专利名称：磁记录介质及磁记录介质的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种由预定的凹凸图案将记录层分割为多个记录要素的磁记录介质及其制造方法背景技术以往，希望硬盘等磁记录介质通过构成记录层的磁性粒子的细化、材料的变更、磁头加工的细化等的改进而显著地提高面记录密度。另外，一种磁记录介质正在实用化，其是在相对于表面的垂直方向上，以成为具有磁的各向异性的方式定向记录层，进一步地，为增强记录磁场而在记录层的下面形成软磁性层，从而提高面记录密度的垂直记录型磁记录介质，以后仍然期待着进一步地提高面记录密度。
但是，由磁头的加工极限、磁头的记录磁场的扩大而引起的记录对象的磁道与邻接的其它磁道在记录、再现时的交调失真等问题也突显出来，因为利用这些现有的改良方法来提高面记录密度达到了极限，所以作为可以实现更进一步地提高面记录密度的磁记录介质的候补，提出了由预定的凹凸图案形成记录层的离散磁道介质和晶格介质等的磁记录介质(例如，参照日本专利特开平7-129953号公报)。作为把记录层加工成凹凸图案的方法是利用干蚀刻的方法。
此外，为了得到良好的记录/再现特性最好限定构成记录要素的凸部来形成记录层，直到基板一侧的面来彼此分割记录要素。另外，从磁头·滑动头的上浮稳定性的观点来说，凹凸图案的阶差最好尽可能的小，最好由非磁性物填充所形成的凹部，使介质表面平坦化。还有，在填充·平坦化过程中，从生产性的观点来说，凹凸图案的凹部最好是必要的最小限度的深度。即，最好是可以在记录层中一直到基板一侧的面的位置正确地形成凹凸图案的凹部。
然而，在把记录层加工成凹凸图案时，正确地进行在记录层中直到基板一侧的面的位置形成凹部的加工是困难的，如果可靠地一直到基板一侧的面来彼此分割记录要素，就会加工到记录层下面的软磁性层。虽然软磁性层通常要求控制磁区，还在相对于磁道方向(磁头的运行方向)的垂直方向上定向为具有磁的各向异性，但是如果软磁性层的一部分被加工，那么磁区和磁的各向异性就会混乱而增大磁噪音，出现记录/再现特性恶化的问题。另外，也担心一直到记录层下面的层来形成凹部，由于凹凸图案的阶差变大而导致磁头的上浮稳定性降低，记录/再现特性恶化。
另外，虽然在记录层加工的进行中在到达基板一侧的面之前停止加工，解决了这些问题，但由于在凹部残存有记录层，仍然存在磁噪音增大、记录/再现特性降低的问题。
本发明是鉴于上述问题提出的，目的在于提供一种磁记录介质制造方法，其可以效率良好的制造一种磁记录介质，该磁记录介质具有以预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，且记录/再现特性良好。
发明内容
本发明通过这样的磁记录介质实现上述目的，其特征在于包括基板，形成在该基板上的软磁性层，在与表面垂直方向上定向为具有磁的各向异性且形成在上述软磁性层上、并且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，以及形成在该记录层和上述软磁性层之间的中间层。
另外，本发明还通过这样的磁记录介质实现上述目的，其特征在于包括基板，在与表面平行的方向上定向成具有磁的各向异性且形成在上述基板上、并且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，以及形成在该记录层和上述基板之间的中间层。
通过在记录层的下面形成中间层，在记录层的加工中，即使一直到记录层的基板一侧的面形成凹部，由于保护了记录层下面的软磁性层等层不被加工，所以可以得到良好的记录/再现特性。还有，通过在记录层中形成与基板一侧的而接触的具有提高记录层定向性的性质的层作为中间层，可以实现记录/再现特性的提高。
即，通过下述那样的本发明，可以获得上述课题的解决。
(1)一种磁记录介质，其特征在于包括基板，形成在该基板上的软磁性层，在与表面垂直方向上定向为具有磁的各向异性且形成在上述软磁性层上、并且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，以及形成在该记录层和上述软磁性层之间的中间层，在数据区域中以预定的轨道形状形成上述记录要素。
