专利名称：双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电容加速度传感器，特别是涉及一种可测量两垂直方向加速度，以单晶硅为材料制作加速度敏感元的双电极电容加速度传感器。
微机械加工的电容加速度传感器为新一代加速度传感器，其发展基础是集成电路制造技术。由于具有作为集成电路产品所具有的许多优点，这种电容加速度传感器一投入市场就受到用户欢迎，应用扩展很快，现已超出传统加速度传感器的占有范围。最典型的应用是作汽车防撞系统的触发器，其年需求量高达千万只，并且今后每年还要以很高的速率增加。
早期电容加速度传感器产品，采用双面体微机械加工技术制造硅单晶电容敏感元，由于双面体微机械加工制造过程复杂，与集成电路通用制造工艺兼容性差，因而生产成本长期居高不下，推广应用受到严重阻碍。
比较新的产品采用表面微机械加工技术制造多晶硅电容敏感元，制造工艺简化，生产成本降低。这种电容加速度传感器的敏感元，其惯性质量块为＂H＂形，＂H ＂的细长臂类似于系绳，将弹性梁固定在支撑用的衬底上。惯性质量块可在垂直系绳的平面上自由移动。一串形状大小相同的指状多晶硅条从质量块两侧伸出，为平板电容器的活动电极，另一串指状多晶硅条从衬底伸出，与上述多晶硅条相间排列，为平板电容器的固定电极。
为制作多晶硅敏感元，须在已制作电子检测电路的衬底上淀积一层比较厚的隔离氧化硅层，对氧化硅层进行掏孔加工，以形成固定柱。然后在氧化硅层上淀积一层比较厚的多晶硅，用作敏感元的结构材料。固定柱处在弹性梁和单级放大器的电路连接线上，对多晶硅进行离子注入，以增加它的导电率，进而进行光刻腐蚀加工，以形成质量块，梁，指状条，以及电极。为避免牺牲层腐蚀后质量块与衬底粘连，隔离氧化硅层的腐蚀须用一种特殊的＂born-free＂工艺。最后进行金属化和形成氧氮化硅钝化层。
可测50个重力加速度(g)的表面微机械加工的电容加速度传感器已成功地用于汽车安全气囊系统，但在性能和价格上，仍然存在不少问题。
一般说来，汽车安全气囊系统要求测量纵向和横向两个方向的加速度，表面微机械加工的电容加速度传感器只能测一个方向的加速度，为此每个系统需安装两个传感器。
在许多实际应用中需要低g的加速度传感器，用表面微机械加工技术制造低g加速度传感器存在比较多的困难。为保证低g加速度传感器具有足够高的灵敏度，惯性质量必须足够大，增大惯性质量的方法有两个，一是增大质量块的面积，二是增加质量块的厚度。前者会导致单片产率降低，生产成本提高，后者受多晶硅膜淀积技术的限制，增加的范围有限。在覆盖氧化物的硅片上淀积的多晶硅膜内存在两种不同类型的应力生长应力和热应力，这两种应力都随着膜厚增加而增加。应力过大会引起多晶硅膜破裂，甚至脱落，为避免这种情况出现，多晶硅膜的厚度一般控制在2μ之内。
实际上，表面微机械加工的电容器加速度传感器属于多晶硅传感器，在周期性的机械应力作用下，多晶硅会不断发生蠕动，产生滞后或泠工作硬化现象，致使传感器的稳定性和可靠性成为严重问题。
敏感元的粘连是表面微机械加工的电容器加速度传感器失效的主要机构。粘连失效分两种形式，即“冲洗后粘结”和“工作时粘结”。“冲洗后粘结”出现在腐蚀牺牲的隔离氧化硅层后，此时由于冲洗溶液在干燥过程中的表面张力作用，悬挂梁和质量块被拉弯触及衬底，并变成永久性粘连。“工作时粘结”出现在敏感元暴露在潮湿的环境气氛中，水汽可在敏感元和衬底间窄小的间隙中凝结成水滴，由于水滴的表面张力作用，敏感元被拉弯与衬底粘贴。
解决上述微机械加工电容加速度传感器的早期和近期产品存在的问题，正是本发明的主要宗旨。
本发明的目之一，是提出一种电容加速度传感器，其加速度敏感元的制造材料为低位错，低缺陷的单晶硅。
本发明的目之二，是提出一种电容加速度传感器，采用单面体微机械加工技术制造，以简化工艺，降低成本。
