23上,且第二金属导电层123设置在第二光学层125与第一透明导电层122之间。第二光学层125的材料特性与上述第一光学层相似而可包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层。此外，第二光学层125的折射率优选是介于1.6到2.5之间，用以与保护层141形成折射率匹配的效果，达到降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率以及降低第一图案化复合材料导电层120的图案明显度的效果。同样地，在其他实施例中，第二光学层125与第一多层结构SI中的其他膜层可在垂直投影方向Z上的图案不相同，例如第二光学层125可至少全面覆盖透光区R1，但不限于此。
[0096]实施例5
[0097]请参考图9,图9所示为本发明实施例5的触控装置105的示意图。如图9所示，本实施例的触控装置105与上述实施例1不同的地方在于本实施例的第一多层结构SI可还包括上述实施例3的第一光学层124与上述实施例4的第二光学层125。换句话说，本实施例的第一图案化复合材料导电层120是由第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125依序堆栈在第一基底111上所构成。因此，本实施例的第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125在垂直投影方向Z上的图案大体上彼此相同。通过本实施例的第一光学层124与第二光学层125的设置可达到进一步降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率的效果。举例来说，当第一基底111为一玻璃基底，第一金属导电层121与第二金属导电层123分别由银所形成，且第一透明导电层122、第一光学层124以及第二光学层125分别由氧化铟锡所形成时，通过控制各层的厚度搭配可获得第一图案化复合材料导电层120所需的电阻值、光透射比以及光反射率的结果。例如，当第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125的厚度分别为60纳米、25纳米、100纳米、25纳米以及60纳米时，可获得电阻值小于1.5ohm/sq、550纳米波长光线透射比约为65%以及550纳米波长光线反射率约为10%的第一图案化复合材料导电层120。当第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125的厚度分别为35纳米、17纳米、87纳米、17纳米以及35纳米时，可获得电阻值小于3ohm/sq、550纳米波长光线透射比约为71%以及550纳米波长光线反射率约为8%的第一图案化复合材料导电层120。也就是说，通过调整第一图案化复合材料导电层120中各层的材料与厚度搭配可获得所需的电阻值、光透射比以及光反射率等特性。值得说明的是，上述第一、第三、第四以及实施例5中所述的不同的第一多层结构SI的叠层状况均可视需要应用在后续其他实施例中。
[0098]实施例6
[0099]请参考图10，图10所示为本发明实施例6的触控装置106的示意图。如图10所示，本实施例的触控装置106与上述实施例5不同的地方在于触控装置106可还包括一覆盖板190，且第一图案化复合材料导电层120设置在覆盖板190与第一基底111之间。本实施例的保护层141也可选择性地具有粘合特性，用以粘合覆盖板190与第一基底111，但并不以此为限。
[0100]实施例7
[0101]请参考图11与图12，图11所示为本发明实施例7的触控装置201的示意图，而图12为沿图11的A-A’剖线所绘示的剖视图。如图11与图12所示，本实施例的触控装置201与上述实施例5不同的地方在于触控装置201包括至少一第一轴向电极241、至少一第二轴向电极242以及一绝缘层230。第一轴向电极241与第二轴向电极242互相交错且互相绝缘设置在第一基底111上。第一轴向电极241沿一第一方向X延伸，第二轴向电极242沿一第二方向Y延伸，且第一方向X大体上垂直第二方向Y，但并不以此为限。在本实施例中，第一轴向电极241可包括多个子电极241X以及一连接线241C。子电极241X是沿第一方向X排列，且连接线241C设置在两子电极241X之间，用以电连接两子电极241X。绝缘层230至少部分设置在第一连接线241C与第二轴向电极242之间，用以电绝缘第一轴向电极241与第二轴向电极242。值得说明的是，本实施例的第二轴向电极242与子电极241X可由透明导电材料所形成，而连接线241C可由第一图案化复合材料导电层120所形成，但并不以此为限。由于连接线241C可由第一图案化复合材料导电层120所形成而具有第一多层结构SI，故可达到降低连接线241C的电阻抗、提高连接线241C的光透射比以及降低连接线241C的光反射率的效果。也就是说，本实施例中用以桥接两子电极241X的连接线241C的图案明显度可因具有第一多层结构SI而降低。另外，本实施例的连接线241C的阻抗可因具有第一多层结构SI而降低，用以改善本实施例因连接线241C的平均宽度小于子电极241X的平均宽度所造成的高阻抗问题。
