一种导电铜箔的制作方法

本实用新型涉及铜箔技术领域，尤其涉及一种导电铜箔。

背景技术：

随着科技的不断进步，电脑、手机等产品内的电子元器件组装密度持续增加，在提供强大的使用功能的同时，也导致其发热量急剧增大，高温将会对电子元器件的稳定性、可靠性和寿命产生有害的影响，由于电子元器件的内部组装空间有限，一般通过在电子元器件上贴敷铜箔来辅助散热。

但是由于电子元器件的内部组装空间有限，铜箔贴敷到电子元器件上时，由于韧性较差，铜箔容易折断，并且单一的铜箔散热结构的散热性较差。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种导电铜箔，旨在解决现有技术中的铜箔韧性较差，易折断，散热性较差的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的一种导电铜箔，所述导电铜箔包括极薄铜层、铜基层、导热硅胶层和第一导电胶层，所述极薄铜层上具有第一延展部和第一凹陷部，所述第一延展部和所述第一凹陷部的数量均为多个，多个所述第一延展部和多个所述第一凹陷部依次交错设置，每个所述第一凹陷部呈弧面结构设置，每个所述第一延展部上具有多个凸起，每个所述凸起的外侧壁上具有多个通孔，所述铜基层上具有第二延展部和第二凹陷部，所述第二延展部和所述第二凹陷部的数量均为多个，多个所述第二延展部和多个所述第二凹陷部依次交错设置，每个所述第二凹陷部呈弧面结构设置，且每个所述第二凹陷部与每个所述第一凹陷部相对设置形成球形空腔，每个所述第二延展部上具有多个凹槽，每个所述凹槽与每个所述凸起相互契合，所述导热硅胶层填充至每个所述凹槽、每个所述通孔的内部以及每个所述第一凹陷部与每个所述第二凹陷部的球形空腔内，所述第一导电胶层与所述铜基层粘接，并位于所述铜基层远离所述极薄铜层的一端。

其中，所述第一延展部、所述第一凹陷部和所述凸起为一体成型设置。

其中，所述第二延展部、所述第二凹陷部和所述凹槽为一体成型设置。

其中，所述极薄铜层的厚度为9～13μm。

其中，所述铜基层的厚度为16～20μm。

其中，所述凹槽的深度为8～11μm，所述凸起的长度为4～7μm。

其中，所述导电铜箔还包括石墨烯层，所述石墨烯层与所述极薄铜层固定连接，并位于所述极薄铜层远离所述铜基层的一端。

其中，所述导电铜箔还包括第二导电胶层，所述第二导电胶层与所述石墨烯层粘接，并位于所述石墨烯层远离所述极薄铜层的一端，且所述第二导电胶层与所述第一导电胶层的粘结力不同。

其中，所述导电铜箔还包括第一离型层和第二离型层，所述第一离型层与所述第一导电胶层粘接，并位于所述第一导电胶层远离所述铜基层的一端，所述第二导电胶层与所述第二导电胶层固定连接，并位于所述第二导电胶层远离所述石墨烯层的一端。

其中，所述第一离型层和所述第二离型层均采用pet膜。

本实用新型的一种导电铜箔，通过所述极薄铜层上具有第一延展部和第一凹陷部，多个所述第一延展部和多个所述第一凹陷部依次交错设置，每个所述第一凹陷部呈弧面结构设置，每个所述第一延展部上具有多个凸起，每个所述凸起的外侧壁上具有多个通孔，所述铜基层上具有第二延展部和第二凹陷部，多个所述第二延展部和多个所述第二凹陷部依次交错设置，每个所述第二凹陷部呈弧面结构设置，且每个所述第二凹陷部与每个所述第一凹陷部相对设置形成球形空腔，每个所述第二延展部上具有多个凹槽，每个所述凹槽与每个所述凸起相互契合，所述导热硅胶层填充至每个所述凹槽、每个所述通孔的内部以及每个所述第一凹陷部与每个所述第二凹陷部的球形空腔内，所述第一导电胶层与所述铜基层粘接。其中通过所述极薄铜层和所述铜基层将电子元器件的热量传递至每个所述第二凹陷部与每个所述第一凹陷部相对设置形成的球形空腔的内部，由于球形空腔的内部空间相对较大，填充的所述导热硅胶层更多，所述导热硅胶层吸收的热量更多，因此对电子元器件的散热效果更好，同时所述极薄铜层和所述铜基层之间通过凸起与所述凹槽相互契合，并且所述导热硅胶层填充至每个球形空腔，及所述凹槽及多个所述通孔的内部，增加了所述极薄铜层和所述铜基层之间的韧性的同时提高了结构强度，获得提高了铜箔的韧性和散热性的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的导电铜箔的结构示意图。