本发明的目之三，是提出一种电容加速度传感器，能测量两个垂直方向的加速度。
本发明的目之四，是提出一种电容加速度传感器，能测量低量程或超低量程的加速度。
本发明的目之五，是提出一种电容加速度传感器，其质量块，弹性梁与衬底间能有比较大的间隙，并且弹性梁有比较大的刚度，可以避免质量块，弹性梁与衬底间产生粘连。
上述目的以及其他目的可通过本发明提出的双电极单晶硅电容加速度传感器实现。双电极单晶硅电容加速度传感器的敏感元，包括一矩形惯性质量块，至少两根弹性梁，若干形状和大小相同的细长片。敏感元由部分硅外延层构成，支撑敏感元的中心下凹的台坐也由部分硅外延层构成，而硅外延层铺敷在一单晶硅衬底上。一空气隔层将敏感元与衬底分开，支撑台座与衬底之间有一氧化物隔层，起电绝缘作用。敏感元的细长片侧面用来制作横向可变电容器的活动电极，整个敏感元的底面用来制作纵向可变电容器的活动电极。横向可变电容器的固定电极由若干与衬底电绝缘但与衬底硬连接的细长片构成，纵向可变电容器的固定电极由空气隔层的底面构成。
当惯性质量块在平行于衬底面方向的外力作用下运动时，横向电容加速度传感器改变其电容值，相应于平行方向产生的加速度。当惯性质量块在垂直于衬底面方向的外力作用下运动时，纵向电容加速度传感器改变其电容值，相应于垂直方向产生的加速度。
本发明提出的双电极单晶硅电容加速度传感器的制造以多孔硅的形成，氧化和腐蚀所具有的独特性质为基础。多孔硅是一种含有大量微孔的单晶硅，是硅在浓HF中进行电化学腐蚀的产物。多孔硅的特性之一，是其形成与硅的掺杂类型和掺杂浓度有关，各种不同掺杂材料的选择性排列为n+＞p+＞p＞n。根据这种排列，多孔硅可以选择性地形成在n-型硅岛周围的p+-区，并将n-型硅岛完全包围。多孔硅的另一特性是，多孔造成极大的表面积，因而具有极强的化学反应能力。多孔硅能在比较低的温度下转变为二氧化硅，并可在稀释的硅腐蚀剂中以极高的速率从硅衬底上选择性地腐蚀掉。多孔硅在SOI(silicon oninsulator)中的应用就是基于这些特性。
下面结合实施附图详细说明本发明的结构及制作方法。
图1表示本发明提出的双电极硅电容加速度传感器的透视图。
图2表示本发明提出的双电极硅电容加速度传感器的部分切割透视图。
图3表示本发明提出的双电极硅电容加速度传感器的简化工作原理示意图。
图4至图13表示本发明提出的双电极硅电容加速度传感器各主要制造步骤部分切割透视图。
双电极单晶硅电容加速度传感器如图1，图2和图3所示。该传感器的敏感元包括一个悬空的矩形惯性质量块105，两根悬空的弹性梁104a,104b，若干悬空的细长片106。质量块由弹性梁104a,104b托起，弹性梁处于质量块105横向中心线的延长线上，分别排列于质量块105的两侧。细长片106从质量块105两相对长边伸出，与弹性梁104a,104b平行，分别排列于弹性梁104a,104b的两侧。
两弹性梁分别与两相对的中心下凹的台座110a,110b相连，台座110a,110b立于衬底101之上，通过台座110a,110b，悬空的敏感元最终由衬底101支撑。台座110a,110b与衬底101之间夹一层氧化物111，起电隔离作用。还有若干细长片107,108立于衬底101之上，这些着陆细长片与敏感元的悬空细长片106交错等间隔排列。着陆细长片107,108通过“之”形连接部与网格状矩形块112,113相连。着陆细长片107,108与衬底101之间也由氧化物层111隔开。
