专利名称：用于低供电电压带隙基准的psr增强电路的制作方法
技术领域：
本发明属于集成电路设计领域，用于提高带隙电压基准电压源(Bandgap Voltage Reference, BGR)的PSR能力，具体涉及一种通过电容耦合电源波动形成负反馈，以显著增强带隙电压基准的PSR的技术。
背景技术：
在基准电压源领域，BGR因具有结构简单、精度高、工艺兼容性好等特点而得到了广泛的应用。PSR是BGR的一项重要性能指标，用于表征电路抗电源干扰的能力，尤其在低供电电压的情况下，PSR性能显得尤为重要。电路的PSR能力通常用电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio, PSRR)来衡量，BGR的PSRR定义为输出基准电压变化与引起其变化的电源电压变化的比值，可以表示为
权利要求
1. 一种电路结构，包括电源的扰动会通过带隙基准电压源中的电流镜直接影响三极管的电流，造成基准输出的抖动；针对这个问题，本发明在构成电流镜的晶体管的栅极引入电源扰动负反馈，稳定带隙基准中三极管的工作电流，从而保证基准输出的稳定；具体的电路形式为带隙电压基准中的运算放大器(OPA)输出(OUT)连接到PMOS管(Mpl)的源极、PMOS管(Mp2)的漏极和栅极，PMOS管(Mpl)的漏极、栅极以及PMOS管(Mp2)的源级相连，并连接到带隙基准中的电流镜管(M1、M2、M3)的栅极，Mpl和Mp2的背栅分别连接到各自的源极，电容(Cpl)的一端连接至电源，另一端连接至带隙基准中电流镜管(M1、M2、M3)的栅极。
全文摘要
基准电压源是模拟/数模混合集成电路的基础部件，随着芯片供电电压的不断降低，电路动态范围减小，基准电压源的电源抑制能力变得尤为重要。针对这个问题，本发明公开了一种可用于低供电电压带隙基准电压源的电源抑制能力(Power Supply Rejection，PSR)增强电路，在保持低频段和高频段的电源抑制能力不变的情况下，能显著地增强中频段的电源抑制能力，并且不增加额外的功耗。本发明公开的电源抑制增强电路由两个MOS管(Mp1和Mp2)和一个电容(Cp1)组成，在任何以带隙基准为核心的基准源电路中均可使用该电路。
文档编号G05F3/26GK102375469SQ20101024898
公开日2012年3月14日 申请日期2010年8月10日 优先权日2010年8月10日
发明者张炜承, 杨方杰, 王卫华, 陈曾平, 黄小红 申请人:中国人民解放军国防科学技术大学