256molSi)。烧瓶配有温度计、特氟隆搅拌桨和预先填充有甲苯并附接到水冷 式冷凝器的DeanStark装置。然后施加氮气层。使用油浴在回流下将烧瓶加热30分钟。 随后，将烧瓶冷却至约l〇8°C(罐温）。
[0172] 然后制备甲苯（35.Og)和硅烷醇封端的PhMe硅氧烷（140dp，FW= 136. 3g/mol 31，1.24摩尔％31011，65.(^，0.477111〇131)的溶液，并且在氮气下在手套箱中（当天）通过 如下方式用 50/5010^/^了4(平均？1 = 231.28/111〇151，1.448,0.00623111〇1)封端硅氧烷：添 加50/50MTA/ETA至硅氧烷并在室温下混合2小时。然后在108°C下将封端的硅氧烷添加到 苯基-T树脂/甲苯溶液中并回流约2小时。
[0173]回流后，将溶液冷却回到约108°C，并添加额外量的50/50MTA/ETA(平均FW= 231. 2g/molSi，6. 21g，0. 0269mol)，然后使溶液再另外回流1小时。
[0174]随后，将溶液冷却至90°C，然后添加12mL的去离子水。然后将含有水的溶液加热 至回流持续约1.5小时以通过共沸蒸馏去除水。然后重复添加水和后续的回流。去除的水 相的总量为约27. 3g。
[0175] 随后，使一些甲苯（约54.Og)连同大部分残余乙酸一起蒸馏出来（持续约20分 钟）以增加固体含量。
[0176] 然后将该溶液冷却至室温，并且使溶液通过5. 0ym的过滤器加压过滤以分离固 体组合物。
[0177] 通过29SiNMR对固体组合物进行分析，确认其结构为具有约11. 8摩尔％OZ的 T^PhMe rJi烷基I环己基rpPhU 0.635 1 0.044 ^ 0.0 O4I 0.317° 实例2:
[0178] 向2L的3颈圆底烧瓶中装入甲苯（544.Og)和216.Og上述苯基-T树脂。烧瓶配 有温度计、特氟隆搅拌桨和预先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark装置。施 加氮气层。使用电热套以在回流下将溶液加热30分钟。然后将溶液冷却至108°C(罐温）。
[0179] 制备甲苯（176.Og)和264.Og上述硅烷醇封端的PhMe硅氧烷的溶液并且在氮气 下在手套箱中（当天）通过如下方式用50/50MTA/ETA(4. 84g，0. 0209molSi)封端硅氧烷： 添加MTA/ETA至硅氧烷并在室温下混合2小时，也如上所述。
[0180] 然后在108°C下将封端的硅氧烷添加到苯基-T树脂/甲苯溶液中并回流约2小 时。
[0181]回流后，将溶液冷却回到约108°C，并添加额外量的50/50MTA/ETA(38. 32g， 0? 166molSi)，然后使溶液再另外回流2小时。
[0182] 随后，将溶液冷却至90°C，然后添加33. 63g的去离子水。
[0183] 然后将含有水的溶液加热至回流持续约2小时以通过共沸蒸馏去除水。然后将溶 液在回流下加热3小时。随后，将溶液冷却至100°C，然后向其加入预干燥的DarcoG60炭 黑（4. 80g)。
[0184] 然后在搅拌下将溶液冷却至室温，然后在室温下搅拌过夜。然后使溶液通过 0. 45um的过滤器加压过滤以分离固体组合物。
[0185] 通过29SiNMR对固体组合物进行分析，确认其结构为具有约22. 2摩尔％的OZ的 a_TPha431。使用FT-IR分析未在固体组合物中检测到乙酸。 实例3:
[0186] 向500mL的3颈圆底烧瓶中装入甲苯（86. 4g)和33.Og上述苯基-T树脂。烧瓶 配有温度计、特氟隆搅拌桨和预先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark装置。 施加氮气层。使用电热套以在回流下将溶液加热30分钟。然后将溶液冷却至108°C(罐 温）。
[0187] 制备甲苯（25.Og)和27.Og上述硅烷醇封端的PhMe硅氧烷的溶液并且在氮气下 在手套箱中（当天）通过如下方式用甲基三（甲基乙基酮肟基）硅烷（(MTO);丽=301. 46) 封端硅氧烷：添加MTA/ETA至硅氧烷并在室温下混合2小时，也如上所述。
[0188] 然后在108°C下将封端的硅氧烷添加到苯基-T树脂/甲苯溶液中并回流约3小 时。如下文更详细地描述，然后由该溶液浇注成膜。通过29SiNMR对溶液中的有机硅氧烷 嵌段共聚物进行分析，确认其结构为具有约17. 0摩尔％OZ的DPhM\44(]TM\_TPha552。使用 FT-IR分析未在固体组合物中检测到乙酸。 实例4:
