离型膜、成型体的制造方法、半导体部件和反射器部件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及离型膜、使用该离型膜制造成型体的方法、W及通过该制造方法得到 的半导体部件和反射器部件。
【背景技术】
[0002] 近年来，随着电子设备的高功能化和小型化W及它们的快速普及，作为其中所组 装的电子部件，要求大量且低成本地提供更小型的部件。在运样的情况下，在电子部件的热 加工工序中，要求能够大量且高生产率地合理生产更小形状的部件。例如，在L邸部件中，其 包装形态从更大型的炮弹型变迁为小型薄壁的反射器型，此外，预计在今后占据其主流的 是在基板上安装大量的L邸忍片后进行一体化密封-单片化的包覆成型类型。在运样的情况 下，对于在运些电子部件的热加工工序中使用的离型膜，要求具有更高的成型性、更高的离 型性等越来越高的加工性。
[0003]W往，有人提出了将四氣乙締-乙締系共聚物的膜作为印刷基板成型时所使用的 离型膜(专利文献1)。
[0004] 还有人提出了一种离型膜，其是由包含4-甲基-1-戊締含量为80质量％W上的聚 合物的组合物形成的离型膜，其中，该组合物的烙点为170°C~240°C、半结晶化时间为70秒 ~220秒(专利文献2)。
[0005]另外，作为在印刷基板成型时所使用的离型膜，有人提出了如下形成的离型膜:在 乙締系共聚物橡胶100质量份中混合聚乙締系树脂25质量份~400质量份，对所形成的树脂 组合物进行挤出成型，向所得到的膜照射电离性放射线使其交联来形成基础膜，在该基础 膜上涂布离型层，从而形成该离型膜(专利文献3)。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[000引专利文献1:日本特开2001-206913号公报
[0009] 专利文献2:日本特开2006-70252号公报
[0010] 专利文献3:日本特开2012-66447号公报
【发明内容】
[0011] 发明所要解决的课题
[0012] 但是，上述任一种离型膜并不能说是充分的。
[0013]具体地说，对于专利文献1的四氣乙締-乙締系共聚物的膜或聚四氣乙締(PTFE)、 乙締-四氣乙締共聚物化TFE)或聚酷亚胺的膜来说，由于在成型溫度下并无热收缩，因而在 将膜设于模具后会引入權皱，无法准确地再现模具的形状。
[0014]对于专利文献2的离型膜来说，由于成型时的膜的弹性模量过高，因而在电子部件 的热成型工序中，在成型品中带有權皱等，离型膜无法充分地再现模具的形状。
[0015]对于专利文献3的膜来说，在加热成型时完全不收缩，因而在将膜设于模具后会带 有權皱等，无法充分再现模具的形状。
[0016] 如此，在现有的离型膜中，在通常的热加工工序中，由于离型膜缺乏柔软性、并且 膜不会适度地收缩，因此出现离型膜无法恰当地粘贴为模具的模型形状、在成型品中具有 權皱等问题。
[0017] 因此，本发明的目的在于提供在热成型中能够提高成型性的离型膜、使用该离型 膜制造成型体的方法、W及通过该制造方法得到的半导体部件和反射器部件。
[0018] 解决课题的手段
[0019] 本发明人为了达成上述课题进行了深入研究，结果完成了本发明。即，本发明如下 所述。
[0020] [1]-种离型膜，其在120°C于MD方向和TD方向各自的热收缩率为5%W上。
[0021] [2巧日[1]中所述的离型膜，其在110°C于MD方向和TD方向各自的热收缩率为2%W 上。
[0022] [3巧日[1]或[2]中所述的离型膜，其具备离型层W及基材层，基材层包含聚締控树 月旨，利用DSC测定的基材层的烙点为128°C~210°C。
[0023] [4]如[3]中所述的离型膜，其中，基材层的聚締控树脂发生了交联；该离型膜在 120°C于MD方向和TD方向各自的应力-应变曲线中无屈服点，并且，100%伸长负荷B相对于 50 %伸长负荷A的比B/A为1.5W上;该离型膜在120°C于MD方向和TD方向各自的热收缩力为 0.40N/cmW下。
[0024] [引如[3]或[4]中所述的离型膜，其中，离型层包含氣系化合物。
[0025] [6巧日[3]~[5]的任一项所述的离型膜，其中，基材层的聚締控树脂通过电离性放 射线进行了交联。
[0026] [7]-种成型体的制造方法，其包括下述工序:将[1]~[6]的任一项所述的离型膜 固定在模具上的工序;在模具上使离型膜收缩从而除掉离型膜的權皱的工序;将树脂供给 至模具，使树脂成型的成型工序；W及将离型膜剥下的工序。
[0027] [引如[7]中所述的成型体的制造方法，其进一步包括在模具内配置基板的工序， 该基板安装有半导体忍片，在成型工序中，将半导体忍片利用树脂密封。
[0028] [9巧日[7]中所述的成型体的制造方法，其进一步包括在模具内配置引线框架的工 序，在成型工序中，使树脂成型于引线框架。
[0029] [10]-种半导体部件，其通过[引中所述的成型体的制造方法制造。
