触控电极装置及其形成方法

文档序号:6489087阅读:177来源:国知局
触控电极装置及其形成方法
【专利摘要】本发明是关于一种触控电极装置,包含多个绝缘底座,设于基板上,每一个绝缘底座具有底切剖面,使得绝缘底座的顶部面积大于底部面积;多条第一电极列,分别设于上述绝缘底座上;及多条第二电极列,设于基板上。
【专利说明】触控电极装置及其形成方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种触控电极装置,特别是关于一种无痕化的触控电极装置。
【背景技术】
[0002]触控显示器结合感测技术及显示技术所形成的一种输入/输出装置,普遍使用于电子装置中,例如可携式及手持式电子装置。
[0003]电容式触控面板为一种常用的触控面板,其利用电容耦合效应以侦测触碰位置。当手指触碰电容式触控面板的表面时,相应位置的电容量会受到改变,因而得以侦测到触碰位置。
[0004]图1显示传统触控面板的俯视图。其中,垂直电极列11与水平电极列12形成于玻璃板的同一面,借由绝缘桥接元件13互相电性绝缘。图1所示传统触控面板的垂直电极列11与水平电极列12必须以个别步骤来形成,且垂直电极列11与水平电极列12彼此间必须留有间隙(gap),才不会造成垂直电极列11与水平电极列12之间的短路。当使用者由上俯视触控面板时,会产生视觉上的痕迹(trace)现象。
[0005]鉴于传统触控面板须使用复杂的制造工艺且具有视觉的痕迹,因此亟需提出一种新颖的触控电极装置及其形成方法,用以改善传统触控面板的缺点。

【发明内容】

[0006]本发明的目的在于,提出一种触控电极装置及其形成方法,其可使用单一步骤而全面形成触控电极,且由上俯视触控电极装置时,电极之间不会具有间隙,因而使得触控电极装置呈现视觉无痕化。
[0007]本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出触控电极装置,其包含:基板;多个绝缘底座,设于该基板上,每一个该绝缘底座具有底切剖面,使得该绝缘底座的顶部面积大于底部面积;多条第一电极列,分别设于上述绝缘底座上;及多条第二电极列,设于该基板上。
[0008]本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0009]前述的触控电极装置,其中该第一电极列及该第二电极列包含氧化铟锡(IT0)。
[0010]前述的触控电极装置,其中每一条该第一电极列呈第一方向排列且包含多个实体串接的第一电极;且每一条该第二电极列呈第二方向排列且包含多个第二电极。
[0011]前述的触控电极装置,其还包含多个导电件设于该基板与该第二电极列之间,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极。
[0012]前述的触控电极装置,其还包含多个导电件设于该第二电极列上,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极,并借由相应绝缘桥接元件与该第一电极列电性绝缘。
[0013]前述的触控电极装置,其中沿该第二方向相邻的上述第一电极的间距,以及沿该第一方向相邻的上述第二电极的间距为2(T50微米。[0014]前述的触控电极装置,其中该绝缘层包含光刻胶材料。
[0015]前述的触控电极装置,其中该绝缘底座的光折射率相同于该第一电极的光折射率。
[0016]前述的触控电极装置,其中该绝缘底座的底切角度大于95°。
[0017]前述的触控电极装置,其中该绝缘底座的顶部高于该第二电极的上表面至少20微米。
[0018]本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的形成触控电极装置的方法,该触控电极装置包含多条第一电极列及多条第二电极列,该方法包含以下步骤:形成绝缘层于基板上;图案化(patterning)该绝缘层以形成多个绝缘底座,上述绝缘底座具有上述第一电极列的图案,每一个该绝缘底座具有底切剖面,使得该绝缘底座的顶部面积大于底部面积;及形成电极层于该基板及上述绝缘底座上,因而分别形成上述第一电极列于上述绝缘底座上,且形成上述第二电极列于该基板上。