悬空细长片106的两相对侧面附着横向可变电容器的活动电极115，与此相对的着陆细长片107,108侧面附着横向可变电容器的固定电极116。悬空矩形质量块105和悬空细长片106的底面附着纵向可变电容器的活动电极120，与悬空矩形质量块105和悬空细长片105底面相对的衬底表面附着纵向可变电容器的固定电极119。横向可变电容器和纵向可变电容器的活动电极115,120是电相通的，这两个电极经过悬空弹性梁底面，支撑台座110a,110b的侧面和正面边缘的高浓度扩散层118与外电路相连。横向可变电容器的固定电极116通过与其相连的矩形块侧面和正面边缘的高浓度扩散层118，以及布置在矩形块正面的金属膜线条与外电路相连。纵向可变电容器的固定电极119通过衬底边框和外延层侧面高浓度扩散层118与外电路相连。
悬空质量块105，悬空弹性梁105a,104b，和悬空细长片106都是衬底101上外延层102的一部分，它们被分割开，并且底部被挖空而使其悬挂于衬底101之上。着陆台座110a,110b，矩形快112,113，着陆细长片107,108，“之”形连接部也是衬底101上外延层102的一部分，其底部的氧化物隔层111为氧化多孔硅。所有可变电容器的电极由高浓度的杂质扩散层118形成，其掺杂类型与衬底和外延层相异，以形成PN结，起电隔离作用。
活动电极115与附着着陆细长片107侧面的固定电极116组成横向可变电容器121，活动电极115与附着着陆细长片108侧面的固定电极116组成横向可变电容器122，活动电极120与附着衬底101内表面的固定电极119组成纵向可变电容器123。当传感器在图3所示水平箭头方向运动时，横向可变电容器121和122的容值向相反方向变化，以反应水平方向运动的加速度，当传感器在图3所示垂直箭头方向运动时，纵向可变电容器123的容值改变，以反应垂直方向运动的加速度。
图4至图13表示双电极单晶硅电容加速度传感器的制造工艺流程。制造步骤一如图4所示、主要是形成高浓度的扩散区。用来制造的基本材料为(100)晶向，单面抛光，电阻率2-8Ω-cm的N-型单晶硅片201。把硅片放进1100℃的氧化炉中，通湿氧90分钟，在硅片表面形成9000厚的热氧化层。对氧化后的硅片进行光刻腐蚀，在氧化层中形成扩散用的窗口，此窗口确定传感器敏感元所占硅片的范围。然后以带有扩散窗口的氧化层为掩蔽，进行两步砷扩散。第一步为砷预淀积，砷源为As2O3，炉温为480℃，淀积时间为1小时。第二步为推进扩散，炉温1225℃，时间为5小时，由此产生深4μm的N+扩散层202。
N+层也可采用离子注入的方法形成。仍以带有扩散窗口的氧化层为掩蔽进行离子注入，注入条件为气源AsH4，剂量1×1016/cm-2，能量180keV。注入后进行热退火，温度1200℃，时间4小时，气氛N2∶O2=10∶1。
制造步骤二如图5所示，在有扩散区的硅片上生长硅外延层。生长前，将硅片浸泡在稀释的HF溶液中腐蚀掉硅片上残存的氧化物。硅片入炉后，先用HCl气体腐蚀去除0.3-0.5μm-厚的硅片的表面层。外延生长条件气源SiCl4+H2，炉温1150℃，生长速率0.7-0.8μm/分钟。对外延生长时间进行控制，以获得厚5μm，电阻率2-8Ω-cm的外延层203。
制造步骤三如图6所示，主要是形成阳极氧化保护图形。当硅片浸泡在浓HF溶液，以硅片为阳极外加一电压时，在硅片表面会生成多孔硅，这种电化学反应称为阳极氧化。为在硅片表面选择性形成多孔硅，硅片表面必须形成保护图形。阳极氧化保护层必须在通电的情况下经得住HF的腐蚀。多晶硅和氮化硅的复合层可以满足这个要求，氮化硅是绝缘材料，可以阻止阳极电流通过，在无阳极电流通过的情况下，与HF接触的多晶硅是不受HF腐蚀的，因此受这种复合层保护的硅片表面不生成多孔硅。由于复合层的侧面暴露在HF溶液中，仍然存在横向腐蚀的问题，为了减少氮化硅的横向腐蚀，氮化硅必须在比较高的温度下生长，并且有比较高的硅含量，这种氮化硅称为低应力氮化硅。
