半导体封装结构、产品及其制造方法与流程

文档序号:22586040发布日期:2020-10-20 17:50阅读:289来源:国知局
半导体封装结构、产品及其制造方法与流程

本发明涉及半导体封装结构、产品和制造方法,并且涉及包含具有标记(mark)的透气薄膜(air-permeablefilm)的半导体封装结构、具有形成在物体的油墨层(inklayer)上的产品,以及用于制造半导体封装结构的方法。



背景技术:

示例性半导体封装结构可包含衬底(substrate)、位在衬底上的微机电系统(microelectromechanicalsystems,mems)传感器(sensor)、覆盖mems传感器并且具有通孔的封盖(lid),以及覆盖封盖的通孔的透气薄膜。出于识别半导体封装结构的目的,需要形成标记在透气薄膜上。因此,有必要提供用于标记此类透气薄膜的技术。



技术实现要素:

在一些实施例中,半导体封装结构包含衬底、半导体传感器、封盖和透气薄膜。所述半导体传感器位在所述衬底上。所述封盖覆盖所述半导体传感器并且具有通孔。所述透气薄膜覆盖所述封盖的所述通孔并且具有第一表面。所述第一表面是亲水性(hydrophilic)的。

在一些实施例中,产品包含物体和油墨层。所述物体具有表面并且由疏水性(hydrophobic)材料制成。所述油墨层形成在所述物体的所述表面上并且具有开口以暴露所述物体的所述表面的一部分。所述物体的所述表面的所述暴露部分呈符号(symbol)的形状。

在一些实施例中,一种用于制造半导体封装结构的方法包含:(a)提供半导体封装装置,其包含:衬底;半导体传感器,其位在所述衬底上;封盖,其覆盖所述半导体传感器并且具有通孔;以及透气薄膜,其覆盖所述封盖的所述通孔,其中所述透气薄膜具有第一表面;以及(b)亲水改性(hydrophilic-modifying)所述透气薄膜的所述第一表面。

附图说明

当结合附图阅读时,从以下详细描述最好地理解本发明的一些实施例的方面。应注意各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。

图1说明根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的实例的截面图。

图2说明图1中所示的半导体封装结构的俯视图。

图3说明沿着图2中的线ii-ii截取的截面图。

图4说明图2中的区的部分放大视图。

图5说明根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的实例的俯视图。

图6说明根据本发明的一些实施例的产品的实例的截面图。

图7说明图6中所示的产品的俯视图。

图8说明根据本发明的一些实施例的产品的实例的截面图。

图9说明图8中所示的产品的俯视图。

图10说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。

图11说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。

图12说明图11中所示的透气薄膜的第一表面上的水接触角的测量的示意图。

图13说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。

图14a说明在亲水改性之前的图11中所示的透气薄膜的第一表面的可能的化学结构。

图14b说明在亲水改性期间的图11中所示的透气薄膜的第一表面的可能的化学结构。

图14c说明在亲水改性之后的图11中所示的透气薄膜的第一表面的可能的化学结构。

图15说明图13中所示的透气薄膜的第一表面上的水接触角的测量的示意图。

图16说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。

图17说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。

图18说明根据本发明的一些实施例的用于制造产品的方法的实例的一或多个阶段。

图19说明根据本发明的一些实施例的用于制造产品的方法的实例的一或多个阶段。

图20说明根据本发明的一些实施例的用于制造产品的方法的实例的一或多个阶段。

具体实施方式

贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本发明的实施例。

以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本发明的某些方面。当然,这些仅是实例且并不意图是限制性的。举例来说,在以下描述中,第一特征在第二特征上方或上的形成可以包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例,且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外,本发明可能在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的,且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

示例性半导体封装结构可包含衬底、微机电系统传感器、封盖和膨体聚四氟乙烯(expandedpolytetrafluoroethene,eptfe)薄膜。微机电系统传感器位在衬底上。封盖覆盖mems传感器和衬底,并且具有在mems传感器上方的通孔。eptfe薄膜覆盖封盖的通孔。eptfe薄膜是透气的并且是疏水性的,因此它能够保护mems传感器免受灰尘和湿气的影响。eptfe薄膜的厚度可以是约20μm。出于识别半导体封装结构的目的,需要形成标记在eptfe薄膜上。半导体封装结构的大小非常小,例如,约1mm*1mm、约2mm*2.5mm、约3mm*3mm或约5mm*5mm。因此,eptfe薄膜上的标记区域(markingarea)可能相应地非常小,例如,约0.4mm*1.6mm。此外,需要形成至少四到六个字母在标记区域内。因此,难以在标记区域内的eptfe薄膜上形成清晰且可识别的标记(例如,四到六个字母)。

