液晶介质的制作方法

专利名称：液晶介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶介质并涉及其用于液晶显示器，特别是借助于有源矩阵寻址 的液晶显示器(AMD或AMLCD，指有源矩阵寻址的液晶显示器)中的用途。特别优选使用包 含薄膜晶体管(TFT)或变阻器的有源矩阵的显示器。这种类型的AMD可以使用各种有源电 子切换元件。最普遍的是使用三极切换元件的显示器。这种类型的三极切换元件的例子是 MOS (金属氧化物硅)晶体管或上述的TFT或变阻器。各种半导体材料，主要是硅，或还有硒 化镉，被用于TFT中。特别是，使用多晶硅或无定形硅。与所述三极电子切换元件相对照， 两极切换元件的矩阵，例如MIM(金属-绝缘体-金属)二极管、环二极管或背对背二极管， 也可以用于AMD中。
背景技术：
在这种类型的液晶显示器中，所述的液晶用作电介质，其光学性能当施加电压时 可逆地改变。使用液晶作为介质的电光显示器是本领域技术人员已知的。这些液晶显示器 使用各种电光效应。最普遍的常规显示器使用TN效应(扭转向列型，具有扭转约90°的向列型结 构)、STN效应(超扭转向列型)或SBE效应(超扭转双折射效应)。在这些和类似的电光 效应中，使用的液晶介质具有正的介电各向异性(Δε)。与所述的常规显示器相对照，所述的常规显示器需要具有正介电各向异性的液晶 介质，还有其它的电光效应，其使用具有负介电各向异性的液晶介质，例如ECB效应(电 控双折射)及其亚型DAP(排列相变形)、VAN(垂直排列向列相)、MVA(多畴垂直排列)、 ASV (高级超视图)、PVA(图案化的垂直排列)和CSH(彩色超垂面)。电控双折射、ECB效应(电控双折射)或者还有DAP效应(排列相变形)的原理在 1971 年被首次描述(M. F. Schieckel 和 K. Fahrenschon，“Deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields (在电场中具有垂直定向的 向列型液晶的变形)”，Appl. Phys. Lett. 19 (1971)，3912)。随后由 J. F. Kahn (Appl. Phys. Lett. 20 (1972)，1193)和 G. Labrunie 和 J. Robert (J. Appl. Phys. 44 (1973)，4869)相继发表 文章。由 J. Robert 禾口 F. Clerc (SID 80 Digest Techn. Papers (1980)，30)、 J.Duchene(Displays 7(1986),3)和 H. Schad(SID 82Digest Techn. Papers(1982), 244) 发表的文章已经说明，为了可用于基于ECB效应的高信息显示元件，液晶相必须具有高数 值的弹性常数KK3ZK1，高数值的光学各向异性Δη和-0.5至-5的介电各向异性Δ ε。基 于ECB效应的电光显示元件具有垂面边缘排列。最近持续增加采用的IPS效应(平面内切换)既可使用介电正性的液晶介质，又可使用介电负性的液晶介质，类似于可采用染料的“宾/主”显示器，这依赖于介电正性的 介质或介电负性的介质中所用的显示器模式。进一步高度有前景的液晶显示器类型为所谓 的“轴对称性微区”(简称ASM)显示器，其优选借助于等离子体阵列寻址(PALCD，对应于“等 离子体寻址的液晶显示器”)。在上述液晶显示器中和在所有采用类似效应的液晶显示器中采用的液晶介质通 常包含具有相应介电各向异性的液晶化合物，即在介电正性介质的情况下包含具有正介电 各向异性的化合物，以及在介电负性介质的情况下包含具有负介电各向异性的化合物。现有技术的液晶介质通常具有相对低的双折射值，相对高的操作电压(阈值电压 (V0)通常相对高，在一些情况下大于2. 3V)和相对长的响应时间，这些是不适当的，特别是 对于能形成影象的(videocapable)显示器。另外，它们通常不适合于高的操作温度和/或 具有不适当的低温稳定性(LTS)。因此，例如向列相经常仅扩展到低至-20°C和在一些情况 下甚至仅低至-io°c。对于大部分而言，现有技术的液晶介质具有相对不利的Δη值，所述的Δη值经 常显著小于0.11并且在一些情况下小于0.10。然而，这种小的Δη值不是特别有利的， 例如，对于VAN显示器，因为它们需要使用具有4μπι或更大的相对较大层厚度的液晶盒 (cell)，并因此导致响应时间对于许多应用而言是不可接受地长。因此，在未扭转指向矢 (director)排列的情况下采用约为0. 30 μ m的d · Δη。然而，使用具有非常小的层厚度的液晶盒经常导致所述显示器产量低。对于快速 切换显示器而言，Δ η值优选希望为0.075至0. 15。这既适用于ECB显示器的情况，也适用 于IPS显示器的情况。由于现有技术显示器的响应时间，如以上已经提及的，经常太长，因此必须改进和 因此降低液晶介质的粘度。这特别适用于旋转粘度Y工和非常特别适用于其在低温下的值。 在流动粘度V2tl方面的降低，特别在具有垂面边缘排列的液晶的显示器情况下(例如在ECB 和VAN显示器的情况下)，通常导致响应时间非常如所希望的缩短。对于在电光显示器元件中这种效应的工业应用，需要LC相必须满足多个要求。这 里特别重要的是对湿气、空气和物理影响，例如热，红外、可见光和紫外区域的辐射，以及对 直流和交变电场的化学抵抗性。另外，可工业应用的LC相需要具有在合适的温度范围中的液晶中间相并具有低 的粘度。迄今为止，没有已知的具有液晶中间相的化合物系列包括满足所有这些要求的单 一化合物。因此，为了获得可用作LC相的物质，通常制备由2至25，优选3至18种化合物 的混合物。然而以这种方式容易地制备最优化相是不可能的，因为直到目前还不能获得具 有显著的负介电各向异性和足够长期的稳定性的液晶材料。迄今为止，基于ECB效应和任选基于IPS或PAIXD效应的显示器需要应用特定的、 复杂的液晶混合物的匹配以用于特定的模式或特定的构型，特别是关于Δη和Δ ε值以及 旋转和流动粘度。

发明内容
令人惊奇地，现在已经发现，具有某种、与Δη或其平方的比的具有负各向异性的液晶混合物不具有得自现有技术中的介质的缺点，或至少只在显著降低的程度上具有这 些缺点。根据本发明的混合物概念使得能够容易地想到可通用于ECB效应的负混合物以用 于各种模式。本发明的混合物特别适合于MVA和PVA构型的VAN显示器，还适合于IPS、FFS 和 PA LCD。因此，本发明涉及基于极性化合物的混合物的液晶介质，所述的极性化合物具有 负的介电各向异性(Δ O，该介质的突出之处是它的h/Δη2的比的值为6_45Pa*s，其中 清亮点为>60°C和Δ ε彡-2.3。在本申请中指出的Υι/Δη2的比的所有数值的单位是[Pa· s]，除非另外明确说 明。本发明的混合物的突出之处是它们的在ECB显示器中的短响应时间，宽的向列相 和相对高的电压保持比(HR)值。具有这种类型的Υι/Δη2的比的本发明混合物还显示出 非常有利的电容阈值，并且同时显示出非常好的低温稳定性。因此，本发明还涉及所述液晶混合物的用途，特别是用于基于ECB、PAIXD和IPS效 应的显示器，并且涉及相应的包含本发明混合物的显示器。本发明混合物概念的优选的实施方案在下文中说明。本发明的混合物优选具有Y1ZAn2为6-30，优选6_22。光学各向异性Δη的值优选为0. 08-0. 12。特别优选混合物的Δη = 0. 08士0. 01， 另夕卜 Δη = 0. 10士0. 005 和 Δη = 0. 12士0. 01。本发明的混合物的清亮点优选为彡65°C，特别是彡69°C。阈值Vtl (电容的)优选为1. 8-2. 3V。所述的温度稳定性(LTS)在温度为彡-20°C，特别是彡-30°C和非常特别优选 (-40°C下优选为至少1000h。满足所需的Υι/Δη2的比的混合物优选具有依赖于Δη、Δ ε和清亮点的如下旋 转粘度，列表如下1.清亮点 70°C 士5°C和 Δ ε 为-3. 0士0. 6 γ/Δη2的比的值优选为8. 6-18. 5。阈值优选为< 2. 3V，特别是2. 0-2. 3V。
