片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电镀领域，具体涉及一种片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法。
【背景技术】
[0002] 现在片式多层陶瓷电容器（MLCC)电镀工艺一般包括：前处理、电镀镍、电镀锡、后 处理。而现在一般的电子元器件前处理包括除油和活化2个步骤，其中除油是在50°C _55°C 的条件下，使用30g/L的磷酸二氢钠溶液清洗片式多层陶瓷电容器3-5分钟；活化是在常温 的情况下使用30Gg/L的氯化铵溶液清洗片式多层陶瓷电容器2-3分钟，然后进入电镀镍工 艺。现有的片式多层陶瓷电容器前处理不但工艺繁琐，而且操作难度大、设备要求高。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是提供一种片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其简化了片 式多层陶瓷电容器的前处理工艺，前处理不需要2个步骤，不需要加热，方便快捷。
[0004] 本发明的目的是这样实现的：一种片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其 特征在于：在进入电镀镍的流程前，在常温条件下，使用氨基磺酸对片式多层陶瓷电容器处 理即可。
[0005] 所述的氨基磺酸的浓度为4_6wt%。
[0006] 所述的处理时间为1-3分钟。
[0007] 本发明使用一种新型的前处理配方对片式多层陶瓷电容器进行前处理，简化了片 式多层陶瓷电容器电镀前处理的工艺流程，不需要使用加热设备，使片式多层陶瓷电容器 电镀前处理工序更方便快捷。
【具体实施方式】
[0008] 本发明是一种片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其在进入电镀镍的流程 前，在常温条件下，使用氨基磺酸对片式多层陶瓷电容器处理即可。优选的，所述的氨基磺 酸的浓度为4_6wt%。优选的，所述的处理时间为1-3分钟。
[0009] 实施例1
[0010] 在进入电镀镍的流程前，在常温条件下，使用4wt%氨基磺酸对片式多层陶瓷电容 器处理3分钟。
[0011] 实施例2
[0012] 在进入电镀镍的流程前，在常温条件下，使用5wt%氨基磺酸对片式多层陶瓷电容 器处理2分钟。
[0013] 实施例3
[0014] 在进入电镀镍的流程前，在常温条件下，使用6wt%氨基磺酸对片式多层陶瓷电容 器处理2分钟。
[0015] 对比例
[0016] 电子元器件前处理包括除油和活化2个步骤，其中除油是在50°c-55°c的条件下， 使用30g/L的磷酸二氢钠溶液清洗片式多层陶瓷电容器3-5分钟；活化是在常温的情况下 使用30Gg/L的氯化铵溶液清洗片式多层陶瓷电容器2-3分钟，然后进入电镀镍工艺。
[0017] 实验数据：
[0018] 采用6批次片式多层陶瓷电容器，分别采用实施例2和对比例方法进行处理，然后 采用相同工艺进行镀镍、镀锡等步骤，所得产品的各实验数据见表1。
[0019] 表 1.
[0020]
【主权项】
1. 一种片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其特征在于：在进入电镀镍的流程 前，在常温条件下，使用氨基磺酸对片式多层陶瓷电容器处理即可。
2. 根据权利要求1所述的片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其特征在于：所 述的氨基磺酸的浓度为4-6wt%。
3. 根据权利要求1所述的片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其特征在于：所 述的处理时间为1-3分钟。
【专利摘要】本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器电镀常温前处理方法，其在进入电镀镍的流程前，在常温条件下，使用氨基磺酸对片式多层陶瓷电容器处理即可。本发明使用一种新型的前处理配方对片式多层陶瓷电容器进行前处理，简化了片式多层陶瓷电容器电镀前处理的工艺流程，不需要使用加热设备，使片式多层陶瓷电容器电镀前处理工序更方便快捷。
【IPC分类】C25D5-54
【公开号】CN104593843
【申请号】CN201510081684
【发明人】娄红涛, 谭汝泉, 宋先刚, 梁俊展
【申请人】广东羚光新材料股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月4日