进行了酸性处理的单烷基萘甲醛树脂的制作方法
【专利摘要】本发明提供热分解性和在溶剂中的溶解性优异的新型树脂及其前体。一种树脂，其是对单烷基萘甲醛树脂进行酸性处理而得到的，所述单烷基萘甲醛树脂是使下述式(1)所示的化合物与甲醛在催化剂的存在下反应而得到的。(式(1)中，R1表示碳数1～4的烷基)。
【专利说明】进行了酸性处理的单烷基萘甲醛树脂
【技术领域】
[0001] 本发明涉及新型的树脂，尤其涉及对单烷基萘甲醛树脂进行酸性处理而得到的树 脂。
【背景技术】
[0002] 例如，对于作为电气用绝缘材料、抗蚀剂用树脂、半导体用密封树脂、印刷电路板 用粘接剂、电气机器?电子机器?产业机器等中搭载的电气用层叠板的基体树脂、电气机 器?电子机器?产业机器等中搭载的预浸料的基体树脂、积层层叠板材料、纤维强化塑料用 树脂、液晶显示面板的密封用树脂、涂料、各种涂布剂、粘接剂、半导体用的涂布剂或半导体 制造中的抗蚀剂用树脂而使用的树脂而言，为了难以因热而分解（热分解性）以及容易操 作，要求在溶剂中的良好溶解性。作为具有这种特性的树脂，已知有如下树脂：使以单烷基 萘或二烷基萘作为主成分的多环式芳香族烃与多聚甲醛在芳香族单磺酸的存在下反应而 得到的芳香族烃树脂（参照专利文献1);使甲氧基亚甲基萘化合物与苯酚、甲酚或萘酚等 具有酚式羟基的化合物在硫酸二乙酯的存在下反应，从而具有使萘与具有酚式羟基的化合 物介由亚甲基键合而成的结构的酚醛树脂（参照专利文献2)等。
[0003] 另外，已知使上述的使用二烷基萘得到的芳香族烃树脂与酸和具有酚式羟基的化 合物反应而制成改性树脂，从而改善热分解性的方法（参照专利文献3和4)。
[0004] 已知的是，为了抑制因热导致的分解，提高树脂中的碳浓度即可，作为这样的树 月旨，例如已知具有下述式所示的单元结构的苊树脂（参照专利文献5)。
[0005] [化学式1]
[0006]
【权利要求】
1. 一种树脂，其是对单烷基萘甲醛树脂进行酸性处理而得到的，所述单烷基萘甲醛树 脂是使下述式（1)所示的化合物与甲醛在催化剂的存在下反应而得到的， [化学式1]
式（1)中，&表示碳数1?4的烧基。
2. 根据权利要求1所述的树脂，其中，所述酸性处理使用酸性催化剂和下述式（2)所示 的化合物， [化学式2]
式（2)中，a表示1?3的整数，X各自独立地表示氢原子、碳数1?10的烷基、碳数 6?10的芳基、或者环己基，b表示0?3的整数，Y各自独立地表示碳数1?10的烧基、 碳数6?10的芳基、或者环己基，η表示0?2的整数。
3. 根据权利要求2所述的树脂，其中，所述式（2)所示的化合物为选自由苯基苯酚、萘 酚、甲氧基萘酚、苯甲酸基萘酚、二羟基萘、羟基蒽、甲氧基蒽、苯甲酸基蒽、以及二羟基蒽组 成的组中的至少一种。
4. 根据权利要求2或3所述的树脂，其中，所述式（2)所示的化合物的用量相对于所述 单烷基萘甲醛树脂中的含氧摩尔数1摩尔为〇. 1?5摩尔。
5. 根据权利要求1所述的树脂，其中，所述酸性处理使用酸性催化剂和水。
6. 根据权利要求5所述的树脂，其中，所述酸性催化剂的用量相对于所述单烷基萘甲 醛树脂100质量份为〇. 0001?100质量份。
7. -种树脂，其是使用酸性催化剂和上述式（2)所示的化合物对权利要求5或6所述 的树脂进行酸性处理而得到的。
8. 根据权利要求7所述的树脂，其中，所述式（2)所示的化合物为选自由苯基苯酚、萘 酚、甲氧基萘酚、苯甲酸基萘酚、二羟基萘、羟基蒽、甲氧基蒽、苯甲酸基蒽、以及二羟基蒽组 成的组中的至少一种。
9. 根据权利要求7或8所述的树脂，其中，所述式（2)所示的化合物的用量相对于所述 单烷基萘甲醛树脂中的含氧摩尔数1摩尔为〇. 1?5摩尔。
10. -种下层膜用树脂，其是对单烷基萘甲醛树脂进行酸性处理而得到的，所述单烷基 萘甲醛树脂是使下述式（1)所示的化合物与甲醛在催化剂的存在下反应而得到的， [化学式3]
式（1)中，&表示碳数1?4的烧基。
11. 根据权利要求10所述的下层膜用树脂，其中，所述酸性处理是使用酸性催化剂和 下述式（2)所示的化合物进行的、和/或、使用酸性催化剂和水进行的， [化学式4]
式（2)中，a表示1?3的整数，X各自独立地表示氢原子、碳数1?10的烷基、碳数 6?10的芳基、或者环己基，b表示0?3的整数，Y各自独立地表示碳数1?10的烧基、 碳数6?10的芳基、或者环己基，η表示0?2的整数。
12. -种下层膜形成材料，其特征在于，其至少含有权利要求1所述的树脂和有机溶 剂。
13. 根据权利要求12所述的下层膜形成材料，其特征在于，其还含有产酸剂。
14. 根据权利要求12或13所述的下层膜形成材料，其特征在于，其还含有交联剂。
15. -种光刻用下层膜，其特征在于，其是由权利要求12?14中任一项所述的下层膜 形成材料形成的。
16. -种图案形成方法，其特征在于，在基板上使用权利要求12?14中任一项所述的 下层膜形成材料形成下层膜，在该下层膜上形成至少1层的光致抗蚀层后，对该光致抗蚀 层的所需区域照射辐射线，进行碱显影。
17. -种图案形成方法，其特征在于，在基板上使用权利要求12?14中任一项所述的 下层膜形成材料形成下层膜，在该下层膜上使用含有硅原子的抗蚀中间层膜材料形成中间 层膜，在该中间层膜上形成至少1层的光致抗蚀层后，对该光致抗蚀层的所需区域照射辐 射线，进行碱显影形成抗蚀图案，其后，以该抗蚀图案作为掩膜对所述中间层膜进行蚀刻， 以所得中间层膜图案作为蚀刻掩膜对所述下层膜进行蚀刻，以所得下层膜图案作为蚀刻掩 膜对基板进行蚀刻，从而在基板上形成图案。
【文档编号】C08G10/04GK104114596SQ201380009715
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年2月25日 优先权日:2012年2月27日
【发明者】内山直哉, 东原豪, 越后雅敏 申请人:三菱瓦斯化学株式会社