专利名称：半导体激光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及读取被记录在光记录介质上的信息或将信号输入到光记录介质上的光拾取装置、以及能够用于光拾取装置的半导体激光装置和外壳、以及这种半导体激光装置的制造方法。
为了读取被记录在CD-ROM(光盘-读取专用存储器)或MD(小磁盘)等信息记录介质上的信息，作为光拾取装置的部件，半导体激光装置被广泛使用。在半导体激光装置中包括在特开2002-43679号公报中显示的框架型的激光装置。这种框架型的激光装置，具有用树脂(封装)使金属制引线框和构成电极的多个引线形成为一体的封装部分。半导体激光芯片被搭载在引线框的元件配置部(搭载芯片的部分)，用导线使该半导体激光芯片和电极引线电连接。在特开2002-43679号公报中，该引线框具有从上述树脂的侧面突出的翼状部分，用以达到提高散热效率的目的。
但是，近年的光拾取装置大多使用高输出的半导体激光芯片，所以有必要进一步改善半导体激光芯片的散热特性。
另外，特开2002-43679号公报揭示了借助辅助台、将半导体激光芯片搭载在元件搭载部的例子。在该例子中，辅助台是由内装有监控用光敏元件的Si基板构成，且半导体激光芯片通过焊接等安装在其上。操作时，半导体激光芯片向前方发射激光的同时，也向后方发射激光。向后方发射的激光的一部分入射到上述监控用光敏元件上，根据上述监控用光敏元件的输出，控制上述半导体激光芯片向前方射出的激光。
但是，在该例子中，由于半导体激光芯片和辅助台的配置的约束，半导体激光芯片向后方发射的激光的大部分没有射入到监控用光敏元件中。所以，射入到监控用光敏元件的入射光量少，产生了不方便控制半导体激光芯片向前方发射激光的问题。
在特开2003-31885号公报所述的框架型的半导体激光装置中，设置有包围半导体激光芯片和监控用光敏元件周围的封装，在该封装的背面的一部分设置有光反射面。半导体激光芯片向后方发射的激光被上述光反射面反射，其中大部分射入上述监控用光敏元件中。
但是，在特开2003-31885号公报的例子中，半导体激光装置被安装在光拾取装置等电子设备中时，如果向上述封装施加应力，则上述光反射面就会变形。结果，就产生了向上述监控用光敏元件射入的光量不稳定的问题。
另外，特开2003-31885号公报揭示了上述封装是由下部和上部两个部分构成，上部的封装，作为保护半导体激光芯片的盖(cap)，通过将分向下部封装内的压入等而进行安装。
但是，将上述上部封装向上述下部封装内压入而安装时，上述上部封装相对上述下部封装，要向与上述半导体激光芯片的光轴大致垂直的方向压接，所以给上述下部封装施加的应力，在向上述引线框传递时，是朝与上述半导体激光芯片的光轴大致垂直的方向传递。可是，在上述下部封装上形成有不遮挡来自上述半导体激光芯片的射出激光的窗部。
这样，上述应力被施加到上述下部封装上的上述窗口的某些部位(强度小的部位)，所以上述下部封装不能吸收上述应力而传递到上述引线框，上述引线框就有可能会翘曲、弯曲。
发明内容
本发明的第1目的是提供在散热性方面有优势、另外提高生产性方面也有优势的半导体激光装置和光拾取装置。
本发明的第2目的是提供使半导体激光芯片向后方射出的激光大多射向监控用光敏元件、而且能够稳定接受的半导体激光装置及其制造方法。
本发明的第3目的是提供在盖压入时引线框没有翘曲、弯曲的半导体激光装置。
本发明的第4目的是提供能够防止给光盘装置的写入特性等或者光拾取的信号控制系统带来坏影响的半导体激光装置。
本发明的第5目的是提供半导体激光装置及搭载此装置的外壳，该半导体激光装置调整被直接或借助辅助台搭载在薄金属板上的半导体激光芯片发射出的发射光的光轴。进而提供即使调整上述光轴、发光点也不移动的半导体激光装置及搭载该半导体激光装置的外壳。
