切割带的制作方法

本发明涉及切割带。更详细而言，本发明涉及一种适合在隔着该切割带进行隐形切割时使用的切割带。

背景技术：

作为电子部件的集合体的工件(例如，半导体晶圆)以大直径被制造，在表面上形成图案之后，通常研削背面以使得晶圆的厚度成为约100～600μm，接着将其切断分离(切割)成小片元件，进一步转移到拾取工序。在该切割工序中，切断工件并小片化。为了固定切割后的工件，通常，在工件上贴合粘合胶带(切割带)的基础上进行切割(例如，专利文献1)。作为切割方法之一，已知有利用激光切割工件的方法。作为这种切割方法，多使用如下方法：使激光在工件的表面聚光以在该工件的表面上形成凹槽，在此基础上切断工件。另一方面，近年来，还提出了如下的隐形切割的方案：使激光在工件的内部的聚光，在该处使工件改性之后，切断工件。

在如上所述的利用激光进行的切割中，在从切割带侧照射激光的情况下，要求该切割带具有能够良好地利用照相机进行激光照射位置检测的特性。尤其，在隐形切割中切割半导体晶圆的情况下，要求高精度地进行用于确定激光照射位置的半导体晶圆的表面图案识别、用于激光焦点调整的半导体晶圆高度方向的位置检测，此外，要求能够良好地形成改性层，并且要求上述切割带具有不阻碍实现这些要求的性能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2003-007646号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

本发明的课题在于提供一种可用于隐形切割的切割带，该切割带在切割时不会对利用照相机进行的激光照射位置检测以及形成良好的改性层造成阻碍。

用于解决问题的方案

本发明的切割带具备基材和配置于该基材的一侧的粘合剂层，在以最大亮度的55％作为阈值将从基材侧利用激光显微镜观察得到的亮度256色阶的灰度图像二值化为白色部分和黑色部分时，白色部分的面积相对于图像面积为80％以上。

在一个实施方式中，上述基材的一个面的润湿性为40mn/m以下。

在一个实施方式中，以润湿性为40mn/m以下的面成为与粘合剂层相反侧的面的方式配置上述基材。

在一个实施方式中，上述基材包含聚乙烯系树脂。

在一个实施方式中，上述基材的至少一个面为电晕处理面。

在一个实施方式中，上述粘合剂层在22℃下的拉伸模量为0.05mpa～1mpa。

在一个实施方式中，上述粘合剂层为两层结构，上述切割带依次具备上述基材、第1粘合剂层和第2粘合剂层。

在一个实施方式中，上述第1粘合剂层在22℃下的拉伸模量为0.05mpa～1mpa。

在一个实施方式中，上述第2粘合剂层在22℃下的拉伸模量为0.1mpa～2mpa。

在一个实施方式中，上述第1粘合剂层的厚度为5μm～468μm。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种可用于隐形切割的切割带，该切割带不会对利用照相机进行的激光照射位置检测以及形成良好的改性层造成阻碍。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式的切割带的截面示意图。

附图标记说明

10基材

20粘合剂层

100切割带

具体实施方式

a.切割带的概要

图1为本发明的一个实施方式的切割带的截面示意图。根据该实施方式的切割带100具备基材10和配置于基材10的一侧的粘合剂层20。虽然未经图示，但本发明的切割带在直至供于使用为止的期间，出于保护粘合面的目的，可以在粘合剂层的外侧设置有剥离衬垫。此外，切割带只要可以获得本发明的效果，则可以进一步包含任意适当的其他层。优选为粘合剂层直接配置在基材上。

在另一实施方式中，粘合剂层为两层结构，切割带依次具备基材、第1粘合剂层和第2粘合剂层。

在以最大亮度的55％作为阈值，将从切割带的基材侧利用激光显微镜观察得到的亮度256色阶的灰度图像二值化为白色部分(高亮度部分)和黑色部分(低亮度部分)时，白色部分的面积相对于图像面积为80％以上。此处，以最大亮度的55％作为阈值的二值化如下处理：从亮度256色阶的低亮度侧将第140色阶作为边界划分色阶，低亮度侧设为黑色部分，高亮度侧设为白色部分。二值化处理例如可以使用图像解析软件imagej(waynerasband公司制造)进行。若使用如上所述构成的本发明的切割带，则在隐形切割工序中，可以高精度地进行隔着该切割带的照相机检测，即利用照相机(例如，ir相机、sd相机)的半导体晶圆的表面图案识别、半导体晶圆高度方向的位置检测等。此外，若使用如上所述构成的本发明的切割带，则在隐形切割工序中，即使在隔着切割带照射激光的情况下，也可以良好地使激光聚光，其结果，可以在半导体晶圆内部良好地形成改性层。更具体而言，可以防止在改性层中形成缺失和弯曲等不良部分。

