导电性条材及其制造方法与流程

文档序号:13348497阅读:429来源:国知局
导电性条材及其制造方法与流程

本发明涉及导电性条材及其制造方法。



背景技术:

对于电触点中所用的材料(下文中称为电触点材料)而言,由于基于作为电触点的性能、形状和加工方法的要求,具有导电性的材料多以条材的形状(下文中称为导电性条材)使用。在本用途中,一直以来利用了导电性优异的铜(cu)或铜合金。但是,近年来,接点特性不断提高,直接使用铜或铜合金的案例减少。制造、利用在铜或铜合金上进行各种表面处理而得到的材料来代替这种现有的材料。特别是作为电触点材料,在电触点部通用在铜或铜合金上镀覆有锡(sn)或sn合金的部件。

已知该镀覆材料作为具备导电性基材的优异的导电性和强度以及镀层的优异的电连接性、耐腐蚀性和焊接性的高性能导电体,其被广泛用于电气/电子设备中使用的各种端子、连接器等。对于该镀覆材料,通常为了防止铜等导电性基材的合金成分扩散至上述镀层中,在基材上进行具有阻隔功能的镍(ni)、钴(co)等的基底镀覆。

将该镀覆材料用作端子的情况下,例如在汽车的发动机室内等高温环境下,端子表面的sn镀层的sn由于易氧化性而在sn镀层的表面形成氧化覆膜。该氧化覆膜脆,因而在端子连接时发生破裂,其下的未氧化sn镀层露出,从而得到良好的电连接性。

但是,作为近年来的电触点材料的使用环境,在高温环境下使用的案例增多。例如在汽车的发动机室内的传感器用接点材料等在100℃~200℃等高温环境下使用的可能性增高。因此,要求在比以往民用设备中设想的使用温度高的温度下的接点特性等的可靠性。特别是作为影响接点特性的可靠性的原因,在高温下,由于导电性基材成分的扩散和表面氧化,使得最表层处的接触电阻增大,这成为问题。因此,对于抑制该导电性基材成分的扩散和抗氧化进行了各种研究。

专利文献1中,具有从基材的最表面起依次形成有由sn或sn合金(此处所说的sn合金是指cu6sn5或cu3sn等除cu-sn合金外的sn的合金)构成的表面层(最表层)、由cu-sn合金层和ni或cu层构成的中间层的构成,其中,通过使ni层的平均结晶粒径为1μm以上、ni层的厚度为0.1~1.0μm等,从而即使在高温环境下也可维持稳定的接触电阻。

专利文献2提出了一种带ni镀层的铜或铜合金板,其在由铜或铜合金构成的导电性基材上具有形成于上述铜或铜合金板的表面的基于外延生长的第一ni镀层、和形成于上述第一ni镀层上的基于核生成生长的第二ni镀层,上述第一ni镀层的厚度为0.05~0.5μm,上述第二ni镀层利用x射线衍射对其表面所测定的{111}面的晶体取向度指数为0.5~3.0,微晶尺寸为10~50nm。其提供了一种通过控制ni镀层组织而抑制了光泽降低的带ni镀层的铜或铜合金板。

专利文献3中提出了一种耐热性优异的sn镀层连接部件用导电材料,其在最表层银或银合金所构成的反射层与导电性基材表面之间形成有ni或ni合金等的中间层。专利文献4中提出了在导电性基材上具有从最表面起依次形成有sn层、cu-sn合金层和ni或cu层的构成,其中,增大cu-sn层的平均结晶粒径,并改善sn镀层的耐磨耗性。

另外,专利文献5中提出了一种反射率高、特别是长期可靠性(耐热性)高的光半导体装置用引线框,其在最表层sn镀层与导电性基材表面之间从最表层起依次形成有cu-sn合金层和ni层。专利文献5中提出,通过控制贵金属被覆材料的中间层的粒径,从而提高反射率、长期可靠性(耐热性)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2014-122403

专利文献2:日本特开2014-141725

专利文献3:日本特开2004-068026

专利文献4:日本特开2009-097040

专利文献5:日本特开2014-204046



技术实现要素:

发明所要解决的课题

但是,在上述现有技术中,均不足以应对近年来的高温耐久性要求的提高。即,因高温环境化,母材的cu经由ni层、cu-sn合金层扩散至最表层的sn层,cu在最表层露出,进一步形成氧化铜,从而存在接触电阻升高的问题。另外,这些技术是涉及cu-sn合金中间层的粒径控制和ni中间层的粒径控制的技术,但未着眼于有助于cu扩散的cu-sn合金中间层或ni中间层的晶界的控制。