在示例性制程中,利用激光源(lasersource)以移除eptfe薄膜的部分,在eptfe薄膜上形成标记。然而,因为eptfe薄膜是白色的,并且eptfe薄膜的厚度是仅20μm,所以eptfe薄膜是透光的。因此,激光束可容易地通过eptfe薄膜。换句话说,eptfe薄膜的光吸收(lightabsorption)是相对低的。由于eptfe薄膜的光吸收不佳,激光源可能无法在eptfe薄膜上有效地留下清晰的标记而不损坏eptfe薄膜。

在另一示例性制程中,使用热固化(heatcurable)油墨进行eptfe薄膜上的标记的正打印(positiveprinting)。然而,因为eptfe薄膜是疏水性的,所以在打印和热固化期间打印标记(即,固化油墨)可能出现收缩(shrinkage)。因此,标记可能仍然不清晰。此外,因为打印的精度是相对低的,所以标记可能无法精确地位在eptfe薄膜上的标记区域内。

在又一示例性制程中,使用紫外固化(uvcurable)油墨进行eptfe薄膜上的标记的正打印。紫外固化油墨可以在打印期间通过紫外源(uvsource)立刻固化,因此减少打印标记(即,固化油墨)的收缩。然而,由于eptfe薄膜的疏水性,标记的分辨率可能较低。通过此类过程形成的字母的最小大小是约1mm*0.6mm。由于分辨率不佳,具有例如约0.8mm*0.5mm的较小大小的字母可能不清晰。

在又一示例性制程中,由紫外固化油墨形成的油墨层初始地形成在eptfe薄膜的整个表面上。随后,利用激光源以移除油墨层的部分,在eptfe薄膜上形成标记(即,开口或通孔)。然而,由于eptfe薄膜的疏水性,油墨层与eptfe薄膜之间的接合强度相对低。因此,由于在激光打标期间的热效应,可能在其边缘处出现油墨层的剥离。油墨层的此类剥离部分也可能被激光源移除,因此使得标记不清晰。

因此,本发明的至少一些实施例提供包含具有呈现在其上的清晰的标记的透气薄膜的半导体封装结构。本发明的至少一些实施例进一步提供用于制造半导体封装结构的技术。

另外,本发明的至少一些实施例提供具有呈现的其上的清晰的标记的产品。本发明的至少一些实施例进一步提供用于制造产品的技术。

图1说明根据本发明的一些实施例的半导体封装结构1的截面图。图2说明图1中所示的半导体封装结构1的俯视图,而图1是沿图2中的线i-i截取的截面图。图3说明沿图2中的线ii-ii截取的半导体封装结构1的另一截面图。图4说明图2中的区的部分放大视图。半导体封装结构1可包含衬底2、半导体传感器3、封盖4、粘合层5、透气薄膜6和油墨层7。

衬底2可以是任何类型和材料的衬底,其在本发明中不受限制。举例来说,衬底2可包含苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(styrene-butadiene-styrene,sbs)。在一个实施例中,衬底2可包含邻近于其顶部表面的电路层。

半导体传感器3位在衬底2的顶部表面上并且附接到衬底2的顶部表面。在一个实施例中,半导体传感器3可以电连接到衬底2的电路层。半导体传感器3可以是压力传感器以用于感测空气压力。在一些实施例中,半导体传感器3可以是mems传感器,例如,mems压力传感器。