2.清亮点 70°C 士5°C和 Δ ε 为-4. 0士0. 4 γ / Δ η2的比的值优选为9. 5-20. 0。阈值优选为< 2. IV，特别是1. 8-2. IV。3.清亮点 70°C 士5°C和 Δ ε 为-5. 0士0. 6
在Δη值为 0. 08 士 0. 005的情况下，该值还
可以是26-28。阈值优选为< 1. 9V，特别是1. 7-1. 8V。4.清亮点 90°C 士5°C和 Δ ε 为-3. 0士0. 6

Y 5.乂 Δ η2的比的值优选为12 清亮点90°C ±5°C和Δ ε 0-23. 0。阈值优选为 < 2. 6V，特别是 2. 30-2. 55V。 为-4. O 士 0. 4
ΔΓ1旋转粘度Y ！
Y 6.ι/Δη2的比的值优选为14. 5-22. 0。阈值优选为< 2. 25V，特别是2. 00-2. 25V。 清亮点 90°C 士5°C和 Δ ε 为-5. 0士0. 6
Δ[1旋转粘度Y 1 Y1/Δ 可以是40-45。η2的比的值优选为18. 0-25.0。 ■值优选为< 2. 0V，特别是1.8在Δη -2. OV0值为0. 08 士 0. 005的情况下，该值还具有清亮点为75-85°C的本发明混合物各自的Y 乂 Δ η2的值和γ 的值在上述对 于70 士 5 °C和90 士 5 °C给出的限度之间。本发明的混合物关于它们的组成的优选的实施方案在下文中说明
a)液晶介质，其包含式IA、IB和/或II的至少两种化合物 其中R1和R2彼此独立地各自表示H、具有最多至15个碳原子的烷基或链烯基，其为未 取代的、由CN或CF3单取代的或由卤素至少单取代的，其中，另外，在这些基团中的一个或 多个CH2基团可以0原子不直接彼此连接的方式被-0-、-S-、~O^-、-C ^ C-、-0CF2-、
-CF2O-、-OC-O-或-0-C0-替代，和ν 表示 1 至 6。R1和R2优选表示直链烷基或直链链烯基。优选的混合物，特别是η值为0. 08-0. 09的混合物，包含总共四种下式的化合物
b)液晶介质，其另外包含式III的一种或多种化合物 其中R31和R32彼此独立地各自表示具有最多至12个碳原子的直链烷基、烷基烷氧 基或烷氧基，和表示^ O Z 表示单键、-C2H4-、-CH = CH-、-(CH2) 4_、-(CH2) 30_、-O(CH2) 3_、-CH = CHCH2CH2-、-CH2CH2CH = CH-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-、-COO-、-0C0-、-C2F4-、-CHFCF2-、 -CF = CF-、-CH = CF-、-CF = CH-、-CH2-。本发明的混合物可包含最多至50重量％的中性化合物，优选选自式III的化合 物。c)液晶介质，其包含四种、五种、六种或更多种的，优选两种或三种的式IA和/或 IB的化合物。d)液晶介质，其中在式IA和IB中的R1和R2优选具有如下含义直链烷基、乙烯 基、IE-链烯基或3-链烯基。如果R1 和 / 或 R2 表示链烯基，则其优选 CH2 = CHXH3-CH = CH、C3H7_CH = CHXH2 =CH-C2H4 或 CH3-CH = CH-C2H4。在化合物IA、IB和II中，ν优选表示2、3或4。e)液晶介质，其中在整个混合物中式IA和/或IB化合物的比例为至少10重量％， 优选至少25重量％，并非常特别优选> 30重量％。f)液晶介质，其中在整个混合物中式II化合物的比例为至少10重量％。g)液晶介质，其包含至少两种，优选三种，式II，特别是下式的化合物 R2优选表示乙基、丙基或戊基。h)液晶介质，其中在整个混合物中式III化合物的比例为至少5重量％。i)液晶介质，其另外还包含选自式IIIa至IIIj的化合物 其中，烷基和烷基*彼此独立地各自表示具有1-6个碳原子的直链烷基，和链烯基和链烯基*彼此独立地各自表示具有2-6个碳原子的直链链烯基，优选乙 烯基、IE-链烯基或3E-链烯基。本发明的介质优选包含至少一种式IIla、式IIIb和/或式IIIe的化合物，优选其 数量为> 5重量％，特别是> 10重量％，非常特别优选> 20重量％。特别优选的式IIIe和IIIf的化合物在下面提及 j)液晶介质，其包含至少三种式IIIe的化合物，优选选自如下化合物 混合物中，优选具有Δη = 0. 08(士0. 005)的混合物中，化合物IIIe-l、IIIe-2和/或IIIe-3的比例优选为彡20重量％，特别是彡30重量％。烷基优选表示CnH2n+1，其中η =3、4 或 5。另外优选包含下式的化合物的介质， 优选该化合物的浓度为> 20重量％，特别是> 30重量％，优选结合下式的化合物
一起存在， 后面提及的化合物优选在混合物中的存在数量为5-40重量％。k)液晶介质，其基本上由如下物质组成10-40重量％—种或多种式IA和IB的化合物，和10-40重量％—种或多种式II的化合物。1)液晶介质，其另外包含一种或多种下式的四环化合物 其中R7和R8彼此独立地各自具有权利要求1中对于R1给出的含义之一，并且w和χ彼此独立地各自表示1-6。m)特别优选的介质包含一种或多种选自下式In-a至In-d的化合物的茚满化合物
16 其中烷基和烷基*彼此独立地各自表示具有1-6个碳原子的直链烷基，并且链烯基表示具有2-6个碳原子的直链链烯基。烷基* 优选表示 CH3、C2H5 或 n-C3H7。本发明的混合物优选包含式In-a或In-b的化合物，特别是式In-a的化合物。整 个混合物中茚满化合物的比例是至少5重量％，优选至少10重量％。η)液晶介质，其另外包含一种或多种下式的化合物， 其中R13-R27彼此独立地各自具有对于R1给出的含义，并且z和m彼此独立地各自 表示 1-6。RE 表示 H、CH3、C2H5 或 n-C3H7，并且 x 表示 0、1、2 或 3。所述化合物优选各自在整个混合物中的存在数量为至少5重量％。具有A n为0. 08-0. 12的混合物优选包含下式的化合物
(烷基)其浓度为≥5重量％，优选≥10重量％。此类型的混合物进一步包含数量为> 2重量％的式II的化合物。下式的化合物 特别适合具有A n值为0. 07-0. 10，特别是0. 07-0. 09的混合物。这些化合物优选 以5-20重量％的浓度使用，其中R27优选表示烷基。0)液晶介质，其另外包含一种或多种下式T-1至T-22的氟化三联苯 其中R具有对于R1给出的含义。R优选是直链烷基、烷氧基或烷基烷氧基，这些基团各自具有1-6个碳原子；具有 2-6个碳原子的链烯基或链烯基氧基。R优选表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧
基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。本发明的介质优选包含式T-I至Τ-22的三联苯，其数量为2-30重量％，特别是 5-20重量％。特别优选式T-l、Τ-2、Τ-3和Τ_22的化合物。在这些化合物中，R优选表示烷基， 另外还表示烷氧基，所述基团各自具有1-5个碳原子。三联苯优选与式IA、IB和II的化合物结合用于具有Δη为彡0. 10的混合物中。 优选的混合物包含2-20重量％三联苯和5-30重量％式II的化合物。 量％。
其中烷基、烷基*、链烯基和链烯基*具有上文所述的含义。 式B4至B-4的联苯在整个混合物中的比例优选为至少3重量％，特别是彡5重
q)液晶介质，其另外包含一种或多种式E-I至E-3的酯，
其中烷基和烷基*具有上文所述的含义。
所述酯在整个混合物中的比例优选为至少10重量％，特别是> 30重量
化合物E-I至E-3中，化合物E-I是特别优选的。
r)液晶介质，其另外包含一种或多种式To-I和To-2的二苯乙炔类，
其中R和烷基具有上文所述的含义。
二苯乙炔类To-I和/或Το-2在整个混合物中的比例优选为至少5重量％，特别
