一种半导体电嘴放电端结构及具有其的半导体电嘴的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及半导体电嘴技术领域，具体涉及一种半导体电嘴放电端结构及具 有其的半导体电嘴。
【背景技术】
[0002] 半导体电嘴是飞机发动机的重要附件，现有技术中，半导体电嘴的优点是性能稳 定，使用寿命长;缺点是半导体块容易发生击穿现象，导致半导体电嘴无法正常工作。不同 的半导体电嘴的放电端结构不同，但其基本结构一致，均是由中心电极、侧电极、半导体块 组成，所不同的是半导体块周围的其它零件或材料，比如有的半导体电嘴紧挨半导体块后 端用无机密封胶进行密封;有的半导体块的后半部分装配在绝缘体当中，密封胶位于电嘴 的中部;有的半导体块周围有云母板;有的周围没有云母板。
[0003] 在发动机实际使用过程中，因为使用条件的变化或半导体电嘴本身状态的变化， 导致一小部分半导体块会发生击穿现象，半导体电嘴不工作，从而使发动机不能正常工作， 给飞行人员及飞机造成很大的安全隐患。
[0004] 因此，希望有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述问题。 【实用新型内容】
[0005] 本实用新型的目的在于提供一种半导体电嘴放电端结构来克服或至少减轻现有 技术中的至少一个上述问题。
[0006] 为实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体电嘴放电端结构，所述半导体电 嘴放电端结构包括：中心电极放电端;半导体块，所述半导体块中空，所述中心电极放电端 设置在所述半导体块内；侧电极，所述侧电极中空，所述半导体块设置在所述侧电极内部； 其中，所述中心电极放电端包括冒盖以及中心电极放电端本体，所述冒盖设置在所述中心 电极的放电端，所述中心电极放电端本体外壁上设置有绝缘涂层。
[0007] 优选地，所述半导体块的外壁以及远离所述冒盖的一端的端面上设置有绝缘涂 层。
[0008] 优选地，所述中心电极放电端本体外壁上设置的绝缘涂层为珐琅涂层。
[0009] 优选地，所述珐琅涂层通过涂覆并烧结的方式设置在中心电极放电端本体外壁 上。
[0010] 优选地，所述半导体块的外壁以及远离所述冒盖的一端的端面上设置的绝缘涂层 为高温釉。
[0011] 优选地，所述高温釉通过涂覆并烧结的方式设置在半导体块的外壁以及远离所述 冒盖的一端的端面上。
[0012] 优选地，所述烧结温度为1400度。
[0013] 优选地，所述烧结温度为1550度。
[0014] 本实用新型还提供了一种半导体电嘴，所述半导体电嘴包括如上所述的半导体电 嘴放电端结构。
[0015] 本实用新型的半导体电嘴放电端结构在中心电极放电端本体外壁上设置有绝缘 涂层，能够保证半导体块与侧电极外圆部位的绝缘，且其效果相对于原设计结构中的云母 板的防击穿效果更好。
【附图说明】
[0016] 图1是根据本实用新型第一实施例的半导体电嘴放电端结构的结构示意图。
[0017]附图标记：
【具体实施方式】
[0019] 为使本实用新型实施的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型 实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始 至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实 施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例 是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。基于本实用新 型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例，都属于本实用新型保护的范围。下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
[0020] 在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语"中心"、"纵向"、"横向"、"前"、"后"、 "左"、"右"、"竖直"、"水平"、"顶"、"底" "内"、"外"等指示的方位或位置关系为基于附图所 示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指 的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用 新型保护范围的限制。
[0021] 图1是根据本实用新型第一实施例的半导体电嘴放电端结构的结构示意图。
[0022] 本实用新型提供了一种半导体电嘴放电端结构，所述半导体电嘴放电端结构包括 中心电极放电端1、半导体块2以及侧电极3。其中，半导体块2中空，中心电极放电端1设置在 半导体块2内；侧电极3中空，半导体块2设置在侧电极3内部;其中，中心电极放电端1包括冒 盖11以及中心电极放电端本体12，冒盖11设置在中心电极放电端1的端部，中心电极放电端 本体12外壁上设置有绝缘涂层。
[0023] 在本实施例中，半导体块2的外壁以及远离冒盖11的一端的端面上设置有绝缘涂 层。
[0024] 有利的是，参见图1，在本实施例中，中心电极放电端本体12外壁上设置的绝缘涂 层为珐琅涂层。
[0025] 有利的是，珐琅涂层通过涂覆并烧结的方式设置在中心电极放电端本体12外壁 上。
[0026] 在本实施例中，半导体块2的外壁以及远离冒盖11的一端的端面上设置的绝缘涂 层为高温釉。
