技术总结
本发明涉及一种甘草次酸新晶型，其制备方法如下：将甘草次酸晶型A完全溶于冰醋酸或含有醋酸的混合溶剂中，并经环境温度27±5℃，相对湿度50％‑60％，挥发，并经40℃常压干燥30‑60min即得甘草次酸新晶型。本发明公开的甘草次酸晶型物质与现有专利文献里的甘草次酸晶型的粉末X射线衍射、差示扫描图谱均不同，因此所述固体形态是一种完全不同于现有的甘草次酸的晶型形态。
技术研发人员：田芳;安妮·齐默尔曼;王霆
受保护的技术使用者：深圳市新阳唯康科技有限公司
文档号码：201611051272
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.05.31