红色荧光体材料以及等离子显示面板的制作方法

专利名称：红色荧光体材料以及等离子显示面板的制作方法
技术领域：
在此公开的技术涉及红色荧光体材料以及等离子显示面板。
背景技术：
近年来，等离子显示面板(以下，称作rop)，被应用于与液晶快门眼镜相组合的3-D (Three Dimensional)图像显不装置等。关于使用于rop的荧光体材料的余辉时间，例如在专利文献I中公开了与红色荧光体材料相关的内容。在3-D图像显示装置中，为了抑制根据液晶快门眼镜的响应时间而产生图像看起来重影的串扰，荧光体材料的余辉时间需要为4. Omsec以下。在此，余辉时间是指，荧光体材料的发光亮度衰减到1/10为止的时间。
在先技术文献专利文献专利文献I JP特开2009-185275号公报

发明内容
在此公开的技术，是一种红色荧光体材料，含有Y(Px，V1J O4:Eu (式中，X的值在0.3以上0.8以下)。此外，在此公开的技术，是一种具备红色荧光体层的等离子显示面板，红色荧光体层利用所述红色荧光体材料而形成。


图 是表示rop的构成的部分剖面立体图。图2是表示等离子显示装置的构成的示意图。图3是表示rop的背面板的构成的示意剖面图。图4是表示YPV的X的值和等离子显示装置的余辉时间之间的关系的图。图5是表示粉状体亮度和工艺维持率相对于YPV的X的值的关系的图。图6是表示YPV的X的值和面板亮度之间的关系的图。图7是表示YPV上的MgO的包覆量和面板亮度之间的关系的图。图8是表示YPV上的ZnO的包覆量和面板亮度之间的关系的图。图9是表示相对亮度和亮度劣化率相对于YPV上的SiO2的包覆量的关系的图。
具体实施例方式以下，参照附图对实施方式进行说明。〈实施方式1>I、等离子显示面板的构成图I是表示实施方式I中的PDPlO的构成的部分剖面立体图。PDPlO由前面板20和背面板30构成。前面板20具有前面玻璃基板21。在前面玻璃基板21上形成有多对由平行地配置的扫描电极22和维持电极23构成的显示电极对24。按照覆盖扫描电极22和维持电极23的方式形成有电介质层25。在电介质层25上形成有保护层26。背面板30具有背面玻璃基板31。在背面玻璃基板31上，形成有多个平行地排列的寻址电极32。按照覆盖寻址电极32的方式形成有基底电介质层33。在基底电介质层33上形成有隔壁34。在隔壁34的侧面以及基底电介质层33上，设置有以红色、绿色以及蓝色的各色发光的红色荧光体层35R、绿色荧光体层35G、蓝色荧光体层35B。红色荧光体层35R、绿色荧光体层35G、蓝色荧光体层35B，对应于寻址电极32依次被形成。按照显示电极对24和寻址电极32隔着微小的放电空间而交叉的方式对置配置前面板20和背面板30。前面板20和背面板30的外周部被玻璃粉等密封材料密封。在放电空间中，作为放电气体以55kPa 80kPa的压力封入有例如氖(Ne)和氙(Xe)等的混合气体。放电空间被隔壁34划分为多个区域，在显示电极对24和寻址电极32交叉的部分形成放电单元36。若在上述的电极间施加放电电压，则在放电单元36内发生放电。通过由放电所产生的紫外线，红色荧光体层35R、绿色荧光体层35G、蓝色突光体层35B各自所含的突光体被激励从而发光。由此,在F1DPlO中显不 彩色图像。另外，PDPlO的构造不限于上述构造。例如，隔壁34的构造也可以为具备井字形的隔壁的构造。图2是表示实施方式I中的等离子显示装置的构成的示意图。等离子显示装置具有与PDPlO连接的驱动电路40。驱动电路40是驱动ropio，使PDPlO显示彩色图像的电路。驱动电路40具备显示驱动电路41、扫描驱动电路42、寻址驱动电路43以及控制器44。显示驱动电路41与维持电极23连接。扫描驱动电路42与扫描电极22连接。寻址驱动电路43与寻址电极32连接。控制器44与显示驱动电路41、扫描驱动电路42以及寻址驱动电路43连接。控制器44通过对这些电路进行控制，来控制施加于各电极的驱动电压。接着，对I3DPlO中的放电的动作进行说明。首先，对与应点亮的放电单元36相对应的扫描电极22和寻址电极32施加规定电压。于是，在扫描电极22和寻址电极32之间产生寻址放电。由此，在与显示数据相对应的放电单元36中形成壁电荷。之后，在维持电极23和扫描电极22之间施加维持放电电压。于是，在形成了壁电荷的放电单元36中发生维持放电，产生紫外线。