为形成抗HF腐蚀的复合层204，先在硅片的外延层上淀积1500厚的Si3N4。淀积条件温度835℃，气压300m乇，配方NH3=16sccm,SiH2Cl2=64sccm。由此产生的Si3N4在49％HF中的腐蚀速率为40-50/分钟。然后淀积1μm厚的未掺杂多晶硅，淀积条件气压300m乇，温度605℃，气源SiH4，气流速率120sccm/分钟。
形成复合层保护图形采用等离子腐蚀技术，等离子腐蚀的掩蔽层用铝。铝层的形成通过溅射，溅射条件功率4.5kW，气压6m乇，追踪速度10cm/分钟。进行光刻腐蚀形成铝掩蔽图形，铝的腐蚀用铝腐蚀液，其配方为16 H3PO4∶1 HNO3∶1 Hac∶2H2O。等离子腐蚀分三步进行，先腐蚀多晶硅，腐蚀条件气源Cl2∶He=18∶40，气压425m乇，由此产生的腐蚀速率为3200/分钟。然后腐蚀Si3N4，腐蚀条件气源SF6∶He=13∶21，气压250m乇，由此产生的腐蚀速率为1100/分钟。这两步等离子腐蚀形成了复合层保护图形，即在复合层中形成了阳极氧化窗口205，随后进行的阳极氧化将被限制在窗口205内，窗口205以外的区域的外延层表面受到复合层的保护，既不发生阳极氧化，也不被电解质腐蚀。
第三步等离子腐蚀是腐蚀窗口205中的外延层。为了使N+埋层202发生阳极氧化而转变成多孔硅，阳极氧化掩蔽图形中的窗口205必须加深，穿过外延层203，直至埋层202。等离子腐蚀外延层203的条件与腐蚀多晶硅相同。由于腐蚀气体Cl2只对等离子轰击的硅才有比较高的腐蚀速率，腐蚀被严格限制在图形窗口205的深度方向，腐蚀形成的槽具有很高的纵横比。
制造步骤四如图7所示，主要是阳极氧化形成多孔硅。阳极氧化所用的反应池为双室池，池的两室由硅片隔开，室内充满HF溶液，每池通入一铂电极，与硅片背面相对的铂电极接外部直流电源的阳极，阳极电流经过HF溶液进入硅片背面，HF溶液起液体电极的作用，硅片背面不另制金属电极，阳极反应发生在硅片的正面，硅片正面面对着的铂电用作阴极。
HF溶液的配方为40％HF,10％水，和50％无水乙醇。无水乙醇的作用是降低溶液的表面张力，使反应产物H2容易排出，以改善多孔硅的表面形态。
不同掺杂类型和掺杂浓度的硅材料，其形成多孔硅所需的阳极电压，一般规律是，N+硅低于P+,N,P硅。根据这个规律，阳极电压和阳极电流分别选为4V,30mA/cm2。阳极氧化只在N+硅区发生，所产生的多孔硅平均生长速率为1.3μm/分钟。
阳极氧化时，HF溶液进入阳极氧化窗口205，与HF溶液接触的有外延层203和衬底201的N型硅和埋层202的N+硅，由于阳极电压被控制在比较低的水平，只有N+硅发生阳极反应，N型硅不发生阳极反应，因此反应只沿着N+埋层202从边缘向中心展开，待整个N+埋层202变成多孔硅206后，反应自动终止，N型硅区不生成多孔硅。
制造步骤五如图8所示，主要是形成氧化多孔硅。由于多孔硅孔隙多表面积大，其氧化速率比正常硅高20-30倍，利用这一特性，可将多孔硅转变成比较厚的氧化多孔硅。氧化分三步进行，第一步，硅片在300℃的干氧中加热1小时，以稳定多孔硅的结构，防止在随后更高温度下的热处理出现微孔崩塌。第二步，在800℃的水汽中进行氧化，控制氧化时间，使产生的氧化多孔硅207的横向宽度208大约为40μm。第三步，在1090℃的水汽中处理40分钟，以增加氧化多孔硅的密度，改善其电绝缘性能。
热氧化生成的氧化硅，其体积比原来的硅体积大，为了使多孔硅埋层氧化后不在硅片表面造成比较高的台阶影响后步工序的进行，应对其氧化后体积增加部分进行补偿。办法是控制多孔硅的孔隙率为45％，其孔隙造成的空间正好是氧化后体积增加的部分。多孔硅的孔隙率与阳极氧化条件有关，前面选用的HF溶液的浓度和阳极电流的大小，就是根据获得45％的孔隙率确定的。
在多孔硅变成氧化多孔硅后，中心下凹的支撑台座210a,210b，网格状矩形块211的底部变成电绝缘。同时在硅片表面形成了热氧化硅层209。