[0027]在本实施例中，高温釉通过涂覆并烧结的方式设置在半导体块2的外壁以及远离 所述冒盖11的一端的端面上。
[0028]有利的是，烧结温度为1400度。
[0029]在本实施例中，所述烧结温度为1550度。
[0030] 本实用新型还提供了一种半导体电嘴，所述半导体电嘴包括如上所述的半导体电 嘴放电端结构。
[0031] 本实用新型的半导体电嘴放电端结构能够使半导体电嘴工作更可靠、更稳定、工 作寿命更长。原因有以下几点：⑴中心电极上涂覆并烧结一种耐高温的绝缘涂层FL013珐 琅，该涂层工作温度可达ll〇〇°C以上，能够满足半导体电嘴工作需要，这能够保证中心电极 与半导体块之间的绝缘性。⑵在半导体块外圆及非放电端面涂覆并烧结绝缘的高温釉，高 温釉可在ll〇〇°C以上长期工作且保持绝缘性能，这能够保证半导体块与侧电极外圆部位的 绝缘。这种双重绝缘处理保险系数高，即使有一处绝缘出现问题，也不会发生击穿现象。另 外增强绝缘处理以后，能够减少漏电流，保证半导体电嘴稳定工作，提高半导体电嘴使用寿 命。
[0032] 在本实施例中的珐琅是由Si02、BaC03、CaC03、Zn0、Mn02等按一定比例混合、煅烧、 球磨、过筛而成，然后涂覆在中心电极上，并在1400°C下烧结而成，具有良好的绝缘性。 [0033] 本实施例中的半导体块由六1203、3丨02、3丨(：、1%0、1102、2抑2等材料，按一定比例混 合、煅烧、球磨、过筛，经造粒、塑化而成，然后用模具干压成要求的尺寸，再在真空炉中1550 °C下烧结而成，半导体块上涂敷高温釉。
[0034]本实施例的半导体块上涂敷的高温釉，是由钾长石、石英砂、高岭土、氧化镁等按 一定比例经煅烧、球磨、过筛而成。涂覆在半导体块上，在1300°C下烧结而成，烧成后绝缘性 能良好。
[0035] 本实施例的侧电极的材料为高温合金。
[0036] 最后需要指出的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限 制。尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理 解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进 行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例 技术方案的精神和范围。
【主权项】
1. 一种半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述半导体电嘴放电端结构包括： 中心电极放电端(1); 半导体块（2)，所述半导体块（2)中空，所述中心电极放电端（1)设置在所述半导体块 (2)内； 侧电极(3)，所述侧电极(3)中空，所述半导体块(2)设置在所述侧电极(3)内部;其中， 所述中心电极放电端（1)包括冒盖（11)以及中心电极放电端本体（12)，所述冒盖（11) 设置在所述中心电极放电端（1)的端部，所述中心电极放电端本体（12)外壁上设置有绝缘 涂层。2. 如权利要求1所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述半导体块(2)的外壁 以及远离所述冒盖(11)的一端的端面上设置有绝缘涂层。3. 如权利要求2所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述中心电极放电端本体 (12)外壁上设置的绝缘涂层为珐琅涂层。4. 如权利要求3所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述珐琅涂层通过涂覆并 烧结的方式设置在中心电极放电端本体(12)外壁上。5. 如权利要求2所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述半导体块(2)的外壁 以及远离所述冒盖(11)的一端的端面上设置的绝缘涂层为高温釉。6. 如权利要求5所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述高温釉通过涂覆并烧 结的方式设置在半导体块(2)的外壁以及远离所述冒盖(11)的一端的端面上。7. 如权利要求4所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述烧结温度为1400度。8. 如权利要求6所述的半导体电嘴放电端结构，其特征在于，所述烧结温度为1550度。9. 一种半导体电嘴，其特征在于，所述半导体电嘴包括如权利要求1至8中任意一项所 述的半导体电嘴放电端结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体电嘴放电端结构及具有其的半导体电嘴。所述半导体电嘴放电端结构包括：中心电极放电端(1)；半导体块(2)，所述半导体块(2)中空，所述中心电极放电端(1)设置在所述半导体块(2)内；侧电极(3)，所述侧电极(3)中空，所述半导体块(2)设置在所述侧电极(3)内部；其中，所述中心电极放电端(1)包括冒盖(11)以及中心电极放电端本体(12)，所述冒盖(11)设置在所述中心电极放电端(1)的端部，所述中心电极放电端本体(12)外壁上设置有绝缘涂层。本实用新型的半导体电嘴放电端结构在中心电极放电端本体外壁上设置有绝缘涂层，能够保证半导体块与侧电极外圆部位的绝缘。
【IPC分类】F02C7/266
【公开号】CN205117514
【申请号】CN201520911098
【发明人】万思明, 胡冬兰
【申请人】陕西航空电气有限责任公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年11月16日