鉴于上述现有问题,本发明的课题在于提供一种导电性条材及其制造方法,该导电性条材即使在高温下长时间保持后也能抑制基体成分扩散至sn中,其结果,能够抑制接触电阻升高。

根据本发明,提供下述手段。

(1)一种导电性条材,其为由铜或铜合金构成的导电性基材与2个以上的镀层所构成的导电性条材,其特征在于,

关于上述导电性基材与设置于上述导电性基材上的第一中间层(上述2个以上镀层中的1层)的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数,以界面的每10μm长度的个数计,为15个以上120个以下。

(2)如(1)项所述的导电性条材,其中,关于上述导电性基材与上述第一中间层的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数,以界面的每10μm长度的个数计,为25个以上60个以下。

(3)如(1)或(2)所述的导电性条材,其中,上述2个以上的镀层具有:

设置于上述导电性基材上的由ni或ni合金构成的第一中间层;

设置于上述第一中间层上的由cu或cu-sn合金构成的第二中间层;和

设置于上述第二中间层上的由sn或sn合金构成的最表层。

(4)如(1)~(3)中任一项所述的导电性条材,其中,上述导电性基材与上述第一中间层的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数(下文中称为入口的个数)相对于上述第一中间层与上述第二中间层的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数(下文中称为出口的个数),比(入口的个数)/(出口的个数)为1.1以上。

(5)一种导电性条材的制造方法,其为(1)~(4)中任一项所述的导电性条材的制造方法,其特征在于,

对经轧制的板材依次进行真空热处理、阴极电解脱脂、酸洗、第一中间层镀覆、第二中间层镀覆、最表层镀覆以及回焊处理,由此制造导电性条材。

(6)如(5)项所述的导电性条材的制造方法,其中,在真空热处理后且阴极电解脱脂前,进行电解抛光。

(7)如(5)或(6)项所述的导电性条材的制造方法,其中,对于第一中间层镀覆的总镀覆厚度中的前半30~70%的镀覆厚,以10~20a/dm2进行;对于后半70~30%的镀覆厚,以3~8a/dm2进行。

发明的效果

本发明的导电性条材能够抑制基体成分的扩散、提高耐热性。例如即使在185℃×500小时这样的高温、长时间保持后,也能抑制基体成分扩散至sn中,其结果,能够抑制接触电阻升高。

本发明的上述及其它特征和优点适当参照附图根据下述记载会更加明确。

附图说明

图1为本发明的实施方式的导电性条材的截面图,示意性地示出了第一中间层的晶界的状态。

图2为本发明的另一实施方式的导电性条材的截面图,示意性地示出了第一中间层的晶界的状态。

具体实施方式

在本发明的一个实施方式的导电性条材中,在铜或铜合金构成的导电性基材上具有2个以上的镀层。例如,作为2个以上的镀层,具有由ni或ni合金构成的第一中间层、由cu或cu-sn合金构成的第二中间层、以及由sn或sn合金构成的最表层。此外,如下构成:关于上述导电性基材与上述第一中间层的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数,以界面的每10μm长度的个数计,为15个以上120个以下。由此,能够抑制基材成分向最表层侧的扩散,提高耐热性。例如即使在185℃×500小时这样的高温、长时间保持后,也能抑制基体成分扩散至最表层sn中,其结果,能够抑制接触电阻升高。

该导电性条材中,以下,将“上述导电性基材与上述第一中间层的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数”(“第一中间层的晶界与导电性基材的交点的个数”)称为“入口a的个数”。另外,以下,将“上述第一中间层与上述第二中间层的界面和上述第一中间层的晶界的交点的个数”(“第一中间层的晶界与第二中间层的交点的个数”)称为“出口b的个数”。

以下,参照图1、图2,对本发明的实施方式进行详细说明。图1示出导电性基材1、第一中间层2、第二中间层3、最表层4大致平行地进行层积的状态的导电性条材10,图2示出在表面弯曲的导电性基材1上层积有第一中间层2、第二中间层3、最表层4的状态的导电性条材10。在图1、图2中示出了入口a和出口b。

图中,导电性条材10通过在由铜或铜合金构成的导电性基材1上依次设置由ni或ni合金构成的第一中间层2、由cu或cu-sn合金构成的第二中间层3、由sn或sn合金构成的最表层4而构成。