式B-I至Β-4的化合物中，特别优选式B-I和Β-4的化合物。 优选的联苯如
24是> 20重量％。在化合物To-I和To-2中，R优选表示直链烷基或烷氧基。s)液晶介质，其另外包含一种或多种式N-I和Ν-2的腈， 其中R和烷基具有上文所述的含义。所述腈在整个混合物中的比例优选为至少5重量％，特别是彡25重量％。t)液晶介质，其包含至少10重量％，优选彡15重量％，特别是彡20重量
的化合物。这种类型的化合物优选用于具有Δη为>0.12的混合物中。式Β-4的联苯优 选与式II和/或B-I的化合物结合使用。优选的具有Δη彡0. 12的混合物除了包含式Β_4的化合物以外，还包含至少15 重量％式II的化合物和/或彡5重量％式B-I的化合物。式Β-4的化合物另外优选与三联苯，优选与T-l、Τ-2和/或Τ_3结合使用。u)液晶介质，其包含至少一种式Z-I至Z-IO的化合物， 其中R和烷基具有上文所述的含义，并且ρ是1或2，优选所述化合物用量为> 5重量％，特别是> 10重量％。特别优选这样的介质，其包含一种、两种或更多种式Z-I至Z-7的化合物并另外包 含一种、两种或更多种式II的化合物。这种类型的混合物优选包含> 10重量％的式II的 化合物和任选地还包含式IA的化合物。ν)液晶介质，其包含至少一种下式的化合物
优选的式IB-M的化合物是化合物IB-Ml至IB-M3
本发明的混合物优选包含至少一种式IB-M的化合物，特别是化合物IB-M1、IB_M2 和/或IB-M3，和至少一种如下化合物
O >~烷基*
w)液晶介质，其包含至少一种下式的化合物优选所述化合物的数量为5-20重量％，特别是结合一种或多种式T-I至T-21的 化合物。χ)液晶介质，其包含至少一种式T-I的化合物和至少一种式Τ-4的化合物。y)液晶介质，其包含至少一种下式的化合物， 和至少一种下式的化合物，
烷基本发明另外涉及一种基于ECB效应的具有有源矩阵寻址的电光学显示器，其特征 在于，它包含根据本发明权利要求1-17中任一项的液晶介质作为电介质。本发明的液晶混合物优选具有至少60K的向列相范围和在20°C下最大30mm2 · s—1 的流动粘度v2Q，优选< 25mm2 · s—1。本发明的液晶混合物具有的Δ ε为约-2. 3至-8.0，特别是约-3.0至-6.0，非常 特别优选彡"3. 0至-5. 0。旋转粘度Y ！优选为< 200mPa · s，特别是< 190mPa · s。ζ)液晶介质，其包含至少一种式0-1至0-11的化合物， 其中R1和R2具有上文所述的含义，R1和R2优选彼此独立地各自表示直链烷基，另 外表示链烯基。优选的本发明液晶介质包含一种或多种具有Δ ε < 2. 3的物质，该物质含有四氢萘基或萘基单元，例如式N-I至N-5的化合物，
其中R1和R2彼此独立地各自具有上文所述的含义，优选表示直链烷基、直链烷氧 基或直链链烯基，和Z、Z1和Z2彼此独立地各自表示-C2H4-、-CH = CH-、- (CH2) 4_、- (CH2) 30 -、-0 (CH2) 3_、-CH = CHCH2CH2-、-CH2CH2CH = CH-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-0C0-、-C2F4-、-CF =CF-、-CF = CH-、-CH = CF-、-CH2-或单键。液晶混合物中的双折射Δη —般为0. 07-0. 16，优选为0. 08-0. 12。本发明的混合物适合用于所有VA-TFT应用中，例如VAN、MVA、(S)_PVA、ASV。它们 另外适合于具有负Δ ε的IPS (平面内切换)和FFS (边缘场切换)IXD应用。本发明的液晶相的式IA、IB、II和III的单个组分是已知的，或它们的制备方法 可以容易地由本领域技术人员从现有技术衍生得到，因为它们是基于文献中描述的标准方 法。本发明显示器中的向列型液晶混合物一般包含两种组分A和B，它们自身由一种 或多种单个化合物组成。组分A具有明显负性的介电各向异性并提供具有介电各向异性为<-2. 3的向列 相。优选它包含式IA和/或IB和II的化合物。组分A的比例优选为45-100%，特别是60-100%。
对于组分A，优选选择一种(或多种)具有Δ ε值为< -0. 8的单个化合物。A在 整个混合物中的比例越小，该值必须越负。组分B具有明显的向列性(nematogeneity)和在20°C下不大于30mm2 .s—1的流动 粘度，优选不大于25mm2 · s—1的流动粘度。特别优选的组分B的单个化合物是在20°C下具有不大于18，优选不大于12mm2 μ—1 的流动粘度的具有极低粘度的向列型液晶。组分B是单变性或双变性向列型的，不具有近 晶相并且能够防止在低至非常低的温度时在液晶混合物中出现近晶相。如果，例如将具有 高向列性的各种材料分别加入近晶型液晶混合物中，这些材料的向列性可以通过所达到的 抑制近晶相的程度而加以比较。多种合适的材料对于本领域技术人员从文献中是已知的。 特别优选式III的化合物，另外还有式B-I至Β-4、0-1和0-2的化合物。另外，这些液晶相也可以包含多于18种组分，优选18-25种组分。各相优选包含 4-15种，特别是5-12种式IA和/或IB、II和任选地III的化合物。除了式IA和/或IB、II和III的化合物以外，其它成分也可以存在，例如数量为 最高至45%，基于整个混合物，但优选最高至35%，特别是最高至10%。其它成分优选选自向列型或向列性(nematogenic)的物质，特别是选自以下类别 的已知物质氧化偶氮苯、苄叉苯胺、联苯、三联苯、苯甲酸苯酯、苯甲酸环己酯、环己烷羧酸 苯酯或环己酯、苯基环己烷、环己基联苯、环己基环己烷、环己基萘，1，4_双环己基联苯或环 己基嘧啶，苯基或环己基二噁烷，任选卤化的芪，苄基苯基醚、二苯乙炔类和取代的肉桂酸。适合作为这种类型的液晶相的成分的最重要的化合物可以由式IV表征R9-L-G-E-R10IV其中L和E各自表示选自如下的碳环或杂环环体系1，4_ 二取代的苯和环己烷 环，4，4’ - 二取代的联苯，苯基环己烷，环己基环己烷体系，2，5-二取代的嘧啶和1，3_ 二噁 烷环，2，6- 二取代的萘，二和四氢萘，喹唑啉和四氢喹唑啉，G 表示-CH = CH--N(O)=N--CH-CQ--CH = N(O)--C = C--CH2-CH2--C0-0--CH2-O--CO-S--CH2-S--CH = N--COO-Phe-COO--CF2O--CF = CF--OCF2--OCH2-- (CH2) 4-- (CH2) 30_或C-C单键，Q表示卤素，优选氯，或-CN，和R9和Rltl各自表示烷基、链烯基、烷氧 基、烷酰基氧基或烷氧基羰氧基，其具有最多至18个碳原子，优选最多至8个碳原子，或这 些基团之一另选表示 CN、NC、NO2, NCS、SCN、CF3> OCF3> F、Cl 或 Br。在大多数这些化合物中，R9和Rki彼此不同，这些基团中的一种通常是烷基或烷氧 基。在此建议的取代基的其它变化方案也是普通的。许多这样的物质或还有其混合物是市 售的。所有这些物质可以通过文献中已知的方法制备。
对于本领域技术人员不言而喻的是，根据本发明的VA、IPS、FFS或PA IXD混合物 也可以包含这样的化合物，其中例如H、N、0、Cl和F已经被相应的同位素替代。本发明的液晶显示器的构造相应于例如EP-A 0 240 379中所述的通常的几何结 构。除了式IA、IB、II和III的化合物以外，本发明的混合物优选包含一种或多种上述 的化合物。在此使用下面的缩写(n、m = 1-6 ；ζ = 1-6) 可以根据本发明使用的液晶混合物按照自身常规的方式制备。一般，将所需数量 的以较少数量使用的组分溶解于构成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下进行。还 可以将各组分在有机溶剂中的溶液混合，所述有机溶剂例如为丙酮、氯仿或甲醇，并在充分 混合后再次除去溶剂，例如通过蒸馏进行。
