专利名称：接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法
技术领域：
本发明一般涉及一种接触器，具体地涉及与待测物体如半导体基片(晶片)、布线基片和电气元件的接线端接触以执行电气测试的接触器；本发明还涉及一种制造此接触器的方法、一种使用此接触器接触布线基片的方法、以及一种测试方法。
背景技术：
近来，对于用LSI表示的半导体器件(半导体器件以下称作LSI)，为了满足缩小其中应用LSI的产品的尺寸或者在产品尺寸与常规产品相同的情况下使该产品多功能化的要求，布线被更详细地布置而且电路密度增加。布线越细和电路密度增加总是伴随着接线端数量的增加和接线端的小型化。相应地，同样要求接触电极小型化并要求在用于测试LSI的晶片形式接触器(探针板)上设置的接触电极数量增加。
以前，LSI通常以封装状态进行测试和运输，但近年来，越来越多的LSI以所谓的Known-Good-Die(KGD)状态进行测试和运输，在此状态中，LSI以未封装的芯片或晶片状态进行测试。KGD突然增加的主要原因是1)所谓的“空芯片封装”应用类型增加，在此应用类型中，半导体芯片未进行封装就直接安装到设备的基片上(以缩小尺寸)；2)所谓的Multi Chip Module(MCM)或Multi Chip Package(MCP)或System In Package(SIP)应用类型增加，在这些应用类型中，多个半导体芯片包含在一个封装中(用于进一步缩小尺寸和多功能化)。
在上述应用类型的半导体器件的制造工艺中，在常规封装状态中执行的测试项目需要以晶片或芯片状态执行。相对于封装的接线端间距(一般为0.5-1.27毫米)而言，晶片(芯片)的接线端间距(一般在100微米以下)较小并且接线端尺寸也相应地缩小。显然，对晶片的测试接触器的性能要求高于对封装的性能要求。
进一步地，不但主要按常规制造的外围接线端增加，而且制造的区域阵列接线端的数量也增加。外围接线端是垫式接线端，在芯片的外围设置铝表面，用于通过引线接合而对此芯片布线。区域阵列接线端是以格栅形状布置在芯片区域上的接线端，焊锡块主要用作接线端材料。
对于常规的外围接线端，使用接触探针，其电极只与布置在半导体器件外围上的垫式接线端接触。然而，对于区域阵列接线端，需要能接触芯片范围内任何位置的接触探针。
以分立芯片或以封装状态测试LSI被称作“分立测试”，然而，在LSI切割成小块之前测试晶片状态的LSI被称作“晶片级测试”。晶片级测试在晶片工艺之后和在封装之前测试LSI，然而，它包括在晶片工艺之后应用辅助工艺的LSI，如以晶片状态封装的晶片级CSP。
而且，已被切成小块(切割)但仍然保持切割前布置的晶片由于加载在小块切割带上，因此可认为包括在晶片级测试中，其中每个芯片在小块切割带上被固定和被支撑。
由于晶片级测试允许不把半导体晶片切割成芯片就可执行测试，因此处理效率可得以提高。而且，即使在芯片尺寸变化时，由于晶片轮廓是固定和标准化的，因此，执行晶片级测试的测试设备比执行分立测试的测试设备具有更高的多功能性。
对于用于晶片级测试中的接触器(探针)，需要以下特性A)接线端的小型化需要多个接触电极，所述电极能与以狭小间隔设置的细小接线端接触。
B)自由布置可自由布置的多个接触电极。换句话说，接触电极不仅可在外围区域布置，也可布置成阵列(格栅)。当所有的接触电极布置在芯片范围内时，可同时测试相邻的芯片。
C)接触面积加宽要求能同时接触多个LSI的接触电极。
D)降低压力对于同时测试的数量增加或LSI引脚数量的增加，减小作用到更薄晶片上的力，例如减小接触合力，此合力是每个接触电极的接触压力之和。例如，当一个引脚的接触合力为10g，50000个接线端的合力就将高达5000kg。
E)降低成本LSI晶片本身的寿命周期变得更短。例如，在通用内存条的情况下，大约每6个月进行芯片的小型化，并且也改变晶片上的接线端布置。而且，更多的专用于特定顾客和产品的所谓ASIC在LOGIC产品中制造，具体地，用于便携式设备应用中的ASIC具有更短的寿命周期。考虑到以上因素，对于为每个LSI晶片设置的接触器(探针板)，耐用性是重要的，而且，还需要提供接触器的成本能在有限的使用期内赢利。
对于上述要求，以下列出现有技术和与此相关问题。
(I)探针方法1)悬臂方法在此方法中，探针的针尖与晶片上的接线端对齐，而探针的另一端连接到基片。在基片一侧上的接线端间隔比在晶片一侧上的接线端间隔更大。因而，由于此配置并因此不能满足上述要求B)，悬臂方法在接线端布置方面受到限制。而且，此方法在要求C)方面也受到限制。因而，由于接线端不能布置成区域阵列或者探针尺寸比芯片尺寸更大，因此存在问题相邻芯片不能同时接触。
2)垂直探针方法2-1)弹簧探针(POG0-PIN)方法对于要求A)，狭小的间距在结构上受到限制。换句话说，线圈弹簧的绕组直径的减小受限制。而且，对于要求D)，在降低压力状态中，由于没有摩擦运动以破除LSI接线端的氧化膜，因此不能获得稳定的接触。进而，对于要求E)，存在问题弹簧探针因结构因素而较昂贵。换句话说，需要单独缠绕小直径线圈。而且，需要单独的高精确度钻孔部件，以便保持针尖的位置精确度。
2-2)垂直探针在垂直方向立起的导电探针(棒状部件)被设置成接触电极。对于要求A)，因弯曲而产生位移，并且不能事先确定探针将要弯曲的方向。因此，相邻引脚可相互接触和互连。对于要求D)，在降低压力的状态中，由于没有摩擦运动而不可能获得稳定的接触。
3)弯曲探针方法对于要求A)，根据弯曲度，为了在狭小的间距内布置弯曲探针，相邻引脚互相阻隔。而且，对于要求E)，每个探针分别弯曲的配置是昂贵的。
(II)隔膜方法对于要求A)，由于接触电极通过绝缘基片耦合在一起，当间距狭小时，单个电极不能自由地移动。对于要求C)，由于布线在接触电极之间延伸，布线量受到限制。隔膜方法中的多层布线只是提高到在绝缘基片两侧上设置布线的水平。对于要求D)，在降低压力的状态中，由于没有摩擦运动而不可能获得稳定的接触。