制造步骤六如图9所示，主要是腐蚀隐埋的多孔硅。腐蚀前要在外延层中开腐蚀多孔硅埋层的窗口212。为此先在硅片上淀积1μm厚的铝层，然后进行光刻腐蚀形成铝掩蔽图形。依次用等离子腐蚀多晶硅，Si3N4，和外延硅。腐蚀多晶硅和外延硅的气源为Cl2，腐蚀Si3N4用SF6，稀释气体都用He。
多孔硅的腐蚀用1N-NaOH溶液，腐蚀在室温下进行。在此条件下，NaOH溶液对氧化多孔硅是不腐蚀的，对硅的腐蚀微乎其微。腐蚀后，多孔硅原先所占的体积被挖空，其上部的外延层与衬底分离。记住，为形成腐蚀窗口，这部分外延层已被切割，因此在底下挖空后就形成空腔218，质量块213，弹性梁214a,214b，和细长片215。与此同时也形成了底部有氧化多孔硅夹层的细长片216,217，和“之”形连接部219。
制造步骤七如图10所示，主要是形成扩散窗口。先在硅片上淀积1μm厚的低温SiO2层，淀积条件为气压300m乇，温度450℃，气体源SiH4流量60sccm/分钟，稀释气体O2流量90sccm/分钟。然后进行光刻腐蚀形成扩散掩蔽图形。扩散区包括矩形块顶部条形区221和顶部边缘条形区220，台座210a,210b顶部边缘条形区223，硅片边框顶部边缘方块区222，所有多孔硅腐蚀槽的侧面，以及空腔218的顶面，底面，和四周围墙表面。矩形块顶面的条形扩散区221用来形成交叉布线的扩散通道。
制造步骤八如图11所示，扩散形成高浓度的表面导电层。以SiO2层为掩蔽进行硼扩散，在950℃以BN片为源进行预淀积，淀积时间25分钟，由此产生表面杂质浓度1×1019/cm3。扩散形成附着悬空细长片215侧面的电极224，附着着陆细长片213,214侧面的电极225，附着空腔218上下表面的电极226,227，台座和矩形块顶面高掺杂浓度区228,229,230,231。
制造步骤九如图12所示，为了实现交叉布线，矩形块顶面的条形扩散区229须用绝缘介质保护，为此淀积1μm厚的低温SiO2层，并进行光刻腐蚀，在矩形岛顶面条形扩散区229上形成SiO2电绝缘层232。
制造步骤十如图13所示，主要是进行布线和钝化。通过溅射在硅片顶面淀积1.2μm厚的铝层，进行光刻腐蚀，形成连线233和压焊快234,235,236。然后低温淀积1.2μm厚磷硅玻璃层，进行光刻腐蚀，形成压焊孔，至此双电极单晶硅电容加速度传感器芯片制造结束。
本发明提出一种可测两垂直方向加速度的双电极单晶硅电容加速度传感器，并且详细介绍了其制造方法。根据上面的介绍，熟悉集成电路和微机械加工的技术人员，都能对这项发明进行彻底的实施。在利用这项技术的过程中，对上述实施方案进行修改和变动是不难实现的。用不着离开本发明的精神和范围，本发明给出的原理和方法可以有其它目的的应用实施。
权利要求
1．一种双电极硅单晶电容加速度传感器，其特征为包括一硅外延片由硅单晶衬底和同质硅单晶外延层组成；一惯性质量块，为所说外延层的一部分，底部有空气层将与所说衬底隔开；至少两根弹性梁，对称托起所说质量块，为所说外延层的一部分，其底部有空气层将其与所说衬底隔开；若干第一类细长片，从所说质量块的两相对边平行伸出，分布在所说弹性梁两侧，与所说弹性梁平行，为所说外延层的一部分，底部有空气层将其与所说衬底隔开；至少两个中心区下凹的台座，支撑所说弹性梁，上部为所说外延层的一部分，底部有氧化层将其与所说衬底进行电隔离；若干第二类细长片，与所说第一类细长片平行交错间隔排列，上部为所说外延层的一部分，底部有氧化层将其与所说衬底进行电隔离；若干网格状连接部，与所说第二类细长片相连，上部为所说外延层的一部分，底部有氧化层将其与所说衬底进行电隔离；一导电层，覆盖所说质量块，弹性梁，第一类细长片的底面，覆盖所说第一类细长片，第二类细长片，台座，连接部的侧面，以及所说空气层的顶面，底面，和周围表面；以所说质量块底面为活动电极，空气隔层底面为固定电极构成纵向电容加速度传感器；以所说第一类细长片侧面为活动电极，第二类细长片侧面为固定电极构成横向电容加速度传感器。