[0189] 向5L的4颈圆底烧瓶中装入甲苯（1000.Og)和280. 2g上述苯基-T树脂。烧瓶 配有温度计、特氟隆搅拌桨和预先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark装置。 施加氮气层。使用电热套以在回流下将溶液加热30分钟。然后将溶液冷却至108°C(罐 温）。
[0190]制备甲苯（500.Og)和 720.Og硅烷醇封端的PDMS(FW= 74. 3g/molSi;约I. 01 摩 尔％ 0H)的溶液并且在氮气下在手套箱中（当天）通过如下方式用50/50MTA/ETA(23. 77g， 0. 1028molSi)封端PDMS:添加MTA/ETA至硅氧烷并在室温下混合30分钟，也如上所述。
[0191] 然后在108°C下将封端的PDMS添加至苯基-T树脂/甲苯溶液并回流约3小时15 分钟。
[0192] 回流后，将溶液冷却回到约108 °C，并添加额外量的50/50MTA/ETA(22. 63g， 0? 0979molSi)，然后使溶液再另外回流1小时。
[0193] 随后，将溶液冷却至100°C，然后添加36.Ig的去离子水。
[0194] 然后将含有水的溶液在88-90°C下加热约30分钟，然后在回流下加热约1. 75小时 以通过共沸蒸馏去除约39. 6克的水。然后将溶液放置过夜以冷却。
[0195] 随后，将溶液加热到回流维持2小时，再冷却到100°C。为了降低乙酸水平，然后 将126. 8g去离子水加入并经3. 25小时的时间段共沸去除。从DeanStark装置去除的量 为约137. 3g。然后将溶液冷却至100°C。随后，将162. 8g水加入并经4. 75小时的时间段 共沸去除。从DeanStark装置去除的量为约170. 7g。然后将溶液冷却至90°C并且向其中 添加IOgDarcoG60炭黑。然后在搅拌下将溶液冷却至室温，然后允许其在室温下搅拌过 夜。
[0196] 然后使溶液通过0. 45 ym的过滤器加压过滤以分离固体组合物。
[0197] 通过29SiNMR对固体组合物进行分析，确认其结构为具有约6. 56摩尔％的OZ的 〇%815怜*。.Q17TPh。.。使用FT-IR分析未在固体组合物中检测到乙酸。 实例5:
[0198] 向12L的3颈圆底烧瓶中装入甲苯（3803. 9g)和942. 5g上述苯基-T树脂。烧瓶 配有温度计、特氟隆搅拌桨和预先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark装置。 施加氮气层。使用电热套以在回流下将溶液加热30分钟。然后将溶液冷却至108°C(罐 温）。
[0199] 制备甲苯（1344g)和1829.Og上文刚刚提及的硅烷醇封端的PDMS的溶液并且在 氮气下在手套箱中（当天）通过如下方式用MT0(甲基三（甲基乙基酮肟基）硅烷（85. 0g， 0. 2820molSi))封端PDMS:添加MTO至硅氧烷并在室温下混合2小时，也如上所述。
[0200] 然后在IKTC下将封端的PDMS添加至苯基-T树脂/甲苯溶液并回流约2小时10 分钟。随后，添加276.Og正丁醇，然后将溶液回流3小时，然后使其冷却至室温过夜。
[0201] 随后，通过蒸馏去除约2913g甲苯以使固体含量增加至约50重量％。然后在 65-75°C下施加真空约2. 5小时。然后，在静置3天后将溶液通过5. 0ym的过滤器过滤以 分离固体组合物。
[0202] 通过29SiNMR对固体组合物进行分析，确认其结构为具有约6. 23摩尔％的OZ的 〇%77/\。。9严。.217。使用FT-IR分析未在固体组合物中检测到乙酸。 实例6:
[0203] 向IL的3颈圆底烧瓶中装入甲苯（180.Og)和64. 9g上述苯基-T树脂。烧瓶配有 温度计、特氟隆搅拌桨和预先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark装置。施加 氮气层。使用电热套以在回流下将溶液加热30分钟。然后将溶液冷却至108°C(罐温）。
[0204] 制备甲苯（85. 88g)和115. 4g硅烷醇封端的PDMS的溶液并且在氮气下在手套箱 中（当天）通过如下方式用￡了3 900(50重量％的甲苯溶液；平均？1 = 232/48/111〇131)封 端PDMS:添加ETS900/甲苯（8.25g，0.0177molSi)至硅烷醇封端的PDMS并在室温下混 合2小时。
[0205] 然后在108°C下将封端的PDMS添加至苯基-T树脂/甲苯溶液并回流约2小时。
[0206] 随后，使溶液冷却回到108°C，并添加额外量的ETS900(15.94g，0.0343molSi)。 然后将溶液在回流下加热一小时，再冷却回到l〇8°C。然后添加额外量的ETS900/甲苯 (2. 23g，0. 0048molSi)，并将溶液再次在回流下加热一小时。
