一种场效应晶体管对管测试装置和方法与流程

本申请涉及电子元器件测试领域，具体而言，涉及一种场效应晶体管对管测试装置和方法。

背景技术：

在进行微弱差分电压信号的放大设计时，需要选用两个特性一致的结型场效应晶体管作为差分放大器的输入端器件，用以有效减小非线性失真、提高共模抑制比。

在场效应晶体管对管的量产过程中，生产厂家通常可以将它们的匹配偏差降低到10％以下。然而，对于更高的放大器设计要求，需要两个结型场效应晶体管具有更高的匹配度。在这种情况下，需要对大批量结型场效应晶体管对管进行参数测试，筛选出匹配度更高的器件。结型场效应晶体管对管参数测试过程中需要测试数十个工作点，现有的测试装置自动化程度较差，进而导致结型场效应晶体管对管的参数测试过程极其耗时。

技术实现要素：

本申请实施例的目的在于提供一种场效应晶体管对管测试装置和方法，用以解决结型场效应晶体管对管的参数测试耗时长的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种场效应晶体管对管测试装置，包括：场效应晶体管对管选择电路，与场效应晶体管对管连接；检测电路，与所述场效应晶体管对管选择电路连接；控制器，分别与所述场效应晶体管对管选择电路和所述检测电路连接，用于控制所述场效应晶体管对管选择电路与所述场效应晶体管对管其中一个场效应晶体管导通，还用于控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测。

在可选的实施方式中，所述场效应晶体管对管选择电路包括：第一继电器、第二继电器和继电器驱动器；所述继电器驱动器一端与所述控制器连接，另一端分别与所述第一继电器和所述第二继电器连接；所述第一继电器分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接；所述第二继电器分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的栅极连接。

在可选的实施方式中，所述检测电路包括：采样电阻、仪表放大器、模数转换器、数模转换器和程控电源模块；所述采样电阻一端经所述第一继电器与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接，另一端与所述程控电源模块连接；所述程控电源模块一端与所述采样电阻连接，另一端与所述控制器连接；所述仪表放大器的输入端连接在所述采样电阻两端，用于检测所述采样电阻两端的电压；所述仪表放大器的输出端经所述模数转换器与所述控制器连接；所述数模转换器连接在所述控制器与所述第二继电器之间。

在可选的实施方式中，所述装置还包括：上位机，所述上位机与所述控制器连接。

在可选的实施方式中，所述场效应晶体管对管包括两个结型场效应晶体管，两个所述结型场效应晶体管均为n沟道结型场效应晶体管或p沟道结型场效应晶体管。

通过采用本申请提供的场效应晶体管对管测试装置进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因为测试条件不同而引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，有效提高了测试速度。

第二方面，本发明实施例提供一种场效应晶体管对管测试方法，应用于场效应晶体管对管测试装置的控制器，所述控制器分别与场效应晶体管对管选择电路和检测电路连接，所述方法包括：控制所述场效应晶体管对管选择电路依次与场效应晶体管对管中的一个场效应晶体管导通，与另一个场效应晶体管断开；控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测。

在可选的实施方式中，在所述控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测之后，所述方法包括：根据检测结果，确定所述场效应晶体管对管的匹配度。

在可选的实施方式中，所述场效应晶体管对管选择电路包括：第一继电器、第二继电器和继电器驱动器；所述继电器驱动器一端与所述控制器连接，另一端分别与所述第一继电器和所述第二继电器连接；所述第一继电器分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接；所述第二继电器分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的栅极连接；控制所述场效应晶体管对管选择电路依次与场效应晶体管对管中的一个场效应晶体管导通，与另一个场效应晶体管断开，包括：控制所述继电器驱动器驱动所述第一继电器依次与一个所述场效应晶体管的漏极导通并与另一个所述场效应晶体管的漏极断开，驱动所述第二继电器依次与漏极导通的所述场效应晶体管的栅极导通并与另一个所述场效应晶体管的栅极断开。

