触控基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种触控基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

触控技术已经广泛应用于各种显示模式，与仅提供显示功能的传统显示器比较，带有触控功能的显示面板能够使用户和显示控制主机之间进行信息交互。因此触控显示面板可以完全或者部分取代常用的输入装置，使得现有的显示面板不仅能有显示还可以触控控制。

目前应用最广泛的触控显示面板为电容触控显示面板，按照电容触控单元与显示面板中阵列基板(TFT基板)和封装基板的相对位置可以分为内嵌式、外嵌式和外挂式三种。其中部分内嵌式和全部外嵌式的触控面板都必须使用单层的透明导电薄膜作为信号发射或者接收单元，该透明导电薄膜可能是氧化铟锡(ITO)等。由于为了实现触控功能，该导电薄膜必须分为独立的单元，并且形成周期性的排布。此外，显示面板内的像素也是周期性排布，这两种周期性的图形叠加很容易形成摩尔纹(摩尔纹主要是由两种周期性的图形在空间位置上发生干涉造成的一种现象，例如使用相机拍摄电脑显示器时会出现不规则图形)，给使用者带来使用上的不便。同时，由于导电薄膜是独立的单元，因此在两个单元中间存在间隙，而间隙位置处是玻璃基板，玻璃基板的折射率约为1.52，导电薄膜的折射率约为1.9-2.0，不难看出二者折射率差距较大，因此会影响显示效果。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种触控基板及其制备方法、显示装置，用以避免显示面板内的像素周期性排布和触控电极块周期性的排布，两种图形叠加而形成的摩尔纹的现象。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种触控基板，包括基底，设置在所述基底上的多个触控电极块，位于任意两相邻林的所述触控电极块之间设置有填充块；

其中，所述填充块的材料的折射率为n₃，所述基底的材料的折射率为n₁，所述触控电极块的材料的折射率为n₂，且|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|。

优选的是，所述填充块的材料的折射率n₃等于所述触控电极块的材料的折射率n₂。

优选的是，所述填充块将各个所述触控电极块之间的间隙完全填充。

优选的是，所述填充块的材料包括半导体材料。

进一步优选的是，所述触控电极块由所述半导体材料导体化形成，以使各个所述触控电极块与所述填充块为一体成型结构。

进一步优选的是，所述半导体材料为氧化物半导体材料。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种触控基板的制备方法，其包括：在基底上形成触控电极块的步骤；在任意两相邻林的所述触控电极块之间形成有填充块的步骤；

其中，所述填充块的材料的折射率为n₃，所述基底的材料的折射率为n₁，所述触控电极块的材料的折射率为n₂，且n₁＜n₃＜n₂+(n₂-n₁)。

优选的是，所述填充块的材料的折射率n₃等于所述触控电极块的材料的折射率n₂。

优选的是，所述填充块将各个所述触控电极块之间的间隙完全填充。

优选的是，所述填充块的材料包括半导体材料；所述在基底上形成触控电极块的步骤和所述在基底上形成填充块的步骤，具体包括：

在所述基底上依次沉积半导体材料层和光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影，去除与电极区对应的光刻胶，将该区域的半导体材料裸露；

对裸露的半导体材料进行等离子体处理或者离子注入，形成触控电极块；

去除剩余的光刻胶，以形成填充块。

进一步优选的是，所述半导体材料为氧化物半导体材料。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的触控基板。

本发明具有如下有益效果：

在本发明中在各个触控电极块之间设置填充块，且该填充块的材料的折射率为n₃，基底的材料的折射率为n₁，触控电极块的材料的折射率为n₂，且这三者的材料的关系满足|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|，即填充块材料的折射率与触控电极块的材料折射率差值，小于基底材料与触控电极块的材料折射率差值，同时由于材料的折射率决定了其反射率，故填充块材料的反射率与触控电极块的材料反射率相差不大，因此，本发明中的触控基板的消影效果较好。

附图说明

图1为本发明的实施例1的触控基板的俯视图；

图2为本发明的实施例1的触控基板的一种较为优选的实现方式的截面图；

图3为本发明的实施例1的触控基板的一种较为优选的实现方式的俯视图；

图4为本发明的实施例2的触控基板的制备方法的流程图。

其中附图标记为：10、基底；11、触控电极块；12、填充块；Q1、电极区；。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

结合图1所示，本实施例提供一种触控基板，包括基底10，设置在所述基底10上的多个触控电极块11，也即该触控基板为自容式触控基板。特别的是，在本实施例的触控基板的各个触控电极块11之间设置填充块12，且该填充块12的材料的折射率为n₃，基底10的材料的折射率为n₁，触控电极块11的材料的折射率为n₂，且|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|。

在现有的触控基板中基底10通常采用玻璃材质，其折射率与触控电极块11的折射率相差较大，使得刻蚀线路比较明显，影响用户的观看效果。而在本实施例中在各个触控电极块11之间设置填充块12，且该填充块12的材料的折射率为n₃，基底10的材料的折射率为n₁，触控电极块11的材料的折射率为n₂，且这三者的材料的关系满足|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|，即填充块12材料的折射率与触控电极块11的材料折射率差值，小于基底10材料与触控电极块11的材料折射率差值，同时由于材料的折射率决定了其反射率，故填充块12材料的折射率与触控电极块11的材料折射率相差不大，因此，本实施例中的触控基板的消影效果较好。

其中，优选的选取与触控电极块11的材料的折射率n₂相等的填充块12的材料，也即n₃＝n₂，此时，由于触控电极块11与其相邻的填充块12的材料的折射率相等，也即这二者的反射率也是相同的，故可以达到最佳的消影效果。