涉及本发明第1侧面的半导体激光装置，其特征在于，一种半导体激光装置，其特征在于，包括具有搭载半导体激光芯片的板状搭载部和与此搭载部相连延伸的引线部的第1引线；沿着所述第1引线的引线部延伸的第2引线；将所述第1引线和第2引线保持成一体的由绝缘性材料构成的保持部；其中，第1引线具有，所述搭载部的背面从所述保持部露出的同时，沿着所述搭载部的背面从所述搭载部突出出来的系杆部。
这里，所谓的第1引线的「搭载部的背面」是指与搭载半导体激光芯片的面相反侧的面。
在将该半导体激光装置安装在如光拾取装置的阶段，如果使上述第1引线的搭载部(背面)和系杆部、与光拾取装置的外壳接触，则使半导体激光芯片工作时，上述系杆部与上述搭载部一起发挥散热的作用。就是说，半导体激光芯片产生的热量通过上述搭载部和系杆部散热到外壳。因而，散热面积变大了，散热性能变好了。
在一个实施方式中，上述系杆部是在上述半导体激光芯片的光轴的垂直的方向突出。因而，上述半导体激光芯片射出的激光不被上述系杆部妨碍。
在一个实施方式中，所述系杆部的前端，位于与所述搭载部的任何部分相比更远离所述半导体激光芯片的位置。因而，散热面积变大了，进而散热性能提高了。
在一个实施方式中，其特征在于，所述系杆部的宽度是与半导体芯片的宽度相同或比该宽度大。
这里，所谓上述系杆部的「宽度」是指，在沿着上述搭载部背面的面内、与上述系杆部的突出方向垂直的方向的宽度。另外，所谓上述半导体激光芯片的「宽度」是指，与从此芯片发射的激光光轴垂直的方向的宽度。
在该实施方式中，使散热面积变大了、能够得到良好的散热性能。
在一个实施方式中，所述第2引线具有限制该第2引线相对所述保持部移动的防脱离部分。因而，例如在将该半导体激光装置安装在如光拾取装置的阶段，向上述第2引线浸焊时，上述保持部的材料虽然在焊锡的热量作用下软化，但因为有上述防脱离部分，所以上述第2引线不会相对上述保持部移动。因而，使浸焊稳定进行，在提高生产性方面具有优势。
在一个实施方式中，所述第1引线在所述搭载部的前缘，具有用于显示所述半导体激光芯片的搭载位置的向后退进的凹部，相当于所述半导体激光芯片的正前方位置的所述凹部的内缘，相对所述半导体激光芯片的光轴倾斜。
这里，所谓上述搭载部的「前缘」中，将上述半导体激光芯片向外部发射激光的方向定为「前」在该实施方式中，为了显示上述半导体激光芯片的搭载位置，上述第1引线在上述搭载部的前缘具有向后的凹部，所以在制造阶段，将上述半导体激光芯片安装在上述搭载部上时，决定半导体激光芯片位置变得容易了。例如，借助矩形板状的辅助台部件，在上述搭载部上搭载上述半导体激光芯片的情况下，只要该辅助台部件的前缘与上部凹部的边缘位置吻合即可。而且，相当于上述半导体激光芯片的正前方的上述凹部的内缘，相对上述半导体激光芯片的光轴倾斜。所以，使上述半导体激光芯片工作时，即使从激光照射对象物(例如信息记录介质)返回的光入射到上述凹部和辅助台部件，该返回光也会通过上述凹部的内缘或者辅助台部件的前缘，向不同于上述半导体激光芯片射出激光方向的方向反射。其结果，在应用该半导体激光装置的装置(例如光拾取装置)中，可以防止从激光照射对象物发出的返回光成为干扰。
如果使上述第1引线成为厚度部分地不同的引线，那么就能够将上述第1引线的各部分高度设定为便于导线焊接的高度。因而，在提高生产性方面具有优势。
在一个实施方式中，其特征在于，与所述第1引线的所述搭载部中搭载所述半导体激光芯片部分的厚度相比，所述搭载部中其余部分的厚度更厚。
在该实施方式中，上述半导体激光芯片的上面与上述搭载部的上述其它部分的上面之间的高度差变小。因而，通过引线接合，可以用导线使上述半导体激光芯片的上面与上述搭载部的上述其它部分的上面连接。因而，在提高生产性方面具有优势。
在一个实施方式中，其特征在于，以使所述半导体激光芯片的上面与所述第1引线的所述引线部上面之间的高度差减小的方式，使所述第1引线的所述引线部的厚度相对于所述搭载部的厚度更厚。
在该实施方式中，上述半导体激光芯片的上面与上述第1引线的引线部的上面之间的高度差变小。因而，通过引线接合，可以用导线，将上述半导体激光芯片的上面与上述第1引线的引线部的上面之间连接起来。因而，在提高生产性方面具有优势。
