包括由高位部和低位部组成的阶梯部。在向区域ARl以及AR2涂布保护膜形成用的涂布液时，涂布液易于沿阶梯部扩散，但不易在与阶梯部交叉的方向上扩散。因此，通过调整凹凸图案UEl的形状而能调整阶梯部的长度，能够高精度地调整涂布于区域AR2上的涂布液的端部的位置。SP，凹凸图案UEl是用于调整保护膜33的端部的位置的位置调整图案。
[0156]如图14所示，可使保护膜33的厚度THl比检测电极TDL的厚度TH2厚，例如，可将检测电极TDL的厚度TH2设定为1nm?2000nm，将保护膜33的厚度THl设定为500nm?lOOOOnm。并且，在保护膜33的厚度TH1、即保护膜形成用涂布液的厚度为检测电极TDL的厚度TH2的两倍以上时，通过设置凹凸图案UE1，可高精度地调整涂布于区域AR2的涂布液的端部位置的效果增大。
[0157]此外，在图12所示的例子中，凹凸图案UEl在区域AR2中的位于检测电极TDL的周边的部分处形成于第二基板31上。另外，保护膜33终止于凹凸图案UEl上以及部分PR2上。换而言之，保护膜33的区域AR3侧的端部EPl位于凹凸图案UEl上以及部分PR2上。
[0158]在此，假设X轴方向与Y轴方向彼此正交，将部分PRl在X轴方向上的宽度设为宽度WDl，将部分PR2在X轴方向上的宽度设为宽度WD2，将部分PR3在X轴方向上的宽度设为宽度WD3。此时，优选地，部分PR2在X轴方向上的宽度WD2比部分PRl在X轴方向上的宽度WDl大。由此，部分PR2具有肩部SH1，通过肩部SH1，能够防止或抑制涂布于区域ARl的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR2。因此，能够高精度地调整涂布于区域AR2的涂布液的端部位置。
[0159]需要说明的是，在图12中，示出了部分PR2在X轴方向上的宽度WD2比部分PRl在X轴方向上的宽度WDl大的例子，在图15中，示出了部分PR2在X轴方向上的宽度WD2与部分PRl在X轴方向上的宽度WDl相等的例子。另外，在图12中，示出了部分PR3在X轴方向上的宽度WD3与部分PR2在X轴方向上的宽度WD2相等的例子，在图15中，示出了部分PR3在X轴方向上的宽度与部分PR2在X轴方向上的宽度相等的例子。
[0160]例如，在图12所示的情况、即宽度WD2比宽度WDl大且与宽度WD3相等的情况下，宽度WD2及宽度WD3例如为50μπι?ΙΟΟΟμπι。另外，例如在图12中示出的情况下，彼此相邻的两个电极端子ETl的间隔DSl例如为50μπι?ΙΟΟΟμπι。通过使间隔DSl在这样的范围内，从而能够防止或抑制彼此相邻的两个电极端子ETl因后述的各向异性导电膜CFl而短路。
[0161]另外，作为对置基板3的电极基板ES也可以具有各向异性导电膜(AnisotropicConductive Film ；ACF) CFl以及布线基板WSl。各向异性导电膜CFl配置成在区域AR2以及AR3覆盖检测电极TDL。布线基板WSl配置在各向异性导电膜CFl上。作为布线基板WS1，例如可使用也被称为柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuits ;FPC)的柔性印刷布线板。以下，对使用FPC作为布线基板WSl的例子进行说明。
[0162]在布线基板WSl的作为主面的下表面形成有多个电极端子ET2。S卩，布线基板WSl包括形成于布线基板WSl的作为主面的下表面的多个电极端子ET2。多个电极端子ET2各自分别对应于多个检测电极TDL各自的电极端子ETl而配置。布线基板WSl在各向异性导电膜CFl上配置成多个电极端子ET2各自隔着各向异性导电膜CFl而与多个检测电极TDL中的形成于区域AR3的部分、即各电极端子ETl各自相对。
[0163]各向异性导电膜CFl是将在热固化性树脂中混合了具有导电性的微细金属粒子的物质成型为膜状而成的膜。在检测电极TDL的电极端子ETl与布线基板WSl的电极端子ET2之间夹着各向异性导电膜CFl的状态下，例如一边进行热处理，一边将布线基板WSl压到第二基板31上。由此，各向异性导电膜CFl内的金属粒子在各向异性导电膜CFl的厚度方向上接触而在各向异性导电膜CFl的厚度方向上形成导电路径。于是，彼此相对的电极端子ETl与电极端子ET2通过各向异性导电膜CFl而电连接。
[0164]优选地，各向异性导电膜CFl的区域ARl侧的端部EP2形成(蔓延)到保护膜33上，在保护膜33上终止。换而言之，各向异性导电膜CFl的区域ARl侧的端部EP2位于保护膜33上。