(III)各向异性导电板(橡胶)对于要求A)，此板不能容纳狭小的间距。而且，存在诸如缺少热阻和耐用性的问题。
如上所述，对于现有技术，不可能提供满足所有要求的接触器，即，A)接线端的小型化、B)自由布置、C)接触面积加宽、D)降低压力和E)降低制造成本。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种接触器和一种制造此接触器的方法，其中，引入弯曲探针方法的接触电极能以微小间距布置，并且可降低制造成本。
根据本发明的接触器包括布线基片和在布线基片上形成的多个接触电极。所述多个接触电极中每一个都是其一端接合到布线基片的棒状部件，并且其另一端至少有两个斜面，而且，由所述斜面形成的顶部偏离棒状部件横截面的中心。
根据本发明，当多个接触电极与待测物体(如半导体器件)接触时，具有两个斜面的接触电极随着两个斜面之中倾角更大的斜面而相应地变弯曲和变形。因此，有可能同时沿相同方向弯曲多个接触电极，并因而甚至在以狭小间距布置多个接触电极时，接触电极也不互相接触。
形成两个具有不同尺寸的斜面是容易的。例如，它可通过用两个切割工具对棒状部件制作切口而实现。此时，控制切割工具的位移，使得一个切口较深而另一个较浅，从而形成两个具有不同尺寸的斜面。两个具有不同尺寸的斜面可使用两个具有不同切割边缘角或不同厚度的切割工具来实现。
根据本发明，在所述多个接触电极中每一个的另一端上由所述至少两个斜面形成的顶部包括由切口形成的切割面和由拉伸断裂形成的断裂面。
根据本发明，由于所述多个接触电极中每一个都具有接合到布线基片的一端以及包括由切割面和断裂面形成的斜面的另一端，所述多个接触电极中每一个都可根据由切割面形成的斜面相应地变弯曲和折弯。因此，能够防止相邻的接触电极互相接触。
根据本发明，所述多个接触电极中每一个都是弯曲的棒状部件。
根据本发明，在接触电极与待接触物体接触并且使棒状部件相对于斜面弯曲一定的方向之前，通过从上方压下具有平面的按压夹具，可获得接触电极。因而，当接触电极与待接触物体接触时，即使用更小的压力，接触电极也会沿着接触电极已弯曲和变形的方向变形。
根据本发明，所述多个接触电极中每一个的断裂面是最远离接合到布线基片的所述一端的部分。
根据本发明，断裂面位于棒状部件的顶部，并且斜面从断裂面向下延伸。换言之，在棒状部件接合到布线基片之后，通过在与斜面相应的位置形成切口并且通过拉伸而切断(拉断)棒状部件，由切口形成的平面变为斜面，并且在斜面的顶部形成断裂面。
根据本发明，棒状部件是在其表面形成有导电涂层的非导电部件。
根据本发明，非导电部件用作棒状部件，并因而产生具有不同特性的接触电极。
根据本发明，棒状部件是金属引线，并且金属引线具有在其表面形成的导电涂层。
根据本发明，用于引线接合的金属引线例如用作棒状部件。在此情况下，可用引线接合设备容易地把接触电极接合到布线基片。而且，通过改变导电涂层的类型或厚度，可产生具有不同特性的导电电极。
根据本发明，所述多个接触电极中每一个的另一端的位置，相对于其接合到布线基片的一端的位置，沿着与布线基片表面平行的方向位移预定距离。
根据本发明，当接触电极的顶部被压下时，顶部沿着摆动路径运动。通过这样做，可实现所谓的摩擦运动，即接触电极的顶部在待测物体的接触部分上运动，因而可获得良好的接触。
根据本发明的制造接触器的方法包括以下步骤把多个导电棒状部件中每一个的一端接合到布线基片，所述棒状部件的另一端形成有斜面；以及，用按压部件的平面按压所述斜面的顶部，以便弯曲多个导电棒状部件，由此形成多个接触电极。
根据本发明，通过用按压部件的平面按压所述斜面的顶部，多个棒状部件向着相对于斜面确定的方向弯曲。以此方法形成的多个接触电极能以狭小间距布置。而且，由于多个接触电极具有小的弹簧常数，因此它们适合于测试其电极以狭小间距布置的半导体器件或适合于测试晶片级半导体晶片。
根据本发明，本方法进一步包括在导电棒状部件上形成切口的步骤。形成切口的步骤在与把导电棒状部件接合到布线基片的步骤的位置不同的位置上执行。
根据本发明，由于在导电棒状部件上形成切口之后导电棒状部件接合到布线基片上，因此，可避免切割工具对已接合到布线基片的导电棒状部件的干扰。
根据本发明，用按压部件压下多个导电部件的每个顶部，每个顶部插入到在按压部件中形成的相应凹入部分中。
根据本发明，由于在多个棒状部件弯曲时多个棒状部件每个顶部的位置由按压部件的相应凹入部分的位置控制，因此可高精度地布置棒状部件的顶部。
随着结合附图进一步描述，本发明的其它目的、优点和进一步特征将变得更加明显，在附图中图1示出垂直探针在用本发明弯曲方法进行弯曲之前的侧视图；图2示出正在用本发明弯曲方法进行弯曲工艺的垂直探针的侧视图；图3示出在用本发明弯曲方法弯曲之后的弯曲探针的侧视图；图4是说明用本发明弯曲方法形成多个弯曲探针的工艺的视图；图5A-5C为示出弯曲探针顶部形状的视图；图6A和图6B是说明采用弯曲夹具的弯曲工艺的视图；图7A和图7B是说明弯曲探针顶部和待接触物体之间接触状态的视图；图8是说明弯曲探针的顶部和根部的位置相对关系的视图；图9示出在根据本发明的第一实施例的接触器上设置的接触电极在被弯曲之前的侧视10A-10E示出说明形成图9中接触电极的工艺的视图；图11是说明切割工具与其它已形成的接触电极的干扰的视图；图12A-12C是说明同时形成多个接触电极的方法的视图；图13A-13C是由非导电材料形成的接触电极的横截面；图14是说明在由导电棒状部件形成的接触电极的接合部分上设置树脂以加强接合部分的实例的视图；图15是说明在接触电极表面上涂敷加强涂层的实例的视图；图16是说明在接触电极表面上涂敷非导电涂层24的实例的视图；图17A和图17B是说明把被覆接触电极的顶部暴露在外的方法的视图；图18A-18D是说明在接触电极一部分上形成非导电突起26的实例的视图；图19A和图19B是说明通过设置凹口而把接触电极弯曲成特定形状的实例的视图；图20A-20C是说明如何通过设置凹口而把接触电极弯曲成特定形状的实例的视图；图21A和图21B示出通过使用在按压夹具上形成的凹入部分