封盖4位在衬底2的顶部表面上并且覆盖半导体传感器3。封盖4可包含环形部分(ringportion)41和覆盖部分42。环形部分41位在衬底2上并且围绕半导体传感器3。覆盖部分42位在环形部分41上并且覆盖半导体传感器3。在一些实施例中,环形部分41和覆盖部分42可以一体地形成为单体结构(monolithicstructure)。在一些实施例中,环形部分41和覆盖部分42可以由钢制成,例如,不锈钢。在一些实施例中,环形部分41可以由液晶聚合物(liquidcrystalpolymer,lcp)制成。封盖4具有通孔40对应于半导体传感器3的至少一部分,例如,半导体传感器3的感测区域。在一个实施例中,通孔40位于半导体传感器3的感测区域的正上方,因此,半导体传感器3可容易地感测空气压力。举例来说,通孔40由封盖4的覆盖部分42限定,并且通孔40延伸穿过封盖4的覆盖部分42。在一些实施例中,从俯视图中覆盖部分42的面积可以是约2mm*2.5mm。从俯视图中通孔40的直径可以是约100μm到约400μm。在一些实施例中,封盖4可具有多于一个通孔40。

粘合层5位在封盖4上,例如,位在封盖4的覆盖部分42上。粘合层5也可具有对应于封盖4的通孔40的通孔50。粘合层5可以是从硅粘合剂固化的。

透气薄膜6位在粘合层5上,并且通过粘合层5粘合到封盖4。透气薄膜6覆盖封盖4的通孔40。因此,透气薄膜6能够保护半导体传感器3免受灰尘和湿气的影响,并且不影响空气流动。透气薄膜6具有第一表面61和与第一表面61相对的第二表面62。第二表面62面向封盖4。第一表面61是亲水性的。举例来说,透气薄膜6的第一表面61具有小于90度的水接触角(watercontactangle),例如,小于80度、小于70度或小于60度。透气薄膜6的厚度可以是约20μm。

在一些实施例中,透气薄膜6由疏水性材料制成,并且透气薄膜6的第一表面61是亲水改性(hydrophilic-modified)的(即,通过亲水改性过程改性的)。举例来说,透气薄膜6可以由疏水性含氟聚合物(hydrophobicfluoropolymer)制成,例如,聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene,ptfe)、膨体ptfe(eptfe)、聚氯三氟乙烯(polychlorotrifluoroethylene,pctfe)、全氟烷氧基烷烃(perfluoroalkoxy,pfa)或四氟乙烯-全氟丙烯(tetrafluoroethylene-perfluoropropylene,fep)。透气薄膜6的第一表面61具有亲水性官能团(hydrophilicfunctionalgroup)。举例来说,亲水性官能团包含c=o键。疏水性含氟聚合物的水接触角可以是大于90度、例如,大于100度、大于110度或大于120度。可在透气薄膜6的第一表面61上执行例如等离子蚀刻(plasmaetching)或钠蚀刻(sodiumetching)的亲水改性(或亲水性表面处理)以使得第一表面61是亲水性的。透气薄膜6的第二表面62可在第一表面61上的此类亲水改性之后保持疏水性。举例来说,在亲水改性之前第一表面61的水接触角可以是约116度,并且在亲水改性之后可变为约65度。然而,在一些实施例中,第二表面62也可以是亲水性的以增强其与粘合层5的接合强度。

油墨层7位在透气薄膜6上并且覆盖透气薄膜6。油墨层7形成在透气薄膜6的第一表面61上,例如,形成在c=o键上。举例来说,油墨层7接触并且粘合到透气薄膜6的第一表面61。在一些实施例中,油墨层7由紫外固化油墨形成。举例来说,紫外固化油墨可以是由rolanddga公司生产的“eco-uv”。因为透气薄膜6的第一表面61是亲水性的,所以油墨层7可紧密地接合到透气薄膜6的第一表面61。出于识别目的,油墨层7的光学特性(opticalproperties)可以不同于透气薄膜6的光学特性。举例来说,油墨层7的色彩可以不同于透气薄膜6的色彩。

油墨层7具有至少一个开口以暴露透气薄膜6的第一表面61的至少一个部分。举例来说,油墨层7具有第一开口74和第二开口76。第一开口74延伸穿过油墨层7,并且暴露对应于封盖4的通孔40的透气薄膜6的第一表面61的第一部分64。在一个实施例中,第一开口74可以是对应于封盖4的通孔40的圆。油墨层7的第一开口74的直径可以大于封盖4的通孔40的直径。举例来说,油墨层7的第一开口74的直径可以是约500μm。