(2)一种磁记录介质，其特征在于包括基板，在与表面平行的方向上定向成具有磁的各向异性且形成在上述基板上、并且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，以及形成在该记录层和上述基板之间的中间层，在数据区域中以预定的轨道形状形成上述记录要素。
(3)对于(1)或(2)的磁记录介质，其特征在于上述中间层的厚度方向上至少一部分具有提高上述记录层的定向性的性质，而且与上述记录层的上述基板一侧的面相接触地形成定向膜。
(4)对于(1)至(3)中的任一磁记录介质，其特征在于上述凹凸图案的凹部一直到达中间层的厚度方向的中间而形成，上述记录层中直到上述基板一侧的面被上述凹部分割，且上述中间层在上述基板一侧的面是连续的。
(5)对于在(1)到(4)所述的任一磁记录介质，其特征在于上述中间层的厚度是2～40nm。
(6)在(1)到(5)所述的任一磁记录介质，其特征在于上述凹凸图案的凹部由非磁性材料填充。
(7)在(1)到(6)所述的任一磁记录介质，其特征在于上述中间层的厚度方向的至少一部分是预定蚀刻的蚀刻率比上述记录层低的停止膜。
(8)对于(7)的磁记录介质，其特征在于上述蚀刻是离子束蚀刻。
(9)对于(7)的磁记录介质，其特征在于上述蚀刻是使用一氧化碳和含氮气体的混合气体作为反应气体的反应性离子蚀刻。
(10)一种磁记录介质的制造方法，其特征在于包括如下步骤被加工件制作工序，在基板上按照软磁性层、中间层、在与表面垂直的方向上定向成具有磁的各向异性的记录层的顺序形成之后制作被加工体；记录层加工工序，通过干蚀刻加工该被加工体，以预定的凹凸图案将上述记录层分割成多个记录要素，在数据区域中将上述记录要素加工成预定的轨道形状；在该记录层加工工序中，直到上述中间层的厚度方向的中间形成上述凹凸图案的凹部，上述记录层一直到上述基板一侧的面由上述凹部分割。
(11)一种磁记录介质的制造方法，其特征在于包括如下步骤被加工体制作工序，在基板上按照中间层、在与表面平行的方向上定向成具有磁的各向异性的记录层的顺序形成，制作被加工体；记录层加工工序，通过干蚀刻加工该被加工体并由预定的凹凸图案将上述记录层分割成多个记录要素，在数据区域中将上述记录要素加工成预定的轨道形状；在该记录层加工工序中，直到上述中间层的厚度方向的中间形成上述凹凸图案的凹部，上述记录层一直到上述基板一侧的面由上述凹部分割。
(12)在(10)或(11)中所述的磁记录介质制造方法，其特征在于在上述被加工体制造工序中上述中间层的厚度方向的至少一部分形成具有提高上述记录层的定向性的性质的定向膜，与该定向膜相接触地形成上述记录层。
(13)在(10)到(12)中所述的任一磁记录介质制造方法，其特征在于在上述被加工件制造工序中，上述中间层形成为2～40nm的厚度。
(14)在(10)至(13)中所述的任一磁记录介质制造方法，其特征在于上述中间层的厚度方向的至少一部分形成停止膜，该停止膜对于上述记录层加工工序中的干蚀刻的蚀刻率比上述记录层低。
(15)在(10)到(14)中所述的任一磁记录介质制造方法，其特征在于在上述记录层加工工序后，还设置有由非磁性材料填充上述凹凸图案的凹部的非磁性材料填充工序，以及除去上述记录要素上的剩余的非磁性材料使上述记录要素以及非磁性材料的表面平坦化的平坦化工序。
此外，在本申请中，“由凹凸图案分割成多个记录要素的记录层”的意思是凹凸图案的凹部以至少一直到达基板一侧的面的方式形成的记录层，除了包含记录要素彼此之间被完全分割的记录层以外，还包含记录要素彼此之间在凹部以外的(凸部)区域中部分连续的记录层，以及在基板的一部分中记录要素连续形成螺旋状的涡卷形状的记录要素的记录层。
还有，本申请中的术语“蚀刻率”意思是蚀刻在单位时间的平均加工量。
另外，本申请中的术语“磁记录介质”的意思并不限于仅利用磁来记录、读取信息的硬盘、软盘(注册商标)、磁盘等，还包括磁和光并用的MO(Magneto Optical)等的光磁性记录介质、磁和热并用的热辅型记录介质。
