不足空间的设备中，如在互补金属氧化物半导体(CMOS)微显示器中，而必须避开具有大发光区域的设备，以减小设
备的重量。
[0005]通常，在使用上述盖封装不合适的全部情况下，使用“单片”封装，即呈现良好的氧气阻挡和水蒸气阻挡性能的薄膜的封装方法。通常用于这类方法中的材料包括通常由化学气相沉积法(CVD)沉积的或由等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或原子层沉积法(ALD)选择性沉积的氧化物电介质和/或氮化物(由SiOx, iNx、SiOxNy和AlxOy表示)。相对于物理气相沉积(PVD)方法例如溅射，由于例如在沉积层中产生大量小孔的瑕疵而对有机半导体有侵蚀性在涂布保护层时引起形成`的层呈现令人不满的性质，前述方法可更受推荐。与通过物理气相沉积法获得的层相比，等离子体增强化学气相沉积法和原子层沉积法的优势在于沉积的层具有非常少量的瑕疵并且非常均匀。也就是，这两种方法可提供优异的阶梯覆盖率。
[0006]已经做出各种尝试以开发多层结构，例如有机/无机/有机/无机层，名为Barix?,以防止无机层彼此结合。上述方法目前使水蒸气渗透率减小至约10g_6/m2/天，由此有机发光二极管显示设备对于它的商品化可具有足够长的寿命。
[0007]另一大类多层封装结构的为Philips C0., Ltd.的“Ν0Ν0Ν”，包括交替的氮化物层和氧化物层，例如SiNx/SiOx/SiNx/SiOx等。
[0008]美国专利公开第7767498号公开了通过真空沉积重复沉积5层丙烯酸有机材料和5层无机材料而确保约10_6g/m2/天的水蒸气渗透率。然而，在这个专利中由于有机层是由不呈现阻挡性能的有机材料形成，因水分渗透引起的阴极层的腐蚀而具有发光故障，因此存在可靠性差的缺陷。此外，当沉积10层且有机层具有不够的厚度时，随着无机层上沉积的有机层数的增加，存在着光滑性劣化的问题。此外，当单独使用呈现优异的阻挡性能的氧化铝时，在沉积过程中产生的小孔生长，使水分和氧气易于渗透甚至穿过厚的层。结果，无机层和有机层之间的粘合性减小，从而引起水分阻挡效果的劣化。
【发明内容】
[0009]在本发明的一个实施方式中，用于封装的组合物可包含:(A)(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物；(B)多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物；和(0引发剂，所述(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物具有由化学式I或2表示的结构:
[0010]〈化学式1>
[0011]
【权利要求】
1.一种用于封装的组合物，包含: (A)(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物，所述(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物具有由化学式I或2表示的结构； (B)多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物；和 (C)引发剂， <化学式1>
2.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，其中，所述(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体具有由化学式3表示的结构: <化学式3>
3.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，其中，就所述用于封装的组合物中的固含量而言，所述(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体的含量为0.1被％至85被％。
4.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，其中，所述多官能(甲基)丙烯酸酯单体包括C2至C2tl醇的二(甲基)丙烯酸酯。
5.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，其中，所述(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体具有由化学式5A至5C的任一个表示的结构，并且所述多官能(甲基)丙烯酸酯单体包括二(甲基)丙烯酸1，12-十二烷二醇酯:<化学式5A>
6.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，就所述用于封装的组合物中的固含量而言，所述用于封装的组合物包含:95wt%至99.9wt%的所述(A)(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物和所述(B)多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物的总和；和0.1被％至5界七％的所述(C)引发剂。
7.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，就所述用于封装的组合物中的固含量而言，所述用于封装的组合物包含:0.1被％至85被％的所述(A)(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物；10￥〖％至95￥丨％的所述(B)多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物；和0.lwt%至5wt%的所述(C)引发剂。
8.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，进一步包含:(D)具有芳基、脂环基或杂脂环基的(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物。
9.根据权利要求8所述的用于封装的组合物，其中，所述具有芳基、脂环基或杂脂环基的(甲基)丙烯酸酯单体具有由化学式6表示的结构: <化学式6>
10.根据权利要求8所述的用于封装的组合物，其中，所述具有芳基、脂环基或杂脂环基的(甲基)丙烯酸酯单体具有由化学式8表示的结构:
11.根据权利要求8所述的用于封装的组合物，就所述用于封装的组合物中的固含量而言，所述用于封装的组合物包含:0.1被％至50被％的所述(A)(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物；30wt%至85wt%的所述(B)多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物；0.lwt%至5wt%的所述(C)引发剂；和5wt%至50wt%的所述(D)所述具有芳基、脂环基或杂脂环基的(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物。
12.根据权利要求1所述的用于封装的组合物，其中，所述用于封装的组合物在25±2°C具有IOcPs至50cPs的粘度。
13.一种用于封装的组合物，包含:如权利要求1中说明的所述(A)(甲基)丙烯酸烷氧基硅烷单体或其低聚物；和所述(B)多官能(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物，所述组合物具有10%或更小的固化收缩率、5GPa至20GPa的固化后储能模量和20kgf/(mm)2至IOOkgf/(mm)2的固化后对无机阻挡层的粘合强度。
14.根据权利要求13所述的用于封装的组合物，具有固化后在550nm的波长下95%或更大的透射率。
15.根据权利要求13所述的用于封装的组合物，进一步包含:(D)具有芳基、脂环基或杂脂环基的(甲基)丙烯酸酯单体或其低聚物。`
16.一种封装的设备，包括: 用于所述设备的部件；和 在用于所述设备的所述部件上形成并包括无机阻挡层和有机阻挡层的阻障堆栈，所述有机阻挡层由根据权利要求1至15的任一项所述的用于封装的组合物形成。
17.根据权利要求16所述封装的设备，其中，所述有机阻挡层具有5GPa至20GPa的储能模量、20kgf/(mm)2至IOOkgf/(mm)2的对无机阻挡层的粘合强度和在550nm的波长下95%或更大的透射率。
18.根据权利要求16所述的封装的设备，其中，所述无机阻挡层包括金属，类金属，金属间化合物，合金，金属、类金属或混合金属的氧化物，金属、类金属或混合金属的氮化物，金属、类金属或混合金属的碳化物，金属、类金属或混合金属的氮氧化物，金属、类金属或混合金属的硼氧化物，或它们的混合物，其中，所述金属或所述类金属包括选自由硅、铝、硒、锌、锑、铟、锗、锡、铋、过渡金属、镧系元素组成的组中的至少一种。
19.根据权利要求16所述封装的设备，其中，所述有机阻挡层具有0.1 μ m至20 μ m的厚度，并且所述无机阻挡层具有5nm至500nm的厚度。
20.根据权利要求16所述封装的设备，其中，用于所述设备的所述部件包括柔性有机发光二极管、有机发光二极管、发光装置、金属传感器垫片、微盘激光器、电致变色装置、光致变色装置、微电机系统、太阳能电池、集成电路、电荷耦合装置、发光聚合物和发光二极管。
【文档编号】C08F230/08GK103881022SQ201310712267
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月20日 优先权日:2012年12月20日
【发明者】河京珍, 权智慧, 南成龙, 李连洙, 李昌珉, 崔承集 申请人:第一毛织株式会社