在一个实施方式的半导体激光装置中，其特征在于，上述第1引线的上述搭载部与上述引线部被焊接在一起。
在该实施方式中，没有弯曲工序，上述引线可以很容易地被制成。因而，在提高生产性方面具有优势。
在一个实施方式的半导体激光装置中，其特征在于，在所述第1引线的所述搭载部中的除了搭载所述半导体激光芯片区域以外的区域上，设置有贯穿所述搭载部表背面的穿孔；在所述搭载部表背面设置有与所述穿孔相连且包围所述穿孔周围的凹坑；所述保持部的材料从所述搭载部的表面侧开始、贯穿所述穿孔、填埋所述凹坑。
这些实施方式的半导体激光装置中，上述搭载部被上述保持部夹持。因而，能够防止上述搭载部和上述保持部脱离。
其中，如果正好将上述保持部的材料埋入上述凹坑或上述切口部的背侧的空间内，则上述搭载部的背面侧成为平面构造。这样，在如将该半导体激光装置安装到光拾取装置的时候，上述第1引线的搭载部(背面)和系杆部能够与光拾取装置的外壳紧密接触。因而，不会损害散热特性。
在一个实施方式的半导体激光装置中，其特征在于，在所述第1引线和所述引线部和第2引线中，从所述保持部突出出来的外引线部分，局部地设置有细颈。
在该实施方式中，在上述第1引线的引线部和第2引线中，从上述保持部突出的外引线部上的上述细颈部位易于被切断。如果将上述各外引线部在上述颈部位切断，则与上述颈以外的部位被切断的情况相比，该切断的端面就会变小。因而，如果将芯部材料镀上易于附着焊锡的金属后作为外引线部，在芯部材料的露出面(端面)上易于附着焊锡的面就会相对变大。因而，将该半导体光拾取装置安装到如光拾取装置的时候，在各引线上浸焊时，附着焊锡的性能就会提高，生产性变好。
在一个实施方式中，其特征在于，所述各引线是在该芯部材料上镀上比该芯部材料焊锡润湿性更好的金属而制成。
在该实施方式中，如果将上述各引线在上述颈部位切断，则在芯部材料的露出面(端面)上易于附着焊锡的面(镀金属面)就会相对变大。因而，将该半导体光拾取装置安装到如光拾取装置的时候，使各引线上浸焊时，附着焊锡的性能就会提高，生产性变好上述芯部材料可以由Cu构成，上述被镀的金属的最表面也可是Sn或Au。
上述保持部的材料也可是树脂。这种情况下，上述保持部可通过使用金属模具并利用树脂成型而容易形成。
上述保持部的材料也可是陶瓷。这种情况下，散热性提高。
在这一实施方式中，上述保持部的颜色是黑色。因而，使上述半导体激光芯片工作时，从激光照射对象物体(例如信息记录介质)发出的返回光即使射入上述保持部，该反射光也会被上述保持部吸收，且不反射。其结果，在使用该半导体激光装置的装置(例如激光装置)中，能够防止从激光照射对象物发出的返回光成为干扰的原因。
上述半导体激光装置也可备有用于保护上述半导体激光芯片的盖。
涉及本发明的第2侧面的光拾取装置，其特征在于，
具备涉及上述第1侧面的半导体激光装置和外壳；所述半导体激光装置，是在使所述第1引线的搭载部和系杆部接触于与所述外壳状态下被安装的。
在该发明的激光装置中，使半导体激光芯片工作时，上述系杆部与上述搭载部一起起到散热的作用。
另外，涉及本发明的第3侧面的光拾取装置，其特征在于，具有具备金属制的散热板、和在该散热板的背面固定的半导体激光芯片的半导体激光装置；支撑所述半导体激光装置的外壳；而且，所述外壳具有与所述散热板的背面大部分面相接触的金属制的接触面的光拾取装置。
在本说明书中，所谓的背面的「大部分」是指背面面积的50％以上。
在上述构成的光拾取装置中，通过使上述散热板的背面的大部分与外壳的接触面相接触，从散热板的大部分散出热量到外壳中，所以以散热板散出的热量多，半导体激光芯片附近的热量也向外壳散出。因而，能够提高上述半导体激光装置的散热性。另外，因为半导体激光装置的散热性高，所以不仅能够延长半导体激光装置的寿命，而且能够在高温环境下操作半导体激光装置。因而，上述光拾取装置在品质、可靠性方面具有优势。
也可用金属焊剂(例如焊锡)使上述散热板的背面固定到上述外壳的接触面上。
在一个实施方式中，上述外壳的侧面是弯曲面(例如圆筒面)。