上述白色部分的面积相对于图像面积优选为83％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。如果在这样的范围内，则上述效果变得更加显著。上述白色部分的面积优选尽可能大，其上限为例如99.5％(优选为99.8％，更优选为100％)。

将本发明的切割带粘帖到不锈钢板时在23℃下的初始粘合力优选为0.2n/20mm～8n/20mm，更优选为0.5n/20mm～5n/20mm。粘合力按照jisz0237：2000进行测定。具体而言，通过使2kg的辊往返1次将切割带粘帖到不锈钢板(算术平均表面粗糙度ra：50±25nm)上，在23℃下放置30分钟之后，在剥离角度180°、剥离速度(拉伸速度)300mm/分钟的条件下剥离切割带来测定。如下所述，粘合剂层可以通过活性能量射线照射而使得粘合力发生变化，但是在本说明书中，“初始粘合力”是指照射活性能量射线之前的粘合力。

在一个实施方式中，将切割带粘帖到硅制镜面晶圆上、照射460mj/cm²的紫外线后的23℃下的粘合力优选为0.01n/20mm～0.3n/20mm、更优选为0.02n/20mm～0.2n/20mm。如果在这样的范围内，则由于切割后的紫外线照射而使粘合力降低，从而可以得到拾取小片化的工件(例如，半导体芯片)变得容易的切割带。上述紫外线照射例如使用紫外线照射装置(nittoseikico.,ltd.制造，商品名“um-810”)，对粘合剂层照射高压汞灯的紫外线(特性波长：365nm、累积光量：460mj/cm²、照射能量：70w/cm²、照射时间：6.6秒)来进行。

切割带的厚度优选为35μm～500μm、更优选为60μm～300μm、进一步优选为80μm～200μm。

切割带的总透光率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。如果为这样的范围，则能够良好地进行隔着切割带的照相机检测，并且可以得到难以阻碍激光的透过/聚光的切割带。切割带的总透光率的上限为例如98％(优选为99％)。

在切割带中，波长1064nm的光的透过率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。如果在这样的范围内，则可以得到难以阻碍激光的透过/聚光的切割带。切割带的波长1064nm的光的透过率的上限为例如98％(优选为99％)。

切割带的雾度值优选为20％以下、更优选为10％以下、进一步优选为5％以下。如果为这样的范围，则能够良好地进行隔着切割带的照相机检测，并且可以得到难以阻碍激光的透过/聚光的切割带。切割带的雾度值的下限为例如1％。

b.基材

上述基材可以由任意适当的树脂构成。作为该树脂，例如，可列举出聚乙烯系树脂、聚丙烯系树脂、聚丁烯系树脂、聚甲基戊烯系树脂等聚烯烃系树脂、聚氨酯系树脂、聚酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚酮系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏二氯乙烯系树脂、氟系树脂、有机硅系树脂、纤维素系树脂、离聚物树脂等。其中优选为聚烯烃系树脂。

在一个实施方式中，上述基材包含聚乙烯系树脂。如果使用包含聚乙烯系树脂的基材，则可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。作为聚乙烯系树脂，例如，可列举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯等。

聚乙烯系树脂中来自乙烯的结构单元的含有比例优选为80摩尔％以上、更优选为90摩尔％以上、进一步优选为95摩尔％以上。作为除来自乙烯的结构单元以外的结构单元，可列举出来自可与乙烯和共聚物共聚的单体的结构单元，例如，可列举出丙烯、1-丁烯、异丁烯、1-戊烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯，3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯等。

聚乙烯系树脂的含量相对于基材100重量份优选为80重量份以上、更优选为85重量份～100重量份、进一步优选为95重量份～100重量份。

上述基材还可以包含任意适当的添加剂。作为添加剂，例如可列举出润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、加工助剂、填充剂、抗静电剂、稳定剂、抗菌剂、阻燃剂、着色剂等。