图2是本实用新型的导电铜箔的部分结构示意图。

图3是本实用新型的极薄铜层的结构示意图。

图4是本实用新型的铜基层的结构示意图。

100-导电铜箔、10-极薄铜层、20-铜基层、30-导热硅胶层、40-第一导电胶层、50-石墨烯层、60-第二导电胶层、70-第一离型层、80-第二离型层、11-第一延展部、12-第一凹陷部、13-凸起、131-通孔、21-第二延展部、22-第二凹陷部、23-凹槽。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1至图4，本实用新型提供了一种导电铜箔100，包括极薄铜层10、铜基层20、导热硅胶层30和第一导电胶层40，所述极薄铜层10上具有第一延展部11和第一凹陷部12，所述第一延展部11和所述第一凹陷部12的数量均为多个，多个所述第一延展部11和多个所述第一凹陷部12依次交错设置，每个所述第一凹陷部12呈弧面结构设置，每个所述第一延展部11上具有多个凸起13，每个所述凸起13的外侧壁上具有多个通孔131，所述铜基层20上具有第二延展部21和第二凹陷部22，所述第二延展部21和所述第二凹陷部22的数量均为多个，多个所述第二延展部21和多个所述第二凹陷部22依次交错设置，每个所述第二凹陷部22呈弧面结构设置，且每个所述第二凹陷部22与每个所述第一凹陷部12相对设置形成球形空腔，每个所述第二延展部21上具有多个凹槽23，每个所述凹槽23与每个所述凸起13相互契合，所述导热硅胶层30填充至每个所述凹槽23、每个所述通孔131的内部以及每个所述第一凹陷部12与每个所述第二凹陷部22的球形空腔内，所述第一导电胶层40与所述铜基层20粘接，并位于所述铜基层20远离所述极薄铜层10的一端。

在本实施方式中，所述极薄铜层10、所述铜基层20和所述第一导电胶层40依次设置，所述导电铜箔100通过所述第一导电胶层40粘接在电子元器件上，所述极薄铜层10与所述铜基层20之间填充有所述导热硅胶层30，所述导热硅胶层30主要采用导热硅胶，导热硅胶是高端的导热化合物，是通过空气中的水份发生缩合反应放出低分子引起交联固化，而硫化成高性能弹性体，具有卓越的抗冷热交变性能，所述极薄铜层10上具有依次相互交错设置的所述第一延展部11和所述第一凹陷部12，每个所述第一延展部11上设置有多个均匀分布的多个所述凸起13，所述铜基层20上具有依次相互交错设置的所述第二延展部21和所述第二凹陷部22，每个所述第二延展部21上具有多个所述凹槽23，所述极薄铜层10和所述铜基层20之间通过多个所述凸起13与各自相对应的多个所述凹槽23相互卡合而连接，由于所述第一凹陷部12和所述第二凹陷部22均呈弧面结构设置，当所述极薄铜层10和所述铜基层20连接在一起时，所述极薄铜层10上的多个所述第一凹陷部12与所述铜基层20上的多个所述第二凹陷部22形成多个球形空腔，在每个球形空腔的内部填充所述导热硅胶层30，通过在所述极薄铜层10和所述铜基层20形成的多个球形空腔内填充所述导热硅胶层30，所述导热硅胶层30的填充与传统单一的铜箔相比，所述导电铜箔100的导热性能大大提升，同时由于球形空腔的体积相对较大，所述导热硅胶层30填充的量相对较多，能够进一步提升所述导电铜箔100的导热性，继而提高对电子元器件的散热效果。并且所述导热硅胶层30填充在所述极薄铜层10与所述铜基层20之间，能够增加所述导电铜箔100的韧性及延展性，所述凸起13和所述凹槽23的相互卡合，使得所述极薄铜层10与所述铜基层20之间的连接更加稳固，并且所述导热硅胶层30会填充至每个所述凸起13与所述凹槽23的连接处及多个所述通孔131的内部，所述导热硅胶使得每个所述凸起13与每个所述凹槽23之间的连接更加稳固，以此形成具备加强筋的作用，增加了所述导电铜箔100的结构强度，保证所述导电铜箔100贴敷在电子元器件上时，不会由于内部组装空间有限而被折断。