而弯曲接触电极的实例的视图；图22是说明沿水平和垂直方向移动按压夹具而弯曲接触电极的实例的视图；图23是说明接触电极顶部根据按压夹具凹入部分的形状相应地变形的实例的视图；图24A-24D是说明为加强棒状部件而涂敷涂层的工艺的视图；图25A和图25B是说明加工接触电极顶部的实例的视图；图26A和图26B是说明照射激光束以使接触电极顶部变形成更适于接触的顶部的实例的视图；图27A和图27B是说明照射激光束以使接触电极弯曲部分变形的实例的视图；图28是根据本发明的第二实施例中接触器的透视图；图29A-29D是说明形成图28所示接触电极的工艺的视图；图30A-30D是说明把金属引线接合到接触器基片上的工艺的视图；图31A为金属引线的侧视图；图31B为金属引线顶部的放大视图；图32A和图32B是说明从金属引线两侧制作切口的配置的视图；图33A-33D是说明在接触器基片上形成多个金属引线的工艺的视图；图34A和图34B是说明在金属引线接合到接触器基片之后当试图切割金属引线时遇到的干扰问题的视图；图35A和图35B是说明金属引线弯曲的视图；图36为示出其表面覆盖有导电涂层的接触电极的视图；图37是说明在接触器基片上设置表面保护层以保护和加强接触电极接合部分的实例的视图；图38是说明在每个接触电极上设置突起的实例的视图；图39A-39C是说明在金属引线中设置小切口42d时的弯曲工艺的视图；图40A-40C是说明在图39A-39C所示工艺中在金属引线中设置两个切口的视图；图41是说明在按压夹具上设置凹入部分的实例的视图；图42是说明用具有凹入部分的按压夹具开始金属引线弯曲工艺的视图；图43是说明用具有凹入部分的按压夹具进行金属引线弯曲工艺的视图；图44是说明用具有凹入部分的按压夹具进行金属引线弯曲工艺的结果的视图；图45A-45C是说明接触电极顶部执行摆动的实例的视图；图46A-46C是说明接触电极高度不同时的实例的视图；图47A-47C是说明在接触电极被弯曲之前和之后对接触电极进行表面处理的实例的视图；图48A和图48B是说明在接触电极一部分上照射激光束而改变弯曲角以便纠正接触电极顶部位置的工艺的视图；图49是说明在接触电极顶部照射激光束而改变接触电极顶部的实例的视图；图50是说明在金属引线弯曲之后进行热处理的实例的视图；图51是说明根据本发明的金属引线形成方法应用到半导体器件电极垫的实例的视图；图52是说明用线性膨胀系数与待测物体相同的材料制成接触器基片的实例的视图；图53是说明测试设备(多探针检验台)用于金属引线弯曲的实例的视图；图54是说明根据本发明的接触器用于测试具有扁平电极的电子元件如LSI等的实例的视图；图55是说明根据本发明的接触器用于测试晶片级CSO或设置有凸块的晶片等的实例的视图；图56是使用本发明接触电极作为接触端子的半导体器件测试插座的横截面；图57示出接触电极在弯曲之前的侧视图，其中，此接触电极是本发明第一实施例的变型；图58示出图57所示接触电极的透视图；图59示出图57所示接触电极的顶部的放大视图；图60是说明图57所示接触电极切割工艺中的一个实例的视图；图61是说明图57所示接触电极切断工艺中的另一个实例的视图；以及图62A和图62B是说明图57所示接触电极的弯曲工艺的视图。
具体实施例方式
以下结合附图描述本发明的优选实施例。
本发明使用弯曲探针(具有弯曲形状的细长棒状导电部件)作为接触器的接触电极，并涉及容易把在基片上向上立起固定的垂直探针弯曲成统一形状的技术。图1示出垂直探针在用根据本发明的弯曲方法进行弯曲之前的侧视图。图2示出正在根据本发明的弯曲方法进行弯曲工艺的垂直探针的侧视图。图3示出在用根据本发明的弯曲方法弯曲之后弯曲探针的侧视图。
如图1所示，垂直探针2的顶部在被弯曲之前是倾斜的，并因而形成斜面2a。通过用按压夹具3压下垂直探针2的顶部，垂直探针变弯曲并且按图2所示变形。在移去按压夹具3之后，垂直探针2永久地变形为如图3所示的弯曲探针4。
本发明人等已发现在如图2所示的弯曲工艺中，垂直探针2的弯曲方向总是与垂直探针2的斜面2a的倾斜方向相对应。换句话说，当其按压平面3a与垂直探针2纵轴正交的按压夹具3向着垂直探针2的顶部压下时，垂直探针2的弯曲方式为，斜面2a随按压夹具3的按压平面3a相应地动作。最终，垂直探针2沿此弯曲方向弯曲并永久地变形。
因此，如图4所示，能够同时弯曲多个垂直探针2并形成多个弯曲探针4。此时，当每个垂直探针的斜面2a向着相同方向倾斜时，所有垂直探针就都向着相同方向弯曲。因而，所有垂直探针都变形为相同的弯曲形状，并且相邻的垂直探针2互相都不接触。
通过这样做，有可能在单一工艺中通过用一个按压夹具3使多个(若干个)垂直探针2弯曲/变形，从而形成多个弯曲探针4，并且还能够几乎没有困难地和低成本地使以微小间隔(间距)布置的多个垂直探针弯曲/变形。
应指出，在以下实施例中，斜面2a简单地定义成具有图5A所示倾角θ的平面，然而，斜面2a可以是具有如图5B所示的多倾角的平面，在图5B中，斜面为双阶梯形的斜面，倾角分别为θ1和θ2。而且，斜面2a可改为如图5C所示的圆形表面。根据垂直探针2的材料和将要弯曲成的形状而相应和适当地选择斜面的角度和形状。
另外，通过控制按压夹具3的压下程度(量)，能够控制弯曲探针4的弯曲程度(量)。换言之，如图6A所示，通过在斜面2a与按压平面3a完全接触之前中止按压夹具3的按压，当弯曲探针4形成为完全的弯曲探针4时，弯曲探针的顶部只倾斜α角。实际上，由于垂直探针2具有一定的弹性，因此有一些弹回，为了获得α角，必须考虑到此弹回而决定按压夹具的下压位置。例如，当决定按压夹具3的按压平面3a与图6B所示斜面2表面接触时，通过弹回获得α角。
当弯曲探针4的顶部表面倾斜α角时，弯曲探针4顶部的尖缘接触半导体器件5(待测物体)的电极垫5a，如图7A所示；随后，半导体器件5进一步下降，斜面2a与电极垫5a完全接触，如图7B所示。在此操作中，即使当在电极垫5a的表面上形成如自然氧化膜的氧化薄膜时，弯曲探针4顶部的尖缘用于破除该氧化膜，可获得良好的接触。
