1.一种混合信号多芯片封装，包括：
引线框架，所述引线框架包括管芯座；
第一管芯，所述第一管芯附接至所述管芯座并且包括mems结构，并且所述第一管芯被配置成在所述第一管芯的至少一个模拟芯片焊盘中提供至少一个模拟信号；以及
数字管芯，所述数字管芯附接至所述管芯座并且被配置成通过所述数字管芯的至少一个模拟芯片焊盘接收来自所述第一管芯的所述至少一个模拟信号，其中，第一接合线将所述数字管芯的所述至少一个模拟芯片焊盘与所述第一管芯的相应的至少一个模拟输出芯片焊盘耦接，
其中，所述至少一个数字管芯被配置成使用经由所述引线框架的至少一个第一接合焊盘交换的至少一个数字信号承载信号与外部电路通信，
其特征在于：
被配置成耦接至dc电压的所述引线框架的至少一个第二接合焊盘在所述至少一个第一接合焊盘与所述第一接合线之间沿着所述引线框架的平面横向延伸，以在所述至少一个第一接合焊盘与所述第一接合线之间形成dc保护。
2.根据权利要求1所述的混合信号多芯片封装，其中，所述至少第一接合焊盘的面积小于所述引线框架的中等尺寸的接合焊盘的面积的50％。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的混合信号多芯片封装，其中，所述至少一个第二接合焊盘被设置成在所述至少一个第一接合焊盘的朝向所述第一接合线的一侧与所述至少一个第一接合焊盘相邻。
4.根据权利要求1或3中任一项所述的混合信号多芯片封装，其中，
所述至少一个第二接合焊盘在第一线接合方向上覆盖所述至少一个第一接合焊盘的周边的区段，所述区段大于平均尺寸的接合焊盘所覆盖的所述周边的区段。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的混合信号多芯片封装，其中，所述dc电压是地电压和工作电压中的任何一者。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的混合信号多芯片封装，其中，所述引线框架包括由所述引线框架的桥接部彼此桥接的两个第二接合焊盘，其中，所述至少一个第一接合焊盘位于所述两个第二接合焊盘之间，其中，所述两个第二接合焊盘被所述桥接部短路，其中，所述桥接部在被配置成朝向外部电路耦接相应的至少一个第一接合焊盘的至少一个信号承载引线的相对侧围绕所述至少一个第一接合焊盘，并且其中，所述桥接部被配置成在所述至少一个第一接合焊盘与位于所述混合信号多芯片封装之内的其他部分之间形成dc屏障。
7.根据权利要求6所述的混合信号多芯片封装，其中，所述桥接部延伸以进一步围绕包括所述信号承载芯片焊盘和将所述至少一个第一接合焊盘与所述信号承载芯片焊盘相耦接的信号承载接合线的横向区域。
8.一种用于减少混合信号多芯片封装中的串扰的方法，所述混合信号多芯片封装包括具有管芯座的引线框架，所述方法包括：
在附接至所述管芯座并且包括mems结构的第一管芯的至少一个模拟芯片焊盘与附接至所述管芯座的至少一个数字管芯的至少一个模拟芯片焊盘之间输送至少一个模拟信号，其中，由第一接合线在相应的模拟芯片焊盘之间输送所述至少一个模拟信号中的每个模拟信号；
由所述数字管芯的电路处理所述至少一个模拟信号；以及
由所述数字管芯的电路使用经由所述引线框架的至少一个第一接合焊盘交换的至少一个数字信号承载信号来与外部电路通信；
其特征在于：
将设置在所述至少一个第一接合焊盘与所述第一接合线之间的至少一个第二接合焊盘耦接至dc电压，其中，所述至少一个第二接合焊盘沿着所述引线框架的平面横向延伸，以在所述至少一个第一接合焊盘与所述第一接合线之间形成dc保护。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：减小所述至少第一接合焊盘的面积，使得所述至少第一接合焊盘的面积小于所述引线框架的中等尺寸的接合焊盘的面积的50％。
10.根据权利要求8至9中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：将所述至少一个第二接合焊盘设置成在所述至少一个第一接合焊盘的朝向所述第一接合线的一侧与所述至少一个第一接合焊盘相邻。
11.根据权利要求8或10中任一项所述的方法，还包括：
利用所述至少一个第二接合焊盘在第一线接合方向上覆盖所述至少一个第一接合焊盘的周边的区段，所述区段大于平均尺寸的接合焊盘所覆盖的所述周边的区段。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其中，所述dc电压是地电压和工作电压中的任何一者。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，还包括：
通过所述引线框架的桥接部将两个第二接合焊盘彼此桥接，使得所述至少一个第一接合焊盘位于所述两个第二接合焊盘之间，其中，所述两个第二接合焊盘被所述桥接部短路，其中，所述桥接部在被配置成朝向外部电路耦接相应的至少一个第一接合焊盘的至少一个信号承载引线的相对侧围绕所述至少一个第一接合焊盘，并且其中，所述桥接部被配置成在所述至少一个第一接合焊盘与位于所述混合信号多芯片封装之内的其他部分之间形成dc屏障。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括：
使所述桥接部延伸以进一步围绕所述封装中的包括所述信号承载芯片焊盘和将所述至少一个第一接合焊盘与所述信号承载芯片焊盘相耦接的信号承载接合线的横向区域。