含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法

文档序号:3788014阅读:319来源:国知局
含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法,所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物为含有异硫氰基的萘系列,其制备方法是先合成中间体,再合成含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物。按照本发明的方法所制得的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物具有较高的电阻率,较大的光学各向异性、较低的粘度,较高的双折射率,其制备方法简单,得率高。
【专利说明】含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法
[0001]所属领域
本发明涉及一类含异硫氰基的萘系列液晶化合物及其制备方法,属于液晶化合物【技术领域】。
【背景技术】 [0002]液晶的主要特征之一是与光学单轴晶体相同,具有折射率各向异性的双折射。随着液晶显示技术的不断发展和人们对液晶显示要求的不断提高,快速响应的低粘度,高双折射率液晶材料成为液晶显不材料中所关注的热点。而众所周知,具有闻双折射率的液晶单体往往具有高的粘度,这两者是相矛盾的,因此我们就要两方面来考虑,一是从分子的设计角度出发,通过用合适的连接桥键来串联大共轭的刚性中心,末端连接适当长度的柔性链段基团,得到相对比较高的双折射率和相对较低粘度的液晶单体。二是从混合液晶配方的角度考虑,选择合适的单晶组份,加入具有较高双折射率的液晶单体,通过混配,设计出能够满足快速响应的液晶显示面板所需要的高双折射率,低粘度的混合液晶。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是想克服上述现有技术中存在的不足,提供一类含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法,所制备的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,具有较高的电阻率,较大的光学各向异性、较低的粘度,较高的双折射率,其制备方法简单,得率闻。
[0004]本发明的上述目的,通过以下方案实现:
一种含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,其特征在于该化合物的结构如通式①所
示:
【权利要求】
1.一种含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,其特征在于该化合物的结构如通式①所示:
2.按照权利要求1所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,其特征是所述的R的分子式为下列二种分子式的任一种:一CnH2n+1、一o-CnH2n+1;所述的X的结构式为下列结构式中的任一种:
3.一种制备权利要求1或2所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:当通式①中的X的结构式为
4.按照权利要求3所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是: 步骤I中所述的惰性气体为氮气或氩气中的一种;所述的柱层析所用的洗脱剂为乙酸乙酯、石油醚、二氯甲烷中的任一种;步骤2中所述的萃取所用的萃取剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种;所述的柱层析,采用石油醚与二氯甲烷体积比为1:(广2)作为洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离。
5.按照权利要求3或4所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤2中所述的萃取工序结束后,再用3-5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液。
6.按照权利要求3或4所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤2中所述的柱层析工序结束后,蒸除洗脱剂。
7.一种制备权利要求1或2所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:当通式①中的X的结构式为
8.按照权利要求7所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是: 步骤I中所述的惰性气体为氮气、氩气中的任一种;所述的萃取工序,所用的萃取剂为石油醚、甲苯、二氯甲烷中的任一种;所述的采用柱层析进行纯化分离工序,采用石油醚与二氯甲烷按(广2):1的体积比混合制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离; 步骤2中所述的柱层析纯化分离工序,所用的洗脱剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种; 步骤3中所述的萃取工序,采用的萃取剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种;所述的柱层析纯化分离工序,采用石油醚与二氯甲烷按1: 0-2)的体积比制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离;所述的搅拌反应,在2(T40°C下,搅拌反应3飞小时。
9.按照权利要求7或8所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是: 步骤I中所述萃取工序结束后,用4飞当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液;所述的柱层析纯化分离工序结束后,再蒸除洗脱剂。
10.按照权利要求7或8所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤2中所述的柱层析纯化分离工序结束后,蒸除洗脱剂。
11.按照权利要求7或8所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤3中所述的搅拌反应,在2(T40° C下,搅拌反应3飞小时;所述的萃取工序结束后,再用3飞当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液,然后蒸除产物中的溶剂;所述的柱层析纯化分离工序结束后,再蒸除洗脱剂。
12.按照权利要求3或7所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:采用旋转蒸发仪在45~5`0°C下蒸除或去除产物中的溶剂。
【文档编号】C09K19/32GK103555343SQ201310543180
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月6日 优先权日:2013年11月6日
【发明者】张增军, 赵玉真, 郭英, 刘崇, 王竹青 申请人:烟台德润液晶材料有限公司
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