对于本发明，在记录层的加工中，即使一直到达基板一侧的面分割记录层，由于软磁性层等的下面的层由中间层保护而不被加工，所以可以得到良好的记录/再现特性。此外，通过与记录层的上述基板一侧的面连接形成的具有提高记录层的定向性的性质的中间层，可以实现记录/再现特性的提高。
图1是模式的表示本发明的第一实施方式的磁记录介质的构造的侧面剖视图。
图2是表示中间层的厚度与记录层的表面中记录磁场的大小之间的关系的曲线。
图3是表示相同的磁记录介质的制造工序的概要的流程图。
图4是模式的表示相同的磁记录介质的制造工序中被加工体的加工毛坯的构造的侧面剖视图。
图5是模式地表示掩模层被加工成凹凸图案的同一被加工体的形状的侧面剖视图。
图6是模式的表示记录层被加工成凹凸图案的同一被加工体的形状的侧面剖视图。
图7是模式的表示由非磁性材料填充的同一被加工体的形状的侧面剖视图。
图8是模式的表示本发明的第二实施方式的磁记录介质的构造的侧面剖视图。
具体实施例方式
下面将参照附图详细说明本发明的优选实施方式。
本发明的第一实施方式是涉及一种垂直记录型的离散磁道型(デイスクリ一トトラツクタイプ)的磁盘，如图1所示，磁记录介质10包括基板12，形成在基板12上的软磁性层14，在与表面垂直方向上定向成具有磁的各相异性并形成在软磁性层14上、且由凹凸图案分割成多个记录要素16A的记录层16，以及形成在记录层16和软磁性层14之间的非磁性中间层18。
凹凸图案的凹部20以到达中间层18的厚度方向的中间来形成。一直到基板12一侧的面来分割记录层16，中间层18在基板12一侧的面是连续的。在凹部20中填充非磁性材料22。另外，在记录要素16A和非磁性材料22上按保护层24、润滑层26这样的顺序形成。
记录层16的厚度是5～30nm，材料是CoCrPt合金，并分割成记录要素16A。记录要素16A，具体地说，是在数据区域中形成的在径向方向有微小间隔的同心圆状的轨道形状。另外，记录要素16A在伺服区域中形成预定的伺服信息的图案形状。
对于将连续记录层分割成记录要素16A而形成记录层16的方法，例如可以例举以Ar气体作为加工用气体的离子束蚀刻来加工连续记录层的例子。
中间层18的厚度是2～40nm，其具有提高记录层16的定向性的性质，与记录层16的基板12侧相连。作为中间层18的具体的材料，可以使用Cr、非磁性的CoCr合金，Ti(钛)等。
由于通常的离子束蚀刻的加工精度为±1nm左右，在形成记录层16的时候，通过离子束蚀刻的加工，连续记录层一直到基板12一侧的面可靠地被分割，并且为了保护软磁性层14不被加工，中间层18的厚度最好是在2nm以上。另外，为了获得提高记录层16的定向性的效果，中间层18的厚度最好在20nm以上。
另一方面，如果中间层18的厚度过大，记录层16和软磁性层14的间距变大，为了消除对记录能力的不利影响，在这一点上中间层18的厚度最好尽可能的薄。图2表示由现有技术中记录能力为最大级别的记录磁头，将记录磁场施加给磁记录介质10的情况下，中间层18的厚度与记录层16的表面中记录磁场的大小关系的曲线图。从图2可以看出，随着中间层18的厚度增加，记录层16的表面中的记录磁场的大小具有变小的倾向。另外，现有技术中的硬盘等的磁记录介质中使用的记录层的矫顽力Hc比较大的是400kA/m，为了可靠地使矫顽磁力Hc的记录层饱和磁化，有必要对记录层施加1.5倍的矫顽力即600kA/m的记录磁场。因此，中间层18的厚度最好是40nm以下。
基板12的材料是玻璃、铝等非磁性材料。软磁性层14的厚度为50～300nm，材料为Fe(铁)合金或Co(钴)合金。非磁性材料22的材料是SiO2(二氧化硅)。保护层24的厚度是1～5nm，材料是称为类金刚石碳(ダイヤモンドライクカ一ボン/diamond-like carbon)的硬质碳膜。还有，在本申请中术语“类金刚石碳(下面称为‘DLC’)”使用的意义是碳素为主要成分，非结晶体构造的、维氏硬度为2×109～8×1010Pa的材料。润滑层26的厚度为1～2nm，材料是PFPE(全氟聚乙烯)。
下面对磁记录介质10的作用进行说明。