在一个实施方式中，上述基材包含润滑剂。通过包含润滑剂，可以防止将切割带制成卷状时的粘连。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。作为润滑剂，例如，可列举出脂肪酸酰胺系润滑剂、有机硅系润滑剂、氟系润滑剂、长链烷基系润滑剂等。其中由于杂质混入的风险小，作为润滑剂的效果较高，所以优选脂肪酸酰胺系润滑剂。润滑剂的含有比例相对于基材100重量份优选为0.1重量份～30重量份、更优选为0.5重量份～15重量份、进一步优选为0.8重量份～10重量份、特别优选为1重量份～5重量份。

在一个实施方式中，上述基材的一个面的润湿性为40mn/m以下。在一个实施方式中，上述基材以润湿性为40mn/m以下的面成为与粘合剂层相反侧的面的方式配置。如果以具有上述润湿性的表面成为与粘合剂层相反侧的面的方式配置基材，则可以防止将切割带制成卷状时的粘连。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。上述基材的一个面的润湿性优选为39mn/m以下、更优选为38mn/m以下、进一步优选为30mn/m～38mn/m。基材的润湿性可以通过基材材料的类型；是否向基材添加添加剂、添加剂的种类、添加量；润湿性调整面是否进行表面处理、表面处理的种类、条件等进行调整。在一个实施方式中，通过使用聚烯烃系树脂(优选为聚乙烯系树脂)作为基材材料且不进行电晕处理等表面处理，可以得到润湿性在上述范围的基材。需要说明的是，上述润湿性可以按照jisk6768进行测定。

在一个实施方式中，上述基材的至少一个面实施了电晕处理。优选仅对基材的一个面实施电晕处理，将电晕处理面设为粘合剂层侧的面。通过对粘合剂层侧的面实施电晕处理，可以提高粘合剂层与基材之间的密合性。在另一实施方式中，上述基材的两面均未实施电晕处理。通过将基材的与粘合剂层相反侧的面设为未电晕处理面，可以防止将切割带制成卷状时的粘连。其结果，将卷状切割带退卷时，该切割带不易受到损伤，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。电晕处理例如可以在速度：20m/分钟、放电电力：0.7kw、放电电极长度：1550mm的条件下进行。

在一个实施方式中，上述基材的一个面实施了压花处理。优选仅对基材的一个面实施压花处理，将压花处理面设为粘合剂层侧的面。通过对粘合剂层侧的面实施压花处理，可以提高粘合剂层与基材之间的密合性。优选的是，在与基材的粘合剂层相反侧的面上未实施压花处理。对与基材的粘合剂层相反侧的面不实施压花处理，使该面平滑，由此可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。基材的未压花处理面的算术平均表面粗糙度ra(jisb0601)优选为小于1.0μm、更优选为0.8μm以下、进一步优选为0.5μm以下、特别优选为0.01μm～1μm。此外，基材的压花处理面的算术平均表面粗糙度ra(jisb0601)优选为1.0μm～3μm、更优选为1.4μm～2μm。若基材的压花处理面的算术平均表面粗糙度ra大于3μm，则粘合剂层与基材之间容易产生空隙，二值化图像的白色面积可能变大。此外，若该ra小于1μm，则在基材保管时可能发生粘连。

上述基材的厚度优选为30μm～300μm、更优选为53μm～200μm、进一步优选为70μm～160μm。

基材的总透光率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。基材的总透光率的上限为例如98％(优选为99％)。

上述基材在22℃下的拉伸模量优选为50mpa～120mpa、更优选为70mpa～90mpa。如果为这样的范围，则可以得到扩展性优异的切割带。基材的拉伸模量的测定使用拉伸试验机(shimadzucorporation制造，“ag-is”)在卡盘间距离：50mm、拉伸速度：300mm/分钟、基材宽度：10mm的条件下进行。

c.粘合剂层

c-1.单层结构的粘合剂层

在一个实施方式中，粘合剂层由单层构成。粘合剂层可以由任意适当的粘合剂构成。作为粘合剂，例如，可列举出丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚乙烯醚系粘合剂等。

在一个实施方式中，粘合剂层由活性能量射线固化型粘合剂构成。如果由活性能量射线固化型粘合剂构成粘合剂层，则由于切割后的活性能量射线(代表性地为紫外线)照射而使得粘合力降低，从而可以得到拾取小片化的工件(例如，半导体芯片)变得容易的切割带。