应指出，当笔直的垂直探针2被按压夹具3压下时，垂直探针2变弯曲并且大约在探针的中点处弯曲。此时，垂直探针2的根部和顶部保持相同水平坐标位置地弯曲。因此，如图8所示，形成的弯曲探针4的根部和顶部位于相同的垂直线上。换言之，弯曲探针4的根部和顶部的水平坐标位置保持在相同的位置上。此种弯曲探针4形式的接触电极在接触操作过程中，在顶部水平方向上没有表现出位移。
以下描述本发明第一实施例中的接触器。
图9示出在根据本发明的第一实施例中设置在接触器上的接触电极在被弯曲之前的侧视图。根据本发明的第一实施例的接触电极10由诸如铜、金和铝的棒状导电金属部件形成。接触电极10的一端接合到电极垫11a并且在弯曲之前在接触器基片11上立起，其中，电极垫11a在接触器基片11上形成。
如图9所示，根据第一实施例的接触电极10具有斜面10a，并且用上述的按压夹具压弯和弯曲。如以后所述，斜面10a是通过切割工具切割而形成的平面，并且为具有预定角度的平面。在斜面10a的顶部形成断裂面10b。断裂面10b是通过拉伸而断裂成的表面，从而导致在此表面上形成细小的不规则度。
图10A-10E是说明形成具有上述断裂面10b的接触电极10的工艺的视图。
如图10A所示，将要形成接触电极10的棒状部件用夹持器12固定，其角度与斜面10a角度相应的切割工具13作用到棒状部件上，并形成切口。当移去切割工具13时，形成如图10B所示的斜面10a。在此阶段，在切割部分保留一部分棒状部件，并且仍然用夹持器12固定棒状部件。
如图10C所示，棒状部件的一端(根部)接合到接触器基片11的电极垫11a。此接合可用热接合、金属接合如锡焊或铜焊等形成，或者用导电树脂等粘接形成。在棒状部件和电极垫11a接合在一起并具有足够的强度之后，夹持器12位移，以便沿图10D所示纵向牵引棒状部件。此时，由于切口已削弱棒状部件，因此在切割部分上的剩余部分发生塑性变形，并且因拉伸而断裂，如图10E所示。因而，形成断裂面10b。
应指出，在形成图10A-10E所示接触电极10的工艺中，在棒状部件接合到接触器基片11的电极垫11a之前制作切口。通过这样做，在多个接触电极以微小间距接合到多个电极垫之后，不需要切割工具13作用到接触电极10上，因而切割工具13不会干扰其它已接合到电极垫的接触电极10。
例如，如图11所示，在用切割工具13从两侧切割接触电极10的情况中，切割工具13会干扰已接合到电极垫并已形成的相邻接触电极10。然而，通过与在根据本发明的第一实施例中一样只切割接触电极10的一侧，就可防止此种干扰。
图12A-12C是说明图10A-10E中所示工艺同时应用到多个接触电极10上的视图。如图12A所示，多个接触电极10接合到多个电极垫11a。随后，如图12B所示，排成直线的多个接触电极10同时被夹持器12A牢固地夹住并被拉伸。如图12C所示，同时形成多个具有断裂面的接触电极10。例如在用导电粘附剂等把接触电极接合到电极垫并因而粘附剂需要硬化时间或需要为硬化进行热处理的情况下，此工艺尤其有效。
上述接合在接触器基片11的电极垫11a上的棒状部件(接触电极10)的顶部用图4所示的按压夹具压下，所述部件弯曲成最终的接触电极10。由于根据第一实施例的接触电极10在顶部具有由切口形成的斜面10a，因此，接触电极10可以通过按压工具的按压而容易地和一致地弯曲并变形。因此，能够容易地同时形成多个(若干个)以微小间距布置的接触电极，并因而降低接触器的制造成本。
另外，由于根据第一实施例的接触电极10在其顶部具有断裂面10b，因此，具有一些不规则度的断裂面10b首先与待测物体的电极接触，并且获得良好的接触。
以下结合附图描述根据本发明的实施例的各种变化。
图13A-13C是接触电极的侧向横截面，用非导电材料形成棒状部件并且在其上涂敷导电涂层。换言之，如树脂或硬橡胶的非导电材料用作棒状部件，并且在接触电极接合到电极垫11a之后在接触电极表面上形成导电涂层。
在图13A所示实施例中，在非导电棒状部件20接合到电极垫11a之后，通过电镀或被覆导电材料而涂敷导电涂层21。导电涂层21涂敷在棒状部件20和一部分电极垫11a的表面上。在图13B所示实例中，导电涂层21从电极垫11a延伸到布线部分。另外，在图13C所示实例中，在棒状部件20弯曲之后涂敷导电涂层21。
图14示出在由导电棒状部件形成的接触电极10的接合部分(根部)上设置树脂以加强接合部分的实例。由于当与待测物体接触时在接触电极10的根部产生应力集中，因此，在接触电极10的根部设置由树脂或橡胶等制成的部件22，以防止破损。
图15示出通过在接触电极10的表面上形成涂层23而对包括接触电极10根部的所有部分进行加强的实例。对于涂层23，使用镍(Ni)电镀、镍(Ni)+金(Au)电镀、镍(Ni)+铑电镀等。
图16示出在接触电极10的表面上涂敷非导电涂层24的实例。在此实例中，涂层24涂敷到接触电极的表面上，使得只有电极顶部暴露在外。当多个接触电极10以狭小间距布置时，甚至当相邻接触电极互相接触时，能够防止电气短路。另外，即使在接触电极之间捕捉到导电性外部物质时，也能够防止接触电极之间的电气短路。
为了只暴露如图16所示的接触电极的顶部，在拉伸断裂之前把涂层24涂敷到接触电极的表面上。然后，在棒状部件中制作切口之后通过拉伸而使棒状部件断裂，拉伸出的部分暴露在外，如图17A所示。而且，如图17B所示，通过在断裂之后用软材料板25覆盖在棒状部件的顶部，然后通过把涂层24涂敷到接触电极的表面，在移走材料25时就暴露出接触电极的顶部。而且，一部分涂层24可事先熔化并移走。
图18A-18D示出只在一部分接触电极10上形成非导电突起26的实例。突起26由诸如树脂和橡胶的非导电材料制成，并为防止相邻接触电极10相互接触而设置。在图18A所示的实例中，突起26设置在每个接触电极10的弯曲方向的两侧。在图18B所示的实例中，突起26设置在每个接触电极10的弯曲方向的一侧。在图18C所示的实例中，突起26设置在每隔一个接触电极10的弯曲方向的两侧。在图18D所示的实例中，突起26设置在每个接触电极10的弯曲部分。
