一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置的制作方法

文档序号:4973036阅读:197来源:国知局
专利名称:一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置,属
于C30B单晶生长领域。
背景技术
有许多的国内外科研机构开展配合物小晶体的合成探索及其结构分析研究工作,这样的研究具有双重意义, 一方面,有助于进一步深入地探求相关科学规律,另一方面,某些具有潜在应用前景的新型晶体也有望在这一过程中得以揭不。
这类研究中,首先要做的事情,是探査新晶体的合成条件,其中,室温或近室温条件下的溶剂挥发法因其温和的方式而通常被优先关注。
由于存在诸多的可能影响配合物小晶体生长速率及晶体品质的条件因素,因而,筛查性的合成实验通常是必须的,这一类筛査性实验一般选择同时使用许多的一百毫升烧杯展开平行的合成探查,优先选择这种尺寸的烧杯是由这类实验的剂量以及与这种剂量相适应的溶剂挥发合成手段决定的。
上述实验通常只涉及数毫升至数十毫升滤清反应液这样一种较小的反应剂量。大体的合成步骤是,先将按设计配制的各滤清反应液分别置于不同的烧杯里,在各烧杯的杯口处包覆开有一些微小空洞的聚乙烯膜,然后,将各烧杯静置于室内通风处,各烧杯内的溶剂经由各聚乙烯覆膜上的微小空洞缓慢挥发,逐渐反应、浓縮并进而形成相关配合物小晶体。
本案设计人注意到,由于存在昼夜温差,夜间低温时缓慢增长的小晶体,在白天温度稍高时会重新部分溶解,这样的一种夜间生长而日间消融的生长状态,给杂质的介入提供了较多的机会,并且,晶体的生长连续性也受到影响,在这种条件下长成的晶体,其内部容易包裹有较多的杂质,晶体质量可能因此严重不足。
实验中存在的上述缺陷导致合成探査实验效率低下,合成探查实验时间因此拖长,试剂消耗量相应地额外增加,而且,由于晶体品质的不足,晶体衍射数据的解析处理也会比较困难,其后提交给专业数据库的结构数据也可能因此有了某种不完美的因素。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,针对上述的配合物小晶体批量筛查合成实验中存在的昼夜温差干扰问题,研发一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置。
本实用新型通过如下方案解决所述技术问题,该方案提供一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置,包括一个盘状水槽,在盘状水槽的侧壁上装设有进水接口以及出水接口 ,进水接口以及出水接口与盘状水槽内部联通,以及,带有许多孔洞的盖板,该盖板是活动的盖板,本案要点是,所述孔洞是
有底的凹形坑洞,凹形坑洞的内腔形状呈圆柱状,凹形坑洞的深度尺寸介于5.0厘米到6. 0厘米之间,凹形坑洞的圆柱形内腔直径介于5. 3厘米到5. 5厘米之间,盘状水槽的每一侧壁的横断面形状呈曲柄形状,盘状水槽的边沿包绕在盖板的边沿之外。所述凹形坑洞的尺寸是与一百毫升烧杯的尺寸相适应的尺寸,该尺寸适合于宽紧适中地将常见尺寸的一百毫升烧杯的大部置于其中,凹形坑洞的所述深度尺寸范围以及所述圆柱形内腔直径尺寸范围的相应上限值以及相应下限值以及相应中间值都是可取的适当的尺寸值。方案中的许多一词,意指较多的数量,所述许多例如十个、二十个、三十个、四十个、五十个、六十个,等等。本案装置当然还可以包括一些附件,所述附件例如超级恒温槽,所述盘状水槽的侧壁上装设的进水接口以及出水接口可以分别与超级恒温槽的进出水接口联通,所述超级恒温槽的技术含义是公知的,所述附件也可以进一步包括必要时装设在恒温水流通管路上的过滤器,以及,必要时装设在恒温水流通管路上的用于调节流量的阀门,等等。
本实用新型的优点是,该装置克服了所述昼夜温差干扰问题,提供了一种温度条件相当稳定的晶体生长条件,有助于晶体的完美生长,有助于高效率地展开合成探査实验,有助于节约试剂,有助于减少实验时间消耗,还有助于降低晶体衍射数据的解析处理难度。

