高分子与导电组合物的制作方法
【专利摘要】本发明提供的高分子，其结构如下：其中x的摩尔百分比介于10％～90％，y的摩尔百分比介于10％～90％之间；且x+y＝100％；R1为-H、-CH3、-CH2CH3、-OCH3、-O(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-NH2、-N(CH3)2、-N(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-Br、-Cl、-OH、-SO3Na、-SO3H、或-SO2Cl；R2为-H、-COOH、-COOCH3、-COO(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-SO3Na、-SO3H、-SO2Cl、-OH、-CONH2、-CON(CH3)2、-CON(CH2)n(CH3)2，其中n＝1～12、-Br、或-Cl；以及R3为-SO3Na、-SO3H、-PO3H、-SO2Cl、-OH、-H、-COOH、-COOCH3、-COO(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-CONH2、-CON(CH3)2、-CON(CH2)n(CH3)2，其中n＝1～12、-Br、或-Cl。
【专利说明】高分子与导电组合物
【技术领域】
[0001] 本发明涉及导电高分子，更特别涉及其所含的网状交联物的结构。
【背景技术】
[0002] 铟锡氧化物（Indium Tin Oxide，ΙΤ0)在软性基材上重复触碰敲击将产生老化， 甚至因弯曲而造成微观裂缝，因应未来多点软性触控技术，在打点寿命及耐弯曲程度不断 提高的发展趋势下，有必要开发软性透明导电膜以取代脆性ΙΤ0。导电高分子聚3, 4-乙撑 二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PED0T:PSS)则是替代ITO材料选项之一。目前导电高分子以 Heraeus公司为领导厂商，所开发的导电高分子其薄膜面电阻可达成100 Ω /Sq，透光度为 90%。然而在耐化性方面，仍有很大的改善空间。目前改善PED0T:PSS薄膜的耐化性的方 法为添加粘结剂如聚氨酯（PU)或三聚氰胺。然而少量添加粘结剂无法有效增加导电薄膜 的耐化性，但大量添加粘结剂又会降低导电薄膜的导电度。
[0003] 综上所述，目前亟需新的添加剂改善TOD0T:PSS的耐化性，且不会降低其导电度。
【发明内容】
[0004] 本发明一实施例提供的高分子，其结构如下：
[0005]
【权利要求】
1. 一种高分子，其结构如下：
其中X的摩尔百分比介于10%?90%，y的摩尔百分比介于10%?90%之间；且x+y =100% ； R1 为-Η、-CH3、-CH2CH3' -〇CH3、-O(CH2)nCH3,其中 η = 1 ?12、-NH2、-N(CH3)2' -N(CH2)n 〇13，其中11=1?12、-81'、-(：1、-0!1、-503恥、-503!1、或-50 2(：1; R2 为-11、-〇)0!1、-〇)0013、-〇)0(012)1101 3，其中11=1?12、-503恥、-503!1、-502(：1、-〇!1、-C0NH 2、-C0N(CH3)2、_C0N(CH2)n(CH 3)2，其中 η = 1 ?12、-Br、或-Cl ;以及 R3 为-S03Na、-S03H、-P03H、-SO2Cl、-OH、-H、-C00H、-C00CH 3、-COO(CH2)nCH3,其中 η = 1 ?12、-C0NH2、-CON(CH3)2'-CON(CH2) n(CH3)2，，其中 η = 1 ?12、-Br、或-Cl。
2. 权利要求1所述的高分子，其Mw介于45000至120000之间。
3. 权利要求1所述的高分子，其结构如下：
4. 权利要求1所述的高分子，其结构如下：
5. 权利要求1所述的高分子，其结构如下：
6. -种导电组合物，包括：
网状交联物，由权利要求1所述的高分子交联而成；以及 聚3, 4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸， 其中所述网状交联物与聚3, 4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸的重量比介于1:0. Ol至 1:0. 8之间。
7. -种导电组合物，包括： 网状交联物，由权利要求1所述的高分子交联而成，以及 聚3,4_乙撑二氧噻吩，其中所述网状交联物与聚3,4_乙撑二氧噻吩的重量比介于 1:0. 2 至 1:0. 002 之间。
【文档编号】C08F8/42GK104371052SQ201410352537
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年7月23日 优先权日:2013年8月14日
【发明者】卫靖燕, 黄桂武, 符永茜 申请人:财团法人工业技术研究院