图19A和图19B示出通过在棒状部件上设置凹口而把接触电极弯曲成既定形状的实例。如图19A所示，在接触电极10被弯曲之前在将要弯曲的一部分棒状部件的内侧制作小切口或凹口27。随后，通过用按压夹具3按压接触电极的顶部，棒状部件容易在制作切口或凹口27的位置上弯曲。
如图20A所示，有可能在棒状部件因拉伸而断裂之前设置凹口27。换句话说，如图20A所示，在变成顶部斜面10a的部分上设置深凹口，而其它凹口则制作得较浅。然后，如图20B所示，设置深凹口的部分因拉伸而断裂，随后，如图20C所示，通过用按压夹具3按压棒状部件的切割部分，设置浅凹口的部分被弯曲。通过改变凹口27的位置，能够形成可在任意位置弯曲的接触电极10。
图21A和图21B示出通过使用设置有凹入部分的按压夹具3而弯曲接触电极10的实例。按压夹具3形成有凹入部分3b，接触电极10的顶部(在弯曲之前)与凹入部分3b相适应。在凹入部分3b的开口部分设置斜面3c，并且接触电极10随着斜面3c相应弯曲。换句话说，如图21B所示，设置斜面3c是为了当接触电极10的顶部嵌入到凹入部分3b中时防止接触电极10弯曲。而且，借助斜面3c的导向效果，每个接触电极10的顶部可容易地嵌入到凹入部分3b中。另外，通过在使用凹入部分3b的时候限制接触电极10顶部的位置，可以对接触电极10顶部进行高精度的定位。
应指出，图21B所示的接触电极10顶部随着凹入部分3b的形状而相应地变形。通过这样做，接触电极10顶部的形状可转变成一致的形状。
而且，如图22所示，不仅在正交(垂直)方向上而且在水平方向上使按压夹具3位移偏距D，能够改变接触电极的根部和顶部在水平方向上的相对位置。
如果接触电极10的根部和顶部在水平方向上的位置不同，当与待接触物体(半导体器件的电极)接触的接触电极10顶部被压下时，接触部分沿着摆动路径运动，并因而实现摩擦运动。换句话说，接触电极10位移，同时其顶部与待接触物体接触。通过这样做，能够获得良好的接触。而且，通过沿水平方向位移按压夹具3A，能够在需要的方向上更精确地弯曲接触电极10。
图23示出接触电极10顶部随着图21B所示凹入部分3b的形状而相应地变形的实例。在图23所示实例中，在弯曲之前，接触电极10(棒状部件)的顶部偏离中心，并且斜靠在凹入部分的一侧。在弯曲之后，接触电极10的顶部变形成其尖顶位于中心的形状。
图24A-24D示出说明为加强棒状部件而涂敷涂层的工艺的视图。如图24A所示，在基片上接合棒状部件，以便在弯曲之前形成接触电极10。接着，如图24B所示，在弯曲之前，在接触电极上涂敷加强涂层27。加强涂层27的厚度(强度)不致于抑制接触电极的弯曲/变形。然后，如图24C所示，使用按压夹具3弯曲接触电极。在接触电极10被完全弯曲之后，为了满足作为接触电极的要求，在接触电极上涂敷额外的加强涂层28。
额外的加强涂层28是由导电材料如金属电镀层制成的涂层。通过涂敷额外的加强涂层28，接触电极10的强度得到增加，并且弹簧常数变化。而且，额外的加强涂层28具有提高耐腐蚀性和增加对待接触物体的可接触性的作用。
图25A和图25B示出加工接触电极10的顶部的实例。图25A示出在接触电极10顶部设置与待接触物体具有良好可接触性的末端部件30的实例。例如，如果待接触物体(LSI接线端)的材料是焊锡并且棒状部件由金制成，就可形成焊锡与金的合金(AuSn)。此种合金会污染探针并粘附在LSI的焊锡上，因而产生诸如降低锡焊能力等的问题。考虑到以上因素，例如，当接触电极要与焊锡接触时，至少探针的顶部电镀/粘附铂基金属如铑、钯和铂，这些金属与锡形成合金的可能性更小，从而防止合金化。
图25B示出在接触电极10的顶部设置末端部件31的实例，其中，末端部件31的形状通过与待接触物体如突出电极一致，而可以获得与待接触物体的良好可接触性。例如，如果待接触物体是焊锡块，那么，用更宽的平面来容纳焊锡块就更好。在此情况下，如图25B所示，随后可连接铂基金属的板状部件。
图26A和图26B示出接触电极10的顶部被激光束加工成更适于接触的形状的实例。换言之，通过在接触电极10弯曲之后用激光束照射接触电极10的顶部(参见图26A)，熔化顶部，调整顶部的形状(参见图26B)，并且提高诸如硬度等的特性。因而，接触电极10顶部的斜面10a可专用于多个接触电极的同时弯曲，并且在弯曲之后顶部可变换成适用于待接触物体的材料和形状。还能够使用喷砂处理等，以使接触电极的表面局部硬化。
而且，根据激光照射的角度和位置，被照射物体局部地再熔化，因而顶部在硬化后的尺寸不同于激光照射之前的尺寸。为了利用此尺寸变化的优点，激光束可照射到接触电极的一部分上，以使相关部分变形并执行顶部的位置纠正。换言之，如图27A所示，当激光束只照射到接触电极10的弯曲部分时，弯曲部分的弯曲角发生变化，因而顶部适当地定位于图27B所示位置。
以下描述根据本发明的第二实施例。
图28是根据本发明的第二实施例的透视图。在区域阵列型半导体器件的测试中使用根据本发明的接触器，其中，所述半导体器件具有以狭小间距设置的多个电极。因而，多个接触电极40以矩阵形式布置在接触器基片41上。在根据本发明的第二实施例中的接触电极40采用引线接合技术形成。
换言之，在接合之前对引线制作切口，然后通过把引线接合到接触器基片(布线基片)并通过牵引，在切割部分上产生拉伸断裂。后来，通过按压保留在引线顶部的切割部分的斜面，引线可容易地根据斜面的角度相应地弯曲。
在日本专利特开平专利申请号2001-118876中公开在接合引线中制作切口并且切口接线端用于LSI封装的实例。此专利描述使用切口引线作为LSI封装，但它未公开如本发明所述的探针(接触电极)的特征。本发明涉及作为接触器所必需的功能，如切割面的形状、利用切割面形状而执行的弯曲、有意提供摩擦动作等，因而，本发明的目的和特征不同于上述专利申请。