按照入口“a”的个数以界面的每10μm长度的个数计为15个以上120个以下的方式而构成。需要说明的是,图中的晶界的样子为示意图,因而以直线状图示出晶界。晶界从导电性基材1侧至第二中间层3侧未必为直线。

通过这样的构成,将入口a的个数抑制为120个以下,从而能够抑制高温下的晶界扩散的量,抑制为基材成分的铜向最表层4扩散的量,抑制最表层4的基于铜氧化的接触电阻的升高。

另外,通过使入口a的个数为15个以上,能够减少用于填补导电性基材1(铜合金)和第一中间层2的镀层(ni)的晶格失配的晶粒内的位错密度,通过抑制晶粒内扩散,抑制铜在最表层4的露出,从而能够抑制最表层4的由铜氧化导致的接触电阻升高。

对导电性条材10及其制造方法的优选方式进行说明。

(导电性基材1)

导电性基材1由铜或铜合金构成。例如,作为铜合金的一例,可以使用作为cda(copperdevelopmentassociation,铜业发展协会)登载合金的“c14410(cu-0.15sn、古河电气工业株式会社制、商品名:eftec-3)”、“c19400(cu-fe系合金材料、cu-2.3fe-0.03p-0.15zn)”、“c18045(cu-0.3cr-0.25sn-0.5zn、古河电气工业株式会社制、商品名:eftec-64t)”、“c64770(cu-ni-si系合金材料、古河电气工业株式会社制、商品名:fas-680)”、“c64775(cu-ni-si系合金材料、古河电气工业株式会社制、商品名:fas-820)”等(需要说明的是,上述铜合金的各元素前的数字的单位是指铜合金中的质量%)。此外,还可以使用tpc(韧铜)、ofc(无氧铜)、磷青铜、黄铜(例如70质量%cu-30质量%zn。简记为7/3黄铜)等。这些导电性基材1的电导率、强度各不相同,因此根据要求特性适当选择使用。从提高导电性、放热性的观点出发,优选电导率为5%iacs以上的铜合金的条材。需要说明的是,将铜合金作为导电性基材1进行操作时的“基材成分”是表示作为主要成分的铜。对于导电性基材1的厚度没有特别限制,通常为0.05~2.00mm,优选为0.1~1.2mm。

(第一中间层2)

构成第一中间层2的金属只要为规定厚度且能够防止导电性基材1成分的扩散、赋予耐热性的金属,则对其没有特别限制。优选由廉价且被覆容易的ni或ni合金构成。作为ni合金,可以举出ni-cu合金、ni-sn合金、ni-锌(zn)合金、ni-硅(si)合金、ni-铁(fe)合金。

第一中间层2的厚度优选为0.05~2μm、进一步优选为0.2~1μm。特别是,第一中间层2为ni的情况下,优选为0.2~0.5μm。这是因为,若ni层过薄,则即使控制入口a或出口b的个数,基材成分的扩散抑制效果也不充分;若ni层过厚,则与最表层4的sn或sn合金发生反应,形成sn和ni的化合物,因而接触电阻升高。

关于第一中间层2,上述导电性基材1与上述第一中间层2的界面和上述第一中间层2的晶界的交点的个数以界面的每10μm长度的个数(第一中间层2的晶界与导电性基材1的交点、即入口a的个数)计为15个以上120个以下。该入口a的个数优选为25个以上60个以下。

第一中间层2中,优选上述入口a的个数多于出口b的个数。入口a的个数与出口b的个数之比、(入口a的个数)/(出口b的个数)优选为1.1以上。

第一中间层2也可以利用溅射法、蒸镀法、湿式镀覆法等常规方法形成。若考虑到晶界、厚度控制的容易性、生产率,则特别优选利用湿式镀覆法,进一步更优选为电镀法。该镀覆条件的详细情况如后所述。

(第二中间层3)

本发明中的第二中间层3由cu或cu-sn合金构成。第二中间层3的厚度优选为0.05~2μm、进一步优选为0.1~1μm。第二中间层3可以利用溅射法、蒸镀法、湿式镀覆法等通常的方法形成。若考虑被覆厚度的控制容易性、生产率,则特别优选利用湿式镀覆法,进一步更优选为电镀法。

(最表层4)

另外,导电性条材10的最表层4由sn或sn合金构成。作为sn合金,可以举出sn-cu、sn-bi、sn-pb、sn-ag、sn-sb、sn-in、sn-zn合金等。