[0102]实施例8
[0103]请参考图11与图13，图13所示为本发明实施例8的触控装置202的示意图。如图13所示，本实施例的触控装置202与上述实施例7不同的地方在于触控装置202还包括一第二图案化复合材料导电层220,设置在第一基底111上。第二复合材料导电层160具有一第二多层结构S2,且第二多层结构S2包括一第三金属导电层221、一第二透明导电层222以及一第四金属导电层223互相堆栈设置。第三金属导电层221与第四金属导电层223可包括银或银合金，借此降低第二图案化复合材料导电层220的整体电阻抗，但并不以此为限。第二透明导电层222设置在第三金属导电层221与第四金属导电层223之间，用以在第三金属导电层221与第四金属导电层223之间形成另外一光学微共振腔。第二透明导电层222分别直接接触第三金属导电层221与第四金属导电层223，也就是说第二透明导电层222的厚度大体上等于第三金属导电层221与第四金属导电层223在垂直投影方向Z上的间距。因此，将第二透明导电层222的厚度大体上控制在500纳米到40纳米之间，可用以在第三金属导电层221与第四金属导电层223之间形成另外一光学微共振腔。此外,第三金属导电层221与第四金属导电层223的厚度优选是小于或等于60纳米，借此搭配第二透明导电层222的厚度用以形成上述的光学微共振腔来提高光透射比，但并不以此为限。此夕卜，第二多层结构S2也可选择性地还包括一第三光学层224与一第四光学层225。换句话说，本实施例的第二图案化复合材料导电层220可由第三光学层224、第三金属导电层221、第二透明导电层222、第四金属导电层223以及第四光学层225依序堆栈在第一基底111上所构成。因此，本实施例的第三光学层224、第三金属导电层221、第二透明导电层222、第四金属导电层223以及第四光学层225在垂直投影方向Z上的图案大体上彼此相同。通过本实施例的第三光学层224与第四光学层225的设置可达到进一步降低第二图案化复合材料导电层220的光反射率的效果。换句话说，第二图案化复合材料导电层220以及其第二多层结构S2与上述的第一图案化复合材料导电层120以及其第一多层结构SI相似,故在此并不再赘述。
[0104]值得说明的是，在本实施例中，第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220设置在第一基底111的同一侧，且第一图案化复合材料导电层120至少部分设置在第一基底111与第二图案化复合材料导电层220之间。第二图案化复合材料导电层220可包括多个第二触控电极220S设置在第一基底111上并沿第一方向X排列，连接线24IC设置在两第二触控电极220S之间，用以电连接两第二触控电极220S。换句话说，第二触控电极220S以及连接线241C可用以构成本实施例的第一轴向电极241。此外，本实施例的第二轴向电极242优选是由第二图案化复合材料导电层220所形成。由于第一轴向电极241与第二轴向电极242可由第一图案化复合材料导电层120或第二图案化复合材料导电层220所形成而具有第一多层结构SI或第二多层结构S2,故可达到降低第一轴向电极241与第二轴向电极242的电阻抗、提高其光透射比以及降低其光反射率的效果。此外，若考量第二触控电极220S与连接线241C之间的电连接状况，第二光学层125与第三光学层224优选是均为透明导电层，但并不以此为限。另外一提的是，在其他实施例中，也可仅有连接线241C为单层结构，第二触控电极220S以及第二轴向电极242可为多层结构。
[0105]实施例9
[0106]请参考图14与图15。图14所示为本发明实施例9的触控装置301的示意图，而图15所示为本实施例的触控装置的俯视示意图。如图14与图15所示，本实施例的触控装置301与上述实施例8不同的地方在于本实施例的第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220是分别设置在第一基底111的两相对的不同侧。明确地说，第一图案化复合材料导电层120设置在第一基底111的第一面IllA上,而第二图案化