由于在记录层16和软磁性层14之间形成中间层18，所以在形成记录层16的加工中，即使连续记录层一直到达基板12一侧的面来分割，由于中间层18保护软磁性层14不被加工，保持厚度相同的连续的膜形状，所以磁记录介质10能够得到良好的记录/再现特性。
另外，由于具有提高记录层16的定向性的性质的中间层18是与记录层16的基板12一侧的面相连地形成的，记录层16的定向性良好，就这一点也可以实现记录/再现特性的提高。
此外，由于对于用Ar气体作为加工用气体的离子束蚀刻，中间层18的材料是蚀刻率比记录层16低的材料，所以为形成记录层16而使用离子束蚀刻的情况下，保护软磁性层14不被加工的中间层18是足够的薄，因而记录层16和软磁性层14的间距减小，有利于记录特性的提高。
另外，根据记录层16、软磁性层14的材料、厚度等，由于在记录层16和软磁性层14之间存在适宜厚度的中间层，相比较于记录层16与软磁性层14直接接触的结构，存在再现磁场增大、可获得良好的再现特性的情况。
由于相对于用Ar气体作为加工用气体的离子束蚀刻，中间层18的材料是蚀刻率比记录层16低的材料，所以为形成记录层16而使用离子束蚀刻的情况下，连续记录层可以一直到基板12侧的面可靠地被分割，同时可以抑制凹凸图案的凹部过度变深。由此，可以抑制非磁性材料22的填充量(成膜量)和平坦化过程中剩余的非磁性材料22的加工量，因而有利于生产性的提高。
由于记录要素16A之间的凹部20由非磁性材料22填充，所以磁记录介质10的表面凹凸变小，磁头的上浮高度稳定，仅此一点也能得到良好的记录/再现特性。
另外，由于记录要素16A在数据区域中形成轨道形状，所以即使面记录密度高，磁记录介质10也不会发生向与记录对象的磁道相邻的磁道记录和再现时的交调失真等问题，而且，由于记录要素16A在其自身设置的磁道部分的整个区域(从磁道宽度方向的一端到另一端)中连续地形成，仅此便可以得到大的再现磁场。
进一步的，由于磁记录介质10是被分割成各个记录要素16A，记录要素16A之间的凹部20中不存在记录层16，所以不会由于凹部20产生噪音，另外，由于软磁性层14是厚度一样的连续的膜形状，所以仅此一点磁记录介质10也可以获得良好的记录/再现特性。
接下来，参照图3的流程图，对磁记录介质10的制造方法进行说明。
首先，制造如图4所示的被加工体30的加工毛坯(S102)。具体地说，被加工体30的加工毛坯在基板12上，按照软磁性层14、中间层18、连续记录层32、掩模层34的顺序通过溅射法形成，进而利用旋转涂布法涂布而得到抗蚀层36。此外，也可以利用浸渍法涂布抗蚀层36。这里，掩模层34的厚度是3～50nm，材料是C、Ta、DLC等，抗蚀层36的厚度是30～300nm。
接下来，在抗蚀层36中，利用超精密压印在伺服区域中对应于预定的伺服图案的形状复制凹凸图案，在数据区域的径向方向以微小的间隔对应于轨道形状复制凹凸图案，通过使用O2气体等作为反应气体的反应性离子蚀刻，除去凹凸图案的凹部底面的抗蚀层36(S104)。另外，也可以使抗蚀层36曝光·显影，形成凹凸图案。
接下来，通过以SF6(六氟化硫)气体作为反应气体的反应性离子蚀刻除去凹部底表面的掩模层34(S106)。由此，如图5所示，在凹部的底面露出连续记录层32。
接下来，通过以Ar气体作为加工用气体的离子束蚀刻，除去凹部底面的连续记录层32。另外，此时，还在厚度方向部分地除去中间层18。由此，如图6所示，连续记录层32被分割成多个记录要素16A，形成记录层16(S108)。接下来，通过以SF6气体作为反应气体的反应性离子蚀刻完全除去残存在记录要素16A的上表面的掩模层34。
接下来，利用溅射法如图7所示的那样，在被加工体10的表面把SiO2(非磁性材料22)的粒子形成薄膜，并填充记录要素16A之间的凹部20(S110)。这里，非磁性材料22形成为完全覆盖记录要素16A的薄膜。
接下来，使用CMP(Chemical Mechanical Polishing)法或离子束蚀刻法除去记录要素16A上的剩余非磁性材料22，并使记录要素16A以及非磁性材料22的表面平坦化(S112)。这里，“剩余的非磁性材料22”意思是指残存在记录要素16A的上表而的上侧(基板12的相对侧)的记录要素16A上的非磁性材料22。
