高灵敏流体介质电容传感探头的制作方法

文档序号:6194309阅读:361来源:国知局
高灵敏流体介质电容传感探头的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供的高灵敏流体介质电容传感探头,构成电容全桥感应电路的一流体传感电容,包括作为流体传感电容接地电极的安装主体,安装主体由同一金属制的基体和封闭帽组成,基体与流体容腔的安装开口密封配合,由封闭帽紧固封装,作为流体传感电容另一电极的两介电感应极板平行且以基体中心中心对称探出基体安装孔、与安装孔绝缘密封固定,介电感应极板引线并联引出封闭帽。本技术方案提高了传感灵敏度,并具有组装集成度高、体积小、携带和与外电路接口连接,易于电路组合的技术优点。
【专利说明】局灵敏流体介质电容传感?米头
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及的是检测流体介质中液态杂质含量的液态介质杂质检测用电容传感探头。
【背景技术】 [0002]以输油管道的油介质含水检测应用为例,现有的电容传感探头普遍存在结构复杂、安装设置和调试困难等技术问题,中国专利CN101050701公开的电容油介质传感器,采用探测极板流体介质非接触结构构造,探头中集中了变送电路,它存在感应灵敏度难以满足使用需求、抗干扰能力弱,且变送电路部分置于传感探头内,造成装置体积大,感应信号输出易受干扰的技术问题,同样给安装和调试带来相当的技术困难。

【发明内容】

[0003]本实用新型的发明目的在于提供一种检测精确度高、易于与被测管路等流体容腔组合安装和产品调试的高灵敏流体介质电容传感探头。本实用新型提供的高灵敏流体介质电容传感探头技术方案,其主要技术内容是:一种高灵敏流体介质电容传感探头,本探头构成电容全桥感应电路的一流体传感电容,包括作为流体传感电容接地电极的安装主体,安装主体由同一金属制的基体和封闭帽组成,基体与流体容腔的安装开口密封配合,由封闭帽紧固封装,作为流体传感电容另一电极的两介电感应极板平行且以基体中心中心对称探出基体安装孔、与安装孔绝缘密封固定,介电感应极板引线并联引出封闭帽。
[0004]本实用新型公开的高灵敏流体介质电容传感探头技术方案,采用介电感应极板介入流体介质的传感变送构成,大大提高了其传感灵敏度,它具有组装集成度高、体积小、携带和与外电路接口连接,易于电路组合的技术优点。
【专利附图】

【附图说明】
[0005]图1是本实用新型的总装剖视图。
[0006]图2是连接应用有本实用新型的变送原理图。
[0007]图3是图1的A-A剖视结构图。
【具体实施方式】
[0008]本实用新型公开的高灵敏流体介质电容传感探头,本探头构成了图2所示的电容全桥感应电路一桥臂的一流体传感电容C4,两参考电容C2、C3构成电容全桥感应电路的基准半桥,其并联的一端为电源连接端,可变电容Cl与流体传感电容C4构成电容全桥感应电路的感应半桥,两电容C1、C4的并联端接地,两参考电容C2、C3的另一端分别与流体传感电容C4和可变电容Cl并联,引出作为输入至变送芯片9的变送信号输入端。将本高灵敏流体介质电容传感探头按基准介质检测要求平衡调零电容全桥感应电路,本高灵敏流体介质电容传感探头应用于实际流体介质检测中,其产生的与被测流体杂质信息呈线性关系的失衡信号,经变送芯片变送输出分析处理。
[0009]所述流体传感电容C4的介电感应极板1、4平行设置于高灵敏流体介质电容传感探头内。
[0010]图1所示的是本实用新型提供的高灵敏流体介质电容传感探头的一具体实施结构。本探头包括作为所述流体传感电容C4接地电极的安装主体,安装主体由同一金属制的基体2和封闭帽3组成,基体2与流体容腔5的安装开口 6密封配合,经螺栓10将封闭帽
3、基体2和容器安装座6紧固联接封装,构成相对于介电感应极板1、4的接地电极。所述的介电感应极板1、4平行,并以基体2的中心为中心对称、探出固定在基体2的安装孔,两介电感应极板1、4与基体2的安装孔之间均匀填充有绝缘、耐腐蚀、耐高温材料层7,两介电感应极板1、4的引线8引出封帽3连接至电容全桥感应电路的一桥臂上,电容全桥感应电路的变送信号连接至变送芯片9。
【权利要求】
1.一种高灵敏流体介质电容传感探头,本探头构成电容全桥感应电路的一流体传感电容(C4),包括作为流体传感电容接地电极的安装主体,安装主体由同一金属制的基体(2)和封闭帽(3)组成,基体与流体容腔的安装开口(6)密封配合,由封闭帽紧固封装,其特征在于作为流体传感电容另一电极的两介电感应极板(1、4)平行且以基体中心中心对称探出基体安装孔、与安装孔绝缘密封固定,介电感应极板引线并联引出封闭帽。
2.根据权利要求1的高灵敏流体介质电容传感探头,其特征在于流体传感电容(C4)与可变电容(Cl)构成所述电容全桥感应电路的感应半桥,两电容(Cl、C4)的两并联端接地,两参考电容(C2、C3)构成电容全桥感应电路的基准半桥,参考电容(C2、C3)的并联一端为电源连接端,两参考电容的另一端分别与流体传感电容(C4)和可变电容(Cl)并联引出至变送芯片(9)的变送信号输入端。
【文档编号】G01N27/00GK203432935SQ201320451501
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月25日 优先权日:2013年7月25日
【发明者】杨琪方, 孙莉隽 申请人:孙莉隽
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