日本专利特开平专利申请号9-505439公开一种切割由引线接合形成的引线探针的末端的技术。然而，此技术的特征在于，引线在接合到基片之后被弯曲，随后，通过用切割机构切割引线而形成探针的顶部。在此方法中，缺点例如为A)每根引线必须单独弯曲和B)此方法不能采纳狭小间距等等。而且，根据弯曲回路，接合头(毛细管)有可能干扰相邻引脚。进一步地，由于引线切割的位置是基片的连接位置(最终的针尖位置)，因此，切割机构不可避免地干扰已形成的相邻引脚。
如上所述，根据本发明，多个探针可以容易地同时弯曲，因为在顶部设置斜面和在探针上设置切口。而且，通过在引线连接之前设置切口，可以形成以狭小间距布置的多个接触电极。关于此点，本发明明显地不同于上述专利申请中所提及的技术。
图29A-29D是说明形成接触电极40的工艺的视图。如图29A所示，圆柱金属引线42接合到接触器基片41并在接触器基片41上垂直地立起。此工艺通过应用图30A-30D所示的标准引线接合技术而执行本工艺。金属引线42可由金或通常用于标准引线接合技术中的任意金合金制成。金属引线42可由铂基金属形成，铂基金属例如为钯、铂和铑或前述金属占主要比例的合金。金属引线42一般接合在电极垫上，此电极垫在接触器基片41上形成但省略电极垫的图解表示。
然后，如图29B所示，按压夹具43压向金属引线42的顶部；如图29C所示，金属引线42被压弯并因而弯曲。最终，如图29D所示，形成弯曲的接触电极40。
图30A-30D是说明把金属引线42接合到接触器基片上的工艺的视图。首先，如图30A所示，预定长度的金属引线42从引线接合设备的毛细管43放出，通过在距金属引线42末端预定距离的位置上按压切割工具(切割机)44而在相关位置上形成切口42a。此时，在切割工具44的相反一侧上设置接收夹具45，以避免金属引线42变形。在金属引线的末端形成球。
接着，如图30B所示，毛细管43下降以便把金属引线42的球接合到接触器基片41的电极垫(未示出)。随后，如图30C所示，毛细管43升起并位移到切口42a以上。如图30D所示，通过用毛细管43牵引金属引线42，金属引线42在凹口42被切割(断裂)。通过这样做，金属引线42具有通过用切割工具44切割出的切口42a形成的斜面，并且断裂表面接合到接触器基片41的电极垫。
图31A和图31B为通过上述工艺形成金属引线42的视图，其中，图31A示出侧视图，图31B示出金属引线42顶部的放大视图。如图31B所示，采用图30A-30D所示工艺形成的金属引线42的顶部包括用切割工具44切割出的切口42a形成的斜面42b和通过沿向上方向牵引金属引线形成的断裂面42c。
根据本发明，金属引线42配置有断裂面42c，然而，如图32A和32B所示，能够用切割工具44A在金属引线的两侧形成多个切口。这需要专门的配置，以便确定金属引线42A的弯曲方向，这在以后描述。
图33A-33D为描述在接触器基片41上形成多个金属引线42的工艺的视图。如图33A所示，在金属引线42接合到接触器基片41(电极垫，未示出)之前，用切割工具44对金属引线42制作切口42a。然后，如图33B所示，金属引线逐个地接合到布线基片上，并且如图33C所示，切口42a以上的部分用毛细管43牵引。最后，如图33D所示，通过断裂而形成金属引线42。因而，在接触器基片41上多个金属引线42互相对齐。
当如图34A所示在接触器基片41上形成多个金属引线42并且在每根金属引线接合到接触器基片41之后用切割工具44形成切口42a时，切割工具44会干扰前面形成的金属引线42，如图34B所示。这在以狭小间距布置金属引线42时变成严重的问题。然而，根据本实施例在把金属引线42接合到基片41之前形成切口42a，就不必使切割工具靠近先前形成的金属引线，因而能以狭小间距布置多根金属引线，不会出现上述问题。
图35A和图35B是说明如上所述形成的金属引线42弯曲的视图。如图35A所示，由切割工具44切割出的切口形成的斜面42b的角度设为θ。金属引线42通过弯曲而变形，以便具有弯曲角α。此时，为了弯曲金属引线42以使顶部的斜面42b为水平，弯曲角α设为(90-α)。
以下结合附图描述根据本实施例的接触电极40的变型。应指出，以下在与本发明第一实施例的变型相似的情况中，省略对变型的详细描述。
图36示出多个接触电极40，其表面被导电涂层46覆盖。换言之，导电涂层46通过电镀或被覆而涂敷到金属引线42的表面上。通过把导电涂层46涂敷到金属引线42的表面上，能够改变金属引线42的强度或弹性，并且提高相对于待接触物体的接触特性。
图37示出在接触器基片41上设置表面保护层47以保护和加强接触电极的接合部分(根部)的视图。表面保护层47通过被覆或表面处理形成。
图38示出对每个接触电极40设置突起部分48的实例。突起部分48由绝缘材料制成，并且防止因相邻接触电极互相接触而引起的短路。突起部分48可设置在每个接触电极的一侧，或者可设置在每隔一个接触电极的两侧。
图39A-39C示出说明通过事先在金属引线42上形成小切口42d而在小切口42d位置上使金属引线42变弯曲的工艺的视图。换言之，如图39A所示，事先在金属引线42上用切割工具49形成小切口42d。接着，如图39B所示，金属引线42的顶部被按压夹具43压下。然后，金属引线42在小切口42d位置变形和弯曲，同时切口42d位于向内弯曲部分。
图40A-40C示出在图39A-39C所示工艺中设置两个切口42d的实例。在此情况下，金属引线42在两个位置上变弯曲，使接触电极40形成得具有更复杂的弯曲形状。应指出，切口42d的数量不限制在一个或两个，而可以是任意数量，从而把接触电极40弯曲成任意形状。
图41示出在按压夹具43上设置凹入部分43a的实例。凹入部分43a根据待测物体(半导体器件)50的接线端位置而相应设置。在凹入部分43a的开口部分设置斜面，以便有助于金属引线42的顶部插入到凹入部分43a中。因而，即使在金属引线42顶部被压下时有一些变化，每个金属引线42的顶部也可进入相应的凹入部分43a中，如图42所示。接着，金属引线42被按压夹具43压下，并且弯曲成如图43所示形状。如上所述形成的接触电极40可以精确地对准待测物体(半导体器件)50的相应电极50a，如图44所示。