接下来，通过CVD(Chemical Vapor Deposition)法在记录要素16A和非磁性材料22的上表面形成保护层24(S114)。进而，利用浸渍法在保护层24上涂敷润滑层26(S116)。由此，完成如上述图1所示的磁记录介质10。
下面，对本发明的第二实施方式进行说明。
本发明的第二实施方式是涉及一种面内记录型的离散磁道型磁盘，如图8所示，磁记录介质50包括基板12，在与表面平行的方向上定向成具有磁的各相异性并形成在基板12上、且由预定的凹凸图案分割为多个记录要素52A的记录层52，以及形成在记录层52和基板12之间的非磁性中间层58。由于其它的结构与上述第一实施方式的磁记录介质10相同，相同的结构使用与图1相同的符号并省略对其的说明。此外，对于其制造方法，由于与前述磁记录介质10相同，所以也省略对磁记录介质50的制造方法的说明。
记录层52的厚度是10～15nm，材料是CoCrPt合金，分割成记录要素52A。
对于将连续记录层分割成记录要素52A并形成记录层52的方法，与上述记录层16的情况相同，例如可以例举Ar气体作为加工气体通过离子束蚀刻加工连续记录层的例子。
中间层58的厚度是2～40nm，与上述中间层18相同，具有提高记录层52的定向性的性质，且与记录层52的基板12侧相连接。作为中间层58的具体材料，可以使用Cr、非磁性的CoCr合金等。为了避免由离子束蚀刻加工基板12，最好中间层18的厚度在2nm以上，为了提高记录层52的定向效果，中间层18的厚度最好在20nm以上。
磁记录介质50也与上述磁记录介质10相同，由于具有提高记录层52的定向性的性质的中间层58在记录层52的基本12侧的表面相连接地形成，所以记录层52的定向性良好，仅此一点记录/再现特性就很好。
此外，由于相对于离子束蚀刻，中间层58的材料是蚀刻率比记录层52低的材料，为形成记录层52而使用离子束蚀刻的情况下，连续记录层可以直到基板12一侧的面可靠地被分割，并且可以抑制凹凸图案的凹部过度变深。由此，可以抑制非磁性材料22的填充量(形成薄膜量)以及平坦化中的剩余的非磁性材料22的加工量，因而有助于生产性的提高。
另外，由于磁记录介质50的记录要素52A之间的凹部20由非磁性材料22填充，所以表面凹凸变小，磁头的上浮高度稳定，就这一点也能得到良好的记录/再现特性。
此外，在上述第一和第二实施方式中，作为加工连续记录层并形成记录层16、52的蚀刻，虽然例示出了使用Ar气体的离子束蚀刻，但是也可以采用使用例如Kr(氪)、Xe(氙)等其它惰性气体的离子束蚀刻。
另外，在上述第一及第二实施方式中，虽然中间层18、58的材料例示出了Cr、非磁性CoCr合金等，但是如果代替这些材料使用C、Ta的话，相对于用于加工连续记录层而形成记录层16、52的离子束蚀刻的蚀刻率，其变得更低，是更好的。另外，相对于记录层16的数据记录/再现特性，例如如果是不会对磁噪音等造成更坏影响的实质性问题的材料，作为中间层18、58的材料也可以使用具有磁性的材料。
另外，在上述第一及第二实施方式中，作为加工连续记录层并形成记录层16、52的干蚀刻，虽然例示出的是离子束蚀刻，但是使用CO(一氧化碳)以及NH3等的含氮气体的混合气体作为反应气体的反应性离子蚀刻形成记录层16、52也可以。此种情况下，作为用于形成记录层16、52的加工而在连续记录层上形成掩模层的材料可以使用TiN(氮化钛)。
此外，作为加工连续记录层并形成记录层16、52的干蚀刻，使用CO以及NH3等的含氮气体的混合气体作为反应气体的反应性离子蚀刻的情况下，作为中间层18、58的材料，对应于该反应性离子蚀刻的蚀刻率，最好使用比记录层16、52的材料即CoCrPt合金的蚀刻率低的Cr、非磁性CoCr合金、Ti(钛)等。在离散磁道介质和晶格介质的情况下，虽然考虑了如上述第一实施方式中，在数据区域形成了相当于磁道的记录要素且同时在伺服区域中形成了相当于伺服图案的记录要素，但是各种伺服图案形状(脉冲图案、地址图案)的图案间隔(凹部的宽度)例如可以是在100nm～1μm的范围内不规则的分布，不是均一的间隔。在这种常用的通过反应性离子蚀刻加工伺服图案的情况下，由于凹部的宽度而容易使加工速度变化，且蚀刻停止精度也出现包含±5nm的凹部深度的不规则分布，如果中间层18、58的厚度在10nm以上，通过该反应性离子蚀刻加工，连续记录层可以直到基板12一侧的面可靠地被分割，而且可以保护软磁性层14等不被加工，同时加工方法可以选择的范围更大，是优选的。