进一步地，所述第一延展部11、所述第一凹陷部12和所述凸起13为一体成型设置。

在本实施方式中，所述第一延展部11、所述第一凹陷部12和所述凸起13均为一体成型设置，能够增加所述极薄铜层10的结构强度。

进一步地，所述第二延展部21、所述第二凹陷部22和所述凹槽23为一体成型设置。

在本实施方式中，所述第二延展部21、所述第二凹陷部22和所述凹槽23均为一体成型设置，能够增加所述铜基层20的结构强度。

进一步地，所述极薄铜层10的厚度为9～13μm。所述铜基层20的厚度为16～20μm。

在本实施方式中，当所述极薄铜层10的厚度为9μm时，所述铜基层20的厚度为20μm，当所述极薄铜层10的厚度为13μm时，所述铜基层20的厚度为16μm，以此保证所述极薄铜层10和所述铜基层20的厚度之后都处于确定值，保证所述导电铜箔100的结构强度及抗压性。

进一步地，所述凹槽23的深度为8～11μm，所述凸起13的长度为4～7μm。

在本实施方式中，当所述凹槽23的深度为8μm时，所述凸起13的长度为4μm，当所述凹槽23的深度为11μm时，所述凸起13的长度为7μm，当所述凸起13插入所述凹槽23时，均要保证所述凸起13的底部与所述凹槽23的底部之间存在间隙，且间隙高度保持在4μm，这样有利于所述导热硅胶层30流入到间隙内，增加所述凸起13与所述凹槽23之间的连接性。

进一步地，所述导电铜箔100还包括石墨烯层50，所述石墨烯层50与所述极薄铜层10固定连接，并位于所述极薄铜层10远离所述铜基层20的一端。

在本实施方式中，所述石墨烯层50采用石墨烯为原料，石墨烯具有高导热作用和辐射热作用，所述石墨烯层50与发热的电器元件接触，所述石墨烯层50能够吸收电子元器件上的热能，并将热能传输给所述极薄铜层10，之后通过所述导热硅胶层30吸收所述极薄铜层10上的热量，所述石墨烯层50能够给提高所述导电铜箔100与电子元器件的热交换效率。

进一步地，所述导电铜箔100还包括第二导电胶层60，所述第二导电胶层60与所述石墨烯层50粘接，并位于所述石墨烯层50远离所述极薄铜层10的一端，且所述第二导电胶层60与所述第一导电胶层40的粘结力不同。

在本实施方式中，所述第一导电胶层40的粘结力小于所述第二导电胶层60的粘结力，所述导电铜箔100具有所述第一导电胶层40的一面与电子设备内部的固定板连接，所述导电铜箔100具有所述第二导电胶层60的一面与pcb板上的电子元器件连接，通过所述第一导电胶层40和所述第二导电胶层60的不同粘结力的设置，能够提高所述导电铜箔100的散热效果。

进一步地，所述导电铜箔100还包括第一离型层70和第二离型层80，所述第一离型层70与所述第一导电胶层40粘接，并位于所述第一导电胶层40远离所述铜基层20的一端，所述第二导电胶层60与所述第二导电胶层60固定连接，并位于所述第二导电胶层60远离所述石墨烯层50的一端。

在本实施方式中，所述第一离型层70粘结在所述第一导电胶层40上，所述第二离型层80粘接在所述第二导电胶层60上，当所述导电铜箔100需要使用时，撕下所述第一离型层70和所述第二离型层80，将所述导电铜箔100粘接至预设部位，所述第一离型层70和所述第二离型层80能够防止所述第一导电胶层40和所述第二导电胶层60受到污染，影响粘性。

进一步地，所述第一离型层70和所述第二离型层80均采用pet膜。

在本实施方式中，所述第一离型膜和所述第二离型膜均采用pet膜，具有很好的吸附性和贴合性。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于实用新型所涵盖的范围。