技术总结
本发明公开了一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法。首先在高温30℃条件下进行第一次扩孔，制备出孔径为83～87nm的UTAM，随后进行在低温13℃～20℃条件下进行第二次扩孔，制备出孔径为95～97nm的UTAM，随后进行金属真空热阻沉积，并去除UTAM，最终制得“热点”尺寸小于5nm的高增强SERS活性基底。本发明提供的“热点”尺寸小于5nm的金属纳米点阵SERS基底形貌均一，结构可控，拉曼信号增强显著，增强因子可达1010，且增强信号均一稳定。本发明方法，基于UTAM表面纳米结构制备技术的优势，通过高低温阶梯扩孔，结合真空热阻沉积，可方便地实现极小热点（<5nm）尺寸的灵活调控，且制备成本低廉，便于SERS技术在检测领域的推广应用。
技术研发人员：付群;雷勇;郑贤正;吴东旭;明杰;吴明红
受保护的技术使用者：上海大学
文档号码：201510709422
技术研发日：2015.10.28
技术公布日：2017.05.10