第二开口76延伸穿过油墨层7,并且暴露透气薄膜6的第一表面61的第二部分66。第二开口76具有符号的形状,例如,记号(sign)、字母(letter)或字符(character)。因为油墨层7的色彩可以不同于透气薄膜6的色彩(例如,油墨层7是黑色的并且透气薄膜6是白色的),所以透气薄膜6的第一表面61的暴露的第二部分66也以符号的形状呈现。从油墨层7的第二开口76暴露的透气薄膜6的第一表面61的第二部分66可以被识别为透气薄膜6上的标记。在一些实施例中,如图2中所示,开口76的形状可以是英文字母。在其它实施例中,开口76的形状可以是几何形状、数字或其它语言中的字母或字符。在一些实施例中,符号的大小可以等于或小于约0.4mm*0.3mm(例如,对于图2中所示的字母中的每一个)。然而,在其它实施例中,符号的大小可以是约0.175mm*0.11mm、约0.255mm*0.18mm、约0.275mm*0.18mm、约0.325mm*0.2mm、约0.4mm*0.3mm、约0.8mm*0.5mm,或约1.5mm*1mm。如图4中所示,符号的线宽“w”可以是约20μm到约50μm。

举例来说,油墨层7具有标记区域78,并且第二开口76位于标记区域78内。标记区域78的大小可以是约等于或小于约0.4mm*1.6mm,例如,约0.255mm*1.02mm、约0.275mm*1.02mm或约0.4mm*1.6mm。在一些实施例中,油墨层7可具有具有符号的形状的多个第二开口76。在一个实施例中,油墨层7具有标记区域78中的四到六个或甚至更大数量的第二开口76。举例来说,对于具有约0.275mm*0.18mm的大小的四个符号,标记区域78的大小可以是约0.275mm*1.02mm,并且对于具有约0.4mm*0.3mm的大小的四个符号,标记区域78的大小可以是约0.4mm*1.6mm。在一些实施例中,标记区域78包含油墨层7的整个区域,但是不包括第一开口74。

如图2和图3中所示,油墨层7可进一步具有第三开口77以延伸穿过油墨层7并且暴露透气薄膜6的第一表面61的第三部分67。第三开口77可围绕第一开口74和第二开口76。第三开口77可用于定位半导体封装结构1的目的。

在一些实施例中,第一开口74、第二开口76和第三开口77可以通过激光打标(lasermarking)形成,即,通过使用激光源移除油墨层7的部分。因为油墨层7紧密地接合到透气薄膜6的第一表面61,所以在激光打标期间油墨层7可不发生剥离。因此,符号具有良好的分辨率并且因此是清晰的。举例来说,如图4中所示,符号“a”可包含以间隙“g”间隔开的两个区段,并且间隙“g”的宽度小于区段中的一个的线宽“w”。在图4中,间隙“g”的宽度小于区段的线宽“w”,因此,字母“a”的区段被定义为连续线,并且字母“a”被确定为清晰的或合格的。在比较实施例中,如果间隙“g”的宽度大于区段的线宽“w”,那么字母“a”的区段被定义为虚线,并且字母“a”被确定为不清晰的或不合格的。

图5说明根据本发明的一些实施例的半导体封装结构1a的俯视图。半导体封装结构1a类似于图1到4中所示的半导体封装结构1,不同之处在于半导体封装结构1a中的符号(第二开口76a或第二部分66a的形状)的大小小于半导体封装结构1中的符号(第二开口76或第二部分66的形状)的大小。因此,可以呈现超过四个符号在半导体封装结构1a中的标记区域78a内。

本发明进一步提供产品,其具有呈现在其上的清晰的标记。图6说明根据本发明的一些实施例的产品8的实例的截面图。图7说明图6中所示的产品8的俯视图,而图6是沿图7中的线iii-iii截取的截面图。产品8包含物体60和油墨层70。

物体60具有表面601并且由疏水性材料制成。物体60可以是半导体封装结构的元件,例如,上文所描述的半导体封装结构1的透气薄膜6。如图6中所示,物体60可以是薄膜形状的。然而,它并不被视为是受限制的含义。在一些实施例中,物体60由疏水性含氟聚合物制成,并且物体60的表面601是亲水改性的(例如,通过等离子蚀刻或钠蚀刻)。举例来说,物体60的表面601具有亲水性官能团。亲水性官能团包含c=o键。物体60的材料可以类似于如上文所描述的半导体封装结构1的透气薄膜6的材料。