在可选的实施方式中，所述检测电路包括：程控电源模块、数模转换器、采样电阻和仪表放大器，所述控制器分别与所述程控电源模块、所述数模转换器和所述仪表放大器连接，所述仪表放大器连接在所述采样电阻两侧，所述程控电源模块经过所述采样电阻与所述第一继电器连接，所述数模转换器与所述第二继电器连接，所述控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测，包括：控制所述程控电源模块向导通的场效应晶体管的漏极输入固定的漏源电压；控制所述数模转换器向导通的场效应晶体管的栅极输入可变的栅源电压；控制所述仪表放大器检测在不同所述栅源电压下所述采样电阻两侧的电压；根据所述采样电阻两侧的电压确定所述导通的场效应晶体管的漏源电流。

在可选的实施方式中，所述检测电路包括：程控电源模块、数模转换器、采样电阻和仪表放大器，所述控制器分别与所述程控电源模块、所述数模转换器和所述仪表放大器连接，所述仪表放大器连接在所述采样电阻两侧，所述程控电源模块经过所述采样电阻与所述第一继电器连接，所述数模转换器与所述第二继电器连接，所述控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测，包括：控制所述数模转换器向导通的场效应晶体管的栅极输入固定的栅源电压；控制所述程控电源模块向导通的场效应晶体管的漏极输入可变的漏源电压；控制所述仪表放大器检测在不同所述漏源电压下所述采样电阻两侧的电压；根据所述采样电阻两侧的电压确定所述导通的场效应晶体管的漏源电流。

通过采用本申请提供的场效应晶体管对管测试方法进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因为测试条件不同引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，有效提高了测试速度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种场效应晶体管对管测试装置的结构框图；

图2为本申请实施例提供的另一种场效应晶体管对管测试装置的结构框图；

图3为本申请实施例提供的一种场效应晶体管对管测试方法的流程图；

图4为本申请实施例提供的场效应晶体管的测试结果示意图；

图5为本申请实施例提供的场效应晶体管对管转移特性曲线示意图。

图标：100-场效应晶体管对管测试装置；101-场效应晶体管对管选择电路；102-检测电路；103-控制器；1011-第一继电器；1012-第二继电器；1013-继电器驱动器；1021-采样电阻；1022-仪表放大器；1023-模数转换器；1024-数模转换器；1025-程控电源模块；104-上位机。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

在进行微弱差分电压信号的放大设计时，需要选用两个特性一致的结型场效应晶体管组成结型场效应晶体管对管作为差分放大器的输入端器件，用以有效减小非线性失真、提高共模抑制比。

在结型场效应晶体管对管的量产中，生产厂家通常可以将它们的匹配偏差降低到10％以下。然而，对于更高的放大器设计要求，需要两个结型场效应晶体管具有更高的匹配度。在这种情况下，需要对大批量结型场效应晶体管对管进行参数测试，筛选出匹配度更高的器件。

传统的结型场效应晶体管参数测试方法只适用于单只结型场效应晶体管参数的测试，对于结型场效应晶体管对管的参数测试来说并不适用。此外，结型场效应晶体管参数测试过程中需要测试数十个工作点，现有的测试装置自动化程度较差，进而导致结型场效应晶体管的参数测试过程极其耗时。对于结型场效应晶体管对管来说，由于需要测量两个结型场效应晶体管，需要的测试时间也相应增加。

基于此，本申请实施例提供了一种场效应晶体管对管测试装置和测试方法，用以解决上述问题。

请参阅图1，为本申请实施例提供的一种场效应晶体管对管测试装置的结构框图，该场效应晶体管对管测试装置100可以包括场效应晶体管对管选择电路101、检测电路102和控制器103。场效应晶体管对管选择电路101与场效应晶体管对管连接。检测电路102与场效应晶体管对管选择电路101连接。控制器103分别与场效应晶体管对管选择电路101和检测电路102连接，场效应晶体管对管测试装置100可以对场效应晶体管对管进行参数测试。