[0019]本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0020]前述形成触控电极装置的方法,其中该第一电极列及该第二电极列包含氧化铟锡(ITO)0
[0021]前述形成触控电极装置的方法,其中每一条该第一电极列呈第一方向排列且包含多个实体串接的第一电极;且每一条该第二电极列呈第二方向排列且包含多个第二电极。
[0022]前述形成触控电极装置的方法,其中于形成该绝缘层之前,还包含形成多个导电件于该基板上,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极。
[0023]前述形成触控电极装置的方法,其中于形成该电极层之后,还包含依序形成多个绝缘桥接元件及多个导电件,其中上述导电件形成于该第二电极列上,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极,并借由相应上述绝缘桥接元件与该第一电极列电性绝缘。
[0024]前述形成触控电极装置的方法,其中于形成该电极层之后,还包含沿该第二方向相邻的上述第一电极之间,以及沿该第一方向相邻的上述第二电极之间,使用激光形成20?50微米的间距。
[0025]前述形成触控电极装置的方法,其中该绝缘层包含光刻胶材料。
[0026]前述形成触控电极装置的方法,其中该绝缘底座的光折射率相同于该第一电极的光折射率。
[0027]前述形成触控电极装置的方法,其中该绝缘底座的底切角度大于95°。
[0028]前述形成触控电极装置的方法,其中该电极层是以溅镀制造工艺形成。
[0029]本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明触控电极装置及其形成方法可达到相当的技术进步性及实用性,并具有产业上的广泛利用价值,其至少具有下列优点:可使用单一步骤而全面形成触控电极,且由上俯视触控电极装置时,电极之间不会具有间隙,因而使得触控电极装置呈现视觉无痕化。
[0030]上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。【专利附图】

【附图说明】
[0031]图1显示传统触控面板的俯视图。
[0032]图2A及图2B显示本发明实施例的触控电极装置的俯视图。
[0033]图3A-图3D显示图2A/B的触控电极装置的形成方法的剖视图。
[0034]图4显示图2A沿剖线F-F的剖视图。
[0035]图5显示图2B沿剖线G-G的剖视图。
[0036]【主要元件符号说明】
[0037]11:垂直电极列12:水平电极列
[0038]13:绝缘桥接元件 2:触控电极装置
[0039]20:电极层21:第一电极列
[0040]211:第一电极212:间距
[0041]213:光掩模22:第二电极列
[0042]221:第二电极222A:导电件
[0043]222B:导电件 223:绝缘桥接元件
[0044]30:基板31:绝缘层
[0045]31A:绝缘底座 Dl:第一方向
[0046]D2:第二方向 A:底切角度
【具体实施方式】
[0047]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的触控电极装置及其形成方法其【具体实施方式】、结构、方法、步骤、特征及其功效,详细说明如后。
[0048]图2A显示本发明实施例的触控电极装置2的俯视图。触控电极装置2包含多条平行的第一电极列21,每一条第一电极列21的方向呈第一方向Dl排列,且每一条第一电极列21包含串接的多个第一电极211。在本实施例中,同一条第一电极列21的上述第一电极211是互相实体串接,因此也互相电性串接。触控电极装置2还包含多条平行的第二电极列22,每一条第二电极列22的方向呈第二方向D2排列,且每一条第二电极列22包含串接的多个第二电极221。在本实施例中,同一条第二电极列22的上述第二电极221未互相实体串接,而是借由多个导电件222A,分别设于同一条第二电极列22的相邻第二电极221间,使得每一条第二电极列22的上述第二电极221互相电性串接,其中导电件222A位于第二电极221底下。此外,沿第二方向D2相邻的第一电极211之间且沿第一方向Dl相邻的第二电极221之间具有一适当间距212,使得相邻的第一电极列21之间以及相邻的第二电极列22之间互相电性绝缘。上述间距212可于制造工艺后段使用激光技术形成。在一较佳实施例中,间距212的宽度为20~50微米。上述第一方向Dl及第二方向D2可为实质正交方向,例如X及Y方向。然而,第一方向Dl及第二方向D2也可为其它特定交角。本实施例的第一电极211及第二电极221虽以菱形电极作为例示,然而,也可使用其它形状的电极。上述第一电极211及第二电极221的材质必须具有透光性,例如氧化铟锡(indium tinoxide, IT0)o