[0030] [11]-种反射器部件，其通过[9]中所述的成型体的制造方法制造。
[0031] 发明的效果
[0032] 对于本发明的离型膜来说，通过具有上述的热收缩率，与现有技术相比，能够提高 热成型中的成型性。对于使用本发明的离型膜制造成型体的方法来说，在要求高生产率的 成型体的制造中，不需要模具的清扫工序，而且能够划时代地降低离型膜的權皱等不良，能 够飞跃性地提高生产率。
【具体实施方式】
[0033] 下面对本发明的实施方式进行详细说明。需要说明的是，本发明并不限于W下的 实施方式，可W在其要点的范围内进行各种变形来实施。
[0034]在本实施方式的离型膜中，在120°C于MD方向（纵向、流动方向）和TD方向（横向、宽 度方向）各自的热收缩率为5%W上。另外，在110°C于MD方向和TD方向各自的热收缩率优选 为2 %W上。该热收缩率按照测定法ASTMD2732进行测定。另外，上述"MD方向和TD方向各自 的热收缩率"与"MD方向和TD方向的热收缩率都"的含义相同。
[0035]热收缩率在120°C小于5%的情况下，将膜置于模具上抽真空时，膜不能准确地追 随模具，在膜上带有權皱，在成型体上也会带有權皱。在热收缩率为5%W上时，膜被没有權 皱地置于模具上，因而能够充分地再现模具的形状。
[0036] 在120°C的热收缩率的下限值优选为5%。上限值优选为50%、更优选为30%、进一 步优选为20%。运些下限值和上限值可W自由组合构成数值范围。例如，该热收缩率优选为 5%~50%、更优选为5%~30%、进一步优选为5 %~20 %。在热收缩率为50 %W下时，在将 膜置于模具上抽真空的工序中更不容易产生不利状况。
[0037]在110°C的热收缩率为2%W上的情况下，在将膜置于模具上抽真空时，膜准确地 追随模具，因而膜不容易带有權皱，能够进一步充分地再现模具的形状。
[0038] 在110°C的热收缩率的下限值优选为2%。上限值优选为30%、更优选为20%、进一 步优选为10%。运些下限值和上限值可W自由组合构成数值范围。例如，该热收缩率优选为 2%~30%、更优选为2%~20%、进一步优选为2 %~10 %。在热收缩率为30 %W下时，在将 膜置于模具上抽真空的工序中更不容易产生不利状况。
[0039] 本实施方式的离型膜例如为具备离型层W及包含聚締控树脂的基材层的至少2层 的多层离型膜，可W具有由离型层和基材层运2层形成的构成。
[0040] 利用DSC测定的基材层的烙点(在具有多个峰的情况下为最大值)的下限值优选为 128°C。上限值优选为210°C、更优选为160°C、进一步优选为150°C。运些下限值和上限值可 W自由组合构成数值范围。例如，该烙点优选为128°C~210°C、更优选为128°C~160°C、进 一步优选为128°C~150°C。烙点为128°CW上时，在将膜置于模具上抽真空的工序中不容易 产生不利状况。另外，在烙点为2i〇°CW下时，在成型溫度下容易产生适度的收缩，權皱不容 易引入到成型体上。
[0041]基材层例如包含聚締控树脂作为主成分。聚締控树脂是W单纯的締控(olefin)类 或締控(alkene)作为单元分子进行合成的高分子。作为聚締控树脂，可W举出聚乙締系树 月旨、聚丙締系树脂、聚締控系聚合物合金、聚下締系树脂、聚甲基戊締树脂等。
[0042] 作为上述聚乙締系树脂，可W举出聚乙締、乙締-a-締控共聚物等。
[0043] 作为聚乙締，可W举出高密度聚乙締、中密度聚乙締、低密度聚乙締、超低密度聚 乙締等。高密度聚乙締可利用菲利普法、标准法、齐格勒法等通常公知的方法制造。作为中 密度聚乙締，可W举出线性中密度聚乙締等。作为低密度聚乙締，可W举出线性低密度聚乙 締化LDPE)、高压法低密度聚乙締等。需要说明的是，高压法低密度聚乙締是通过所谓高压 法(本体聚合法)制造的低密度聚乙締。作为超低密度聚乙締，可W举出线性超低密度聚乙 締(VLD阳)等。
[0044] 作为上述乙締-a-締控共聚物，优选乙締与碳原子数为3~20的a-締控的共聚物， 更优选乙締与碳原子数为3~12的a-締控的共聚物。作为a-締控，可W举出丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-辛締、4-甲基-1-戊締等，它们可W使用1种或将巧巾W上合用。
[0045] 另外，作为上述乙締-a-締控共聚物，乙締与选自丙締共聚单体、下締共聚单体、己 締共聚单体和辛締共聚单体中的至少一种共聚单体的共聚物通常容易获得，可W优选使 用。
[0046] 作为聚乙締系树脂，优选乙締与a-締控(丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-辛締、4-甲基-1-戊締、3-甲基-1-戊締、1-癸締、1-十二碳締、1-十四碳締、1-十六碳締、1-十八碳締、 1-二十碳締等）的共聚物，也可W为乙締与两种Q-締控(丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-