[0165]由此，部分PR2的任何部分均被保护膜33和各向异性导电膜CFl中任一方覆盖，能够防止空气中的水分接触部分PR2的任何部分，因此，能够可靠地保护由导电膜构成的检测电极TDL，以免其腐蚀。
[0166]<凹凸图案>
[0167]图16是示出实施方式一的电极基板上的凹凸图案的俯视图。
[0168]如图16所示，在本实施方式一中，凹凸图案UEl包括突出部PJ1。突出部PJl形成为在俯视观察中从在Y轴方向上延伸的检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的侧面向X轴方向突出地延伸。因此，凹凸图案UEl形成于部分PR2的侧面，如图12及图13所示，保护膜33终止于凹凸图案UEl上以及部分PR2上。换而言之，保护膜33的区域AR3侧的端部EPl位于凹凸图案UEl上以及部分PR2上。需要说明的是，突出部PJl也是形成于第二基板31上的凸部。
[0169]这样，通过作为阶梯部的突出部PJl而能够使检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的外周的长度变长，通过作为阶梯部的侧壁的突出部PJl而能够使检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的侧面的面积变大。S卩，能够使阶梯部的长度变长。因此，能够防止或抑制涂布于区域AR2的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR3侧，能够高精度地调整涂布于区域AR2的涂布液的端部的位置。
[0170]优选地，凹凸图案UEl包括多个突出部PJl。多个突出部PJl在区域AR2中形成为在俯视观察中分别从在Y轴方向上延伸的检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的侧面向X轴方向突出地延伸、且沿Y轴方向排列。由此，能够容易地防止或抑制涂布于区域AR2的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR3侧。因此，能够容易地高精度调整涂布于区域AR2的涂布液的端部位置。
[0171]另外，在本实施方式一中，作为在俯视观察中分别在X轴方向上延伸且在Y轴方向上相邻的两个检测电极TDL，设有检测电极TDLl以及TDL2。如图12以及图13所示，保护膜33在区域ARl以及AR2中形成为覆盖两个检测电极TDL且覆盖位于两个检测电极TDL之间的部分的第二基板31。
[0172]对应于检测电极TDLl而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UElll包括多个作为突出部PJl的突出部PJ111，对应于检测电极TDLl而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UE112包括多个作为突出部PJl的突出部PJ112。多个突出部PJlll分别从检测电极TDLl中的形成于区域AR2的作为部分PR2的部分PR21的、与检测电极TDL2侧相反一侧的侧面向与检测电极TDL2侧相反的一侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。多个突出部PJ112分别从部分PR21的检测电极TDL2侧的侧面向检测电极TDL2 —侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。
[0173]另外，对应于检测电极TDL2而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UE121包括多个作为突出部PJl的突出部PJ121，对应于检测电极TDL2而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UE122包括多个作为突出部PJl的突出部PJ122。多个突出部PJ121分别从检测电极TDL2中的形成于区域AR2的作为部分PR2的部分PR22的、检测电极TDLl —侧的侧面向检测电极TDLl —侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。多个突出部PJ122分别从部分PR22的、与检测电极TDLl侧相反一侧的侧面向与检测电极TDLl侧相反的一侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。此外，与使用图19在后描述的例子同样地，多个突出部PJ112与多个突出部PJ121可以在Y轴方向上配置成交错状。