通过该紫外线，红色荧光体层35R、绿色荧光体层35G、蓝色荧光体层35B中的荧光体被激励。被激励的荧光体发光，从而放电单元36点亮。通过各色的放电单元36的点亮、非点亮的组合,来显示图像。2、等离子显示面板的制造方法接着，对实施方式I中的I3DPlO的制造方法进行说明。首先对前面板20的制造方法进行说明。在前面玻璃基板21上，形成由扫描电极22和维持电极23构成的显示电极对24。此时，在扫描电极22和维持电极23之间也可以形成黑条(black stripe)。扫描电极22以及维持电极23由ITO等的透明电极、和在透明电极上形成的含有Ag和玻璃粉等的总线电极构成。通过溅射法等，在前面玻璃基板21形成ITO薄膜，透明电极通过光刻法而形成为规定的图案。在其上，通过光刻法等而形成规定图案的总线电极。黑条由含有黑色颜料的材料形成。电介质层25通过挤压式涂布法等，按照覆盖扫描电极22和维持电极23的方式而形成。保护层26通过真空蒸镀法等形成于电介质层25上。接着，对背面板30的制造方法进行说明。图3是表示实施方式I中的Η)Ρ10的背面板30的构成的示意剖面图。在背面玻璃基板31上，对电极用的银浆料进行丝网印刷。通过对该浆料进行烧结，从而条状地形成多个寻址电极32。按照覆盖寻址电极32的方式，通过挤压式涂布法或丝网印刷法来涂敷含有玻璃材料的浆料。通过对该浆料进行烧结，从而形成基底电介质层33。在基底电介质层33上形成隔壁34。作为隔壁34的形成方法，有如下方法将含有玻璃材料的浆料通过丝网印刷法隔着寻址电极32条状地反复涂敷并进行烧结。此外，还有覆盖寻址电极32而在基底电介质层33上涂敷浆料来形成图案并进行烧结的方法等。放电空间被该隔壁34划分，形成放电单元36。隔壁34的间隙，例如在42英寸 50英寸的全HD电视或HD电视中被设定为130μπι 240μπι。在相邻的2条隔壁34间的槽中，通过丝网印刷法或喷墨法等来涂敷含有以各色发光的荧光体材料的粒子的浆料。通过对该浆料进行烧结，从而形成红色荧光体层35R、绿色荧光体层35G、蓝色荧光体层35Β。另外，关于在各自的红色荧光体层35R、绿色荧光体层35G、蓝色荧光体层35Β中使用的荧光体材料，将在后面详述。将像这样制作的背面板30和前面板20密封。此时，按照显示电极对24和寻址电极32正交的方式，将背面板30和前面板20重合。在背面板30和前面板20的周边部涂敷密封用玻璃。密封用玻璃将背面板30和前面板20密封。之后，在放电空间内排气为高真空之后，以55kPa 80kPa的压力封入氖(Ne)和氣(Xe)等的混合气体。像这样，制作了实施方式I的ropio。所制作的ropio与驱动电路40连接。此外，通过组装于框体等中来制作等离子显示装置。 通过以上方式，将实施方式I中的I3DPlO应用于3-D图像显示装置。3、荧光体材料的概要接着，对使用于ropio的各色的荧光体材料进行说明。荧光体材料，利用现有的固相反应方法、液相法、或液体喷雾法来制作。固相反应法是对氧化物或碳氧化物原料和熔剂进行烧结来进行制作的方法。液相法是对荧光体材料的前体进行热处理来进行制作的方法，该荧光体材料的前体是将有机金属盐或硝酸盐在水溶液中加水分解，并根据需要加入碱等并使之沉淀而生成的。此外，液体喷雾法是将加入了荧光体材料的原料的水溶液喷雾到被加热后的炉中来进行制作的方法。在实施方式I中，荧光体材料使用通过固相反应法而制造的材料。3-1、蓝色荧光体材料和其制造方法首先对蓝色荧光体材料进行说明。在实施方式I中，作为使用于蓝色荧光体层35B的蓝色荧光体材料，例如使用余辉时间较短的BaMgAlltlO17: Eu。BaMgAlltlO17: Eu通过以下方法来制作。将碳酸钡(BaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化铝(Al2O3)、和氧化铕(Eu2O3)按照与希望的荧光体材料的组合一致的方式进行混合。将该混合物在空气中在800°C 1200°C进行烧结。之后，将混合物在含有氢和氮的混合气体气氛中在1200°C 1400°C进行烧结。由此，制作了蓝色荧光体材料。3-2、绿荧光体材料和其制造方法接着，对绿色荧光体材料进行说明。在实施方式I中，作为使用于绿色荧光体层35G的绿色荧光体，例如使用Zn2Si04:Mn。Zn2SiO4 = Mn通过以下方法来制作。将二氧化硅(SiO2)、二氧化锰(MnO2)等锰化合物、和氧化锌(ZnO)按照与希望的荧光体材料的组合一致的方式进行混合。将该混合物在空气中在1100°C 1300°C烧结I次以上。由此，制作了绿色荧光体材料。除此之外，也可以使用YAl3 (BO4)3:Tb、Y3Al5O12 = Ce等。3-3、红色荧光体材料和其制造方法
