高阻燃泡沫隔热保温材料的生产工艺的制作方法

文档序号:12573645阅读:176来源:国知局

本发明涉及化工生产系统领域,特别是涉及高阻燃泡沫隔热保温材料的生产工艺。



背景技术:

在全球低碳经济的大环境中,环保、节能材料的开发是其中的重点环节。目前,市场普遍使用的隔热材料多为聚氨酯泡沫、EPE泡沫或无纺布和铝箔复合材料等,这类材料减震性能较差,且抗腐蚀老化性能较弱,使其使用寿命降低,一般使用二年左右,其保温防水功能消失;再次,这些材料的阻燃性能差,存在安全隐患问题。目前,供热管线普遍存在热量损失大、热效率低的问题。我国对蒸汽管道进行保温一直沿用传统的保温方法,使用的保温材料主要是:岩棉、玻璃棉、硅酸盐制品等。这些材料防水性能差易受潮,一旦吸水受潮保温的效果大大降低甚至全部失去。而且岩棉、玻璃棉等制成的保温材料,施工过程羽屑容易扩散飞扬,对人体造成危害,对环境造成污染。保温材料的单独使用其节能效果不太理想。为了提高管线保温水平,减少管线输送过程中的热损失,减少使用中对人体、环境的危害,寻找开发新型环保的保温材料跟保温结构是相关行业急需解决的问题。



技术实现要素:

本发明的目的就是提供高阻燃泡沫隔热保温材料的生产工艺,能完全解决上述现有技术的不足之处。

本发明的目的通过下述技术方案来实现:

高阻燃泡沫隔热保温材料的生产工艺,包括聚异氰酸酯以及磷酸盐水溶液,将聚异氰酸酯以及磷酸盐水溶液进行中和反应,并且将聚异氰酸酯的NCO基因以及磷酸盐水溶液的P205基因的摩尔比值控制在大于2.5;在进行中和反应同时加入匀泡剂,并且最终形成高阻燃泡沫隔热保温材料;其匀泡剂中含有的环氧丙烷单元比例为40-60%,并且控制匀泡剂含量占泡沫隔热保温材料重量的2.5%。

作为优选,所述匀沫剂为疏水性有机硅匀泡剂。

作为优选,所述聚异氰酸酯的NCO基因以及磷酸盐水溶液的P205基因的摩尔比值控制在2.6-8。

作为优选,所述中和反应过程中加入催化剂。

作为优选,所述催化剂为2.4.6三(二甲安基甲基)以及二甲基环己胺。

作为优选,匀泡剂中4%的水溶液,其浊点控制在50℃以上。

作为优选,所述的中和反应是在水玻璃存在的条件下进行。

作为优选,所述水玻璃为钠水玻璃。

本发明的有益效果在于:本发明提供了一种高阻燃泡沫隔热保温材料的生产工艺,在该方法中不必使用物理发泡剂;形成的产品具有确定的和可见的密度,不含残存的发泡剂;本发明生产出的保温材料阻燃效果优越,并且生产成本得到降低。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。

实施例1

高阻燃泡沫隔热保温材料的生产工艺,包括聚异氰酸酯以及磷酸盐水溶液,将聚异氰酸酯以及磷酸盐水溶液进行中和反应,并且将聚异氰酸酯的NCO基因以及磷酸盐水溶液的P205基因的摩尔比值控制在大于2.5;在进行中和反应同时加入匀泡剂,并且最终形成高阻燃泡沫隔热保温材料;其匀泡剂中含有的环氧丙烷单元比例为40-60%,并且控制匀泡剂含量占泡沫隔热保温材料重量的2.5%,所述的匀泡剂通过一不可水解的sic键相连。

更进一步的,所述匀沫剂为疏水性有机硅匀泡剂。

更进一步的,所述聚异氰酸酯的NCO基因以及磷酸盐水溶液的P205基因的摩尔比值控制在2.6-8。

更进一步的,所述中和反应过程中加入催化剂。

更进一步的,所述催化剂为2.4.6三(二甲安基甲基)以及二甲基环己胺。

更进一步的,匀泡剂中4%的水溶液,其浊点控制在50℃以上。

更进一步的,所述的中和反应是在水玻璃存在的条件下进行。

更进一步的,所述水玻璃为钠水玻璃。

在本发明中,每100份的聚异氰酸酯中的NCO基因使用匀泡剂2-30份。在聚异氰酸酯和磷酸盐水溶液反应中,加入匀泡剂,使其在反应中产生的二氧化碳可以有效的控制应用于反应混合物发泡,除了增强乳化作用外,这些物质对气体形成有一定作用,能稳定形成泡沫材料,即本发明工艺形成的高阻燃泡沫隔热保温材料。

本发明采用组份A:126.76克磷酸盐水溶液,45%的固体含量,3.26克2.4.6三(二甲氨基甲基),12克水。组份B:110克″粗MOI”,NCO含量30.5%,12克匀泡剂,具有0一甲基封端。将前述两组组份中和在一起用搅拌器混合搅拌10秒,然后放入模具10分钟形模,得到密度为58kg/m3,导热系数0.024W/(m·K),抗压强度0.18mpa,氧指数≥30的泡沫保温材料。

实施例2

生产工艺与实施例1一致,组份A:88克磷酸盐水溶液,40%的固体含量,2.68克的2.4.6三(二甲氨基甲基),16克水。组份B:94克″粗MOI”,5.8克匀泡剂,将两组组份按实施例1的方式进行处理,得到密度35kg/m3,导热系数0.02W/(m·K),抗压强度0.16mpa,氧指数≥30的泡沫保温材料。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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