活性能量射线固化型粘合剂可以包含表现出粘合性的基础聚合物。作为构成基础聚合物的单体，例如，可列举出亲水性单体。作为亲水性单体，可以使用具有极性基团的任意适当的单体。具体而言，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、n,n-二甲基(甲基)丙烯酰胺、n-丁基(甲基)丙烯酰胺、n-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、n-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、丙烯酰吗啉等(n-取代)酰胺系单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸n,n-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；n-环己基马来酰亚胺、n-异丙基马来酰亚胺、n-月桂基马来酰亚胺、n-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；n-甲基衣康酰亚胺、n-乙基衣康酰亚胺、n-丁基衣康酰亚胺、n-辛基衣康酰亚胺、n-2-乙基己基衣康酰亚胺、n-环己基衣康酰亚胺、n-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；n-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、n-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、n-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、n-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、n-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、n-乙烯基己内酰胺等乙烯基系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基的丙烯酸系单体；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等多官能单体。作为亲水性单体，可以适合使用含羟基单体和/或(n-取代)酰胺系单体。亲水性单体可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。

上述亲水性单体和疏水性单体可以组合。作为疏水性单体，只要是具有疏水性的单体即可，可以使用任意适当的单体。具体而言，可列举出2-乙基己酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、硬脂基乙烯醚等具有碳原子数9～30的烷基的乙烯基烷基或芳基醚；(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、油基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸棕榈基酯和(甲基)丙烯酸硬脂基酯等(甲基)丙烯酸的碳原子数6～30的烷基酯；由脂肪酸和脂肪醇衍生的(甲基)丙烯酸的不饱和乙烯基酯；由胆固醇衍生的单体；1-丁烯、2-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、异丁烯、异戊二烯等烯烃单体。疏水性单体可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。需要说明的是，本发明中所使用的疏水性单体是指相对于100g水溶解度为0.02g以下的单体。

上述基础聚合物还可以包含除上述亲水性单体和疏水性单体以外的单体成分。作为其他的单体成分，可列举出丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯等。其他的单体成分可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。

上述基础聚合物进一步可以包含来自分子中具有固化性官能团的氰酸酯系化合物的结构单元。包含来自异氰酸酯系化合物的结构单元的基础聚合物可以通过例如使来自上述亲水性单体的结构单元所具有的取代基(例如，oh基)与异氰酸酯系化合物的nco基反应来获得。作为上述异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。

构成上述粘合剂的基础聚合物的重均分子量优选为30万～200万、更优选为50万～150万。重均分子量可以利用gpc(溶剂：thf)进行测定。

上述活性能量射线固化型粘合剂可以包含光聚合引发剂。

作为光聚合引发剂，可以使用任意适当的引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲缩酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的使用量可以设定为任意适当的量。

作为上述光聚合引发剂，可以使用市售品。例如，可列举出basfcorporation制造的商品名“irgacure651”、“irgacure184”、“irgacure369”、“irgacure819”、“irgacure2959”等。

优选的是，上述活性能量射线固化型粘合剂包含交联剂。作为交联剂，例如，可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、胺系交联剂等。

粘合剂层为单层结构的情况下，上述交联剂的含有比例相对于粘合剂的基础聚合物100重量份优选为0.5重量份～10重量份、更优选为1重量份～8重量份。如果为这样的范围，则可以形成弹性模量被适当调整的粘合剂层。

在一个实施方式中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂从可以与多种官能团反应的角度出发优选。作为上述异氰酸酯系交联剂的具体例，可列举出亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；环亚戊基二异氰酸酯、环亚己基二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类；三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯3聚体加成物(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.制造、商品名“coronatel”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯3聚体加成物(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.制造、商品名“coronatehl”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.制造、商品名“coronatehx”)等异氰酸酯加成物等。优选使用具有3个以上异氰酸酯基的交联剂。

活性能量射线固化型粘合剂根据需要可以进一步包含任意适当的添加剂。作为添加剂，例如，可列举出活性能量射线聚合促进剂、自由基捕捉剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四酸酯系增塑剂等)、颜料、染料、填充剂、抗老化剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调节剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。