场效应晶体管对管由集成在一个封装内的两个场效应晶体管组成。这两个场效应晶体管相互之间不连接。场效应晶体管对管对外提供6个引脚，分别对应两个场效应晶体管的漏极、栅极和源级。其中，场效应晶体管分为结型场效应晶体管和金属-氧化物半导体场效应晶体管。结型场效应晶体管还可以分为n沟道结型场效应晶体管、p沟道结型场效应晶体管，本申请对场效应晶体管对管中的场效应晶体管的类型不做限制。

控制器103分别与场效应晶体管对管选择电路101和检测电路102连接，用于控制所述场效应晶体管对管选择电路与所述场效应晶体管对管其中一个场效应晶体管导通，还用于控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测。

需要说明的是，控制器103可以为一种单片机、集成电路芯片等，具有信号处理及控制的能力。举例来说，处理器可以是通用处理器，如中央处理器(centralprocessingunit，cpu)；还可以是数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

具体地，场效应晶体管对管选择电路101可以与场效应晶体管对管连接，场效应晶体管对管选择电路101根据控制器103的控制信号，选择与场效应晶体管对管中的其中一个场效应晶体管连接，同时，与场效应晶体管对管中的另一个场效应晶体管断开。也就是说，在进行场效应晶体管对管测试时，场效应晶体管对管中的两个场效应晶体管只有一个场效应晶体管与场效应晶体管对管选择电路101连接，进而与检测电路102导通进行参数测试；另一个场效应晶体管与场效应晶体管对管选择电路101断开，不与检测电路102导通。

作为一种可选的实施方式，请参阅图2，场效应晶体管对管选择电路101可以包括：第一继电器1011、第二继电器1012和继电器驱动器1013。继电器驱动器1013一端与控制器103连接，另一端分别与第一继电器1011和第二继电器1012连接。第一继电器1011分别与场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接。第二继电器1012分别与场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的栅极连接。

具体地，为了方便说明，将场效应晶体管对管中的两个场效应晶体管称为第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。在进行场效应晶体管对管测试时，首先对第一场效应晶体管进行参数测试。此时，控制器103向继电器驱动器1013发送控制指令，控制第一继电器1011与第一场效应晶体管的漏极导通，与第二场效应晶体管的漏极断开；控制第二继电器1012与第一场效应晶体管的栅极导通，与第二场效应晶体管的栅极断开。此时，第一场效应晶体管与检测电路102导通，检测电路102对第一场效应晶体管进行参数测试。完成对第一场效应晶体管的测试后，控制器103向继电器驱动器1013发送控制指令，以同样的方式将第二场效应晶体管与检测电路102导通，并断开第一场效应晶体管与检测电路102之间的连接，对第二场效应晶体管进行参数测试。

需要说明的是，上述场效应晶体管对管选择电路101的结构仅是一种实施方式，本申请不以此为限。场效应晶体管对管选择电路101还可以为其他结构，例如，场效应晶体管对管选择电路101可以只包括第一继电器和第二继电器，控制器直接与第一继电器和第二继电器连接，实现对第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的切换；也可以在第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的漏极和栅极处分别设置切换电路，控制器控制切换电路切换不同的场效应晶体管导通，实现对不同的场效应晶体管的测试。

作为一种可选的实施方式，请继续参阅图2，检测电路102可以包括采样电阻1021、仪表放大器1022、模数转换器1023、数模转换器1024和程控电源模块1025。

采样电阻1021一端经第一继电器1011与场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接，另一端与程控电源模块1025连接。程控电源模块1025一端与采样电阻1021连接，另一端与控制器103连接。仪表放大器1022的输入端连接在采样电阻1021两端，用于检测采样电阻1021两端的电压。仪表放大器1022的输出端经与控制器103连接。数模转换器1024连接在控制器103与第二继电器1012之间。

在对场效应晶体管进行参数测试时，可以在固定漏源电压的情况下，改变栅源电压，测量不同栅源电压对应的漏源电流，得到场效应晶体管的转移特性；或是在固定栅源电压的情况下，改变漏源电压，测量不同漏源电压对应的漏源电流，得到场效应晶体管的输出特性。