[0174]如图16所示，在设置突出部PJ112及突出部PJ121的情况下，相邻的两个检测电极TDLl与TDL2的最短距离等于X轴方向上的突出部PJ112与突出部PJ121的最短距离DS2。在这种情况下，优选地，X轴方向上的突出部PJ112与突出部PJ121的最短距离DS2比各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中所含有的导电粒子的平均粒径大。由此，能够防止或抑制突出部PJ112与突出部PJ121因各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子而短路。
[0175]更优选地，X轴方向上的突出部PJ112与突出部PJ121的最短距离DS2是各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径的三倍以上。或者，在导电粒子的平均粒径例如小于5000nm时，优选地，X轴方向上的突出部PJ112与突出部PJ121的最短距离DS2例如为15000nm?50000nm。由此，能够容易地防止或抑制突出部PJ112与突出部PJ121因各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子而短路。
[0176]需要说明的是，例如在虽然设置多个突出部PJl 12，但未设置多个突出部PJ121的情况下，相邻的两个检测电极TDLl与TDL2的最短距离等于检测电极TDL2的检测电极TDLl一侧的侧面与突出部PJ112在X轴方向上的最短距离。在这种情况下，优选地，检测电极TDL2的检测电极TDLl —侧的侧面与突出部PJ112在X轴方向上的最短距离比各向异性导电膜CF1(参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径大。并且，更优选地，检测电极TDL2的检测电极TDLl —侧的侧面与突出部PJl 12在X轴方向上的最短距离为各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径的三倍以上。
[0177]这样，对于相邻的检测电极TDLl及TDL2，优选配置成不局限于X轴方向及Y轴方向，任意方向上的任意部分之间的最短距离均空开同样的距离。
[0178]需要说明的是，与使用图12所说明的同样地，部分PR2在X轴方向上的宽度WD2比部分PRl在X轴方向上的宽度WDl大。由此，通过肩部SH1，能够防止或抑制涂布于区域ARl的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR2。
[0179]图17及图18是示出实施方式一的电极基板上的凹凸图案的另一例子的截面图。图17以及图18是从突出部PJl延伸的方向观察时的截面图。另外，在图17以及图18中，省略了保护膜33的图示。
[0180]如图17及图18所示，作为凸部的突出部PJl包括在俯视观察中位于例如与X轴方向正交的Y轴方向的一侧(图17中左侧)的侧面部SSl，侧面部SSl的上端部HEl配置成比侧面部SSl的下端部LEl更靠Y轴方向的一侧(图17中左侧)。另外，突出部PJl包括在俯视观察中位于例如与X轴方向正交的Y轴方向的另一侧(图17中右侧)的侧面部SS2，侧面部SS2的上端部HE2配置成比侧面部SS2的下端部LE2更靠Y轴方向的另一侧(图17中右侧)。
[0181]在图17所示的例子中，突出部PJl具有形成于第二基板31上的下层部LLl以及形成于下层部LLl上的上层部HLl。下层部LLl的Y轴方向的一侧(图17中左侧)的侧面部LSl配置成比上层部HLl的Y轴方向的一侧(图17中左侧)的侧面部HSl更靠向与Y轴方向的一侧(图17中左侧)相反的一侧。另外，下层部LLl的Y轴方向的另一侧(图17中右侧)的侧面部LS2配置成比上层部HLl的Y轴方向的另一侧(图17中右侧)的侧面部HS2更靠向与Y轴方向的另一侧(图17中右侧)相反的一侧。由此，侧面部SSl的上端部HEl位于侧面部SSl的下端部LEl的Y轴方向的一侧(图17中左侧)，侧面部SS2的上端部HE2位于侧面部SS2的下端部LE2的Y轴方向的另一侧(图17中右侧)。
[0182]另外，在图18示出的例子中，垂直于突出部PJl的延伸方向的截面形状为倒梯形形状。即，在垂直于突出部PJl的延伸方向的截面中，突出部PJl的两侧面中的任一侧面或两个侧面以突出部PJl的宽度从突出部PJl的上表面朝着突出部PJl的下表面减少的方式倾斜。