在粘合剂层为单层结构的情况下，上述粘合剂层在22℃下的拉伸模量优选为0.05mpa～1mpa、更优选为0.1mpa～0.8mpa、进一步优选为0.15mpa～0.6mpa。如果在这样的范围内，则可以形成具有充分的强度的粘合剂层，并且粘合剂层与基材良好地密合，从而可以抑制在基材与粘合剂层的界面附近产生空隙。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。尤其，使用在粘合剂层侧的面实施压花处理的基材的情况下，通常而言容易产生空隙，但通过将粘合剂层的拉伸模量设为上述范围，可以抑制空隙的产生。换言之，若该拉伸模量大于1mpa，则在基材的压花面上层叠粘合剂层时，粘合剂层可能不会追随基材的凹凸。此外，该拉伸模量小于0.5mpa的情况下，粘合剂层无法保持固定形状，而且可能无法具有充分的特性。需要说明的是，如上所述，粘合剂层由活性能量射线固化型粘合剂构成的情况下，优选活性能量射线照射前的22℃下的拉伸模量为该范围内。粘合剂层的拉伸模量的测定方法将在下文进行说明。

在一个实施方式中，在粘合剂层为单层结构的情况下，上述粘合剂层的紫外线(460mj/cm²)照射后的22℃下的拉伸模量优选为50mpa～3000mpa、更优选为100mpa～1500mpa、进一步优选为200mpa～1000mpa。如果为这样的范围，则可以得到拾取性优异的切割带。

在粘合剂层为单层结构的情况下，粘合剂层的厚度优选为5μm～470μm、更优选为7μm～247μm、进一步优选为10μm～130μm。如果为这样的范围，则在压花处理面上形成粘合剂层的情况下，该粘合剂层会良好地填入压花，可防止产生不需要的空隙。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。

粘合剂层的总透光率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。粘合剂层的总透光率的上限为例如98％(优选为99％)。

粘合剂层的雾度值优选为20％以下、更优选为10％以下、进一步优选为5％以下。粘合剂层的雾度值的下限为例如1％。

c-2.两层结构的粘合剂层

在一个实施方式中，上述粘合剂层由两层构成。以下，为了方便，将基材侧的粘合剂层设为第1粘合剂层，将与基材相反侧的粘合剂层设为第2粘合剂层。第1粘合剂层与第2粘合剂层可以通过拉伸模量的差异进行区分。第1粘合剂层优选比第2粘合剂层更低弹性。通过将低弹性的第1粘合剂层设为基材侧，粘合剂层与基材良好地密合，从而可以防止在基材与粘合剂层的界面附近产生空隙。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。此外，通过具备高弹性的第2粘合剂层，可以得到能够有助于高精度切割的切割带。

第1粘合剂层在22℃下的拉伸模量优选为0.05mpa～1mpa、更优选为0.06mpa～0.8mpa、进一步优选为0.07mpa～0.5mpa。如果在这样的范围内，则粘合剂层与基材良好地密合，从而可以显著防止在基材与粘合剂层的界面附近产生空隙。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。尤其，使用在粘合剂层侧的面上实施压花处理的基材的情况下，通常而言容易产生空隙，但通过将粘合剂层的拉伸模量设为上述范围，可以抑制空隙的产生。需要说明的是，在第1粘合剂层由活性能量射线固化型粘合剂构成的情况下，优选活性能量射线照射前的22℃下的拉伸模量为该范围。

在一个实施方式中，第1粘合剂层的紫外线(460mj/cm²)照射后的22℃下的拉伸模量优选为50mpa～300mpa、更优选为100mpa～1500mpa、进一步优选为200mpa～1000mpa。如果为这样的范围，则可以得到拾取性优异的切割带。

第2粘合剂层在22℃下的拉伸模量优选为0.1mpa～2mpa、更优选为0.15mpa～1.5mpa、进一步优选为0.2mpa～1mpa。如果为这样的范围，则粘合剂层整体具有适度的刚性，可以得到能够有助于高精度的切割的切割带。需要说明的是，第2粘合剂层由活性能量射线固化型粘合剂构成的情况下，优选活性能量射线照射前的22℃下的拉伸模量为该范围。

第1粘合剂层的厚度优选为5μm～468μm、更优选为7μm～244μm。若第1粘合剂层的厚度为5μm以上，则在压花处理面上形成第1粘合剂层的情况下，该第1粘合剂层可以良好地填入压花，防止不需要的空隙产生。其结果，可以得到上述二值化图像的白色面积大的切割带。此外，若第1粘合剂层为468μm以下，则可以得到拾取小片化的工件(例如，半导体芯片)变得容易的切割带。