在本申请中，术语“介电正性的化合物”是指具有Δε > 1.5的化合物，术语“介 电中性的化合物”是指具有-1.5 < Δ ε < 1.5的那些化合物，并且术语“介电负性的化合 物”是指具有Δ ε <-1.5的那些化合物。化合物的介电各向异性在此通过如下方式测定 将10%各化合物溶解于液晶主体中，并在至少一个试验液晶盒中测定该混合物的电容，每 种情况下该液晶盒具有层厚度为20μπι，在IkHz下，采用垂面的表面排列与采用沿面的表 面排列进行。测量电压通常为0. 5V至1. 0V，但是总是低于各自液晶混合物的电容阈值。用于介电正性和介电中性的化合物的主体混合物是ZLI-4792，而用于介电负性的 化合物的主体混合物是ZLI-2857，都购自Merck KGaA (德国)。待研究的各化合物的数值 从在加入待研究的化合物后主体混合物的介电常数的变化并外推至100%的所用化合物而 获得。术语“阈值电压”以常规方式涉及对于10%相对对比度(Vltl)的光学阈值，除非另 外明确说明。但是，本申请中，术语“阈值电压”用于电容阈值电压(Vtl)，也称为Freedericks阈 值，关于具有负性介电各向异性的液晶混合物而言，除非另外明确说明。本申请中所有浓度，除非另外明确标注，是以重量％计给出并涉及相应的混合物 或混合物组分。所有物理性能根据“Merck LiquidCrystals, Physical Properties of Liquid Crystals” (Merck 液晶，液晶的物理性能)，Status, 1997 年 11 月，Merck KGaA(德 国)测定，并适用于20°C的温度，除非另外明确说明。Δη在589nm下测定，而Δ ε在IkHz 下测定。对于具有负介电各向异性的液晶介质，阈值电压作为电容阈值Vtl(也已知称为 Freedericks阈值)测定，其在Merck KGaA(德国)生产的试验液晶盒中进行，其中液晶通 过购自Nissan Chemicals的对准层SE 1211而垂面排列。电介质还可以包含另外的本领域技术人员已知且描述于文献中的添加剂，例如 UV吸收剂、抗氧化剂、自由基清除剂。例如，可以加入0-15%多色染料，另外，导电盐，优选 4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基铵，四苯基硼酸四丁基铵，或冠醚的配合物盐(参见 例如，Haller 等人，Mol. Cryst. Liq. Cryst.，第 24 卷，第 249-258 页(1973)，可以加入，以 改进电导率，或可以加入所述物质，以改进向列相的介电各向异性、粘度和/或排列。这种 类型的物质描述于，例如 DE-A 2209 127，22 40 864,23 21 632,23 38 281,24 50 088,26 37 430 和 28 53 728。本发明的液晶介质可以，如果必要时，还包含常规数量的手性掺杂剂。这些掺杂剂 的用量总计为0-10重量％，基于整个混合物的数量，优选0. 1_6%。所用单个化合物的浓度 优选为0. 1_3%。当给出液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，这些添加剂和类似添 加剂的浓度不计在内。表A指示可以加入本发明混合物中的可能的掺杂剂。^A
可以例如以数量0-10%加入本发明的混合物中的稳定剂在下面在表B中提及t 表B (η = 1-12) 该组合物由多种化合物，优选3-30种，特别优选6-20种，非常特别优选10_16种 化合物组成，该化合物以常规方式混合。一般，将所需数量的以较少量使用的组分溶解于构 成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下进行。如果所选择的温度高于所述主要成分 的清亮点，则溶解过程的完成特别容易观察到。但是，也可以通过其它常规方法制备液晶混 合物，例如使用预混合物或从所谓的“多瓶体系”制备。通过合适的添加剂，本发明的液晶相可以以这样的方式改性，使得它们可以应用 于目前已知的ECB、VAN、IPS、GH或ASM-PA LCD显示器中任一类型的显示器。
具体实施例方式下面的实施例用于举例说明本发明，而不对本发明加以限制。在实施例中，液晶物 质的熔点T(C，N)、从近晶相(S)到向列相(N)的转变T(S，N)和清亮点T(N，I)以摄氏度计
全A屮
5 口 OD。另外V0表示在20°C下的阈值电压，电容的[V]Δη表示光学各向异性，在20°C和589nm下测量
Δ ε表示在20°C和IkHz下的介电各向异性cp.表示清亮点[°C ]γ ！表示旋转粘度，在20°C下测量[mPa · s]LTS表示低温稳定性，在试验液晶盒中测定HR (20)表示20 V下的电压保持比[% ]HR(IOO)表示100°C下5min后的电压保持比]HR (UV)表示UV曝光后的电压保持比[% ]为了测量电压保持比，使用具有AI-3046对准层的液晶盒。用于测量阈值电压的显示器具有两个平面平行的外板，以间隔为20 μ m分开，并 在外板的内侧具有带有在上方的SE-1211(NiSSanChemicalS)对准层的电极层，该对准层 实现液晶的垂面排列。用涂实施例
实施例m
CY-3-0416. 00%清亮点 [°c ]71. 0
CY-5-0213. 00%An[589nm,20°C ]0. 0822
CCY-3-0214. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 6
CCY-2-113. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 3
CCY-3-110. 00%K1 [pN,20°C ]13. 3
CCH-3510. 00%K3 [pN, 20 °C ]14. 0
CCH-3035. 00%Y1DnPa · s，20°C ]125
CCH-30112. 00%V0[V]2. 16
BCH-327. 00%LTS 向列相> IOOOh在
-30 0C
LTS 向列相> 350h在
-40 0C
HR(IOO)93. 0%
实施例M2
CY-3-0418. 00%清亮点 [°C ]70. 5
CY-5-0414. 00%An[589nm,20°C ]0. 0825
CCY-3-025. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 4
CCY-5-028. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 1
CPY-2-023. 00%K1 [pN,20°C ]14. 0
CPY-3-0210. 00%K3 [pN, 20 °C ]14. 4
CC-3-V112. 00%Y1DnPa · s，20°C ]102
CC-5-V15. 00%V0[V]2. 27
CC-3-2V10. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CCH-355. 00%-40 0C
HR(IOO)94. 5%
实施例M3
CY-3-0415. 00%清亮点 [°c ]70. 5
CY-5-0515. 00%An[589nm,20°C ]0. 0952
CCY-3-0210. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 5
CCY-3-110. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 1
PCH-3026. 00%K1 [pN,20°C ]13. 9
CC-5-V6. 00%K3 [pN, 20 °C ]14. 6
CC-3-V112. 00%Y1DnPa · s，20°C ]133
CCH-355. 00%V0[V]2. 28
CPY-2-17. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CPY-3-17. 00%-30 0C