在进行场效应晶体管对管测试时，控制器103控制程控电源模块1025输出电压，经过第一继电器1011的选择，输入到被测试的场效应晶体管(即与检测电路102导通的场效应晶体管)的漏极，作为被测试场效应晶体管的漏源电压。可以理解，程控电源模块1025也可以为其他电源模块，只要能根据控制器103的控制信号，调节需要的漏源电压即可，本申请对此不作限定。

控制器103向数模转换器1024发送电压信号的数字代码，数模转换器1024将数字信号转换为模拟信号作为输出电压，经过第二继电器1012的选择，输入到被测试场效应晶体管的栅极，作为被测试的场效应晶体管的栅源电压。可以理解，数模转换器1024可以为任何型号的数模转换器，只要能根据控制器103的控制信号，输出需要的漏源电压即可，本申请对此不作限定。

仪表放大器1022连接在采样电阻1021的两端，用于检测采样电阻1021两端的电压。仪表放大器1022将采集到的电压信号通过模数转换器1023转换为数字信号，输入至控制器103。采样电阻1021的阻值为已知量，根据电压和电阻的关系，控制器103可以计算得到流过采样电阻1021的电流，该电流为被测试场效应晶体管的漏源电流。需要说明的是，为了能准确测得漏源电流，仪表放大器1022需要有较高的共模电压抑制能力。

作为一种可选的实施方式，仪表放大器1022可以为ad620芯片。可以理解，仪表放大器1022也可以由电压表等其他能够测得采样电阻两端电压的电子器件替代，本申请对此不做限制。

可以理解，在进行场效应晶体管对管参数测试时，控制器103内存储有预先设定的栅极电压值、源漏电压值、测试时间、继电器切换等程序，控制器103控制模数转换器1023和程控电源模块1025输出预设的漏源电压和栅源电压，接收仪表放大器1022采集的电压值，并计算出对应的漏源电流，从而完成对场效应晶体管对管的参数测试。用户只需要预先设置好测试条件(栅极电压值、源漏电压值、测试时间、继电器切换)，本申请实施例提供的场效应晶体管对管测试装置就可以自动完成对场效应晶体管对管的参数测试。

场效应晶体管对管测试装置100还可以包括隔离器。隔离器可以设置在控制器103和任何与控制器103直接连接的电子设备之间。

作为一种可选的实施方式，隔离器可以设置在控制器103和检测电路102之间，用于减小控制器103中的数字电路对检测电路102的干扰。控制器103在运行时，内部的数字电路可能产生电磁信号，如果该电磁信号输入到检测电路102中，会对检测电路102产生电测干扰，从而影响场效应晶体管对管的测试结果。因此，在控制器103和检测电路102之间设置隔离器，可以有效减少控制器103中的数字电路对检测电路102的干扰。

进一步的，当检测电路102包括采样电阻1021、仪表放大器1022、模数转换器1023、数模转换器1024和程控电源模块1025时，隔离器可以分别设置在控制器103与仪表放大器1022、模数转换器1023、数模转换器1024和程控电源模块1025之间，以减少控制器103中的数字电路对上述电子器件的干扰。

作为一种可选的实施方式，隔离器还可以设置在控制器103和场效应晶体管对管选择电路101之间，用于减小控制器103中的数字电路对场效应晶体管对管选择电路101的干扰。

进一步的，当场效应晶体管对管选择电路101包括第一继电器1011、第二继电器1012和继电器驱动器1013时，隔离器可以设置在控制器103与继电器驱动器1013之间，以减少控制器103中的数字电路对继电器驱动器1013的干扰。

作为一种可选的实施方式，隔离器可以为hcpl-0661芯片。可以理解，隔离器也可以由其他能隔离电磁干扰的电子器件替代，本申请对此不做限制。

通过采用本申请提供的场效应晶体管对管测试装置进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因为测试条件不同而引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，大大加快了测试速度。