第2粘合剂层的厚度优选为2μm～465μm、更优选为3μm～240μm。

粘合剂层为两层结构的情况下，粘合剂层的总厚度优选为7μm～470μm、更优选为10μm～247μm、进一步优选为15μm～130μm。

粘合剂层为两层结构的情况下，粘合剂层的总透光率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。粘合剂层的总透光率的上限为例如98％(优选为99％)。

粘合剂层为两层结构的情况下，粘合剂层的雾度值优选为20％以下、更优选为10％以下、进一步优选为5％以下。粘合剂层的雾度值的下限为例如1％。

作为构成第1粘合剂层和第2粘合剂层的粘合剂，可以使用上述c-1项中说明的粘合剂。优选使用活性能量射线固化型粘合剂。

构成第1粘合剂层的活性能量射线固化型粘合剂的交联剂含量相对于粘合剂的基础聚合物100重量份，优选为0.005重量份～5重量份、更优选为0.02重量份～3重量份。如果在这样的范围内，则可以形成弹性模量被适当调整、良好地填充基材的压花面且能够保持固定形状的粘合剂层。

构成第2粘合剂层的活性能量射线固化型粘合剂的交联剂含量相对于粘合剂的基础聚合物100重量份优选为1重量份～20重量份、更优选为2重量份～10重量份。如果在这样的范围内，则可以形成弹性模量和粘合力(可以兼顾切割时的晶圆的保持与切割后的芯片拾取的粘合力)被适当调整的粘合剂层。

d.切割带的制造方法

上述切割带可以利用任意适当的方法来制造。切割带例如可以通过在基材上涂覆上述粘合剂来获得。作为涂覆方法，可以采用棒涂机涂覆、气刀涂覆、凹版涂覆、凹版逆转涂覆、逆转辊涂覆、唇涂覆、模涂覆、浸渍涂覆、胶版印刷、柔版印刷、丝网印刷等各种方法。此外，也可以采用另外在剥离衬垫上形成粘合剂层之后，将其与基材贴合的方法等。

实施例

以下，通过实施例来具体说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。实施例中的试验和评价方法如下文所述。此外，在没有特别记载的情况下，“份”和“％”为重量基准。

(1)粘合剂层的弹性模量

将实施例和比较例中制备的粘合剂涂布在一对pet隔离膜之间以形成粘合剂层(厚度20μm)，将该粘合剂层在干燥器中、50℃的环境下熟化48小时。然后，将粘合剂层切割成50mm×30mm的尺寸，剥离隔离膜之后，以不会进入气泡的方式卷起，制备长度30mm/直径1.13mm的棒状试样。

上述棒状试样的拉伸模量通过使用拉伸试验机(orientecco.,ltd制造、商品名“rtc-1150a”)，在测定温度22℃、卡盘间距离10mm、速度10mm/分钟的条件下测定ss曲线。从该ss曲线的上升处求出初始弹性模量，将其作为粘合剂层的拉伸模量。

(2)基材的润湿性

基材的两面的润湿性按照jisk6768进行测定。

(3)基材的算术平均表面粗糙度ra

与基材的粘合剂层相反侧的面的算术平均表面粗糙度(线粗糙度)ra使用klatencorcorporation制造的p-15，按照jisb0601-2001进行测定。

(4)总透光率

切割带的总透光率使用murakamishikisaigijutsukenkyujok.k制造的雾度计商品名“hm-150”，按照jisk7361进行测定。

(5)雾度值

切割带的雾度值使用murakamishikisaigijutsukenkyujok.k制造的雾度计商品名“hm-150”，按照jisk7136进行测定。

(6)波长1064nm的光透过率

切割带的波长1064nm的光透过率使用shimadzucorporation制造的solidspec-3700进行测定。

(7)二值化白色面积的测定

在si晶圆镜面上压接切割带。在设定为明亮度80的激光显微镜vk-x150(keyencecorporation制造)下从基材侧观察该切割带，将观察图像(范围：5.8mm×4.4mm、亮度256色阶)输入pc中。使用imagej(免费软件)，以亮度140、即从亮度256色阶的低亮度侧第140色阶作为边界(最大亮度的55％作为阈值)，将观察图像转换为二值化图像，利用预定的宏处理，求出白色面积(高亮度部分)的比例。