该最表层4为低接触电阻,因此连接可靠性良好,且生产率良好。最表层4的厚度优选为0.05~5μm、进一步优选为0.2~3μm。最表层4可以利用溅射法、蒸镀法、湿式镀覆法等通常的方法形成。若考虑被覆厚度的控制容易性、生产率,则特别优选利用湿式镀覆法,进一步更优选为电镀法。

(导电性条材10的制造方法)

上述导电性条材10将适宜终止轧制的板材作为导电性基材1,对其进行真空热处理、电解抛光、前处理(阴极电解脱脂、酸洗)、第一中间层2的镀覆、第二中间层3的镀覆、最表层4的镀覆、回焊处理,由此可以制造。也可以不进行而省去电解抛光。

上述轧制进行至所期望的板厚(条厚)为止即可。

对导电性条材10来说,对于由适宜终止轧制的板材构成的导电性基材1,在电解抛光和前处理(阴极电解脱脂和酸洗)之前实施真空热处理,从而不发生氧化而增加条材表层的结晶粒径,能够降低位错密度。真空热处理优选在450℃~600℃实施。保持时间因条材所具有的位错密度而不同,考虑到不使氧化进行而优选为5秒~60秒。该热处理时的到达真空度优选调整为10-6~10-3pa。在成为还原气氛的真空度区域,位于条材表面的铜的自然氧化覆膜中的氧被除去,但该处成为空位,表面粗糙度增大、镀层密合性降低等会成为问题,因而不希望为还原气氛。

另外,热处理时优选调整为ar气气氛0.1~10pa等。若长时间维持高温,则氧化进行,因此使降温速度变快。考虑到这点,由于仅靠辐射所致的放热不足,因此利用接近室温的气体将真空装置内调整为0.1~10pa,使接近室温的气体接触条材表面,从而能够提高降温速度。另外,考虑到不使氧化进行,优选选择不具有反应性的稀有气体。

另外,对于完成了上述热处理的板材,在前处理(阴极电解脱脂和酸洗)之前实施电解抛光,从而能够控制表面的位错密度,减少铜的氧化覆膜。电解抛光时间优选为5秒~2分钟。若电解抛光时间过短,则位错密度过高,或者铜的氧化覆膜无法完全除去,因此第一中间层2的入口a变得过多。另外,若电解抛光时间过长,则位错密度过度下降,第一中间层2的入口a变得过少。

前处理(阴极电解脱脂、酸洗)根据常规方法进行。

(第一中间层2的晶界控制1)

本发明人发现,关于第一中间层2的晶界,通过在第一中间层2的镀覆时在途中较小地变化电流密度,能够实现将入口a的个数控制为所期望的个数。具体而言,关于第一中间层2的电镀时的电流密度,前半设为10~20a/dm2的大电流、后半设为3~8a/dm2的小电流而进行镀覆,则可得到所期望的第一中间层2的晶界。关于电流密度,更优选第一中间层2的总镀覆厚度中的前半30~70%的镀覆厚为10~20a/dm2、后半70~30%的镀覆厚为3~8a/dm2,进一步优选第一中间层2的总镀覆厚度中的前半40~60%的镀覆厚为10~15a/dm2、后半60~40%的镀覆厚为4~6a/dm2

作为实现第一中间层2的晶界的状态的方法之一,例如在第一中间层2、第二中间层3和最表层4的形成后以规定的条件进行回焊处理。例如,使加热器设定温度为400~800℃,进行1分钟~5秒的回焊处理。若该回焊处理的温度过高、或时间过长,则热历史过剩,导电性基材1成分的扩散进行,连接可靠性有可能降低。

如上所述,根据第一中间层2的晶界控制1的制造方法,能够控制镀覆后的第一中间层2的晶界与导电性基材1的交点(入口a)的个数、以及第一中间层2的晶界与第二中间层3的交点(出口b)的个数。其结果,能够控制这些入口a和出口b的个数,能够抑制导电性基材1成分扩散至最表层4,因此能够提供耐热性优异、长期连接可靠性高的导电性条材10。

(导电性条材10的用途)

以上说明的导电性条材10由于耐热性特别优异,因此最终在各制造工序中的热历程经过后的表层污染少、且长期可靠性优异。因此,适合端子、连接器、引线框等电触点部件。

(本发明的其它实施方式)

图2是导电性基材1因轧制划痕等原因而产生表面不平坦的部位的情况的例子。l表示基材与第一中间层2的界面(或第一中间层2与第二中间层3的界面)的长度。10表示导电性条材。

