触控装置的制造方法_2

文档序号:8512331阅读:来源:国知局
所属技术领域的技术人员能进一步了解本发明,下文特列举本发明的数个具体实施例,并配合附图,详细说明本发明的技术方案。
[0085]实施例1
[0086]请参考图1。图1所示为本发明实施例1的触控装置的示意图。为了方便说明,本发明的各附图仅为示意用以容易了解本发明,其详细的比例可依照设计的需求进行调整。如图1所示,本实施例提供一触控装置101。触控装置101包括一第一基底111以及一第一图案化复合材料导电层120。第一基底111包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一覆盖板或一显示器的基底。上述覆盖板至少在一侧设置有一装饰层,且上述显不器的基底可包括一彩色滤光基底、一有源阵列基底或一有机发光显不器的封装盖板,但并不以此为限。第一图案化复合材料导电层120设置在第一基底111上。第一图案化复合材料导电层120具有一第一多层结构SI,第一多层结构SI包括一第一金属导电层121、一第一透明导电层122以及一第二金属导电层123依序堆栈设置在第一基底111上。举例来说,本实施例的第一基底111可具有一第一面IllA以及一第二面111B,第二面11IB是在一垂直第一基底111的垂直投影方向Z上相对于第一面IllA的相反面,而第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123依序堆栈设置在第一基底111的第一面IllA上。也就是说,第一金属导电层121设置在第一透明导电层122与第一基底111之间,而第一透明导电层122设置在第一金属导电层121与第二金属导电层123之间。第一透明导电层122分别直接接触第一金属导电层121与第二金属导电层123,也就是说第一透明导电层122的厚度大体上等于第一金属导电层121与第二金属导电层123在垂直投影方向Z上的间距。因此,将第一透明导电层122的厚度大体上控制在500纳米到40纳米之间,可用以在第一金属导电层121与第二金属导电层123之间形成一光学微共振腔(opticalmicrocavity),而通过此光学微共振腔可提高特定波长范围(例如平均波长550nm左右的可见光)的光线穿透第一图案化复合材料导电层120的透射比。
[0087]进一步说明,本实施例的第一金属导电层121与第二金属导电层123优选可包括银或银合金,借此降低第一图案化复合材料导电层120的整体电阻抗,但本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中也可视需要使用其他金属导电材料例如铝、铜、钯、铬、钛、钥的其中至少一种、上述材料的复合层或上述材料的合金。此外,第一金属导电层121与第二金属导电层123的厚度优选是小于或等于60纳米,借此搭配第一透明导电层122的厚度用以形成上述的光学微共振腔来提高光透射比,但并不以此为限。第一透明导电层122可包括氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)、氧化铟锋(indium zinc oxide, IZO)、氧化招锌(aluminum zinc oxide, ΑΖ0)或其他适合的透明导电材料,如石墨烯、娃烯、碳纳米管、纳米银丝等。此外,本实施例的第一图案化复合材料导电层120是由堆栈的第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123所构成,因此第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123在垂直投影方向Z上的图案是大体上彼此相同。在本实施例中,触控装置101可具有一透光区Rl以及一周围区R2。周围区R2位于透光区Rl的至少一侧,且周围区R2优选围绕透光区R1,但并不以此为限。值得说明的是,本实施例的第一图案化复合材料导电层120可用以在第一基底111上形成触控电极或/及连接导线。举例来说,本实施例的第一图案化复合材料导电层120可包括一第一触控电极120S以及一第一连接导线120C。第一触控电极120S至少部分设置在透光区Rl中,且第一连接导线120C至少部分设置在周围区R2中,但并不以此为限,例如,第一触控电极120S以及第一连接导线120C也可自透光区Rl延伸到周围区R2。另外一提的是,若位于周围区R2中的第一连接导线120C可被装饰层或遮光层所遮蔽而无法被人眼视见,则第一连接导线120C可由第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123所组成的群组中的至少的一种所构成即可,例如第一连接导线120C可仅由其中的一种(如第二金属导电层123)构成;换句话说,第一连接导线120C并不限定必须为三层导电结构。第一图案化复合材料导电层120可包括一网格状图案或一块状图案,也就是说第一触控电极120S与第一连接导线120C可由网格状图案或块状图案所构成,但并不以此为限。举例来说,请参考图2到图4,图2到图4所示为本实施例的触控装置的网格状图案的示意图。如图2到图4所示,第一图案化复合材料导电层120可包括一网格状图案120M,而网格状图案120M可由规则排列的多边形网格单元(如图2所示的六边形网格单元Ml、图3所示的矩形网格单元M2以及图4所示的菱形网格单元M3)、不规则形状网格例如不规则排列的不规则多边形网格单元、圆形网格单元或其他适合的规则或不规则形状的网格单元所构成。由于上述的网格状图案120M是由第一图案化复合材料导电层120所形成,故可借此进一步提高其光透射比。