[0049]图2B显示本发明另一实施例的触控电极装置2的俯视图。在这个实施例中,多个导电件222B分别设于同一条第二电极列22的相邻第二电极221间,使得每一条第二电极列22的上述第二电极221互相电性串接,其中导电件222B位于第二电极221上方,并借由绝缘桥接元件223与第一电极211电性绝缘。此外,沿第二方向D2相邻的第一电极211之间且沿第一方向Dl相邻的第二电极221之间具有一适当间距212,使得相邻的第一电极列21之间以及相邻的第二电极列22之间互相电性绝缘。上述间距212可于制造工艺后段使用激光技术形成。在一较佳实施例中,间距212的宽度为20?50微米。上述第一方向Dl及第二方向D2可为实质正交方向,例如X及Y方向。然而,第一方向Dl及第二方向D2也可为其它特定交角。本实施例的第一电极211及第二电极221虽以菱形电极作为例示,然而,也可使用其它形状的电极。上述第一电极211及第二电极221的材质必须具有透光性,例如氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)。
[0050]图3A-图3D显示图2A/B的触控电极装置2的形成方法的剖视图。首先,如图2A所示,形成多个导电件222A于基板30上,设于(后续形成的)同一条第二电极列22的相邻第二电极221间。在另一实施例中,如图2B所示,其导电件222B是在制造工艺后段形成第二电极221之后才形成的。上述基板30的材质可为玻璃,但不限定于此。
[0051]接着,如图3A所示,形成绝缘层31于基板30上。在本实施例中,绝缘层31包含光刻胶材料,但不限定于此,也可使用其它绝缘材料。一般来说,本实施例的绝缘层31必须具有透光性,且其光折射率大约相同于第一电极211的光折射率。
[0052]如图3B所示,使用具有第一电极列21的图案(pattern)的光掩模213对绝缘层31进行曝光显影制造工艺,以形成图案化的绝缘层31,如图3C所示。图3C及图3D显示图2A/B沿剖线E-E的剖视图。若使用光刻胶材料的绝缘层31,则图案化的绝缘层31可再进行烘烤制造工艺,例如以约280°C烘烤约20分钟。
[0053]根据本实施例的特征之一,如图3C所示,图案化的绝缘层31包含多个绝缘底座31A,每一绝缘底座3IA具有底切(undercut)剖面,使得绝缘底座3IA的顶部面积大于底部面积。在一较佳实施例中,绝缘底座31A的底切角度A大于95°。
[0054]接下来,如图3D所示,全面形成(透明)电极层20于基板30及上述绝缘底座31A上,例如使用溅镀(sputter)制造工艺,因而得以同时形成第一电极211于绝缘底座31A上,且形成第二电极221于基板30上。根据本实施例的另一特征,第一电极211的边缘会与相邻第二电极221的边缘大致上切齐,因此使用者由上俯视触控电极装置2 (图2A/B)时,第一电极211与相邻第二电极221之间不会具有间隙,因而使得触控电极装置2呈现视觉无痕化。
[0055]在一较佳实施例中,如图3D所示,绝缘底座31A的顶部与第二电极221的上表面之间必须大于一适当高度,例如20微米,且底切角度A必须大于一适当角度,例如95°,以确保相邻第一电极211与第二电极221之间不会电性导通。
[0056]图4显示图2A沿剖线F-F的剖视图。其中,导电件222A用以电性导通同一条第二电极列22的相邻两个第二电极221。图5显示图2B沿剖线G-G的剖视图。其中,导电件222B用以电性导通同一条第二电极列22的相邻两个第二电极221,并借由绝缘桥接元件223与第一电极211电性绝缘。