接着，对红色荧光体材料进行说明。实施方式I中的红色荧光体材料是Y (PxjV1J04:Eu(以下，称作YPV)。另外，在YPV的晶格中存在的磷元素(P)和钒元素(V)，根据X的值而丰度比不同。在此，X的值是磷元素(P)相对于钒元素(V)与磷元素(P)的和的值。X的值可以取O以上I以下。在实施方式I中，特征在于YPV的X的值在O. 3以上O. 8以下。作为Eu3+活化的红色荧光体材料，发明者们针对X的值不同的YPV，对紫外线激励下的发光特性、尤其是余辉特性和PDP特性进行了详细调查。其结果，发现了 X的值在特定的组合范围内，实现高亮度、合适的颜色纯度、以及4. Omsec以下的短余辉时间。关于红色光，即使余辉时间与余辉时间长的绿色光相比比较长，作为立体图像显示装置的画质特性也能够容许。因此，只要余辉时间为4. Omsec以下则能够容许。更加优选余辉时间为3. 5msec以下、特别是3. Omsec以下。在此公开的技术，是基于这样的实验事实而作出的。接着，对实施方式I的YPV的制造方法进行说明。将氧化钇(Y2O3)、磷酸氢二铵((NH4)2HPO4)、氧化钒(V2O5)、和氧化铕(Eu2O3)按照与希望的荧光体材料的组合一致的方式来称量。将它们混合，来制作混合物。将该混合物在空气中在1100°C进行烧结。由此，制作了红色荧光体材料。在此，X的值由磷酸氢二铵((NH4)2HPO4)和氧化钒(V2O5)的摩尔比来决定。另外，YPV的制造方法不限于上述方法。3-4、红色荧光体材料的余辉时间实施方式I中的YPV是Eu3+活化的红色荧光体材料。该YPV在610nm以上不足630nm的波长范围中具有主发光峰值。并且，该YPV发出处于580nm以上不足600nm的波长范围中的橙色发光分量的最大强度为主发光峰值的2%以上不足20%的红色光。这种从红色荧光体材料发出的红色光，优选该范围的橙色发光分量的最大强度不足该范围的主发光峰值的20%。更优选不足15%，进一步优选不足13%。在该范围中具有主发光峰值的Eu3+活化的红色荧光体材料，与在590nm附近具有主发光峰值的(Y，Gd) BO3:Eu3+等不同。该红色荧光体材料基于Eu3+离子的电子偶极子跃迁的发光分量比例较多。因此，该红色荧光体材料放出2msec 5msec程度的比较短余辉的红色光。这种红色光,基于Eu3+离子的磁偶极子跃迁的、IOmsec程度以上的长余辉的橙色发光分量比例较少。此外，基于电子偶极子跃迁的、2msec 5msec程度的短余辉的红色发光分量比例较多。因此，在得到具有4. Omsec程度以下的短余辉特性的红色光方面优选。以下，对实施方式I的YPV的余辉时间进行说明。图4是表示实施方式I中的YPV的X的值和等离子显示装置的余辉时间之间的关系的图。在实施方式I中，对使用了将X的值设为0、0. 1、0. 2、0. 3、0. 4、0. 5、0. 6、0. 7、0. 8、
O.9以及I的情况下的YPV的等离子显示装置的余辉特性进行了验证。如图4所示，可知X的值越大则余辉时间越长。可知X的值越小则余辉时间越短。实施方式I中的红色光的余辉时间，优选为4. Omsec以下。因此，可知YPV的x的值，优选为O. 8以下。可知为了使余辉时间成为更短的3. 5msec以下，只要将x的值设为O. 7以下即可。并且，可知为了使余辉时间成为更短的3. Omsec以下，只要将x的值设为O. 6以下即可。根据以上的余辉特性，实施方式I的等离子显示装置，通过将YPV的X的值设为
0.8以下，能够使余辉时间成为4. Omsec以下。并且，该等离子显示装置只要将YPV的x的值设为O. 6以下则能够使余辉时间成为3. Omsec以下。3-5、YPV的粉状体亮度和面板的亮度、