CPY-5-17. 00%
实施例M4
CY-3-0414. 00%清亮点 [°c ]69. 5
CY-5-028. 00%An[589nm,20°C ]0.1005
CY-5-0415. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 6
BCH-328. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 3
CCP-V2-17. 00%K1 [pN,20°C ]12. 5
CC-3-V18. 00%K3 [pN, 20 °C ]13. 5
CC-3-V18. 00%Y1DnPa · s，20°C ]106
CPY-2-0210. 00%V0[V]2. 14
CPY-3-0212. 00%LTS 向列相> IOOOh在
40 0C
实施例M5
CY-3-0415. 00%清亮点 [°c ]73. 5
CY-5-0413. 00%An[589nm,20°C ]0.1198
PCH-535. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CCP-V-I6. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 3
BCH-328. 00%K1 [pN,20°C ]11. 9
CC-3-V18. 00%K3 [pN, 20 °C ]12. 0
CC-5-V9. 00%Y1DnPa · s，20°C ]150
CPY-2-0212. 00%V0[V]2. 01
CPY-3-0212. 00%
YPY-4-16. 00%
YPY-4-46. 00%
实施例M6
CY-3-0411. 00%清亮点 [°c ]71. 0
CY-5-0211. 00%An[589nm,20°C ]0.1202
CPY-2-0212. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CPY-3-029. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 0
BCH-329. 00%K1 [20 0C ]12. 4
CCH-30112. 00%K3[20 0C ]11. 7
CCH-30312. 00%Y1DnPa · s，20°C ]125
CCH-356. 00%V0[V]2. 10
PYP-2-36. 00%LTS 向列相> IOOOh在
PYP-2-412. 00%-30 0C
实施例M7
CY-3-0420. 00%清亮点 [°c ]70. 0
CY-5-045. 00%An[589nm,20°C ]0. 1201
CPY-2-0212. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 6
CPY-3-0212. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 2
PYP-2-310. 00%K1 [20 °C ]11. 7
PYP-2-410. 00%K3[20 °C ]12. 4
CC-3-V112. 00%Y1DnPa · s，20°C ]116
CC-4-V14. 00%V0[V]2. 09
CCH-345. 00%
实施例M8
BCH-3210. 00%清亮点[°c ]72. 0
CCP-V-I10. 00%An[589nm,20°C ]0. 1512
CC-3-V112. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CPY-2-0212. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 6
CPY-3-0213. 00%K1[20 °C ]15. 0
B-302FF19. 00%K3[20 °C ]15. 5
B-502FF17. 00%Y1DnPa · s，20°C ]143
PP-1-47. 00%V0[V]2. 20
LTS 向列相> IOOOh在
-30 0C
实施例M9
CY-3-0218. 00%清亮点 [°c ]71. 0
CY-3-045. 00%An[589nm,20°C ]0. 0821
CY-5-0212. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CCY-3-0212. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 9
CCY-5-023. 00%K1 [20 °C ]13. 1
CCY-2-14. 00%K3[20 °C ]14. 9
CCY-3-18. 00%Y1DnPa · s，20°C ]130
CPY-3-023. 00%V0[V]2. 07
CCH-355. 00%LTS 向列相> IOOOh在
PCH-3028. 00%-40 0C
CH-333. 00%HR(100oC )93%
CH-434. 00%
CC-5-V15. 00%
实施例mo
CY-3-049. 00%清亮点 [°c ]69. O
CY-5-0214. 00%An[589nm,20°C ]0. 0813
CY-5-0416. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CCY-3-0211. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 2
CCH-356. 00%K1 [20 °C ]13. 1
CC-3-V17. 00%K3[20 °C ]14. 1
CC-5-V18. 00%Y1DnPa · s，20°C ]116
CPY-3-024. 00%V0[V]1. 94
CCY-V-0215. 00%LTS 向列相> IOOOh在
-30 °C
LTS 向列相> 600h在
-40 °C
HR(100°C )94%
实施例mi
CY-3-0417. 00%清亮点 [°c ]70. 5
CY-5-029. 00%An[589nm,20°C ]0. 0993
CY-5-0414. 00%ε μ [kHz, 20°C ]4. O
CPY-2-027. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 2
CPY-3-027. 00%K1 [20 °C ]11. 5
CCP-V-I12. 00%K3[20 °C ]14. 3
CCH-355. 00%Y1DnPa · s，20°C ]187
CC-3-V19. 00%V0[V]1. 95
CPQ1Y-3-0410. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CPQ1Y-5-0410. 00%-30 0C
实施例m2
CC-5-ν11. 00%清亮点 [°c ]73. O
PCH-5313. 00%An[589nm,20°C ]0. 0985
CY-3-0412. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CY-5-0412. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. O
CCY-2-0212. 00%K1 [20 °C ]13. 8
CCY-3-0212. 00%K3[20 °C ]14. 2
CCY-5-028. 00%Y1DnPa · s，20°C ]163
CCY-2-110. 00%V0[V]1. 98
PYP-2-310. 00%
实施例m3
CY-3-0416. 00%清亮点 [°c ]71. O
CY-5-0415. 00%An[589nm,20°C ]0. 1014