[0183]通过作为凸部的突出部PJl具有这样的截面形状，涂布液被阻止于后面将使用图31说明的阶梯部STl的上侧的效果增大。因此，能够更高精度地调整涂布液的端部的位置。
[0184]在图17所示的例子中，例如将下层部LLl以及上层部HLl层叠了之后，以下层部LLl相对于某种蚀刻剂的蚀刻速度比上层部HLl相对于该蚀刻剂的蚀刻速度大的方式使用该蚀刻剂进行蚀刻。由此，能够以侧面部SSl的上端部HEl位于侧面部SSl的下端部LEl的Y轴方向的一侧(图17中左侧)，侧面部SS2的上端部HE2位于侧面部SS2的下端部LE2的Y轴方向的另一侧(图17中右侧)的方式形成突出部PJl (在以下的各变形例中也同样)。
[0185]或者，也可以在突出部PJl的侧面中的上端部以外的部分的一部分上具有收缩部分(在以下的各变形例中也同样)。
[0186]<凹凸图案的第一变形例>
[0187]图19是示出实施方式一的电极基板上的凹凸图案的第一变形例的俯视图。
[0188]如图19所示，在本第一变形例中，凹凸图案UEl包括突出部PJ2。突出部PJ2在俯视观察中形成为从在Y轴方向上延伸的检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的侧面向X轴方向突出地延伸。因此，凹凸图案UEl形成于部分PR2的侧面，如图12、图13以及图15所示，保护膜33终止于凹凸图案UEl上以及部分PR2上。换而言之，保护膜33的区域AR3侧的端部EPl位于凹凸图案UEl上以及部分PR2上。此外，突出部PJ2也是形成于第二基板31上的凸部。
[0189]这样，通过作为阶梯部的突出部PJ2，能够使检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的外周的长度变长，通过作为阶梯部的侧壁的突出部PJ2而能够使检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的侧面的面积变大。S卩，能够使阶梯部的长度变长。因此，能够防止或抑制涂布于区域AR2的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR3侧，能够高精度地调整涂布于区域AR2的涂布液的端部位置。
[0190]优选地，凹凸图案UEl包括多个突出部PJ2。多个突出部PJ2在区域AR2中形成为在俯视观察中分别从在Y轴方向上延伸的检测电极TDL中的形成于区域AR2的部分PR2的侧面向X轴方向突出地延伸、且沿Y轴方向排列。由此，能够容易地防止或抑制涂布于区域AR2的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR3侧。因此，能够容易地高精度调整涂布于区域AR2上的涂布液的端部位置。
[0191]另外，在本第一变形例中，作为在俯视观察中各自在X轴方向上延伸且在Y轴方向上相邻的两个检测电极TDL，设有检测电极TDLl以及TDL2。如图12、图13以及图15所示，保护膜33在区域ARl以及AR2中形成为覆盖两个检测电极TDL且覆盖位于两个检测电极TDL之间的部分的第二基板31。
[0192]对应于检测电极TDLl而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UElll包括多个作为突出部PJ2的突出部PJ211，对应于检测电极TDLl而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UE112包括多个作为突出部PJ2的突出部PJ212。多个突出部PJ211分别从检测电极TDLl中的形成于区域AR2的作为部分PR2的部分PR21的、与检测电极TDL2侧相反一侧的侧面向与检测电极TDL2侧相反的一侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。多个突出部PJ212分别从部分PR21的检测电极TDL2 —侧的侧面向检测电极TDL2侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。
[0193]另外，对应于检测电极TDL2而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UE121包括多个作为突出部PJ2的突出部PJ221，对应于检测电极TDL2而设置的作为凹凸图案UEl的凹凸图案UE122包括多个作为突出部PJ2的突出部PJ222。多个突出部PJ221分别从检测电极TDL2中的形成于区域AR2的作为部分PR2的部分PR22的、检测电极TDLl —侧的侧面向检测电极TDLl —侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。多个突出部PJ222分别从部分PR22的与检测电极TDLl侧相反一侧的侧面向与检测电极TDLl侧相反的一侧突出地在X轴方向上延伸且沿Y轴方向排列。