2．根据权利要1所述双电极硅单晶电容加速度传感器，其特征为所说硅单晶衬底为轻掺杂衬底。
3．根据权利要1所述双电极硅单晶电容加速度传感器，其特征为所说硅单晶外延层为轻掺杂外延层。
4．根据权利要1所述双电极硅单晶电容加速度传感器，其特征为所说氧化层为氧化多孔硅层。
5．根据权利要1所述双电极硅单晶电容加速度传感器，其特征为所说导电层为重掺杂单晶硅层，其导电类型与所说衬底和外延层相异。
6．一种双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为a)准备轻掺杂的硅单晶衬底；b)在衬底顶部的部份区域形成与衬底掺杂类型相同的高浓度区；c)在衬底顶部形成与衬底掺杂类型相同的轻掺杂硅单晶外延层；d)在外延层上形成阳极氧化保护膜；e)在阳极氧化保护膜中形成阳极氧化槽；f)加深阳极氧化槽，使其穿过外延层并抵达高掺杂浓度埋层；g)在浓HF溶液中进行阳极氧化，将埋层选择性地转变成多孔硅；h)进行热氧化，将多孔硅层的周边部分转变成氧化多孔硅，并在硅片表面形成热二氧化硅层；i)形成多孔硅腐蚀槽，使穿过外延层，并抵达氧化多孔硅与未氧化多孔硅的分界处；j)在稀释的碱溶液中腐蚀多孔硅；k)进行光刻腐蚀，在硅片表面形成二氧化硅扩散掩蔽图形；l)进行硼扩散，在硅片表面局部区域，多孔硅腐蚀后形成的空腔上下周围表面，和多孔硅腐蚀槽侧面形成与衬底掺杂类型相异的高杂质浓度薄层；m)低温淀积二氧化硅，覆盖硅片表面；n)进行光刻腐蚀，在用于电连接的高浓度扩散层上形成电绝缘层；o)进行金属化，形成电连接线和压焊快。
7．根据权利要求6所述的双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为所说硅衬底电阻率为0.5-20Ω-cm。
8．根据权利要求6所述的双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为所说硅外延层电阻率为0.5-20Ω-cm。
9．根据权利要求6所述的双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为所说埋层方块电阻为5-20Ω-cm/□。
10．根据权利要求6所述的双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为所说高浓度表面层的表面杂质浓度1018-1020/cm3。
11．根据权利要求6所述的双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为所说阳极氧化保护膜为未掺杂多晶硅和低应力氮化硅复合层。
12．根据权利要求6所述的双电极硅单晶电容加速度传感器制造方法，其特征为所述的阳极氧化保护膜为金铬复合层。
全文摘要
一种双电极单晶硅电容加速度传感器,包括一质量块,至少两根弹性梁,若干细长片,由底部挖孔的硅外延层构成,支撑弹性梁的台座,上部由硅外延层构成,下部由氧化层将其与衬底隔开,起电绝缘作用,细长片侧面用来制作横向可变电容器的活动电极,质量块和细长片的底面用来制作纵向可变电容器的活动电极,横向可变电容器的固定电极由若干与衬底电绝缘但与衬底硬连接的细长片构成,纵向可变电容器的固定电极由衬底面构成。
文档编号G01P15/125GK1217470SQ9712162
公开日1999年5月26日 申请日期1997年11月11日 优先权日1997年11月11日
发明者涂相征, 李韫言 申请人:李韫言, 涂相征