]NI?第一数量
[0040]N2?第二数量
[0041]N3?第三数量
[0042]N4?第四数量
[0043]Pl?第一预设量
[0044]P2?第二预设量
[0045]P3?第三预设量
【具体实施方式】
[0046]以下将详细讨论本发明各种实施例的制造及使用方法。然而值得注意的是，本发明所提供的许多可行的发明概念可实施在各种特定范围中。这些特定实施例仅用于举例说明本发明的制造及使用方法，但非用于限定本发明的范围。
[0047]图3是显示根据本发明一示范性实施例所述的差值变化的示意图。本发明提供一种触控感测显示装置，透过提升临界值来减少误报触控点的情况，如图3所示。相较图2B，本发明的该触控感测显示装置使临界值从临界值提升至临界值th2，其中临界值th2超过点B的差值。因此，点B不会被微处理器视为按压点，因此能减少误报触控点的情况。这些电容值的变化，亦被称为差值(differential value)，具有一变化范围O?255。然而，其他的范围也被考虑。换句话说，在本发明中，255为最大电容变化值。需注意的示，以上所描述的情况仅为示范本发明之用，但不限定于此。
[0048]图4是显示根据本发明的一示范性实施例的触控感测显示装置300的方块示意图。该触控感测显示装置300包括多个列电极(例如图4所示的列电极R1, R2,..., Rn)以及多个行电极(例如图4所示的行电极C1, C2,…，CM)、一电容值侦测器320与一处理器330，其中上述所述行电极及列电极设置在一触控面板310上。该电容值侦测器320耦接该触控面板310，还耦接所述行电极及所述列电极。该处理器330耦接该触控面板310及该电容值侦测器320。需注意的是，该触控感测显示装置300还包括一液晶模块(未显示)，但弯曲现象仅发生在该触控面板310上。因此，以下的描述将着重在该触控面板310上。
[0049]每一列电极具有一等效电容(参照图4,以等效电容C11, C12,…，Cin表不)以及每一行电极具有一等效电容(参照图4,以等效电容C21, C22,…，C2m表不)。这些等效电容C11, C12,...，Cin 及 C21, C22,...，C2m 称为“自感电容” (Self Capacitance),如本领域内的技艺人士已知。此外，所述行电极及列电极的每一交界处具有一等效电容，参照图4，以等效电容C3为例,其称为“互感电容”(Mutual Capacitance),如本领域内的技艺人士已知。
[0050]该电容值侦测器320侦测前述等效电容(自感电容及互感电容)的电容值变化，其中前述等效电容的电容值的变化于此也称为“差值”(differential value)。该电容值侦测器320侦测每一列电极对一参考接地的一第一电容变化值以及每一行电极对该参考接地的一第二电容变化值，其中该参考接地例如是图4所示的参考接地GND。除此之外，该电容值侦测器320侦测所述行电极及列电极的每一交叉处的一第三电容变化值。该电容值侦测器320侦测“自感电容”及“互感电容”的电容值变化。
[0051]在本发明的另一实施例中，该电容值侦测器320还包括一自感通道(未图示)及一互感通道(未图示)。该自感通道侦测所述第一电容变化值及所述第二电容变化值(即，该电容值侦测器320侦测自感电容的电容值变化)并传送侦测结果至该处理器330。除此之外，互感通道侦测所述第三电容变化值(即，该电容值侦测器320侦测互感电容的电容值变化)并传送侦测结果至该处理器330。
[0052]当弯曲现象发生时，传统的触控感测显示装置会误报触控点。有鉴于此，本发明的该触控感测显示装置300能够侦测发生于该触控感测显示装置300上的弯曲现象，以进入一“弯曲模式”，进而避免任何误报触控点的发生。细节如下所述。
[0053]该处理器330执行一第一操作，以根据该第一电容变化值、该第二电容变化值及该第三电容变化值，决定进入一弯曲模式以及接着执行一第二操作。
[0054]在该第一操作中，该处理器330将该第一电容变化值及该第二电容变化值与一第一临界值(即，自感临界值)比较，并且计算该第一电容变化值及该第二电容变化值超过该第一临界值的一第一数量NI。该处理器330还计算该第一电容变化值及该第二电容变化值达到一最大电容变化值的一第二数量N2，举例来说，该最大电容变化值为255。除此之夕卜，该处理器330计算该第三电容变化值超过一第二临界值(即，互感临界值)的一第三数量N3。
[0055]接着，该处理器330根据上述计算结果来决定是否进入该弯曲模式。明确的来说，当该第一数量NI及该第二数量N2分别超过一第一预设量Pl及一第二预设量P2以及该第三数量N3小于该第一数量NI时，该处理器330使该触控感测显示装置300进入该弯曲模式。
[0056]当该触控感测显示装置300在该弯曲模式时，该处理器330执行该第二操作，以提升该第二临界值(互感临界值)。
[0057]在本发明的另一实施例中，该处理器330还计算该第三电容变化值到达该最大电容变化值的一第四数量N4。接着，当该第一数量NI及该第二数量N2分别超过一第一预设量Pl及一第二预设量P2、该第三数量N3小于该第一数量NI及该第四数量N4超过一第三预设量P3时，该处理器330使该触控感测显示装置300进入该弯曲模式。
[0058]—般来说，有两种技术，防误触(Palm Reject1n)及再校正功能(Recalibrat1n),广泛的应用至触控感测显示装置中，此为本领域内的技艺人士已知。
[0059]防误触功能使该触控感测显示装置忽略因按压大面积所引起大量的电容值的变化。举例来说，当使用者将他的手掌放在触控感测显示装置的表面上，并且同时用手指触碰触控感测显示装置时，由于使用者的手掌在表面上覆盖很大的面积，其将导致大量的电容值产生变化，因此该触控感测显示装置无法分辨在触控感测显示装置上被使用者手指按压的点，进而导致触控感测显示装置失灵。因此，执行防误触功能，能让触控感测显示装置忽略大量的电容值变化。
[0060]关于在再校正功能(Recalibrat1n)，因为在该触控感测显示装置上的电容值的剧烈变化也会导致触控感测显示装置失灵，因此执行再校正功能来重新校正电容值的剧烈变化，使电容值的变化归零。因为再校正功能将使该点的电容值的变化归零，因此该触控感测显示装置无法对该点产生反应。
[0061]然而，弯曲现象也会使大量的电容值产生变化以及使电容值产生剧烈变化。为了能够使该触控感测显示装置300在弯曲现象发生时能正常执行功能，因此该触控感测显示装置300是根据上述的条件进行设计。换句话说，假如执行防误触及再校正功能，会因为忽略大量的电容值的变化以及电容值的变化被归零，将使得触控感测显示装置300无法再正常的执行触控功能。
[0062]因此，在本发明的另一实施例中，假如该触控感测显示装置300还具有防误触及再校正功能时，则当该处理器330使该触控感测显示装置300进入该弯曲模式时，该处理器330禁能防误触及再校正功能，以能正常的执行触控功能。
[0063]图5是显示根据本发明另一实施例所述的该触控感测显示装置300的弯曲区域以及非弯曲区域的示意图。在本实施例中，该触控感测显示装置300还根据自感电容的电容值的变化定义一弯曲区域及一非弯曲区域，并且仅提升该弯曲区域内的第二临界值(互感临界值)。定义弯曲区域及非弯曲区域的方法如下所述。
[0064]该处理器330根据该电容值侦测器320所侦测的侦测结果得知哪一行电极及列电极超过该第一临界值(自感临界值)。举例来说，参照图4及图5，显然