接着，对YPV的粉状体亮度和工艺维持率(process maintenance rate)进行说明。图5是示出了实施方式I中的粉状体亮度和工艺维持率相对于YPV的X的值的关系的图。YPV的粉状体亮度，是在真空中用146nm的波长的受激准分子灯(光源氪)进行激励，并用分光光度计(滨松光子学制C10027)测定其发光而算出的亮度。在此使用的YPV，是利用具有规定开口面积的夹具和模具的成形器，以4MPa进行加压而形成的。图5所示的各X的值时的YPV的粉状体亮度的值，是将X的值为O. 7的粉状体亮度的值作为100%的情况下的相对值。工艺维持率是YPV在通过PDP的制造工序的前后的亮度的维持率。工艺维持率如下这样来算出。在PDP的背面板30涂敷含有荧光体材料的浆料，并在真空中用146nm受激准分子灯对烧结后的背面板30进行了激励，将此时所得到的发光频谱中的618nm的峰值强度作为100%。对于该峰值强度，切取完成的ropio的背面板30，并相对地示出从该背面板30同样地得到的峰值强度的值。如图5所示，可知YPV的粉状体亮度随着从X = O接近X = O. 7而上升。另一方面，可知YPV的粉状体亮度，若超过X = O. 7，则YPV的粉状体亮度从最大值减少。即，可知在X = O. 7时YPV的粉状体亮度取最大值。此外，可知工艺维持率随着X的值的增大而上 升。另一方面，可知工艺维持率随着X的值的减小而减少。特别是，可知若X的值大于O. 8则工艺维持率急剧上升。另一方面，可知若X的值小于O. 3则工艺维持率急剧减少。接着，对YPV的面板亮度进行说明。图6是示出了实施方式I中的YPV的X的值和面板亮度之间的关系的图。YPV的面板亮度，是用亮度计(柯尼卡美能达制CS-2000)对在等离子显示装置中仅使红色荧光体层发光，将整个画面显示为红色画面时的发光量进行测定而得到的亮度。图6所示的各X的值时的YPV的面板亮度的值，是将X的值为O. 7的面板亮度的值作为100%的情况下的相对值。如图6所示，可知YPV的面板亮度，随着X的值的增加而YPV的面板亮度变大，在X的值为O. 7时取最大值。另一方面，可知若YPV的X的值小于O. 3，则面板亮度显著降低。从图5和图6的结果可知，面板亮度与粉状体亮度和工艺维持率相关。具体来说，可知若对粉状体亮度的相对值乘以工艺维持率的相对值，则与图6所示的面板亮度的相对值一致。如图5所示，X的值越接近O. 7，则粉状体亮度和工艺维持率都比X的值为O时大，因此对粉状体亮度乘以工艺维持率而得到的值也变大。即，X的值越接近O. 7则面板亮度越大。并且，因为X = O. 7时的粉状体亮度取最大值，所以面板亮度也取最大值。另一方面，若X的值超过O. 7，则虽然工艺维持率上升但粉状体亮度减少，因此对粉状体亮度乘以工艺维持率而得到的值变小。S卩，若X的值超过O. 7，则面板亮度变得更小，取比X的值=O. 7时的最大的面板亮度低的值。并且，当X的值低于O. 3时，粉状体亮度随着X的值的减少而逐渐变小，并且，工艺维持率也急剧减少。其结果，将粉状体亮度和工艺维持率相乘而得到的值急剧减少。即，图6所示的面板亮度也在X的值低于O. 3时急剧减少。因此，可知，粉状体売度和面板売度之间的关系，与工艺维持率相关，对粉状体売度的相对值乘以工艺维持率的相对值而得到的值与面板亮度的相对值相当。如上，若考虑工艺维持率，则在X的值为O. 3以上的情况下，即使经过制造工序，YPV的工艺维持也很良好，能够提供面板亮度高的高品质的PDP装置。此外，若考虑余辉时间，则优选X的值为O. 8以下。进而，优选X的值为O. 6以下。因此，YPV的X的值优选在0.3以上O. 8以下。由此，能够提供一种余辉时间为4. Omsec以下，并且工艺维持率良好且高亮度的等离子显示装置。若YPV的X的值在O. 3以上O. 6以下，则由于能够使余辉时间成为3. Omsec以下而更加优选。另一方面，若YPV的x的值在O. 6以上O. 8以下，则由于更能维持高亮度而优选。<实施方式2>接着，对实施方式2进行说明。关于与实施方式I相同的内容省略说明。4-1、关于红色荧光体材料实施方式2中的等离子显示装置，具备利用含有包覆了氧化镁(以下，称作MgO)的YPV的红色荧光体材料而形成的红色荧光体层35R。4-2、红色荧光体材料的制造方法 首先，说明在实施方式I中的YPV的表面上包覆MgO的方法。将硝酸镁(Mg (NO3) 2)以规定量的浓度溶解于水或碱水溶液中。在该溶解液中投入YPV (平均粒径D50 = 3. 6 μ m)来制作混合液，进而对混合液进行搅拌。之后，在对混合液进行过滤后，将残留在滤纸上的YPV洗净。之后，在150°C对YPV进行干燥。