油墨层70粘合到物体60的表面601并且具有开口706以暴露物体60的表面601的部分606。举例来说,油墨层70形成在物体60的表面601上,例如,形成在c=o键上。物体60的表面601的暴露部分606是符号的形状,例如,记号、字母或字符。在一些实施例中,如图7中所示,暴露部分606的形状可以是英文字母。在其它实施例中,暴露部分606的形状可以是几何形状、数字或其它语言中的字母或字符。在一些实施例中,符号的大小等于或小于约0.4mm*0.3mm(例如,对于图7中所示的字母中的每一个)。符号的线宽是约20μm到约50μm。如图7中所示,油墨层70和开口706位于标记区域708内,并且并不延伸到物体60的整个表面601。因此,未被油墨层70覆盖的物体60的表面601的部分609可保留其原始性质。在一些实施例中,物体60的表面601的部分609可能并不是亲水改性的,并且可保留其原始疏水性。

图8说明根据本发明的一些实施例的产品8a的实例的截面图。图9说明图8中所示的产品8a的俯视图,而图8是沿图9中的线iv-iv截取的截面图。产品8a类似于图6和7中所示的产品8,不同之处在于油墨层70a占据物体60的整个表面601。也就是说,标记区域708a覆盖物体60的整个表面601。

图10到图17说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法。在一些实施例中,所述方法用于制造在图1到4中所示的半导体封装结构1。

参考图10,提供衬底2。衬底2可以是任何类型和材料的衬底,其在本发明中不受限制。在一个实施例中,衬底2可包含邻近于其顶部表面的电路层。随后,安置半导体传感器3在衬底2的顶部表面上并且附接到衬底2的顶部表面。半导体传感器3可以是压力传感器以用于感测空气压力。在一些实施例中,半导体传感器3可以是mems传感器,例如,mems压力传感器。

参考图11,安置封盖4在衬底2上以覆盖半导体传感器3。封盖4可包含环形部分41和覆盖部分42。环形部分41位在衬底2上并且围绕半导体传感器3。覆盖部分42位在环形部分41上并且覆盖半导体传感器3。在一些实施例中,环形部分41和覆盖部分42可以一体地形成为单体结构(integrallyformedasamonolithicstructure)。封盖4具有对应于半导体传感器3的至少一部分的通孔40,例如,半导体传感器3的感测区域。在一个实施例中,通孔40位于半导体传感器3的感测区域的正上方,因此,半导体传感器3可容易地感测空气压力。举例来说,通孔40由封盖4的覆盖部分42限定,并且通孔40延伸穿过封盖4的覆盖部分42。随后,安置透气薄膜6以覆盖封盖4以覆盖封盖4的通孔40。透气薄膜6可以通过粘合层5粘合到封盖4。举例来说,粘合层5位在封盖4上,例如,位在封盖4的覆盖部分42上。粘合层5可以是硅粘合剂固化形成的。粘合层5也可具有对应于封盖4的通孔40的通孔50。透气薄膜6位在粘合层5上并且覆盖封盖4的通孔40。透气薄膜6具有第一表面61和与第一表面61相对的第二表面62。第二表面62面向封盖4。透气薄膜6可以由疏水性材料制成。也就是说,在图11中所示的阶段处透气薄膜6的第一表面61和第二表面62都是疏水性的。举例来说,第一表面61可具有大于90度的水接触角。

图12说明图11中所示的透气薄膜6的第一表面61上的水接触角的测量的示意图。参考图12,安置水滴90在图11中所示的阶段的透气薄膜6的第一表面61上。在一些实施例中,水滴90与透气薄膜6的第一表面61的接触角θ1可以是约116度。

参考图13,随后改性透气薄膜6的第一表面61。可以通过亲水改性过程改性透气薄膜6的第一表面61,例如,等离子蚀刻或钠蚀刻。举例来说,通过断裂透气薄膜6的第一表面61的c-c键和/或c-f键改性透气薄膜6的第一表面61。可以通过等离子蚀刻或钠蚀刻断裂c-c键和/或c-f键。举例来说,如图13中所示,通过等离子体91改性透气薄膜6的第一表面61。