这种情况下，通过将固定半导体激光装置的外壳放入如圆柱状的孔中，能够用该孔持续支撑半导体激光装置和外壳并使之转动。因而，能够很容易地调整上述半导体激光芯片发射出的激光的位置。
也可在上述散热板上设置凹部或穿孔。
将上述散热板的背面用焊锡固定到外壳的接触面的情况下，通过散热板的凹部或穿孔，焊锡变得易于进入。因而，能够在上述散热板的背面和接触面之间均匀地铺开焊锡。就是说，能够使上述焊锡润湿性提高，进而提高散热板背面的相对外壳的接触面的密着性。
在一个实施方式中，上述半导体激光装置具有只在上述散热板的表面侧设有的树脂。
在用焊锡固定上述散热板的背面和外壳的接触面的情况下，上述树脂不会妨碍焊锡的附着。
为了提高金属焊锡的润湿性，也可在上述散热板的背面和上述外壳的接触面中的至少一方，施加表面处理(例如镀金属)。
另外，涉及本发明的第4侧面的光拾取装置，其特征在于，具备备有金属制散热板和固定在该散热板的表面的半导体激光芯片的半导体激光装置；支撑半导体激光装置的外壳；配置在所述散热板的背面和所述外壳之间的基板；而且，所述基板具有与所述散热板的背面的大部分面相接触的表面；所述外壳具有与所述基板的背面的大部分面相接触的金属制接触面。
在上述构成的光拾取装置中，通过上述散热板的背面的大部分与基板的表面相接触、上述基板的背面的大部分与外壳的接触面相接触，借助基板，散热板的大部分散出的热量散到外壳，所以，散热板散出的热量多，半导体激光芯片附近的热量也借助基板散到外壳。因而，能够提高上述半导体激光芯片的散热性。
另外，由于基板被配置在上述散热板的背面和上述外壳的接触面之间，所以能够将其它元件搭载在该基板上。
关于该发明的第5侧面的半导体激光装置，其特征在于，备有具有板状搭载部的第1引线；与所述第1引线分体的第2引线；将所述第1引线和第2引线保持为一体的由绝缘性材料构成的保持部；被搭载在所述搭载部的前部、向前方和后方发射激光的半导体激光芯片；配置在所述搭载部中的与所述半导体激光芯片相比的更后面的监控用光敏元件；备有与所述保持部分体的、配置在所述搭载部中的与所述监控用光敏元件相比的后面、接受半导体激光芯片向后方发射的激光的至少一部分并朝所述监控用光敏元件进行反射的光反射体。
这里，上述半导体激光芯片向前方发射的激光被用于该半导体激光装置的原来的用途。例如，将本发明的半导体激光装置安装在光拾取装置的情况下，被用于照射光盘。
在本发明的半导体激光装置中，上述反射体接受从上述半导体激光芯片发射的激光的至少一部分，并向上述监控用光敏元件反射。因而，与不设置光反射体的情况相比，向上述监控用光敏元件的入射量变多。而且，上述光反射体与上述保持部是分体的，所以在将该半导体激光装置安装在光拾取装置等的电子设备上时，即使向上述保持部施加应力，上述光反射体也不会变形。因而，向上述监控用光敏元件的入射量是稳定的。其结果，上述半导体激光芯片向前方射出的激光，在上述监控用光敏元件的输出的基础上，被控制。
其中，优选上述第1引线是由金属制成的，且上述搭载部的底面部从引线固定树脂露出。在这种情况下，进行工作时，上述半导体激光芯片产生的热量通过上述搭载部的底面部、高效率地被释放。
上述光反射体可以由，例如，白色树脂、被金属镀膜的树脂、金属等构成。在使用白色树脂的情况下，能够很容易地将光反射体加工成适合反射的形状。
所述光反射体可具有以使所述半导体激光芯片发出的所述激光朝所述监控用光敏元件反射的方式相对所述半导体激光芯片的激光发出方向倾斜的反射面。
在一个实施方式中，所述半导体激光芯片借助板状的辅助台而被搭载在所述搭载部，而且，在所述辅助台中的与所述半导体激光芯片相比更靠后方延伸的部分内装有所述监控用光敏元件。
在此构成中，与将上述辅助台和监控用光敏元件彼此分开设置的情况相比，部件件数减少了。
在一个实施方式中，在涉及上述第5侧面的半导体激光装置的制造方面，在所述搭载部上，至少将所述监控用光敏元件和所述光反射体同时粘接。这样，上述半导体激光装置被简单地制造。