通过将干燥后的YPV在空气中在400°C 800°C进行烧结，来制作在表面包覆了 MgO的YPV。MgO优选按照YPV的表面不露出的方式均匀地包覆YPV的表面的状态。另外，在YPV的表面上包覆MgO的方法不限于上述方法。4-3、面板亮度和MgO的包覆量之间的关系接着，说明具备利用含有包覆了 MgO的YPV的红色荧光体材料而形成的红色荧光体层35R的等离子显示装置的面板亮度和作为包覆材料的MgO之间的关系。图7是示出YPV上的MgO的包覆量和面板亮度之间的关系的图。在此,测定了 X = O. 3、X = O. 6、X = O. 8时的YPV的面板亮度。面板亮度，在各X的值时，以将不包覆MgO的YPV的面板亮度作为100%的情况下的相对值而示出。此外，在此MgO的包覆量示出了混合液中的YPV和MgO的重量比。这是由于例如，相对于混合液中的YPVlOOg，当MgO为5g时，MgO的包覆量以相对于YPV的重量比计近似为约5wt%。各X的值时的面板亮度，利用MgO的包覆量为O. 5wt%,
1.Owt2. 5wt%,5. 0界七％以及10. 0wt%时的YPV进行了测定。如图7所示，可知，在各X的值中，与MgO的包覆量为Owt %的面板亮度相比，随着MgO的包覆量的增大，面板亮度变高。在此，对于面板亮度，可以预测在MgO的包覆量为1被％时面板亮度取最大值。这可以认为是由于通过由MgO包覆YPV的表面从而工艺维持率得到了改善。在X = O. 3时，与不包覆MgO的YPV相比面板亮度的改善最大的理由在于，X = O. 3时的不被MgO包覆的YPV的工艺维持率比X的值大于O. 3的情况低，但通过包覆MgO能够改善的亮度的绝对值较大。另一方面，在X = O. 8时，与不被MgO包覆的YPV相比面板亮度的改善最小的理由在于，X = 0.8时的不被MgO包覆的YPV的工艺维持率比小于X= 0.8的情况高，通过在YPV上包覆MgO能够改善的亮度的绝对值较小。并且，若MgO的包覆量大于lwt%，则可以预测面板亮度逐渐降低。并且，当MgO的包覆量为5被％时，显示出与不包覆MgO的YPV的情况相同的面板亮度。进而，若MgO的包覆量超过5wt%，则比不包覆MgO的YPV的情况下的面板亮度小。这可以认为是由于，随着MgO的包覆量的增加，工艺维持率逐渐饱和，与此相对，MgO的包覆所导致的YPV的粉状体的亮度降低的影响变大。综上所述,在MgO包覆量大于0wt%且不足5界1:%的范围内能够得到比没有包覆MgO的YPV高亮度的面板。<实施方式3>接着，对实施方式3进行说明。关于与实施方式I相同的内容省略说明。5-1、关于红色突光体材料实施方式3中的等离子显示装置，具备利用含有覆盖了氧化锌(以 下，称作ZnO)的YPV的红色荧光体材料而形成的红色荧光体层35R。5-2、红色突光体材料的制造方法首先，说明在实施方式I中的YPV的表面上包覆ZnO的方法。将硝酸锌(Zn(NO3)2)以规定量的浓度溶解在水或碱水溶液中。在该溶解液中投入YPV (平均粒径D50 = 3. 6 μ m)来制作混合液，进而对混合液进行搅拌。之后，在将混合液过滤后，将残留在滤纸上的YPV洗净。之后在150°C对YPV进行干燥。通过将干燥后的YPV在空气中在400°C 800°C进行烧结，从而制作了在表面包覆了 ZnO的YPV。ZnO优选按照YPV的表面不露出的方式，均匀地包覆YPV的表面的状态。另外，在YPV的表面上包覆ZnO的方法不限于上述方法。5-3、面板亮度和ZnO的包覆量之间的关系接着，说明具备利用含有包覆了 ZnO的YPV的红色荧光体材料而形成的红色荧光体层35R的等离子显示装置的面板亮度和作为包覆材料的ZnO之间的关系。图8是示出了 YPV上的ZnO的包覆量和面板亮度之间的关系的图。在此，测定了 X = O. 3、X = O. 6、X= 0.8时的YPV的面板亮度。面板亮度，在各X的值中，以将不包覆ZnO的YPV的面板亮度作为100%的情况下的相对值而示出。此外，在此，ZnO的包覆量示出了混合液中的YPV和ZnO的重量比。这是由于，例如，相对于混合液中的YPVlOOg，当ZnO为5g时，ZnO的包覆量以相对于YPV的重量比计近似为约5wt%。各X的值时的面板亮度，利用ZnO的包覆量为O. 5wt% > I. 5wt% >3. Owt% >5. Owt% 以及 8. 0wt%时的 YPV 进行了测定。如图8所示，可知，在各X的值中，与ZnO的包覆量为Owt%的面板亮度相比，随着ZnO的包覆量的增大而面板亮度变高。在此，对于面板亮度，可以预测在ZnO的包覆量为1.5wt%时面板亮度取最大值。这可以认为是由于，通过由ZnO包覆YPV的表面而改善了工艺维持率。在X = O. 3时，与不包覆ZnO的YPV相比面板亮度的改善最大的理由在于，X =