[0057]以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种触控电极装置,其特征在于其包含: 基板; 多个绝缘底座,设于该基板上,每一个该绝缘底座具有底切剖面,使得该绝缘底座的顶部面积大于底部面积; 多条第一电极列,分别设于上述绝缘底座上 '及 多条第二电极列,设于该基板上。
2.根据权利要求1所述的触控电极装置,其特征在于该第一电极列及该第二电极列包含氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的触控电极装置,其特征在于每一条该第一电极列呈第一方向排列且包含多个实体串接的第一电极;且每一条该第二电极列呈第二方向排列且包含多个第二电极。
4.根据权利要求3所述的触控电极装置,其特征在于还包含多个导电件设于该基板与该第二电极列之间,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极。
5.根据权利要求3所述的触控电极装置,其特征在于还包含多个导电件设于该第二电极列上,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极,并借由相应绝缘桥接元件与该第一电极列电性绝缘。
6.根据权利要求3所述的触控电极装置,其特征在于沿该第二方向相邻的上述第一电极的间距,以及沿该第一方向相邻的上述第二电极的间距为2(T50微米。
7.根据权利要求1所述的触控电极装置,其特征在于该绝缘层包含光刻胶材料。
8.根据权利要求1所述的触控电极装置,其特征在于该绝缘底座的光折射率相同于该第一电极的光折射率。
9.根据权利要求1所述的触控电极装置,其特征在于该绝缘底座的底切角度大于95°C
10.根据权利要求1所述的触控电极装置,其特征在于该绝缘底座的顶部高于该第二电极的上表面至少20微米。
11.一种形成触控电极装置的方法,该触控电极装置包含多条第一电极列及多条第二电极列,其特征在于该方法包含以下步骤: 形成绝缘层于基板上; 图案化该绝缘层以形成多个绝缘底座,上述绝缘底座具有上述第一电极列的图案,每一个该绝缘底座具有底切剖面,使得该绝缘底座的顶部面积大于底部面积;及 形成电极层于该基板及上述绝缘底座上,因而分别形成上述第一电极列于上述绝缘底座上,且形成上述第二电极列于该基板上。
12.根据权利要求11所述形成触控电极装置的方法,其特征在于该第一电极列及该第二电极列包含氧化铟锡。
13.根据权利要求11所述形成触控电极装置的方法,其特征在于每一条该第一电极列呈第一方向排列且包含多个实体串接的第一电极;且每一条该第二电极列呈第二方向排列且包含多个第二电极。
14.根据权利要求13所述形成触控电极装置的方法,其特征在于于形成该绝缘层之前,还包含形成多个导电件于该基板上,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极。
15.根据权利要求13所述形成触控电极装置的方法,其特征在于于形成该电极层之后,还包含依序形成多个绝缘桥接元件及多个导电件,其中上述导电件形成于该第二电极列上,用以电性串接每一条该第二电极列的上述第二电极,并借由相应上述绝缘桥接元件与该第一电极列电性绝缘。
16.根据权利要求15所述形成触控电极装置的方法,其特征在于于形成该电极层之后,还包含沿该第二方向相邻的上述第一电极之间,以及沿该第一方向相邻的上述第二电极之间,使用激光形成2(T50微米的间距。
17.根据权利要求11所述形成触控电极装置的方法,其特征在于该绝缘层包含光刻胶材料。
18.根据权利要求11所述形成触控电极装置的方法,其特征在于该绝缘底座的光折射率相同于该第一电极的光折射率。
19.根据权利要求11所述形成触控电极装置的方法,其特征在于该绝缘底座的底切角度大于95°。
20.根据权利要求11所述形成触控电极装置的方法,其特征在于该电极层是以溅镀制造工艺形成。`
【文档编号】G06F3/041GK103631428SQ201210356457
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年9月21日 优先权日:2012年8月23日
【发明者】马冠炎 申请人:恒颢科技股份有限公司
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