[0207]随后，将溶液冷却至100°C，并且添加30mL的去离子水。将溶液再次加热至回流， 以通过共沸蒸馏去除水。将该过程重复3次。
[0208] 然后，加热溶液并且蒸馏出约30g溶剂以增加固体含量。然后将该溶液冷却至室 温，并且使其通过5. 0ym的过滤器过滤以分离固体组合物。
[0209] 通过29SiNMR对固体组合物进行分析，确认其结构为具有约7. 71摩尔％的OZ的 DMe20.751T烷基。.Tpha221。使用FT-IR分析未在固体组合物中检测到乙酸。 实例7
[0210] 可以使用本领域熟知的方法生成实例1-6中制备的组合物的固体形式。例如，通 过使用双螺杆挤出机从含有实例1-6中制备的组合物的甲苯溶液除去甲苯，然后通过在存 在干冰的情况下在家用搅拌器中研磨，可以获得薄片。可用于生成粉末的方法包括例如喷 雾干燥含有实例1-6中制备的组合物的甲苯溶液。
[0211] 上文所述的值中的一个或多个可以变动±5%、±10%、±15%、±20%、±25% 等，只要变化保持在本发明的范围内即可。可以从独立于所有其他成员的马库什（Markush) 组的各个成员中获得意料不到的结果。每个成员均可被单独地和/或组合地依赖，并且为 所附权利要求范围内的具体实施例提供足够的支持。本文明确考虑到独立权利要求和从属 权利要求（单项从属和多项从属）所有组合的主题。本说明的说明文字为示例性的，而非 限制性的。按照上述教导内容，本说明的许多修改形式和变型形式是可能的，并且本公开可 以不按本文具体描述的那样实施。
【主权项】
1. 一种用于制备光学组件的方法，包括： 将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的光学表面上；以及 由所述含有机硅的热熔融组合物形成基本上覆盖所述光学器件的所述光学表面的封 装件。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述封装件的沉积和/或形成包括压缩模制、层 压、挤出、流化床涂布、电泳沉积、注射模制、熔融加工、静电涂布、静电粉末涂布、静电流化 床涂布、传递模制、磁刷涂布中的至少一个。3. 根据权利要求1所述的方法，还包括将所述含有机硅的热熔融组合物沉积到基板 上，其中所述光学器件机械联接到所述基板。4. 根据权利要求1所述的方法，其中将所述含有机硅的热熔融组合物沉积到所述光学 表面上包括形成第一层，并且还包括将第二层中的含有机硅的热熔融组合物沉积到所述第 一层的顶部。5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是反应性的含有机 硅的热熔融组合物。6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是非反应性的含有 机硅的热熔融组合物。7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是树脂-线性含有 机硅的热熔融组合物并且所述组合物包含相分离的富含树脂的相和相分离的富含线性物 的相。8. 根据权利要求7所述的方法，其中所述树脂-线性组合物包含： 40至90摩尔％的式[R12SiOv2]二甲硅烷氧基单元， 10至6〇摩尔％的式[R2Si〇 3/2]三甲硅烷氧基单元， 0? 5至35摩尔％的硅烷醇基团[E SiOH]; 其中： 各R1在每次出现时独立地为C 1至C 3。烃基， 各R2在每次出现时独立地为C 1至C 2。烃基； 其中： 所述二甲硅烷氧基单元[R12SiOv2]以线性嵌段排列，每个线性嵌段具有平均10至400 个二甲娃烷氧基单元[R12SiO272], 所述三甲硅烷氧基单元[R2Si03/2]以具有至少500g/mol的分子量的非线性嵌段排列， 并且所述非线性嵌段的至少30%彼此交联并主要以纳米域聚集在一起，每个线性嵌段连接 到至少一个非线性嵌段；以及 所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量为至少20, 000g/m〇l。9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物还包含一种或多种 磷光体和/或填料。10. 根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是可固化的。11. 根据权利要求1所述的方法，还包括通过固化机制固化所述含有机硅的热熔融组 合物。12. 根据权利要求11所述的方法，其中所述固化机制包括热熔融固化、湿固化、娃氢加 成固化、缩合固化、过氧化物固化或基于点击化学的固化。13. 根据权利要求11所述的方法，其中所述固化机制通过固化催化剂催化。14. 