[0088]请参考图1与图5。图5所示为本实施例的触控装置的触控电极的示意图。如图1与图5所不,本实施例的第一图案化复合材料导电层120可包括多个第一触控电极120S以及多条第一连接导线120C。各第一连接导线120C与对应的第一触控电极120S电连接。各第一触控电极120S彼此互相电绝缘设置,用以进行一自电容式(self-capacitive)触控检测,但并不以此为限。各第一触控电极120S的形状可为矩形、菱形、三角形或其他适合的几何形状。由于第一触控电极120S与第一连接导线120C是由第一图案化复合材料导电层120所形成而具有第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123互相堆栈的第一多层结构SI,故不论第一触控电极120S与第一连接导线120C是由网格状图案或块状图案所构成,均可通过第一多层结构SI来达到降低电阻抗与提高光透射比的目的。因此,当本实施例的触控装置101与一显示装置搭配或整合时可通过第一多层结构SI来降低网格状图案或块状图案对于显示效果的不良影响。此外,触控装置101可还包括一保护层141,设置在第一基底111上并至少部分覆盖第一图案化复合材料导电层120。保护层141可为单层或多层结构,保护层141可包括有机材料、无机材料或有机-无机复合材料,且保护层141的折射率优选是介于1.4到2.5之间,用以降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率,进而达到降低第一图案化复合材料导电层120的图案明显度的效果。
[0089]下文将针对本发明的不同实施例进行说明,且为简化说明,以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述,而不再对相同的部分作重复赘述。此外,本发明的各实施例中相同的组件是以相同的标号进行标示,用以方便在各实施例间互相对照。
[0090]实施例2
[0091]请参考图6,图6所示为本发明实施例2的触控装置102的示意图。如图6所示,本实施例的触控装置102与上述实施例1不同的地方在于本实施例的第一触控电极120S可包括至少一触控信号驱动电极120T以及至少一触控信号接收电极120R彼此互相分离设置,用以进行一互电容式(mutual capacitive)触控检测,但并不以此为限。
[0092]实施例3
[0093]请参考图7,图7所示为本发明实施例3的触控装置103的示意图。如图7所示,本实施例的触控装置103与上述实施例1不同的地方在于,本实施例的第一多层结构SI还包括一第一光学层124,设置在第一金属导电层121与第一基底111之间。第一光学层124可包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层。上述的透明导电层可包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌或其他适合的透明导电材料,上述的透明半导体层可包括氧化物半导体材料例如氧化锌(ZnO)、氧化锌镁(ZnMgO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡锑(SnSb02)、氧化硒化锌(ZnSeO)、氧化锌锆(ZnZrO)或其他适合的透明半导体材料,而上述的透明绝缘层可包括氧化物例如氧化钛(Ti02)与氧化硅(S1x)、氮化物例如氮化硅(SiNx)、氮氧化物例如氮氧化娃(S1xNy)或其他适合的透明绝缘材料。此外,第一光学层124的折射率优选是介于1.6到2.5之间,用以与第一基底111以及第一图案化复合材料导电层120形成折射率匹配的效果,达到降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率以及降低第一图案化复合材料导电层120的图案明显度的效果。值得一提的是,在其他实施例中,第一光学层124与第一多层结构SI中的其他膜层可在垂直投影方向Z上的图案不相同,例如第一光学层124可至少全面覆盖透光区R1,但不限于此。
[0094]实施例4
[0095]请参考图8,图8所示为本发明实施例4的触控装置104的示意图。如图8所示,本实施例的触控装置104与上述实施例1不同的地方在于本实施例的第一多层结构SI还包括一第二光学层125,设置在第二金属导电层1
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