CY-5-028. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 8
CCY-3-026. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 0
BCH-327. 00%K1 [20 °C ]13. 9
CCH-355. 00%K3[20 °C ]13. 0
CC-3-2V10. 00%Y1DnPa · s，20°C ]141
CC-5-V9. 00%V0[V]1. 89
CPY-2-0212. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CPY-3-0212. 00%-30 °C
实施例m4
CY-3-0420. 00%清亮点 [°c ]73. 5
CY-5-029. 00%An[589nm,20°C ]0. 1202
CY-5-044. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
BCH-3210. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 8
PG1G1-3-F2. 00%K1[20 °C ]13. 0
CC-3-V111. 00%K3[20 °C ]13. 1
CC-5-V10. 00%Y1DnPa · s，20°C ]153
CPY-2-0214. 00%V0[V]1. 95
CPY-3-0212. 00%LTS 向列相> IOOOh在
YPY-4-12. 00%-20 0C
YPY-4-42. 00%
YPY-5-52. 00%
YPY-4-2V2. 00%
实施例m5
CY-3-0416. 00%清亮点 [°c ]69. 0
CY-5-028. 00%An[589nm,20°C ]0. 1249
CY-5-0416. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 9
BCH-328. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 1
CC-5-V8. 00%K1 [20 °C ]12. 7
CC-3-V18. 00%K3[20 °C ]13. 1
CPY-2-0211. 00%Y1DnPa · s，20°C ]153
CPY-3-0211. 00%V0[V]1. 89
PYP-2-314. 00%LTS 向列相> IOOOh在
-40 0C
实施例m6
CY-3-0420. 00%清亮点 [°c ]71. 0
CY-5-028. 00%An[589nm,20°C ]0. 1210
CY-5-0412. 00%ε μ [kHz, 20°C ]4. 0
BCH-329. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 1
CCP-V-I7. 00%K1 [20 °C ]12. 4
PG1G1-3-F7. 00%K3[20 °C ]13. 8
CC-3-V18. 00%Y1DnPa · s，20°C ]171
PCH-533. 00%V0[V]1. 94
CPY-2-0214. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CPY-3-0212. 00%-30 °C
LTS 向列相> 600h在
-40 °C
实施例m7
CY-3-0416. 00%清亮点 [°c ]68. 5
CY-5-028. 00%An[589nm,20°C ]0. 1515
BCH-328. 00%ε M[kHz,20°C ]4. 2
CC-3-V110. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 0
CPY-2-0212. 00%K1 [20 °C ]13. 0
CPY-3-0212. 00%K3[20 °C ]14. 4
PYP-2-311. 00%Y1DnPa · s，20°C ]161
ΡΥΡ-3-310. 00%V0[V]2. 01
B-IlFF13. 00%LTS 向列相> IOOOh在
-40 0C
实施例m8
CC-5-ν7. 00%清亮点 [°c ]70. 0
CCH-346. 00%An[589nm,20°C ]0.0796
CY-3-0422. 00%ε M[kHz,20°C ]4. 0
CY-5-0421. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 8
CCY-2-028. 00%K1 [20 °C ]12. 9
CCY-3-026. 00%K3[20 °C ]12. 6
CCY-5-027. 00%Y1DnPa · s，20°C ]172
CCY-2-110. 00%V0[V]1. 72
CCY-3-18. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CH-332. 00%-40 0C
CH-433. 00%
实施例m9
CC-5-ν13. 00%清亮点 [°c ]73. 0
CY-3-0420. 00%An[589nm,20°C ]0.0830
CY-5-0420. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 9
CCY-2-028. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-5. 1
CCY-3-0211. 00%K1[20 °C ]13. 2
CCY-5-028. 00%K3[20 °C ]14. 0
CCY-2-110. 00%Y1DnPa · s，20°C ]184
CCY-3-110. 00%V0[V]1. 76
LTS 向列相> IOOOh在
-20 0C
LTS 向列相> 800h在
-30 0C
实施例M20
PCH-535. 00%清亮点 [°c ]70. 5
CY-3-0422. 00%An[589nm,20°C ]0. 0951
CY-5-0420. 00%ε μ [kHz, 20°C ]4. 1
CCY-2-029. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 9
CCY-3-0210. 00%K1[20 °C ]12. 9
CCY-5-025. 00%K3[20 °C ]13. 2
CCY-2-112. 00%Y1DnPa · s，20°C ]210
CCY-3-18. 00%V0[V]1. 73
BCH-324. 00%LTS 向列相> IOOOh在
BCH-524. 00%-40 0C
PG1G1-3-F1. 00%
实施例M21
CY-3-0416. 00%清亮点 [°c ]70. 0
CY-5-0216. 00%Δη [589nm,20°C ]0. 1019
CY-5-0413. 00%ε μ [kHz, 20°C ]4. 0
CCY-3-029. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-5. 0
CPY-2-0212. 00%K1[20 °C ]13. 8
CPY-3-0212. 00%K3[20 °C ]14. 5
CC-3-V110. 00%Y1DnPa · s，20°C ]165
CCH-359. 00%V0[V]1. 79
BCH-323. 00%
实施例M22
CCY-3-0215. 00%清亮点 [°c ]87. 0
CCY-5-0212. 00%An[589nm,20°C ]0.0797
CCY-2-16. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 2
CCY-3-113. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 1