图45A-45C示出接触电极的顶部执行摆动的实例。如图45A所示，接触电极40A顶部的水平位置偏离接触电极40A接合部分(根部)的水平位置，偏距为D。当压力(接触力)作用到具有图45B所示形状的接触电极40A的顶部时，顶部执行图45C所示的摆动。例如，摆动用于破坏在待接触物体表面上形成的自然氧化膜，并且实现与待接触材料的良好接触。
图46A-46C示出接触电极高度不同时的实例。即使接触电极的高度变化时，如图46A所示，通过用如图46B所示的按压夹具43进行按压，这些差异可得到调整，并且高度变得一致，如图46C所示。
图47A-47C示出在接触电极被弯曲之前和之后对接触电极执行表面处理的实例。换言之，如图47A所示，其厚度不致于抑制弯曲的加强涂层51在金属引线42弯曲之前涂敷到金属引线42上，然后，金属引线42按图47B所示弯曲。在弯曲之后，如图47C所示，在加强涂层51上设置额外的加强涂层52，以便对接触电极提供适当的强度和弹性。
图48A和图48B是说明通过在接触电极40一部分上照射激光束而改变弯曲度的工艺的视图。顶部位置被纠正为图48B所示形状。而且，图49示出通过在接触电极40顶部上照射激光束而改变接触电极顶部形状的实例。进而，图50示出在金属引线42弯曲之后执行热处理的实例。弯曲的金属引线42放置在热处理炉53内，可以消除在弯曲时产生的残余应力等。
以下结合附图描述上述实施例的应用。
图51示出根据本发明的金属引线形成方法应用到半导体器件电极垫的工艺。换句话说，金属引线在半导体器件的电极上形成，以形成接线端。能够容易形成具有一定高度的半导体器件接线端。
图52示出用线性膨胀系数与待测物体50相同的材料形成接触器基片41的实例。通过这样做，即使在如烧烙老化试验的过热场合执行测试的情况下，也可防止接触器基片41上的接触电极40与待测物体的电极50的错位。换言之，由于接触器基片41和待测物体以相同的线性膨胀系数膨胀，因此接触电极40和电极50a移动相同的距离。
图53示出测试设备(多探针检验台)用于弯曲金属引线的实例。换言之，在测试设备的夹盘顶面54上设置高硬度板55，并且，接触器基片41装到探针板56上。通过垂直运动夹盘顶面54，金属引线42的顶部压向夹盘顶面54并因而弯曲。简短地说，利用现有的测试设备(多探针检验台)形成弯曲机构。
图54示出根据本发明的接触器用于测试具有扁平电极的电子元件如LSI等的实例。进一步地，图55示出根据本发明的接触器用于测试晶片级CSP的实例，其中，晶片具有凸块等。
图56示出使用本发明接触电极作为接触端子的半导体器件测试插座57的侧视图。半导体器件测试插座57包括容纳本发明接触电极的插座体58以及由插座体58可旋转支撑的压盖59。按压部分61安装在压盖59上以便按压布置在插座内的半导体器件60。当半导体器件60被按压部分61压下时，半导体器件60的突出电极60a与相应的接触电极40接触。从接触接触电极40的弹性获得接触压力。
以上实施例中的接触电极用于测试半导体器件的电子元件，但由于接触电极能以狭小间距布置，因此它们适合于测试其电极以狭小间距布置的LSI等。另外，由于可同时形成多个接触电极，并且由于多个接触电极可形成为具有相对较小弹簧常数的接触电极，因此，它们适合于测试晶片级的半导体器件。
进而，当使用上述根据本发明的接触器时，优选在接触器和待测物体(半导体器件的电极等)之间进行接触之前，通过活化处理除去附着在待测物体的接触部分(电极)上的还原物质或有机物质。因而，不需执行摩擦运动，并且即使用较小的接触压力也可实现足够的电接触。
例如，通过涂敷诸如金的导电材料涂层，其中金比待接触物体的接触部分更不易氧化，就不需执行摩擦运动，并且即使用较小的接触压力也可实现足够的电接触。在测试之后可剥除导电材料涂层。
以下描述根据第一实施例和第二实施例的接触电极的变型。图57为接触电极10A的侧视图，其中，接触电极10A是上述第一实施例的变型。而且，图58是接触电极10A的透视图，而图59是接触电极10A的顶部的放大视图。接触电极10A的顶部形成有两个斜面10Aa和10Ab。如图59所示，两个斜面10Aa和10Ab相交的边缘线(峰线)偏离接触电极10A的中心。因此，两个斜面10Aa和10Ab具有不同的尺寸。
图60示出图57所示接触电极10A的切割工艺中的一个实例。如图60所示，通过用一对具有倾斜切割边缘的切割工具13B从接触电极10A的两侧对形成接触电极10A的棒状部件制作切口，切断接触电极10A。此时，通过使一个切割工具的切口比另一个切割工具的切口更大，在接触电极10A顶部上两个斜面10Aa和10Ab相交的边缘线偏离接触电极10A的中心。因此，两个斜面10Aa和10Ab尺寸不同。
图61示出图57所示接触电极10A的切割工艺中的另一个实例。切割工具13C和切割工具13D具有不同的切割边缘角。换言之，切割工具13C的切割边缘角比切割工具13D的小。因而，当使用切割工具13C和13D从棒状部件的两侧制作切口时，切割工具13C对棒状部件切割得更深。因此，接触电极10A形成有两个斜面并被切断，其中，两个斜面相交的边缘线偏离中心。
图62A和图62B示出说明具有上述顶部的接触电极10A的弯曲工艺的视图。如图62A所示，当按压夹具3压向接触电极10A的顶部时，接触电极10A沿着尺寸更大的斜面10Aa的方向被压弯和弯曲，以便符合按压夹具3的按压平面运动，如图62B所示。
应指出，以上变型是结合本发明第一实施例进行描述的，但显然，它可应用于根据本发明的第二实施例中并因此忽略对它的描述，在本发明第二实施例中，接触电极由金属引线形成。
以上接触器被描述成主要用于测试半导体器件，然而，它并不局限于测试应用，它也可用于接触器与半永久电子元件接线端接触的应用中。
进一步地，本发明并不局限于上述实施例中，只要不偏离本发明的范围就可作改变和变更。
本专利申请基于2002年4月1日提交的日本优先权申请号2002-099133，其全部内容在此引作参考。
权利要求