一种制备光学组件的方法，包括： 相对于基板固定光学器件；以及 将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到基板或所述光学器件的光学表面 中的至少一个上。15. 根据权利要求14所述的方法，其中在沉积所述含有机硅的热熔体之前将所述光学 器件固定到所述基板。16. 根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物基本上覆盖 了所述基板的全部区域。17. 根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物基本上仅覆 盖了所述基板的介于所述基板和所述光学器件之间的区域。18. 根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物基本上仅覆 盖了所述基板的未被所述光学器件覆盖的区域。19. 根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物基本上仅覆 盖了所述基板的未被所述光学器件覆盖的区域和所述光学器件的光学表面。20. 根据权利要求14所述的方法，还包括将薄膜封装件沉积到所述光学器件的所述光 学表面上，并且其中沉积所述含有机硅的热熔体将所述含有机硅的热熔体至少部分地沉积 到所述薄膜封装件上。21. 根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔体形成了所述含有机 硅的热熔体的第一层，并且还包括将所述含有机硅的热熔体的第二层基本上沉积到所述第 一层的顶部上。22. 根据权利要求14所述的方法，还包括形成被配置成至少部分地封装所述光学器件 的封装件。23. 根据权利要求22所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔体将所述含有机硅的 热熔体至少部分地沉积到所述封装件上。24. 根据权利要求22所述的方法，其中所述含有机硅的热熔体与所述封装件混合，并 且其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物包括将所述含有机硅的热熔融组合物和所述封 装件两者沉积为单一组合物。25. -种制备光学组件的方法，包括： 相对于基板固定光学器件； 使用封装件至少部分地封装所述光学器件；以及 将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到所述封装件上。26. 根据权利要求25所述的方法，其中所述封装件是第一封装件，并且还包括在所述 含有机硅的热熔融组合物上形成第二封装件，其中所述含有机硅的热熔融组合物至少部分 地介于所述第一封装件和所述第二封装件之间。27. -种制备电子器件的方法，包括： 相对于基板固定电子组件；以及 将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到所述电子组件上。28. 根据权利要求27所述的方法，其中所述电子器件是塑料引线芯片载体（PLCC)、电 源组、板上单芯片和板上多芯片中的至少一个。29. 根据权利要求27所述的方法，还包括由所述含有机硅的热熔融组合物形成基本上 覆盖所述电子组件的封装件。30. 根据权利要求27所述的方法，还包括形成基本上覆盖所述电子组件和所述含有机 硅的热熔融组合物的封装件。
【专利摘要】本发明公开了制备光学组件和电子器件的方法，所述方法包括：将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的光学表面上；以及由所述含有机硅的热熔融组合物形成基本上覆盖所述光学器件的所述光学表面的封装件。在一些实施例中，所述含有机硅的热熔融组合物是反应性或非反应性的含有机硅的热熔体。在一些实施例中，所述组合物是树脂-线性含有机硅的热熔融组合物并且所述组合物包含相分离的富含树脂的相和相分离的富含线性物的相。
【IPC分类】H01L31/0216, C09D5/03, C08L83/10, H01L23/29, C09D183/04, H01L31/048, H01L33/56, B29D11/00, C08G77/44, G02B1/04
【公开号】CN105121566
【申请号】CN201480021444
【发明人】尼子雅章, G·B·加德纳, 水上真由美, S·斯维尔, 吉田宏明, 吉田真宗
【申请人】道康宁公司, 道康宁东丽株式会社
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年3月12日
【公告号】WO2014150841A2, WO2014150841A3