CY-5-0217. 00%K1[20 °C ]17. 0
CCH-3017. 00%K3[20 °C ]17. 8
CCH-3520. 00%Y1DnPa · s，20°C ]147
PCH-5310. 00%V0[V]2. 53
实施例M23
BCH-32F2. 50%清亮点 [°c ]92. 0
CCH-30116. 50%An[589nm,20°C ]0. 0827
CCH-345. 00%ε μ[kHz,20°C ]3. 4
CCH-355. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 0
CCY-2-114. 00%K1[20 °C ]16. 4
CCY-3-0213. 50%K3[20 °C ]17. 8
CCY-3-114. 00%Y1DnPa · s，20°C ]154
CCY-5-0213. 50%V0[V]2. 58
PCH-3018. 50%
CY-3-027. 50%
实施例M24
CY-3-048. 00%清亮点 [°c ]91. 0
CY-5-023. 00%An[589nm,20°C ]0. 0822
CCY-3-0211. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 3
CCY-3-0312. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 2
CCY-4-0212. 00%K1[20 °C ]15. 4
CPY-2-0210. 00%K3[20 °C ]15. 9
CC-4-V17. 00%Y1DnPa · s，20°C ]117
CC-3-V112. 00%V0[V]2. 36
CCH-354. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CCH-30111. 00%-20 0C
实施例M25
CY-3-0412. 00%清亮点 [°c ]90. 0
CCY-3-0312. 00%An[589nm,20°C ]0. 1019
CCY-4-022. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 4
CPY-2-0212. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 0
CPY-3-0212. 00%K1[20 °C ]15. 2
CCH-30111. 00%K3[20 °C ]15. 8
CC-5-V20. 00%Y1DnPa · s，20°C ]135
CC-3-V110. 00%V0[V]2. 43
PYP-2-32. 00%
PYP-2-44. 00%
CCPC-333. 00%
实施例M26
CY-3-0415. 00%清亮点 [°c ]90. 5
CY-5-0411. 00%An[589nm,20°C ]0. 1249
CY-5-025. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 7
CPY-2-0212. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 3
CPY-3-0212. 00%K1[20 °C ]15. 2
BCH-328. 00%K3[20 °C ]15. 6
PG1G1-3-F8. 00%Y1DnPa · s，20°C ]188CCP-V-I8. 00%V0[V]2. 38CCP-V2-18.00%LTS 向列相> IOOOh在CC-5-V9.00%-30 0CCC-3-V12.00%HRdOO0C )94%CBC-332.00%实施例M27CY-3-0212 00%清亮点 [°c ]91. 0CY-5-0211 00%Δ η[589nm，20°C ]0.0829CCY-3-0214.00%ε ,, [kHz, 20°C ]3. 6CCY-5-0215.00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 2CCY-2-110.00%K1[20 °C ]16. 6CCY-3-114.00%K3[20 °C ]18. 4CCH-346.00%Y1DnPa · s，20°C ]185CCH-355.00%CCH-3014.00%CCH-3035.00%CCH-5014.00%实施例M28CY-3-0220.00%清亮点 [°c ]91. 0CY-5-025.00%Δ η[589nm，20°C ]0. 0821CCY-3-0212.00%ε π [kHz, 20°C ]3. 5
CCY-5-02
CCY-3-03
CCY-4-02
CC-5-V
CC-3-V1
CCH-35
7. 00% 12. 00% 11. 00% 20. 00% 9. 00% 4. 00%
Δ ε [kHz,20°C ] -4.1 K1 [20 °C ] 16. 2 K3[20 °C ] 18. 1
Y1LmPa ‘ s,20°C ] 148
V0 [V] 2.21 LTS 向列相> IOOOh在 -20 0C
实施例M29CY-5-029. 00%清亮点 [°c ]90. 5CY-5-0415. 00%An[589nm,20°C ]0.1023CCY-3-0312. 00%ε ,,[kHz, 20 °C ]3. 5CCY-4-0210. 00%Δ ε [kHz, 20°C ]-4. 1CCY-5-0210. 00%K1[20 °C ]17. 3CPY-2-022. 00%K3[20 °C ]16. 4CPY-3-0212. 00%Y1DnPa · s，20°C ]211CCH-357. 00%V0[V]2. 10CCH-3034. 00%LTS 向列相> IOOOh在PCH-5312. 00%-20 °C
:N 10BCH-327. 00%HR(100oC )91%
实施例M30
CY-3-045. 00%清亮点 [°c ]91. 5
CY-5-0420. 00%Δη [589nm,20°C ]0. 1015
CCY-3-0312. 00%ε ι [kHz, 20°C ]3. 5
CCY-4-0210. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 2
CCY-5-0211. 00%K1 [20 °C ]16. 6
CPY-3-0210. 00%K3[20 °C ]16. 3
PYP-2-47. 00%Y1DnPa · s，20°C ]211
CC-3-V111. 00%V0[V]2. 10
CC-5-V11. 00%LTS 向列相> IOOOh在
PCH-533. 00%-20 0C
HR(100oC )94%
实施例M31
CY-3-0414. 00%清亮点 [°c ]90. 0
CY-5-0214. 00%An[589nm,20°C ]0.1168
CY-5-044. 00%ε ι [kHz, 20°C ]3. 7
CCY-3-026. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-4. 2
CCY-5-027. 00%K1[20 °C ]15. 3
PG1G1-3-F2. 00%K3[20 °C ]17. 7
BCH-3210. 00%Y1DnPa · s，20°C ]198
CPY-2-0210. 00%V0[V]2. 15
CPY-3-0214. 00%
CCP-V-I2. 00%
CC-5-V5. 00%
CC-3-V112. 00%
实施例M32
CY-3-0420. 00%清亮点 [°c ]87. 0
CY-5-0212. 00%An[589nm,20°C ]0. 0808
CY-5-0420. 00%ε ι [kHz, 20°C ]3. 9