1.一种接触器，包括布线基片；以及在所述布线基片上形成的多个接触电极，其中，所述多个接触电极中每一个都是其一端接合到所述布线基片的棒状部件；所述多个接触电极中每一个的另一端至少有两个斜面；以及由所述至少两个斜面形成的顶部偏离所述棒状部件横截面的中心。
2.如权利要求1所述的接触器，其中，在所述多个接触电极中每一个的另一端上的所述至少两个斜面包括由切口形成的切割面和由拉伸断裂形成的断裂面。
3.如权利要求1所述的接触器，其中，所述多个接触电极中每一个都是弯曲的棒状部件。
4.如权利要求2所述的接触器，其中，所述多个接触电极中每一个的所述断裂面都是最远离接合到所述布线基片的所述一端的部分。
5.如权利要求1所述的接触器，其中，所述多个接触电极中每一个的所述至少两个斜面相对于所述布线基片的表面倾斜预定的角度。
6.如权利要求1所述的接触器，其中，所述棒状部件是非导电部件，并在所述棒状部件的表面上形成导电涂层。
7.如权利要求1所述的接触器，其中，所述棒状部件是导电部件。
8.如权利要求7所述的接触器，其中，所述导电部件是金属引线。
9.如权利要求8所述的接触器，其中，所述金属引线由金或金合金制成。
10.如权利要求8所述的接触器，其中，所述金属引线由铂基金属或铂基金属合金制成。
11.如权利要求7所述的接触器，其中，在所述导电部件上形成导电涂层。
12.如权利要求11所述的接触器，其中，所述导电涂层形成得用于加强所述多个接触电极中每一个的强度。
13.如权利要求11所述的接触器，其中，所述导电涂层形成得用于加强所述多个接触电极中每一个的弹性。
14.如权利要求1所述的接触器，其中，除了所述多个接触电极中每一个的顶部以外，所述多个接触电极中每一个的外围表面都用绝缘涂层覆盖。
15.如权利要求1所述的接触器，其中，在所述多个接触电极中每一个的接合部分和所述布线基片上设置加强涂层。
16.如权利要求1所述的接触器，其中，在所述多个接触电极中每一个的外围表面上设置用于防腐或抗氧化的涂层。
17.如权利要求1所述的接触器，其中，在所述多个接触电极中每一个的一部分上形成绝缘突起部件。
18.如权利要求1所述的接触器，其中，所述多个接触电极中每一个的所述另一端的位置和接合到所述布线基片的所述一端的位置位于与所述布线基片表面垂直的直线上。
19.如权利要求1所述的接触器，其中，所述多个接触电极中每一个的所述另一端的位置沿着与所述布线基片表面平行的方向，相对于接合到所述布线基片的所述一端的位置位移预定距离。
20.如权利要求1所述的接触器，其中，在所述多个接触电极中每一个的顶部设置与待接触物体具有良好可接触性的部件。
21.如权利要求1所述的接触器，其中，形成所述布线基片的材料的线性膨胀系数与形成待测物体的材料的线性膨胀系数相同。
22.一种用于制造接触器的方法，所述方法包括以下步骤把多个导电棒状部件中每一个的一端接合到布线基片，所述棒状部件的另一端形成有斜面；以及用按压部件的平面按压所述斜面的顶部，以便弯曲所述多个导电棒状部件，由此把所述多个导电棒状部件形成为多个接触电极。
23.如权利要求22所述的方法，进一步包括以下步骤用切割工具在连续的导电棒状部件中形成切口，其中，所述切割工具具有与所述斜面倾角相对应的角度；把设置有所述切口的所述导电棒状部件接合到所述布线基片；以及通过牵引所述连续导电棒状部件的远离所述接合端的部分，在设置所述切口的位置上拉断所述连续导电棒状部件，其中，所述接合端是指把所述连续导电棒状部件接合到所述布线基片的所述一端。
24.如权利要求23所述的方法，其中，执行所述形成切口的步骤的位置与执行所述把设有所述切口的所述导电棒状部件接合到所述布线基片的步骤的位置不同。
25.如权利要求24所述的方法，其中，通过在所述导电棒状部件的预定位置上设置比所述切口更小的切口，在用所述按压部件按压的所述步骤中，所述导电棒状部件在设置所述更小切口的所述预定位置上弯曲。
26.如权利要求22所述的方法，其中，所述多个导电棒状部件被所述按压部件压下，所述多个导电棒状部件中每一个的所述顶部插入到在所述按压部件中设置的相应凹入部分中。
27.如权利要求22所述的方法，其中，在所述多个导电棒状部件被所述按压部件弯曲之后，激光束照射到所述多个导电棒状部件的一部分上，以便改变所述多个导电棒状部件中每一个的特性或形状。
28.如权利要求22所述的方法，其中，在形成所述多个接触电极之后，对所述多个接触电极进行热处理，以便提高耐应力。
29.一种半导体器件测试插座，包括用于容纳半导体器件的插座体；用于按压容纳在所述插座体内的所述半导体器件的压盖；以及设置在所述插座体内的接触电极，用于与所述半导体器件的电极接触，其中，所述接触电极由弯曲的导电棒状部件形成，当所述电极被压向所述接触电极的一端，所述半导体器件被压下时，所述接触电极通过弹性变形而施加接触压力。
30.一种探针板，包括权利要求1中所述接触器。
31.一种执行测试的方法，该方法使用权利要求1中接触器获得待测物体的导电性。
32.如权利要求31所述的方法，其中，在所述接触器与所述待测物体接触之前，对所述待测物体的接触部分进行活化处理，以便除去附着在所述接触部分上的还原物质或有机物质。
33.如权利要求31所述的方法，其中，在所述接触器与所述待测物体接触之前，把具有更小氧化性的导电材料涂层涂敷到所述待测物体的接触部分上。
34.如权利要求33所述的方法，其中，在测试之后剥除所述涂层。
全文摘要
本发明涉及接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法，其中，接触器具有接触器基片和在接触器基片上形成的多个接触电极。通过在金属引线的接合到接触器基片的一端和另一端之间弯曲金属引线而形成每一个接触电极。由切割面形成斜面。在接触电极的顶部形成因拉伸断裂而形成的断裂面。
文档编号G01R1/073GK1449009SQ0215268
公开日2003年10月15日 申请日期2002年11月29日 优先权日2002年4月1日
发明者丸山茂幸, 渡辺直行, 田代一宏, 小桥直人, 井川治, 藤沢哲也 申请人:富士通株式会社