(8)隐形切割前装置辨识性评价

在切割带上贴附硅晶圆和环框，确认下述装置中的照相机可视性，并根据下述的标准进行评价。

使用的装置：discocorp.制造的dal7360(sde05)

sd相机：用于高度调整的照相机。越过切割带用照相机使焦点对准晶圆背面，将焦点的高度作为晶圆背面的位置在装置控制系统中识别坐标。以晶圆背面高度为基准确定晶圆内部的激光照射位置。该激光照射定位操作在切割期间连续地反复进行。

ir相机：用于硅晶圆的图案识别的照相机。该照相机用于隔着切割带识别晶圆表面的图案，执行确定装置内的激光照射开始位置(xy坐标设定)的操作。

＜评价标准＞

〇·····没有不良情况，可以实现利用sd相机和ir相机的位置识别。

×·····高度识别和/或图案识别的精度差，自动模式的装置驱动无法进行。

(9)分割适合性评价

在切割带上贴附硅晶圆和环框，在下述的分割条件下隔着切割带照射激光，从而在晶圆的内部形成改性部。

(分割条件)

使用的装置：discocorp.制造的dal7360(sde05)

power：0.25w

散焦量：-2.5um

移送速度：350mm/秒

频率：80khz

通行数：2(绘图通行通行1次+加工通行1次)

硅晶圆：直径200mmφ、厚度50μm、芯片尺寸：5mm×5mm

然后，使用扩展装置(discocorp.制造、商品名“dds-2300”)，以扩展量10mm、扩展速度20mm/秒、扩展温度22℃进行切割带的周缘部的扩展，将硅晶圆单片化。

将经过单片化的芯片的截面用数字显微镜(keyencecorporation制造、商品名“vhx-1000”)观察，将以规则的间隔直线状地形成有基于激光的改性部的情况评价为○，改性部的间隔不均匀(改性层缺失)和/或连接改性部的线未成为直线(弯曲)的情况评价为×。

[制造例1]活性能量射线固化型粘合剂(1)的制备

将丙烯酸2-甲氧基乙酯100重量份、丙烯酰吗啉27重量份、丙烯酸2-羟基乙酯22重量份混合，制备单体组合物。

接着，在具备氮气导入管、温度计和搅拌机的反应容器内导入氮气，在氮气气氛下，装入乙酸乙酯500重量份、上述单体组合物149重量份和偶氮二异丁腈(aibn)0.2重量份，在60℃下搅拌24小时。然后，冷却至室温，得到含有丙烯酸系共聚物a1(重均分子量：60万)的丙烯酸系共聚物溶液a1。向所得到的丙烯酸系共聚物溶液a添加2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯24重量份并使其反应，在共聚物中的丙烯酸2-羟基乙酯的侧链末端oh基上加成nco基，得到含有末端具有碳-碳双键且重均分子量80万的丙烯酸系共聚物a2的丙烯酸系共聚物溶液a2。

在包含100重量份的丙烯酸系共聚物a2的丙烯酸系共聚物溶液a2中，加入交联剂(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.、商品名“coronatel”)3重量份、光聚合引发剂(cibajapank.k.制造、商品名“irgacure184”)7重量份、uv效果辅助剂(shin-nakamurachemical制造、商品名“nkoligou-6lpa”)30重量份，从而得到活性能量射线固化型粘合剂(1)。

[制造例2]活性能量射线固化型粘合剂(2)的制备

除了将交联剂(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.、商品名“coronatel”)的配混量设为0.6重量份之外，与制造例1同样操作，从而得到活性能量射线固化型粘合剂(2)。

[制造例3]活性能量射线固化型粘合剂(3)的制备

除了将交联剂(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.、商品名“coronatel”)的配混量设为0.025重量份之外，与制造例1同样操作，从而得到活性能量射线固化型粘合剂(3)。

[制造例4]活性能量射线固化型粘合剂(4)的制备

除了将交联剂(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.、商品名“coronatel”)的配混量设为4重量份之外，与制造例1同样操作，从而得到活性能量射线固化型粘合剂(4)。

[制造例5]基材(1)的制备

作为基材形成材料，使用高压聚乙烯(pe)(sumitomochemicalco.,ltd制造、商品名“sumikathenef213-p”)。

将基材形成材料投入挤出机，进行t模头熔融共挤出(挤出机：gmengineering,inc.制造、商品名“gm30-28”/t模头：供料头方式；挤出温度240℃)，一边在薄膜单面上进行压花处理(表面粗糙度ra：1.42μm)，一边得到厚度为100μm的薄膜。需要说明的是，层的厚度通过t模头出口的形状进行控制。对所得到的薄膜的两面进行电晕处理，从而得到基材(1)。需要说明的是，压花面的ra是用keyencecorporation制造的vk-x150测定得到的数值。