作为一种可选的实施方式，场效应晶体管对管测试装置100还包括上位机104。控制器103将漏源电压、栅源电压和漏源电流发送至上位机，上位机根据上述数据，绘制出场效应晶体管对管中第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的转移特性曲线和输出特性曲线。对转移特性曲线和输出特性曲线的比较，筛选出匹配度高的场效应晶体管对管。

通过对比场效应晶体管对管中的两个场效应晶体管的转移特性曲线或输出特性曲线，可以快速确定场效应晶体管对管的匹配度，极大地提高测试效率。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种场效应晶体管对管测试方法。请参照图3，图3为本申请实施例提供的一种场效应晶体管对管测试方法的流程图，本申请实施例提供的场效应晶体管对管测试方法可以通过前述场效应晶体管对管测试装置100实现，该场效应晶体管对管测试方法可以包括如下步骤：

步骤s201：控制场效应晶体管对管选择电路依次与场效应晶体管对管中的一个场效应晶体管导通，与另一个场效应晶体管断开。

步骤s202：控制检测电路对导通的场效应晶体管进行检测。

下面将结合示例对上述流程进行详细说明。

步骤s201：控制场效应晶体管对管选择电路依次与场效应晶体管对管中的一个场效应晶体管导通，与另一个场效应晶体管断开。

本申请实施例中，控制器103控制场效应晶体管对管选择电路101实现对场效应晶体管对管中的两个场效应晶体管的切换。具体地，可以通过如下步骤实现：

控制继电器驱动器1013驱动第一继电器1011依次与一个场效应晶体管的漏极导通并与另一个场效应晶体管的漏极断开，驱动第二继电器1012依次与漏极导通的场效应晶体管的栅极导通并与另一个场效应晶体管的栅极断开。

为了实现依次对场效应晶体管对管中的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管进行参数检测，控制器103向继电器驱动器1013发送控制指令，控制第一继电器1011与第一场效应晶体管的漏极导通，与第二场效应晶体管的漏极断开；控制第二继电器1012与第一场效应晶体管的栅极导通，与第二场效应晶体管的栅极断开。此时，第一场效应晶体管与检测电路102导通，检测电路102对第一场效应晶体管进行参数测试。

完成对第一场效应晶体管的测试后，控制器103向继电器驱动器1013发送控制指令，以同样的方式将第二场效应晶体管与检测电路102导通，并断开第一场效应晶体管与检测电路102之间的连接，对第二场效应晶体管进行参数测试。

步骤s202：控制检测电路对导通的场效应晶体管进行检测。

本申请实施例中，为了检测场效应晶体管的转移特性和输出特性，步骤s202可以有两种实现方式。

作为一种可选的实施方式，步骤s202可以包括以下步骤：

第一步，控制程控电源模块向导通的场效应晶体管的漏极输入固定的漏源电压。

第二步，控制数模转换器向导通的场效应晶体管的栅极输入可变的栅源电压。

第三步，控制仪表放大器检测在不同栅源电压下采样电阻两侧的电压。

第四步，根据采样电阻两侧的电压确定导通的场效应晶体管的漏源电流。

本申请实施例，通过输出固定的漏源电压uds，改变不同的栅源电压ugs，采集在不同栅源电压下场效应晶体管漏源电流ids，可以测得场效应晶体管的转移特性。举例来说，漏源电压uds固定为9v，栅源电压ugs从-1.1v至-0.1v按照0.1v的间隔连续改变，测量每个不同栅源电压ugs下漏源电流ids的值，进而画出转移特性曲线。再将漏源电压uds固定为7v、5v、3v、1v、0.8v、0.6v，重复上述步骤，画出在漏源电压uds为7v、5v、3v、1v、0.8v、0.6v情况下场效应晶体管的转移特性曲线。请参阅图4，图4为本申请实施例提供的场效应晶体管的测试结果示意图，图4中左边为场效应晶体管的转移特性曲线。

