专利名称：监测晶片传送精确度的方法、装置及使用该装置的机台的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种监测晶片传送精确度的方法、装置 及使用该装置的机台。
背景技术：
目前蚀刻机台的设计都是采用步进电机带动手臂运动，将待蚀刻晶片从晶片盒传 入反应室中，放置在卡盘上(如图1所示)，当传送过程精度变差时，会导致晶片在反应室中 的位置发生偏差，实验证明，当晶片在反应室中的位置发生斜跨(如图2所示)时会造成蚀 刻率大大降低，蚀刻不足等情况，影响产品良率。因此，需要一种对晶片被传送至反应室后 的位置，即传送精确度进行监测的方法和装置。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷和不足，本发明的目的是提出一种监测晶片传送精确 度的方法和装置，能在晶片未被准确传送至反应室中正确位置时发出警报。为了达到上述目的，本发明提出了一种监测晶片传送精确度的方法，包括步骤1 测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；步骤2 将所述电压信号的值与预定值进行比较；步骤3 当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。本发明还提出一种监测晶片传送精确度的装置，包括信号采集模块，用于测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压 信号的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。本发明还提出一种机台，所述机台包括监测晶片传送精确度的装置，所述装置包 括信号采集模块，用于测量并采集所述机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压 信号的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。本发明提出的监测晶片传送精确度的方法和装置，是利用了经过实验观察得出的 晶片在反应室中位置正常及出现偏差时反应终点侦测器采集到的电压信号会有明显差异 的特性，通过比较电子过载保护板上的电压信号与预定值来判断晶片是否被准确传送至反 应室中，降低了蚀刻不足、蚀刻率低的风险。下面结合附图，对本发明的具体实施方式
作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显 而易见。
图1为在真空反应室中晶片准确放置的位置示意图；图2为在真空反应室中晶片未准确放置的位置示意图；图3为本发明提出的监测晶片传送精确度方法的流程示意图；图4为本发明提出的监测晶片传送精确度装置的结构示意图。
具体实施例方式经过实验发现，晶片在反应室中位置准确及出现偏差时反应终点侦测器采集到的 电压信号会有明显差异。基于此，本发明提出的监测晶片传送精确度方法的优选实施例如图3所示，当晶 片被传送至反应室中进行蚀刻反应后步骤1 测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；步骤2 将所述电压信号的值与预定值进行比较；该预定值可以是晶片正确放置 在反应室中时测得的蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号。步骤3 当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。终点侦测电路板是与反应终点侦测器连接的，用于将反应终端侦测器采集到的电 压信号输出。本发明还提出一种监测晶片传送精确度的装置，如图4所示，包括信号采集模块101，用于测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块101相连的比较模块102，用于将所述信号采集模块测量的 所述电压信号的值与预定值进行比较；与所述比较模块102相连的报警模块103，用于当所述电压信号的值比预定值低 时，发出警报。本发明还提出一种机台，所述机台包括监测晶片传送精确度的装置，所述装置包 括信号采集模块，用于测量并采集所述机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压 信号的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。虽然，本发明已通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离本发明精神 及其实质的情况下，所属技术领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的变化和修 正，但这些相应的变化和修正都应属于本发明的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种监测晶片传送精确度的方法，其特征在于，包括 步骤1 测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号； 步骤2 将所述电压信号的值与预定值进行比较；步骤3 当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。
2.一种监测晶片传送精确度的装置，其特征在于，包括信号采集模块，用于测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号； 与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压信号 的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。
3.一种机台，其特征在于，所述机台包括监测晶片传送精确度的装置，所述装置包括 信号采集模块，用于测量并采集所述机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压信号 的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。
全文摘要
本发明涉及监测晶片传送精确度的方法、装置和使用该装置的机台，方法包括步骤1测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；步骤2将所述电压信号的值与预定值进行比较；步骤3当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。装置包括信号采集模块，用于测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压信号的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。本发明通过比较终点侦测电路板上的电压信号与预定值来判断晶片是否被准确传送至反应室中，降低了蚀刻率的风险。
文档编号G01R19/165GK102103981SQ20091025277
公开日2011年6月22日 申请日期2009年12月16日 优先权日2009年12月16日
发明者谭佳佳, 闫世博 申请人:和舰科技(苏州)有限公司