[制造例6]基材(2)的制备

除了仅在薄膜的压花处理面上实施电晕处理之外，与制造例5同样操作，从而得到基材(2)。

[制造例7]基材(3)的制备

作为基材形成材料，使用高压聚乙烯(pe)(sumitomochemicalco.,ltd制造、商品名“sumikathenef213-p”)100重量份和润滑剂(mitsubishichemicalcorporation制造、商品名“amideap-1”)1重量份的混合物。

将基材形成材料投入挤出机，进行t模头熔融共挤出(挤出机：gmengineering,inc.制造、商品名“gm30-28”/t模头：供料头方式；挤出温度240℃)，一边在薄膜单面上进行压花处理(表面粗糙度ra：1.42μm)，一边得到厚度为100μm的薄膜。需要说明的是，层的厚度通过t模头出口的形状进行控制。对所得到的薄膜的压花处理面进行电晕处理，从而得到基材(3)。

[实施例1]

在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(1)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度15μm的粘合剂层。

使用手压辊，将上述粘合剂层转印到基材上，从而得到切割带。需要说明的是，基材使用okuraindustrialco.,ltd.制造的“nso薄膜100um透明”。该薄膜是一个面上实施了电晕处理且未实施压花处理的薄膜。粘合剂层层叠在电晕处理面上。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[实施例2]

除了使用活性能量射线固化型粘合剂(2)来代替活性能量射线固化型粘合剂(1)，作为基材使用制造例6中制备的基材(2)之外，与实施例1同样操作，从而得到切割带。粘合剂层层叠在压花处理面上。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[实施例3]

在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(3)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度7μm的粘合剂层a。

另行在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(1)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度8μm的粘合剂层b。

使用手压辊，将粘合剂层a转印到基材(2)上，再将粘合剂层b转印到粘合剂层a上，从而得到切割带(基材(2)/第1粘合剂层a/第2粘合剂层b)。粘合剂层层叠在压花处理面上。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[实施例4]

在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(3)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度7μm的粘合剂层a。

另行在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(4)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度8μm的粘合剂层c。

使用手压辊，将粘合剂层a转印到基材(2)上，再将粘合剂层c转印到粘合剂层a上，从而得到切割带(基材(2)/第1粘合剂层a/第2粘合剂层c)。粘合剂层层叠在压花处理面上。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[实施例5]

除了使用基材(3)来代替基材(2)之外，与实施例4同样操作，从而得到切割带。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[比较例1]

除了作为基材使用制造例5中制备的基材(1)之外，与实施例1同样操作，从而得到切割带。粘合剂层层叠在压花处理面上。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[比较例2]

除了作为基材使用制造例5中制备的基材(1)之外，与实施例2同样操作，从而得到切割带。粘合剂层层叠在压花处理面上。

对得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。将结果示于表1。

[比较例3]

在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(3)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度5μm的粘合剂层a’。

另行在pet隔离膜(厚度：38μm)的有机硅处理面上涂布上述活性能量射线固化型粘合剂(4)，然后，在120℃下加热2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层c’。

使用手压辊，将粘合剂层a’转印到基材(2)上，在将粘合剂层c’转印到粘合剂层a上，从而得到切割带(基材(2)/第1粘合剂层a’/第2粘合剂层c’)。粘合剂层层叠在压花处理面上。

对所得到的切割带进行上述评价(1)～(9)。结果示于表1。

[表1]

从表1可以看出，若使用本发明的切割带，则通过二值化白色面积为特定值以上，在隐形切割工序中，可以高精度地进行隔着该切割带的照相机检测，即利用照相机(例如，ir相机、sd相机)进行半导体晶圆的表面图案识别、半导体晶圆高度方向的位置检测等。此外，可以在半导体晶圆内部良好地形成改性层。需要说明的是，在实施例中，通过防止基材的粘连；以及，利用基材压花的排除、粘合剂层弹性模量的调整等使得在基材与粘合剂层的界面附近不会产生空隙，从而构成切割带；可以增大二值化白色面积。需要说明的是，在比较例3中，虽然基材的表面粗糙度较小，但二值化白色面积为特定值以下，因此显示出切割的精度差。