图14a、14b和14c相应地说明在亲水改性过程之前、期间和之后的透气薄膜6的第一表面61的可能的化学结构。虽然不愿意受任何理论束缚,但是相信亲水改性过程的机制可以简要地描述如下。

参考图14a,第一表面61是平滑的并且包含c-f键和/或c-c键。相应地,第一表面61是疏水性的。参考图14b,在等离子蚀刻期间,通过等离子体91断裂c-f键和/或c-c键并且第一表面61变得粗糙。随后,参考图14c,断裂的c-键可与空气中的氧气反应以形成c=o键。相应地,表面61变为亲水性的。举例来说,第一表面61可具有小于90度的水接触角。

图15说明图13中所示的透气薄膜6的第一表面61上的水接触角的测量的示意图。参考图15,安置水滴90在图13中所示的阶段之后的透气薄膜6的第一表面61上。在一些实施例中,水滴90与透气薄膜6的第一表面61的接触角θ2可以是约65度。

参考图16,涂覆油墨层7在透气薄膜6的第一表面61。也就是说,形成油墨层7在透气薄膜6的第一表面61上,例如,形成在c=o键上。举例来说,使用打印结构92施加油墨材料7'。通过打印结构92的喷嘴93喷洒油墨材料7'在透气薄膜6的第一表面61上。在喷洒之后,油墨材料7'立刻通过打印结构92邻近于喷嘴93的紫外源95固化,因此形成油墨层7。油墨层7可覆盖透气薄膜6的整个第一表面61。因为透气薄膜6的第一表面61是亲水性的,所以油墨层7可紧密地接合到透气薄膜6的第一表面61。此外,因为油墨层7是紧接在喷洒之后固化的,所以可以减小油墨层7的收缩的风险。出于识别目的,油墨层7的光学特性可以不同于透气薄膜6的光学特性。举例来说,油墨层7的色彩可以不同于透气薄膜6的色彩。

参考图17,通过例如使用激光源98移除油墨层7的至少一个部分以暴露透气薄膜6的第一表面61的至少一个部分。如图17中所示,通过聚焦透镜(focusinglens)97聚焦激光源98。举例来说,通过激光源98移除油墨层7的部分,因此形成如图2中所示的第一开口74、第二开口76和第三开口77。

第一开口74延伸穿过油墨层7,并且暴露透气薄膜6的第一表面61对应于封盖4的通孔40的第一部分64。在一个实施例中,第一开口74可以是对应于封盖4的通孔40的圆。油墨层7的第一开口74的直径可以大于封盖4的通孔40的直径。第二开口76延伸穿过油墨层7,并且暴露透气薄膜6的第一表面61的第二部分66。第二开口76具有符号的形状,例如,记号或字符。因为油墨层7的色彩可以不同于透气薄膜6的色彩(例如,油墨层7是黑色的并且透气薄膜6是白色的),所以透气薄膜6的第一表面61的第二部分66也以符号的形状呈现。从油墨层7的第二开口76暴露的透气薄膜6的第一表面61的第二部分66可以被识别为透气薄膜6上的标记。第三开口77延伸穿过油墨层7,并且暴露透气薄膜6的第一表面61的第三部分67。第三开口77可围绕第一开口74和第二开口76。第三开口77可用于定位半导体封装结构1的目的。

因为油墨层7紧密地接合到透气薄膜6的第一表面61,所以当使用激光源98形成第二开口76时油墨层7可不发生剥离。因此,符号具有良好的分辨率并且因此是清晰的。

随后,可对衬底2、封盖4、粘合层5、透气薄膜6和油墨层7进行分离制程(singulationprocess),因此形成如图1到4中所示的半导体封装结构1。在一些实施例中,分离制程可以在图11中所示的阶段之后进行,并且可在分离过程之后对单个单元进行图13到17中所示的阶段。在一些实施例中,可在安置透气薄膜6在粘合层5上之前对透气薄膜6的第一表面61进行亲水改性过程。此外,第二表面62也可以是亲水性的。