0.3时的没有被ZnO包覆的YPV的工艺维持率比X的值大于O. 3的情况低，但通过包覆ZnO能够改善的亮度的绝对值较大。另一方面，在X = O. 8时，与没有被ZnO包覆的YPV相比面板亮度的改善最小的理由在于，X = 0.8时的没有被ZnO包覆的YPV的工艺维持率比小于x= 0.8的情况高，通过在YPV上包覆ZnO能够改善的亮度的绝对值较小。并且，若ZnO的包覆量大于I. 5wt%，则预测面板亮度逐渐降低。并且，当ZnO的包覆量为5被％时，显示出与不包覆ZnO的YPV的情况相同的面板亮度。并且，若ZnO的包覆量超过5wt%，则比不包覆ZnO的YPV的情况下的面板亮度小。这可以认为是由于，随着ZnO的包覆量的增加，工艺维持率逐渐饱和，与此相对，ZnO的包覆所导致的YPV的粉状体的亮度降低的影响变大。此外，在前述的包覆了 MgO的YPV的实施例中，在MgO的包覆量为
1.Owt %时面板亮度的增大效果最大，与此相对，在包覆了 ZnO的YPV中，在ZnO的包覆量为
I.5wt%时面板亮度的增大效果最大。如下对其理由进行研究。MgO结晶的密度为3. 58g/cm3，与此相对，ZnO的结晶的密度为5. 64g/cm3,Zn0为约I. 5倍的密度。可以认为是由于，当想要以与基于MgO的包覆面积相同的面积来包覆YPV的表面时，ZnO与MgO相比需要I. 5倍的质量。综上所述，在ZnO包覆量大于Owt %且不足5wt %的范围内，与没有包覆ZnO的YPV相比能够得到高亮度的面板。〈实施方式4>接着，对实施方式4进行说明。关于与实施方式I相同的内容省略说明。6-1、关于红色荧光体材料实施方式4中的等离子显示装置，具备利用含有包覆了二氧化硅(以下，称作 SiO2)的YPV的红色荧光体材料而形成的红色荧光体层35R。在实施方式4中，作为红色荧光体层，作为含有X的值为O. 8以下的Y (Pa7Va3) 04: Eu的红色荧光体材料，使用X = O. 7的YPV。6-2、红色荧光体材料的制造方法首先，说明在实施方式I中的YPV的表面上包覆SiO2的方法。在水中投入YPV (平均粒径D50 = 3. 6 μ m)来制作混合液。进而对混合液进行搅拌，来制作YPV的悬浮液。在悬浮液中加入规定量的硅酸钠(Na2SiO3)。一边将悬浮液保持在70V以上的高温，一边在悬浮液中逐渐添加盐酸(HCl)等酸。然后，使悬浮液成为中性或弱酸性。由此，在YPV的表面均匀且高密度地堆积二氧化硅。将悬浮液过滤，并将残留在滤纸上的YPV洗净。之后，在150°C对YPV进行干燥。通过将干燥后的YPV在空气中在400°C 800°C进行烧结，从而制作了在表面包覆了 SiO2的YPV。SiO2优选按照YPV的表面不露出的方式，均匀地包覆YPV的表面的状态。另外，在YPV的表面上包覆SiO2的方法不限于上述方法。6-3、SiO2的包覆量和粉状体亮度之间的关系接着，对YPV的粉状体亮度和工序亮度劣化率进行说明。图9是示出相对亮度和亮度劣化率相对于YPV上的SiO2的包覆量的关系的图。条形图表示SiO2的包覆量和后述的各工序中的相对亮度)之间的关系(左纵轴)。折线图表示SiO2的包覆量和在后述的各工序间变化的工序亮度劣化率)之间的关系(右纵轴)。此外，在此，SiO2的包覆量，示出了混合液中的YPV和SiO2的重量比。这是由于，例如，相对于混合液中的YPVlOOg，当SiO2为5g时，SiO2的包覆量以相对于YPV的重量比计近似为约5wt%。各工序中的相对亮度如下这样定义。进行荧光体烧结工序之前的初始粉状体相对亮度，相当于荧光体浆料制作工序前的荧光体粉状体的亮度。荧光体的烧结工序后的相对亮度，相当于面板生产工序中的荧光体浆料的烧结工序后的荧光体的亮度。荧光体的真空烧结工序后的相对亮度，相当于与面板生产工序中的气密密封工序后的荧光体同等的亮度。另外，如下这样来定义图9所示的YPV的初始粉状体亮度。