作为中间层18、58的材料，相对于用于加工连续记录层并形成记录层16、52的蚀刻的蚀刻率，即使在使用与记录层16、52相同的蚀刻率或比记录层16、52高的蚀刻率的材料的情况下，由于在记录层16、52的基板12一侧形成了中间层，可以得到提高记录层16、52的定向性、保护记录层16、52的下面的层不被加工的效果。
作为中间层18、58的材料，即使在使用不具有提高记录层16、52的定向性的效果的材料的情况下，通过在记录层16、52的基板12一侧形成中间层，也可以获得保护记录层16、52的下面的层不被加工的效果。
在上述第一以及第二实施方式中，虽然中间层18、58是单层结构，但是在记录层16、52的基板12一侧形成由多层构成的中间层也可以。例如，作为与记录层16、52直接接触的层，形成提高记录层16、52的定向性效果的层，作为其它的层，也可以形成相对于加工连续记录层并形成记录层16、52的加工蚀刻率，其蚀刻率非常低的层。
在上述第一以及第二实施方式中，作为非磁性材料22，虽然使用的是SiO2，但是只要是非磁性材料，对非磁性材料22的材料没有特别的限定。
在上述第一以及第二实施方式中，虽然用非磁性材料22填充记录要素16A、52A之间的凹部20，但是使凹部20成为空隙部也可以。此种情况下，由于利用中间层18、58抑制了凹部20的深度，这样对已获得抑制磁头上浮高度的变动、提高记录/再现特性具有一定的效果。
在上述第一以及第二实施方式中，作为记录层16、52的材料，虽然使用的是CoCrPt合金，但是只要是得到良好的记录/再现特性的磁性材料，并不特别限定记录层16、52的材料，作为记录层16、52的材料，例如也可以使用含有铁族元素(Co、Fe(铁)、Ni)的其它合金，以及它们的层叠体等的其它材料。
另外，在上述第一实施方式中，虽然在连续记录层32上形成掩模层34、抗蚀层36，通过两个阶段的干蚀刻分割连续记录层32，但是只要能够高精度地分割连续记录层32，并不特别限定抗蚀层、掩模层的材料、层叠的数量、厚度、干蚀刻的种类等。
另外，在上述第一实施方式中，虽然在中间层18下形成软磁性层14，在上述第二实施方式中，虽然中间层58直接形成在基板12上，但是中间层18、58和基板12之间的层的结构可以根据磁记录介质的种类作适当地变更。例如，也可以在基板12上形成底层，在该底层上也可以形成软磁性层14、中间层58。
在上述第一以及第二实施方式中，磁记录介质10、50虽然是在数据区域中的记录要素16A、52A在磁道的径向方向上以微小的间隔并列设置的离散磁道型的磁盘，但是记录要素在磁道的圆周方向(圆周方向)以微小的间隔并列设置的磁盘、在磁道的径向方向以及圆周方向两个方向以微小的间隔并列设置的磁盘、磁道形成螺旋形状的磁盘的制造都可以适用于本发明。另外，对于MO等的光磁盘、磁和热并用的热辅型磁盘，进一步的磁带等圆盘形状以外的具有凹凸图案的记录层的其它磁记录介质的制造也可以适用于本发明。
本发明，例如可以用于离散磁道介质，晶格介质等的记录层通过预定的凹凸图案分割成多个记录要素并形成在基板上的磁记录介质。
权利要求
1.一种磁记录介质，其特征在于包括基板，形成在该基板上的软磁性层，在与表面垂直的方向上定向成具有磁的各相异性并形成在上述软磁性层上、且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，以及形成在该记录层和上述软磁性层之间的中间层，在数据区域中以预定的轨道形状形成上述记录要素。