该情况下,认为也与图1的情况同样地可得到本发明的构成、作用效果,因而省略详细的说明。

实施例

下面,以图1的情况为例,对本发明的实施例进行进一步详细的说明,但本发明不限于这些实施例。

(制作过程)

对于厚度0.25mm、宽度40mm以上、长度100mm以上的导电性基材1(板材)(商品名:fas-680),实施精轧而成型为厚度0.20mm后,将两端部5mm以上除去,切断成宽度30mm、长度50mm的尺寸。并且,对于该导电性基材1,依次进行下述所示的各处理(真空热处理、电解抛光、前处理(阴极电解脱脂、酸洗)、形成第一中间层2的镀覆处理、形成第二中间层3的镀覆处理、形成最表层4的镀覆处理、回焊处理)。

将实施例和比较例的制作过程(制造工序)示于表1。

在全部的实施例、比较例中,在用于形成第一中间层2的ni镀覆后,实施用于形成第二中间层3的cu镀覆、形成最表层4的sn镀覆和回焊处理。形成第一中间层2的镀覆(表1中仅记为“ni镀覆”)后的处理在全部试验例中均相同,因此表1中省略记载。

(真空热处理条件)

在距离设置于真空装置内的加热器下方50mm处,水平地设置铬镍铁耐热合金制的板(厚度1mm~2mm、宽度100mm、长度200mm)。此时,在加热器的中心位置的正下方,使铬镍铁耐热合金制的板的中心为±10mm以内。在铬镍铁耐热合金制的板的中心放置导电性条材10(板材),将r热电偶的测定部设置于距离导电性板材的端部10mm±3mm的位置。需要说明的是,r热电偶利用螺钉和固定用的夹具固定于铬镍铁耐热合金制的板。

将到达真空度调整为10-6~10-3pa后,一边以3~20cc/min导入ar气,一边调整位于涡轮泵前的闸阀的开闭大小,由此将真空度调整为0.1~10pa。作为真空泵,使用旋转泵和涡轮泵各1台。

一边监控r热电偶的温度,一边调整加热器输出功率以达到500℃。加热时间为表1中记载的时间。需要说明的是,调整加热器输出功率以使升温速度为50~200℃/min,在规定的加热时间后,在2sec以内使加热器输出功率降为零。

(电解抛光条件)

浴:85%磷酸水溶液

浴温:23℃

电流密度:20a/dm2

电解时间:记载于表1

反电极:sus316

(前处理条件)

[阴极电解脱脂]

脱脂液:naoh60g/升

脱脂条件:2.5a/dm2、温度60℃、脱脂时间60秒

[酸洗]

酸洗液:10%硫酸

酸洗条件:30秒浸渍、室温

(第一中间层2的镀覆条件)

[ni镀覆]无添加剂浴

镀覆液:ni(so3nh2)2/4h2o500g/升、nicl230g/升、h3bo330g/升

镀覆条件:温度50℃

电流密度:记载于表1(根据试验例的不同,以前半(膜厚的一半为止)和后半(剩余的一半)改变电流密度)

第一中间层2厚度:0.5μm

(第二中间层3的镀覆条件)

[cu镀覆]

镀覆液:硫酸铜180g/升、硫酸80g/升

镀覆条件:温度40℃

电流密度:15a/dm2

第二中间层3厚度:0.4μm

(最表层4的镀覆条件)

[sn镀覆]

镀覆液:硫酸sn80g/升、硫酸80g/升

镀覆条件:温度20℃

电流密度:15a/dm2

最表层4厚度:1.1μm

上述cu镀覆的厚度和sn镀覆的厚度在全部试验例中均相同。

(回焊处理)

回焊温度:700℃

时间:10sec

对于所得到的各实施例、比较例的导电性条材10(电触点材料),对以下项目进行试验、评价。

(入口a/出口b的个数的测定方法)

各层的厚度(被覆厚度)通过使用荧光x射线膜厚测定装置(sft-9400、商品名、sii公司制),使用准直器直径0.5mm,对10点进行测定,计算出其平均值,由此作为被覆厚度。此外,为了判定第一中间层2的晶界,利用fib法(focusedionbeam、聚焦离子束法),从轧制垂直方向朝平行方向以约10°步幅制作9个视野的截面试样。需要说明的是,制作了从导电性基材1的宽度方向的中央起±1mm以内的位置的截面试样。这是为了避免在宽度方向端部导入有切口、切断等加工应变的位置。进行能够充分辨别晶界的程度的视野的sim图像(scanningionmicoscope、扫描离子显微镜图像)观察,对于每1视野测定1处在第一中间层2/导电性基材1界面的长度10μm中与第一中间层2的晶界的交点(入口a)的个数,基于此来计算合计9处的平均值。将其在表中示为“入口a的个数”。另外,在相同的sim图像中,对于每1视野测定1处在第二中间层3/第一中间层2界面的长度10μm中与第一中间层2的晶界的交点(出口b)的个数,将其在表中示为“出口b的个数”。