图1是本案实施例示意图,该图示意地描述其主要工作区的垂向断面结构,图中并且示意地用虚线添加了若干个置于凹形坑洞内的烧杯。
图2是本案实施例的俯视示意图,该图主要示意地描述含有许多所述凹形坑洞的盖板构造。
图中,1是盖板,2是凹形坑洞,3是横断面形状呈曲柄形状的所述侧壁,4、 6分别是在盘状水槽不同侧壁位置上装设的一个进水接口和一个出水接口,该进水接口和出水接口是等效的并且可以互换使用的接口 , 5是盘状水槽。
具体实施方式

在图1所展示的本案实施例中,装置的结构包括一个盘状水槽5,在盘状水槽5的侧壁上装设有分别标注为4和6的进水接口以及出水接口,分别标注为4和6的进水接口以及出水接口与盘状水槽5的内部联通,以及,带有许多孔洞的盖板1 ,该盖板1是活动的盖板,盖板1上的孔洞是有底的凹形坑洞2,凹形坑洞2的内腔形状呈圆柱状,凹形坑洞2的深度尺寸介于5. 0厘米到6. 0厘米之间,凹形坑洞2的圆柱形内腔直径介于5.3厘米到5.5厘米之间,盘状水槽5的每一侧壁的横断面形状如标注3所示是呈曲柄形状,盘状水槽5的边沿包绕在盖板1的边沿之外。分别标注为4和6的进水接口以及出水接口可以分别与超级恒温槽的进出水接口联通。盖板1是可拆卸的活动的构件。
5本案装置凭借着可与其连接的超级恒温槽的波动微小的精细的温度控制,可以为晶体生长提供一个稳定的温度环境。并且,利用这一装置,可以设定在水浴可操作的全部温区范围内的任意指定温点进行生长温度高度稳定的配合物小晶体批量筛查合成实验,不再受限于室温条件。
权利要求1. 一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置,包括一个盘状水槽,在盘状水槽的侧壁上装设有进水接口以及出水接口,进水接口以及出水接口与盘状水槽内部联通,以及,带有许多孔洞的盖板,该盖板是活动的盖板,其特征是,所述孔洞是有底的凹形坑洞,凹形坑洞的内腔形状呈圆柱状,凹形坑洞的深度尺寸介于5.0厘米到6.0厘米之间,凹形坑洞的圆柱形内腔直径介于5.3厘米到5.5厘米之间,盘状水槽的每一侧壁的横断面形状呈曲柄形状,盘状水槽的边沿包绕在盖板的边沿之外。
专利摘要本实用新型涉及一种适用于配合物晶体合成实验研究的恒温培育装置,属于单晶生长领域。配合物小晶体合成条件筛查工作中普遍存在昼夜温差干扰问题,本案旨在解决这一问题。本案装置包括一个盘状水槽,在盘状水槽的侧壁上装设有进水接口以及出水接口,以及,带有许多孔洞的盖板,该盖板是活动的盖板,本案要点是,所述孔洞是有底的凹形坑洞,凹形坑洞的内腔形状呈圆柱状,凹形坑洞的深度尺寸介于5.0厘米到6.0厘米之间,凹形坑洞的圆柱形内腔直径介于5.3厘米到5.5厘米之间,盘状水槽的每一侧壁的横断面形状呈曲柄形状,盘状水槽的边沿包绕在盖板的边沿之外。本案克服了所述问题,其应用可以为相关筛查实验提供温度受到精细控制的较理想条件。
文档编号B01L7/00GK201279465SQ20082020997
公开日2009年7月29日 申请日期2008年10月21日 优先权日2008年10月21日
发明者刘晓利, 姜晶晶, 孔祖萍, 岳 宋, 李榕生, 欣 杨 申请人:宁波大学
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