将利用具有规定开口面积的夹具和模具的成形器并以4MPa进行加压而形成的YPV，在真空中用146nm受激准分子灯(光源氪)进行激励，用分光光度计(滨松光子学制C10027)对其发光进行测定而算出的亮度。图9所示的相对亮度将不包覆SiO2的情况下的初始粉状体亮度作为100%，相对地表示各包覆量时的荧光体的亮度。在各工序间变化的工序亮度劣化率，如下这样来定义。荧光体烧结亮度劣化率示出了荧光体的烧结工序前后的相对亮度的变化率。真空烧结亮度劣化率示出了真空烧结工序前后的相对亮度的变化率。工序亮度劣化率将前工序中的相对亮度作为100%。例如，荧光体烧结亮度劣化率示出了从初始粉状体的相对亮度向荧光体的烧结工序后的相对亮度的变化率(％)。真空烧结劣化率示出了从荧光体烧结后的相对亮度向真空烧结后的相对亮度的变化率)。工序亮度劣化率，在工序前后相对亮度不变化的情况下相当于0%，若亮度发生劣化则显示正的值。例如，荧光体烧结工序中的亮度劣化率，示出了从初始粉状体相对亮度向荧光体烧结工序后的相对亮度的变化率。真空烧结工序后劣化率示出了从荧光体烧结后的相对亮度向真空烧结后的相对亮度的变化率。6-4、实验结果根据图9可以说，通过在YPV上包覆SiO2,荧光体烧结工序和真空烧结工序的工序亮度劣化率减少，真空烧结后相对亮度上升。6-4-1、比较例比较例是没有包覆SiO2的YPV的相对亮度和亮度劣化率。没有被包覆的YPV的初始粉状体相对亮度为100%，相对于此，荧光体烧结工序后的亮度成为96. 1%，成为3. 9%的亮度劣化率。进而通过对没有被包覆的YPV进行真空烧结，真空烧结相对亮度成为 73. 7%，在从荧光体烧结工序后到真空烧结后的真空烧结前后产生23. 4%的亮度劣化。6-4-2、实施例 I实施例I是包覆了 O. 5被％的SiO2的YPV的相对亮度和亮度劣化率。包覆了
0.5wt%的SiO2的YPV，初始粉状体相对亮度为99. 4%，相对于此，荧光体烧结工序后的亮度成为98. 8 %，成为O. 6%的亮度劣化率。进而，通过进行真空烧结，真空烧结相对亮度成 为79. 4%，成为19. 4%的亮度劣化，与没有被包覆的YPV的真空烧结后相对亮度相比，可以看到3. 7%亮度劣化抑制效果。6-4-3、实施例 2实施例2是包覆了 I. 0被％的SiO2的YPV的相对亮度和亮度劣化率。包覆了
1.Owt %的SiO2的YPV的初始粉状体相对亮度为97. 5%，相对于此，荧光体烧结工序后的亮度成为98.6%，可以看到I. I %的亮度恢复。进而，通过进行真空烧结，真空烧结相对亮度成为79. 0%，产生19. 6%的亮度劣化。与没有被包覆的YPV的真空烧结后相对亮度相比，可以看到3. 5%亮度劣化抑制效果。6_4_4、实施例 3实施例3是包覆了 2. 0被％的SiO2的YPV的相对亮度和亮度劣化率。包覆了
2.Owt %的SiO2的YPV的初始粉状体相对亮度为99. 5%，相对于此，荧光体烧结工序后的亮度成为98. 6 %，可以看到O. 9%的亮度劣化。进而，通过进行真空烧结，真空烧结相对亮度成为83. 0%，产生15. 6%的亮度劣化。与没有被包覆的YPV的真空烧结后相对亮度相比，可以看到7. 8%亮度劣化抑制效果。6-5、结论通过在YPV上包覆SiO2, YPV的真空烧结亮度劣化率变低。真空烧结工序后相对亮度也提高。因此，面板生产工序中的亮度劣化被抑制，带来面板亮度提高。此外，在实施方式4的YPV中，也使用相同平均粒径的YPV，因此认为可以说与实施方式2以及3相同。即，与实施方式2以及3同样，可以认为若SiO2的包覆量超过5wt%，则比不包覆SiO2的YPV的情况下的面板亮度小。这可以认为是由于，随着SiO2的包覆量的增加，工艺维持率逐渐饱和，与此相对，SiO2的包覆所导致的YPV的粉状体的亮度降低的影响变大。因此，SiO2的包覆量优选大于Owt%且不足5. Owt%。