需要说明的是,此处所说的“第一中间层2/导电性基材1界面的长度”和“第二中间层3/第一中间层2界面的长度”是指最短距离,相当于图1、图2所示的l。另外,入口a和出口b相当于图1或图2所示的a、b。本发明中计测l=10μm中的入口a、出口b的个数。

(评价方法:加热后的接触电阻)

对于各试样,利用四端子法,对在185℃保持500小时后的接触电阻进行试验。这是耐热性的指标。对于探针,前端为半球,曲率为5mm,材质为银。接触负荷为2n、通电电流为10ma。样品切断成长20~50mm×宽20×50mm,选择端部5mm以外。测定部位为10处,各测定点隔开2mm以上的间隔而进行测定,将其平均值作为接触电阻。将该值小于10mω的情况设为“1”,为10mω以上且小于20mω的情况设为“2”,为20mω以上且小于30mω的情况设为“3”,为30mω以上的情况作为耐热性差而以“ng”表示。该数值为1~2时,耐热性优异,数值为3时,耐热性良好。1最优异。

若对比较例x.1(x=1~3)和实施例y.1(y=1~6)进行比较,可知:在入口a的个数为本发明规定的情况(满足上述(1)项的范围的情况)和除此以外的情况下,本发明规定的情况下电阻升高少、良好。此外,入口a的个数满足本发明的优选范围的情况(满足上述(2)项的范围的情况)下,接触电阻的升高更小、更良好。

需要说明的是,专利文献1中记载的镀覆构成相当于比较例1.1、1.2、2.1、2.2。由此可知,无论是哪个构成,本发明的实施例的耐热性(接触电阻)均更优异。

此外,若对(入口a的个数)/(出口b的个数)小于1.1的实施例y.1(y=1~6)与(入口a的个数)/(出口b的个数)为1.1以上的实施例y.2、y.3(y=1~6)进行比较,后者(入口a的个数)/(出口b的个数)为1.1以上时,接触电阻的升高小、特别良好。

(接触电阻升高的抑制理由)

高温下的导电性基材1的成分的扩散存在经由第一中间层2的晶界中而向最表层4扩散的晶界扩散、和经由晶粒内扩散的晶粒内扩散。后者的情况下,晶粒内扩散在晶粒内的晶格缺陷(原子空位、转位、堆垛层错等)越多时扩散速度越快。

此处,入口a的个数过多时,认为:晶界扩散的量增加,基材成分向最表层4扩散的量增加,铜容易露出到最表层4,最表层4的铜发生氧化,接触电阻升高。

另外,入口a的个数过少时,认为:为了填补导电性基材1(铜合金)和第一中间层2的镀层(ni)的晶格失配,晶粒内的位错密度变多,晶粒内扩散增加,铜容易露出到最表层4,最表层4的铜发生氧化,接触电阻升高。

(入口a的个数)/(出口b的个数)为1.1以上时,扩散速度显著变小,因而与(入口a的个数)/(出口b的个数)小于1.1相比,认为(入口a的个数)/(出口b的个数)为1.1以上时电阻升高少。

需要说明的是,本实施例中仅示出了使用fas-680(商品名)作为基材的例子。由于铜从基材的扩散不依赖于基材的组成(成分),而依赖于第一中间层2的扩散防止效果,因此认为上述实施方式栏中所记载的其他铜或铜合金也可得到同样的结果。

结合其实施方式对本发明进行了说明,但本申请人认为,只要没有特别指定,则本发明在说明的任何细节均不被限定,应当在不违反所附权利要求书所示的发明精神和范围的情况下进行宽泛的解释。

本申请要求基于2015年6月1日在日本进行专利提交的日本特愿2015-111786的优先权,将其参照于此并将其内容作为本说明书记载内容的一部分引入。

符号说明

1导电性基材

2第一中间层

3第二中间层

4最表层

10导电性条材

a入口(导电性基材与第一中间层的界面和第一中间层的晶界的交点)

b出口(第一中间层与第二中间层的界面和第一中间层的晶界的交点)

l基材与第一中间层的界面或第一中间层与第二中间层的界面的长度

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