其中，填充块12将各个所述触控电极块11之间的间隙完全填充，也就是说，此时在各个触控电极块11之间将不会存在裸露的基底10，故效应效果较好。

结合图2和3所示，作为本实施例中的一种较为优选的实现方式，触控基板中的填充块12采用半导体材料，触控电极块11采用与填充块12的材料相同的半导体材料进行导体化形成的，以使各个所述触控电极块11与所述填充块12为一体成型结构。也即触控电极块11与填充块12构成是一整层结构，因此将该触控基板应用至触控面板中，可有效的避免显示面板内的像素周期性排布和触控电极块11周期性的排布，两种图形叠加而形成的摩尔纹。同时，由于触控电极块11是由半导体材料进行导体化形成的，因此触控电极块11和填充块12的材料的折射率相当，故消影效果好。

其中，上述的半导体材料优选为氧化物半导体材料，进一步的可以包括氧化铟镓锡(IGZO)、氧化锌(IZO)等。当然，也不局限于这几种材料，也可以采用其他半导体材料。

其中，本实施例中的多个触控电极块11成矩阵排布，，该种设置方式易于触控点的检测。

实施例2：

本实施例提供一种触控基板的制备方法，该方法可以用于制备实施例1中的触控基板。该制备方法包括：在基底10上形成触控电极块11的步骤；在任意两相邻林的所述触控电极块11之间形成有填充块12的步骤；其中，所述填充块12的材料的折射率为n₃，所述基底10的材料的折射率为n₁，所述触控电极块11的材料的折射率为n₂，且|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|。

在现有的触控基板中基底10通常采用玻璃材质，其折射率与触控电极块11的折射率相差较大，使得刻蚀线路比较明显，影响用户的观看效果。而在本实施例中在各个触控电极块11之间设置填充块12，且该填充块12的材料的折射率为n₃，基底10的材料的折射率为n₁，触控电极块11的材料的折射率为n₂，且这三者的材料的关系满足|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|，即填充块12材料的折射率与触控电极块11的材料折射率差值，小于基底10材料与触控电极块11的材料折射率差值，同时由于材料的折射率决定了其反射率，故填充块12材料的反射率与触控电极块11的材料反射率相差不大，因此，本实施例中的触控基板的消影效果较好。

其中，优选的选取与触控电极块11的材料的折射率n₂相等的填充块12的材料，也即n₃＝n₂，此时，由于触控电极块11与其相邻的填充块12的材料的折射率相等，也即这两者的反射率也是相同的，故可以达到最佳的消影效果。

其中，填充块12将各个所述触控电极块11之间的间隙完全填充，也就是说，此时在各个触控电极块11之间将不会存在裸露的基底10，故效应效果较好。

其中，优选的填充块12采用半导体材料，触控电极块11采用与填充块12的材料相同的半导体材料进行导体化形成的，以使各个所述触控电极块11与所述填充块12为一体成型结构。以下结合具体制备方法对该种情况的触控基板的制备方法进行说明。

结合图2-4所示，该触控基板的制备方法具体包括如下步骤：

步骤一、在基底10上沉积半导体材料层，并在半导体材料层上述涂敷一层光刻胶。

其中，该半导体材料优选为透明的氧化物半导体材料，具体的可以为氧化铟镓锡(IGZO)、氧化锌(IZO)等。当然，也不局限于这几种材料，也可以采用其他半导体材料。

步骤二、对完成上述步骤的基底10曝光、显影，并去除位于电极区Q1的光刻胶，将该位置的半导体材料裸露。此时，在半导体区的半导体材料上仍然覆盖光刻胶。

步骤三、对裸露的半导体材料进行导体化，以形成触控电极块11。

该步骤具体的，在半导体区的半导体材料上仍然覆盖光刻胶，该光刻胶相当于掩模板，由于电极区Q1的半导体材料裸露，此时可以采用等离子体处理或者离子注入的方式将电极区Q1的半导体材料转化为导体材料，也即在半导体区形成触控电极块11。其中，若采用等离子体处理进行半导体材料的导体化时，所采用的气体为N2、CF4、H2或NH3；若采用离子注入进行半导体材料的导体化时，离子注入源为氢离子。

步骤四、剥离去除剩余的光刻胶，以形成填充块12，同时完成触控基板的制备。

本实施例中的触控电极块11采用与填充块12相同的半导体材料进行导体化形成的，以使各个所述触控电极块11与所述填充块12为一体成型结构。也即触控电极块11与填充块12构成是一整层结构，因此将该触控基板应用至触控面板中，可有效的避免显示面板内的像素周期性排布和触控电极块11周期性的排布，两种图形叠加而形成的摩尔纹。同时，由于触控电极块11是由半导体材料进行导体化形成的，因此触控电极块11和填充块12的材料的折射率相当，故消影效果好。

实施例3：

本实施例提供一种显示装置，其包括实施例1中的触控基板。

由于本实施例中的显示装置包括实施例1中的触控基板，也即在各个触控电极块11之间设置填充块12，且该填充块12的材料的折射率为n₃，基底10的材料的折射率为n₁，触控电极块11的材料的折射率为n₂，且这三者的材料的关系满足|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|，即填充块12材料的折射率与触控电极块11的材料折射率差值，小于基底10材料与触控电极块11的材料折射率差值，同时由于材料的折射率决定了其反射率，故填充块12材料的反射率与触控电极块11的材料反射率相差不大，因此，本实施例中的显示装置的消影效果较好。

其中，本实施例的显示装置可以为液晶面板、OLED面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。