技术特征：
技术总结
提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。
技术研发人员：M·巴达洛格鲁;V·麦考森;S·S·宋;J·J·徐;M·M·诺瓦克;C·F·耶普
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2018.08.21