CCY-3-027. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-5. 0
CCY-5-0211. 00%K1[20 °C ]13. 6
CCH-305. 00%K3[20 °C ]15. 1
CH-334. 00%Y1DnPa · s，20°C ]265
CH-354. 00%V0[V]1. 82
CH-434. 00%
CH-454. 00%
CCPC-333. 00%
CCPC-343. 00%
56
CCPC-353. 00%
实施例M33
CY-3-0414. 00%清亮点 [°c ]86. 0
CY-5-0210. 00%An[589nm,20°C ]0.1023
CY-5-0416. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 9
CCY-2-026. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-5. 1
CCY-3-0212. 00%K1 [20 °C ]15. 2
CCY-5-028. 00%K3[20 °C ]16. 2
CCY-2-18. 00%Y1DnPa · s，20°C ]257
CCY-3-112. 00%V0[V]1. 89
BCH-328. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CCP-V-I4. 00%-20 0C
PG1G1-3-F2. 00%LTS 向列相> 760h在
-30 0C
LTS 向列相> 500h在
-40 0C
HR (20 0C )98%
HR(100oC )91%
实施例M34
CY-3-0410. 00%清亮点 [°c ]90. 0
CY-5-0414. 00%An[589nm,20°C ]0.1204
CY-5-0213. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 9
CCY-3-0214. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-5. 0
CCY-5-021. 00%K1 [20 °C ]14. 7
CBC-336. 00%K3[20 °C ]16. 8
CC-5-V11. 00%Y1DnPa · s，20°C ]265
PG1G1-3-F7. 00%V0[V]1. 94
CPY-2-0212. 00%LTS 向列相> IOOOh在
CPY-3-0212. 00%-40 0C
实施例M35
CY-3-0213. 00%清亮点 [°c ]79. 5
CY-5-025. 00%An[589nm,20°C ]0. 078
CCY-4-0210. 00%ε μ [kHz, 20°C ]3. 4
CCY-3-0312. 00%Δ ε [kHz,20°C ]-3. 1
CCY-2-02V11. 00%K1 [pN,20°C ]13. 9
CPY-2-026. 00%K3 [pN, 20 °C ]13. 6
CCH-3035. 00%Y1DnPa · s，20°C ]107
CC-5-V18. 00%V0[V]2. 2
CC-3-V112. 00%
CCH-345. 00%PCH-3013. 00%
权利要求
液晶介质，基于具有负介电各向异性Δε的极性化合物的混合物，其特征在于，该介质具有的γ1/Δn2的比的值为6-45，其中清亮点为＞60℃和Δε≤-2.3，并且包含一种或多种式B-1至B-4的联苯其中，烷基和烷基*彼此独立地各自表示具有1-6个碳原子的直链烷基，和链烯基和链烯基*彼此独立地各自表示具有2-6个碳原子的直链链烯基，优选乙烯基、IE-链烯基或3E-链烯基。FSA00000146689500011.tif
2.权利要求1的液晶介质，其特征在于，该介质具有清亮点为60-90°C。
3.权利要求1或2的液晶介质，其特征在于，该介质具有Δε值为-2. 3至-5. 5。
4.权利要求1-3中任一项的液晶介质，其特征在于，具有清亮点为70°C士5°C和Δ ε 为-3.0 士 0.6的该介质具有如下在限定的Δη值下的旋转粘度Yl:
5.权利要求1-3中任一项的液晶介质，其特征在于，具有清亮点为70°C 士5°C和Δ ε 为-4. O 士 0.4的该介质具有如下在限定的Δη值下的旋转粘度Yl:
6.权利要求1-3中任一项的液晶介质，其特征在于，具有清亮点为70°C 士5°C和Δ ε 为-5. O 士 0.6的该介质具有如下在限定的Δη值下的旋转粘度Yl:
7.权利要求1-3中任一项的液晶介质，其特征在于，具有清亮点为90°C 士5°C和Δ ε 为-3.0 士 0.6的该介质具有如下在限定的Δη值下的旋转粘度Yl:
8.权利要求1-3中任一项的液晶介质，其特征在于，具有清亮点为90°C 士5°C和Δ ε 为-4.0 士 0.4的该介质具有如下在限定的Δη值下的旋转粘度Yl:
9.权利要求1-3中任一项的液晶介质，其特征在于，具有清亮点为90°C 士5°C和Δ ε 为-5.0 士 0.6的该介质具有如下在限定的Δη值下的旋转粘度Yl:
10.权利要求1-9中任一项的液晶介质，其特征在于，该介质具有的阈值(电容的)为
11.权利要求1-10中任一项的液晶介质，其特征在于，该介质包含式IA、IB和/或II 的至少两种化合物，其中 R1和R2彼此独立地各自表示具有最多至15个碳原子的烷基或链烯基，其为未取代的、 由CN或CF3单取代的或由卤素至少单取代的，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2 基团可以彼此独立地各自以0原子不直接彼此连接的方式被 ν表示1至6。
12.权利要求1-10中任一项的液晶介质，其特征在于，该介质另外包含式III的一种或 多种化合物， 其中R31和R32彼此独立地各自表示具有最多至12个碳原子的直链烷基、烷基烷氧基或 烷氧基，和 Z 表示单键、-C2H4-、-CH = CH-、-(CH2) 4_、-(CH2) 30_、-O(CH2) 3_、-CH = CHCH2CH2-、-CH2CH2CH = CH-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-、-COO-、-0C0-、-C2F4-、-CHFCF2-、 -CF = CF-、-CH = CF-、-CF = CH-、-CH2-。
13.权利要求1-12中任一项的液晶介质，其特征在于，该介质包含式IA、IB和/或II 的一种、两种、三种、四种、五种或六种化合物。
14.权利要求1-13中任一项的液晶介质，其特征在于，式IA和/或IB的化合物在整个 混合物中的比例是至少10重量％。
15.权利要求1-14中任一项的液晶介质，其特征在于，式II的化合物在整个混合物中 的比例是至少10重量％。
16.权利要求1-15中任一项的液晶介质，其特征在于，式III的化合物在整个混合物中 的比例是至少5重量％。
17.权利要求1-16中任一项的液晶介质，其特征在于，该介质基本上由以下物质组成 10-40重量％式IA和IB的一种或多种化合物，和10-40重量％式II的一种或多种化合物。
18.基于ECB、PAIXD、FFS或IPS效应的具有有源矩阵寻址的电光显示器，其特征在于， 它包含权利要求1-17中任一项的液晶介质作为电介质。
全文摘要
本发明涉及一种液晶介质，其基于具有负介电各向异性Δε的极性化合物的混合物，其突出之处在于，该介质具有的γ1/Δn2的比的值为6-45，其中清亮点为＞60℃和Δε≤-2.3。这种类型的介质特别适用于基于ECB、PA LCD、FFS或IPS效应的具有有源矩阵寻址的电光显示器。
文档编号C09K19/12GK101880532SQ20101020320
公开日2010年11月10日 申请日期2005年7月1日 优先权日2004年7月2日
发明者M·克拉森-梅默, S·舍恩 申请人:默克专利股份有限公司