[0194]在本第一变形例中，如图19所示，突出部PJ212的检测电极TDL2侧的端部EG12配置成比突出部PJ221的检测电极TDLl侧的端部EG21在X轴方向上更靠向检测电极TDL2一侧。并且，多个突出部PJ212中的各个与多个突出部PJ221中的各个沿着Y轴方向交替地配置。因此，多个突出部PJ212以及多个突出部PJ221在Y轴方向上配置成交错状。
[0195]由此，在涂布于区域AR2中的位于彼此相邻的两个检测电极TDL之间的部分的第二基板31上的保护膜形成用涂布液向区域AR3侧扩散时，交叉的阶梯部的个数增加。由此，能够容易地防止或抑制涂布于区域AR2的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR3侧。因此，能够容易地高精度地调整涂布于区域AR2的涂布液的端部位置。
[0196]如图19所示，在设置突出部PJ212以及突出部PJ221的情况下，相邻的两个检测电极TDLl与TDL2的最短距离等于Y轴方向上的突出部PJ212与突出部PJ221之间的最短距离DS3。在这种情况下，优选地，Y轴方向上的突出部PJ212与突出部PJ221的最短距离DS3比各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径大。由此，能够防止或抑制突出部PJ212与突出部PJ221因各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中所含有的导电粒子而短路。
[0197]更优选地，Y轴方向上的突出部PJ212与突出部PJ221之间的最短距离DS3为各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径的三倍以上。或者，在导电粒子的平均粒径例如小于5000nm时，优选地，Y轴方向上的突出部PJ212与突出部PJ221之间的最短距离DS3例如为15000nm?50000nm。由此，能够容易地防止或抑制突出部PJ212与突出部PJ221因各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子而短路。
[0198]需要说明的是，例如在虽设置多个突出部PJ212，但未设置多个突出部PJ221的情况下，相邻的两个检测电极TDLl与TDL2的最短距离就变成等于检测电极TDL2的检测电极TDLl 一侧的侧面与突出部PJ212在X轴方向上的最短距离。在这种情况下，也优选地，检测电极TDL2的检测电极TDLl —侧的侧面与突出部PJ212在X轴方向上的最短距离比各向异性导电膜CF1(参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径大。并且，更优选地，检测电极TDL2的检测电极TDLl —侧的侧面与突出部PJ212在X轴方向上的最短距离为各向异性导电膜CFl (参照图12以及图13)中含有的导电粒子的平均粒径的三倍以上。
[0199]这样，对于相邻的检测电极TDLl和TDL2，优选将其配置成不局限于X轴方向以及Y轴方向，任何方向上的任何部分之间的最短距离均空开同样的距离。
[0200]在本第一变形例I中，突出部PJ212的检测电极TDL2 —侧的端部EG12配置成比突出部PJ221的检测电极TDLl —侧的端部EG21在X轴方向上更靠向检测电极TDL2 —侧。因此，与突出部P J112的检测电极TDL2 —侧的端部EG12配置成比突出部P J121的检测电极TDLl —侧的端部EG21在X轴方向上更靠向检测电极TDLl —侧的实施方式一(参照图16)相比，防止或抑制涂布于区域AR2上的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR3侧的效果进一步变大。
[0201]需要说明的是，在本第一变形例中，也与使用图12所说明的实施方式一同样，部分PR2在X轴方向上的宽度WD2比部分PRl在X轴方向上的宽度WDl大。由此，通过肩部SH1，能够防止或抑制涂布于区域ARl的保护膜形成用涂布液扩散至区域AR2 (省略宽度WDl以及WD2的图示，在以下的各变形例中也同样)。
[0202]<凹凸图案的第二变形例>
[0203]图20是示出实施方式一的电极基板上的凹凸图案的第二变形例的俯视图。