图18到图20说明根据本发明的一些实施例的用于制造产品的方法。在一些实施例中,所述方法是用于制造图6和7中所示的产品8的。

参考图18,提供物体60。物体60具有表面601并且由疏水性材料制成。相应地,物体60的表面601可初始地是疏水性的。物体60可以是半导体封装结构的元件,例如,上文所描述的半导体封装结构1的透气薄膜6。如图18中所示,物体60可以是薄膜形状的。然而,它并不被视为是受限制的含义。在一些实施例中,物体60由疏水性含氟聚合物制成。

随后,亲水改性物体60的表面601。举例来说,可以通过亲水改性过程改性物体60的表面601,例如,等离子蚀刻或钠蚀刻。如图18中所示,通过等离子体91改性物体60的表面601,因此变为亲水性的。可对物体60的整个表面601进行亲水改性制程。替代地,可仅对可以由油墨层70覆盖的物体60的表面601的一部分进行亲水改性制程,如图19中所示。

参考图19,物体60的表面601涂覆有油墨层70。举例来说,使用打印结构92施加油墨材料70'。通过打印结构92的喷嘴93喷洒油墨材料70'在物体60的表面601上。在喷洒之后,油墨材料70'立刻通过邻近于喷嘴93的打印结构92的紫外源95固化,因此形成覆盖物体60的表面601的油墨层70。油墨层70可覆盖物体60的表面601的一部分并且可以位于标记区域708内。因为物体60的表面601是亲水性的,所以油墨层7可紧密地接合到物体60的表面601。此外,因为油墨层7紧接在喷洒之后固化,所以可以减小油墨层7的收缩的风险。标记区域708外部的物体60的表面601的部分609可能并不由油墨层70覆盖。

参考图20,通过例如使用激光源98移除油墨层7的一部分以暴露物体60的表面601的部分606。如图20中所示,通过聚焦透镜97聚焦激光源98。举例来说,通过激光源98移除油墨层7的一部分,因此形成如图7中所示的开口706。因为油墨层7紧密地接合到物体60的表面601,所以当使用激光源98形成开口706时油墨层7可不发生剥离。因此,符号具有良好的分辨率并且因此是清晰的。

除非另外规定,否则例如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“高于”、“低于”、“上部”、“在……上”、“在……下”等等的空间描述是相对于图中所示的定向来指示的。应理解,本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的,且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置,其前提是本发明的实施例的优点是不会因此类布置而有偏差。

如本文中所使用,术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时,所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说,当与数值结合使用时,术语可指小于或等于所述数值的±10%的变化范围,例如,小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%,或小于或等于±0.05%。举例来说,如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10%(例如,小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%、或小于或等于±0.05%),那么可认为所述两个数值“基本上”相同或相等。

如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm,那么可认为所述两个表面是共面的或基本上共面的。

如本文中所使用,除非上下文另外明确规定,否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。

如本文中所使用,术语“导电(conductive)”、“导电(electricallyconductive)”和“电导率”指代传送电流的能力。导电材料通常指示对电流流动呈现极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(s/m)。通常,导电材料是电导率大于近似地104s/m(例如,至少105s/m或至少106s/m)的一种材料。材料的电导率有时可随温度而变化。除非另外规定,否则材料的电导率是在室温下测量的。

此外,有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解,此范围格式是为了便利和简洁而使用,且应灵活地理解,不仅包含明确地规定为范围限制的数值,而且还包含涵盖于那个范围内的所有个体数值或子范围,如同明确地规定每个数值和子范围一般。

虽然已参考本发明的特定实施例描述并说明本发明,但是这些描述和说明并非限制性的。所属领域的技术人员应理解,可在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下,作出各种改变且取代等效物。图示可能未必按比例绘制。由于制造过程和公差,本发明中的艺术再现与实际设备之间可能存在区别。可能存在并未特定说明的本发明的其它实施例。应将本说明书和图式视为说明性而非限制性的。可进行修改,以使特定情形、材料、物质组成、方法或过程适宜于本发明的目标、精神和范围。所有此类修改都意图在此所附权利要求书的范围内。虽然本文中所公开的方法已参考按特定次序执行的特定操作加以描述,但是应理解,可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。相应地,除非本文中特别指示,否则操作的次序和分组并非本发明的限制。

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