1.一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
所述方法包括以下步骤：
1)配置前驱体溶液：将三种含有不同金属离子的金属化合物和有机配体溶于水中，混合均匀得到前驱体溶液；
2)纳米片阵列合成：将经过预处理的导电基底置于前驱体溶液中，对其进行水热处理，水热处理结束后即在导电基底表面合成三金属mof纳米片阵列。
2.根据权利要求1所述的一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
步骤1)所述金属离子包括镍离子、锰离子、钼离子、铁离子、锌离子、钴离子；
步骤1)所述有机配体为2-甲基咪唑。
3.根据权利要求1或2所述的一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
步骤1)所述前驱体溶液中，三种含有不同金属离子的金属化合物总浓度为0.05～0.5mol/l；步骤1)所述前驱体溶液中，有机配体浓度为0.05～0.5mol/l。
4.根据权利要求3所述的一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
步骤1)所述前驱体溶液中，三种金属离子的摩尔比为(0.8～1.2)：(0.8～1.2)：(0.8～1.2)；
步骤1)所述前驱体溶液中，三种金属离子的总摩尔浓度与有机配体的摩尔浓度比为(1～5)：(1～5)。
5.根据权利要求1所述的一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
步骤2)所述导电基底包括金属铜、金属镍、金属钛、石墨烯。
6.根据权利要求1所述的一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
步骤2)所述水热处理的条件为：
水热温度为80～180℃，水热时长为4～36h。
7.根据权利要求1或6所述的一种三金属mof纳米片阵列的制备方法，其特征在于，
步骤2)所述水热处理的条件为：
水热温度为115～125℃，水热时长为7.5～8.5h。