2.一种磁记录介质，其特征在于包括基板，在与表面平行的方向上定向成具有磁的各相异性并形成在上述基板上、且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，以及形成在该记录层和上述基板之间的中间层，在数据区域中以预定的轨道形状形成上述记录要素。
3.根据权利要求1或2的磁记录介质，其特征在于，上述中间层的厚度方向的至少一部分是具有提高上述记录层的定向性的性质的，而且是在上述记录层中与上述基板一侧的面相接触地形成的定向膜。
4.根据权利要求1或2的磁记录介质，其特征在于，上述凹凸图案的凹部是一直到上述中间层的厚度方向的中间而形成，上述记录层是直到上述基板一侧的表面由上述凹部而分割，且上述中间层在上述基板一侧的面是连续的。
5.根据权利要求1或2的磁记录介质，其特征在于，上述中间层的厚度是2～40nm。
6.根据权利要求1或2的磁记录介质，其特征在于，上述凹凸图案的凹部由非磁性材料填充。
7.根据权利要求1或2的磁记录介质，其特征在于，上述中间层的厚度方向的至少一部分是相对于预定的蚀刻的蚀刻率比上述记录层低的停止膜。
8.根据权利要求7的磁记录介质，其特征在于，上述蚀刻是离子束蚀刻。
9.根据权利要求7的磁记录介质，其特征在于，上述蚀刻是使用一氧化碳和含氮气体的混合气体作为反应气体的反应性离子蚀刻。
10.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于包括如下步骤被加工体制造工序，在基板上按照软磁性层、中间层、在与表面垂直的方向定向成具有磁性各向异性的记录层的顺序形成从而制造被加工体；记录层加工工序，通过干蚀刻加工该被加工体，把上述记录层按照预定的凹凸图案分割成多个记录要素，在数据区域中将上述记录要素加工成预定的轨道形状；在该记录层加工工序中，一直到达上述中间层的厚度方向的中间来形成上述凹凸图案的凹部，上述记录层以直到上述基板一侧的面的形式被上述凹部分割。
11.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于包括如下步骤被加工体制造工序，在基板上按照中间层、在与表面平行的方向上定向成具有磁的各向异性的记录层的顺序形成从而制造被加工体；记录层加工工序，通过干蚀刻加工该被加工体，把上述记录层按照预定的凹凸图案分割成多个记录要素，在数据区域中将上述记录要素加工成预定的轨道形状；其特征在于，在该记录层加工工序中，一直到达上述中间层的厚度方向的中间来形成上述凹凸图案的凹部，上述记录层以直到上述基板一侧的面的形式被上述凹部分割。
12.根据权利要求10或11的磁记录介质制造方法，其特征在于，在上述被加工体制造工序中，上述中间层的厚度方向的至少一部分形成具有提高上述记录层的定向性的性质的定向膜，与该定向膜相接触地形成上述记录层。
13.根据权利要求10或11的磁记录介质制造方法，其特征在于，在上述被加工体制造工序中，上述中间层形成2～40nm的厚度。
14.根据权利要求10或11的磁记录介质制造方法，其特征在于，上述中间层的厚度方向的至少一部分形成相对于上述记录层加工工序的干蚀刻的蚀刻率比上述记录层低的停止膜。
15.根据权利要求10或11的磁记录介质制造方法，其特征在于，在上述记录层加工工序后，还具有由非磁性材料填充上述凹凸图案的凹部的非磁性材料填充工序，以及除去上述记录要素上的剩余的非磁性材料，使上述记录要素和非磁性材料的表面平坦化的平坦化工序。
全文摘要
本发明提供一种具有由预定的凹凸图案分割成多个记录要素的记录层，且记录/再现特性良好的磁记录介质以及可以效果良好地制造这种磁记录介质的磁记录介质制造方法。磁记录介质10包括基板12，形成在基板12上的软磁性层14，在与表面垂直方向上定向成具有磁的各相异性并形成在软磁性层14上、且由预定的凹凸图案分割成多个记录要素16A的记录层16，以及形成在记录层16和软磁性层14之间的非磁性中间层18，在数据区域中以预定的轨道形状形成记录要素16A。
文档编号G11B5/66GK1713277SQ20051007139
公开日2005年12月28日 申请日期2005年5月20日 优先权日2004年6月25日
发明者添野佳一, 高井充, 田上胜通, 岛川和也 申请人:Tdk股份有限公司