<实施方式的总结>红色荧光体材料存在如下课题若想要通过改变荧光体的种别或组合等来得到红色纯度优异、并且短余辉的红色光，则亮度降低。因此，在此公开的技术的目的在于，解决这样的课题，提供一种在抑制亮度的降低的同时缩短了余辉时间的红色荧光体材料。为了解决上述课题，在此公开的技术具有以下的特征。另外，在此公开的技术，不限定于以下内容。各构成不限定于上述实施方式。(I)在此公开的技术的红色荧光体材料，含有Y (Px，V1J O4 = Eu (式中，X的值在O. 3以上O. 8以下)。由此，能够提供一种在抑 制亮度的降低的同时缩短了余辉时间的红色荧光体材料。(2)上述(I)所记载的红色荧光体材料，优选X的值在O. 3以上O. 6以下。由此，能够实现短余辉且进一步抑制YPV在工艺过程中劣化。(3)上述(I)所记载的红色荧光体材料，优选X的值在O. 6以上O. 8以下。由此，能够提供4. Omsec以下的余辉时间，且更高亮度的红色荧光体材料。(4)上述⑴ (3)中任一项所记载的红色荧光体材料，Y(Px, V1JO4IEu的表面，被从由氧化镁、氧化锌以及二氧化硅构成的群中选择的至少I种金属氧化物包覆，并且，优选金属氧化物相对于Y (PpVh)O4 = Eu的重量％浓度大于Owt %且不足5wt%。由此,能够进一步抑制在工艺过程中YPV发生劣化。(5) 一种具备红色荧光体层的rop，红色荧光体层利用所述(I)所记载的红色荧光体材料而形成。由此，能够提供在抑制亮度的降低的同时缩短了余辉时间的rop。(6) 一种具备红色荧光体层的等离子显示面板，红色荧光体层优选利用上述(2)或(3)中任一项所记载的红色荧光体材料而形成。由此，能够实现4. Omsec以下的短余辉的TOP。进而，能够提供3. Omsec以下的短余辉且抑制在工艺过程中荧光体发生劣化的TOP。或者，能够提供4. Omsec以下的余辉时间，且高亮度的TOP。其结果，能够实现高亮度且抑制了串扰的闻品质的等尚子显不装置。(7) 一种具备红色荧光体层的rop，红色荧光体层利用(4)所记载的红色荧光体材料而形成。由此，能够提供进一步抑制在工艺过程YPV发生劣化的rop。〈其他实施方式〉以上对实施方式I到实施方式4进行了说明。但是，在此公开的技术，不限定于这些实施方式。因此，在本段总结说明在此公开的技术的其他实施方式。在实施方式2 4中，对在Y(PX，V1J04:Eu的表面包覆了 Mg。、ZnO或SiO2的红色荧光体进行了说明。除了这些以外，也可以包覆碳酸锶(SrC03)、碳酸钙(CaC03)、碳酸钡(BaCO3)、五氧化二磷(V2O5)。特别是，在包覆了碳酸锶(SrCO3)、碳酸钡(BaCO3)的情况下，工艺维持率良好。-工业实用性-在此公开的技术，能够实现具有短余辉特性、能够进行高亮度且高色域显示的等离子显示装置，在高精细图像显示装置或立体图像显示装置等中有用。-符号说明-10 PDP20 前面板
21前面玻璃基板22扫描电极23维持电极24显示电极对25电介质层26保护层
30背面板31背面玻璃基板32寻址电极33基底电介质层34隔壁35R红色荧光体层35G绿色荧光体层35B蓝色荧光体层36放电单元40驱动电路41显示驱动电路42扫描驱动电路43寻址驱动电路44控制器
权利要求
1.一种红色荧光体材料，其含有Y (Px，V1J O4:Eu，式中，x的值在0.3以上0.8以下。
2.根据权利要求I所述的红色荧光体材料,其中， 所述X的值在0. 3以上、0. 6以下。
3.根据权利要求I所述的红色荧光体材料,其中， 所述X的值在0. 6以上、0. 8以下。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的红色荧光体材料，其中， 所述Y(PpVh)O4 = Eu的表面，被从由氧化镁、氧化锌以及二氧化硅构成的群中选择的至少I种金属氧化物包覆，并且，所述金属氧化物相对于所述Y (Px，V1J 04:Eu的重量％浓度大于Owt %且不足5wt %。
5.一种等离子显示面板，其具备红色荧光体层， 所述红色荧光体层利用权利要求I所述的红色荧光体材料而形成。
6.一种等离子显示面板，其具备红色荧光体层， 所述红色荧光体层利用权利要求2或权利要求3所述的红色荧光体材料而形成。
7.一种等离子显示面板，其具备红色荧光体层， 所述红色荧光体层利用权利要求4所述的红色荧光体材料而形成。
全文摘要
在此公开的技术是一种红色荧光体材料，含有Y(Px，V1-x)O4:Eu(式中，x的值在0.3以上0.8以下)。此外，在此公开的技术，是具备红色荧光体层的等离子显示面板，红色荧光体层利用所述红色荧光体材料而形成。
文档编号C09K11/83GK102712843SQ20118000588
公开日2012年10月3日 申请日期2011年10月14日 优先权日2010年10月15日
发明者丰田恩津水, 杉本和彦, 西川勇作, 长崎纯久 申请人:松下电器产业株式会社