技术特征：
技术总结
本发明公开了一种电镀铜方法，包括以下步骤：第一步、在芯片化学电镀工艺前，通过去离子水超声波震荡或冲刷晶圆沟槽，使其内充满去离子水；第二步、准备电镀液，第三步、初始条件电镀、过度阶段电镀、最终阶段电镀，分别设置不同参数。本发明用于对大尺寸、大深度的集成电路图形形成铜镀膜，在不同的电流密度、硅片旋转速度、电镀液流速以及硅片工艺位置条件下分阶段进行电镀工艺处理，减少电镀工艺所需的铜膜厚度，进而缩短了电镀工艺时间和化学机械抛光工艺时间，并节约化学耗材的使用。
技术研发人员：王衍春
受保护的技术使用者：王衍春
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2018.03.30