需要说明的是，上述测试条件仅为本申请实施例提供的一种测试条件，可以根据不同的测试需求，选择不同的测试条件，本申请不以此为限。

可以理解，控制程控电源模块1025、数模转换器1024和仪表放大器1022的具体方法与前述介绍程控电源模块1025、数模转换器1024和仪表放大器1022的内容相互对应，使说明书简洁，相同或相近部分可互相参照，在此不再赘述。

作为另一种可选的实施方式，步骤s202可以包括以下步骤：

第一步，控制数模转换器向导通的场效应晶体管的栅极输入固定的栅源电压；

第二步，控制程控电源模块向导通的场效应晶体管的漏极输入可变的漏源电压；

第三步，控制仪表放大器检测在不同漏源电压下采样电阻两侧的电压；

第四步，根据采样电阻两侧的电压确定导通的场效应晶体管的漏源电流。

本申请实施例，通过输出固定的栅源电压ugs，改变不同的漏源电压uds，采集在不同栅源电压下场效应晶体管漏源电流ids，可以测得场效应晶体管的输出特性。举例来说，栅源电压ugs固定为-0.1v，漏源电压uds分别取9v、7v、5v、3v、1v、0.8v、0.6v，测量在每个不同漏源电压uds下，漏源电流ids的值，进而画出输出特性曲线。再将栅源电压ugs依次固定为-1.1v至-0.1v按照0.1v的间隔连续改变，重复上述步骤，画出在固定的漏源电压uds的情况下场效应晶体管的输出特性曲线。请参阅图4，图4为本申请实施例提供的场效应晶体管的测试结果示意图，图4中右边为场效应晶体管的输出特性曲线。

需要说明的是，上述测试条件仅为本申请实施例提供的一种测试条件，可以根据不同的测试需求，选择不同的测试条件，本申请不以此为限。

可以理解，控制程控电源模块1025、数模转换器1024和仪表放大器1022的具体方法与前述介绍程控电源模块1025、数模转换器1024和仪表放大器1022的内容相互对应，使说明书简洁，相同或相近部分可互相参照，在此不再赘述。

可以理解，上述两种实施方式均是针对场效应晶体管对管中的一个场效应晶体管进行的测试方法，在对其中一个场效应晶体管完成上述测试后，切换到场效应晶体管对管中的另一个场效应晶体管，重复上述测试方式，从而得出场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的转移特性曲线和输出特性曲线。

通过采用本申请提供的场效应晶体管对管测试方法进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因为测试条件不同而引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，大大加快了测试速度。

作为一种可选的实施方式，在步骤s202之后，场效应晶体管对管测试方法还可以包括：根据检测结果，确定场效应晶体管对管的匹配度。

本申请实施例中，在得到了场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试参数后，通过比较两个场效应晶体管的测试参数，可以确定该场效应晶体管对管的匹配度。

请参阅图5，图5为本申请实施例提供的场效应晶体管对管转移特性曲线示意图。如图5所示，针对6个结型场效应晶体管对管进行了测试，每一幅图代表了一个结型场效应晶体管对管的转移特性的测量结果。其中，图例123代表该结型场效应晶体管对管的一个结型场效应晶体管，图例567代表该结型场效应晶体管对管的一个结型场效应晶体管。根据对比两个结型场效应晶体管的转移特性曲线中ids偏差最大值，便可以确定结型场效应晶体管对管的匹配度高低。

图5中1号、2号结型场效应晶体管对管的转移特性匹配程度较差，其漏源电流ids偏差最大值分别为6.51ma、4.82ma；3号、4号结型场效应晶体管对管的转移特性匹配程度一般，ids偏差最大值分别为0.19ma、1.46ma；5号、6号结型场效应晶体管对管的转移特性匹配程度最优，ids偏差最大值均小于0.05ma。

通过对比场效应晶体管对管中的两个场效应晶体管的转移特性曲线或输出特性曲线，可以快速确定场效应晶体管对管的匹配度，极大提高了测试效率。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

需要说明的是，功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-onlymemory，rom)随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。