涉及本发明的第6侧面的半导体激光装置，其特征在于，具备具有搭载半导体激光芯片的板状搭载部和与此搭载部相连延伸的引线部的第1引线；沿着该第1引线的引线部延伸的第2引线；在所述半导体激光芯片侧具有框部的由绝缘性材料构成的保持部，其中，所述框部，将所述第1引线和第2引线保持为一体的同时、形成有用于使所述半导体激光芯片发出的激光的发射的窗部；在该保持部的框部部内安装有盖；在该保持部的框部内安装所述盖时，使所述保持部的框部和所述盖在与所述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向施加力，而被相互压接的压接构造。
在本发明的半导体激光装置中，通过向上述保持部的框部内压入上述盖，能够安装上述盖，这时，向上述保持部的框部施加的应力，向上述第1引线的搭载部传递时，沿着与上述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向传递。即，在上述保持部的框部，在避开上述窗部的部位(强度大的部位)吸收上述应力，所以能够抑制传递到上述第1引线的搭载部的应力。因而，即使将上述盖压入上述保持部的框部，上述第1引线(引线框)能够防止翘曲或弯曲。
另外，在一个实施方式中，所述盖具有与所述保持部的框部的窗部相嵌合的突起部。
在该半导体激光装置中，通过将上述盖的突起部嵌合到上述保持部的构架的窗部，能够确实保护上述半导体激光芯片。
另外，在一个实施方式中，所述盖具有与所述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向的突起部；所述保持部的框部具有与所述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向上凹进的凹部；
所述压接构造具有所述突起部和所述凹部，且在所述保持部的框部内安装所述盖时，所述突起部和所述凹部被压接同时实现嵌合。
在该实施方式中，能够将上述盖确实地向上述保持部的框部持续压入、并决定位置。
另外，在一个实施方式中，上述突起部的形状是半球状，上述凹部的形状是沿着上述突起部的形状。通过这些形状，可以均等地用广泛面积传递应力，避免向局部施加强应力。
另外，在一个实施方式中，所述盖具有在与所述半导体激光芯片的光轴大致垂直的方向延伸的同时相互对向的两个外面；所述保持部的框部具有在与所述半导体激光芯片的光轴大致垂直的方向延伸的同时相互对向的两个内面；在所述盖部的两个外面分别配置两个所述突起部；在所述保持部的框部的两个内面分别配置两个所述凹部。
在该实施方式中，能够将向上述盖的上述保持部的框部压入时的应力，均等地传递。
上述盖部也可具有操作用的捏手。这种情况下，能够用镊子等很容易地操作上述盖。
另外，在一个实施方式中，所述第1引线具有在所述搭载部上，从与所述半导体激光芯片的光轴大致垂直的方向的两端边缘，向与所述半导体激光芯片的光轴大致垂直的方向突出的系杆部；将所述盖安装在所述保持部的框部内时，所述盖的捏手以面向所述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向的方式形成。
在该实施方式中，将上述盖安装在上述保持部的框部内时，上述盖的捏手在与上述两方的系杆部成大致垂直的方向而被形成，所以在半导体激光装置的制造中，将上述盖压入上述保持部的框部时，上述捏手，对于连接邻接的上述搭载部彼此间而使多个上述搭载部成直线状的系杆，成大致直线方向。因而，上述多个搭载部成为与系杆相连的状态，能够提高进行压入上述盖的可操作性。具体说，一边将半导体激光装置向与上述系杆的平行方向送入，一边用手操作镊子从上述系杆的垂直的方向使上述盖压入时，上述捏手成为与操作者大致垂直的方向，操作者可在夹着腋窝的状态下压入上述盖，使得操作变得容易，而且操作空间变小。
通过在所述盖的一面上设置分离相对的捏手形成用的两个凹部，在这捏手形成用的两个凹部之间形成所述盖的捏手。
这种情况下，不是通过在上述盖的上面设置突起而形成上述盖的捏手，所以上述盖的厚度没有增加，能够防止半导体激光装置厚度增加。
上述捏手形成用凹部如果是月牙形，操作上述捏手时，将镊子的前端插入上述捏手形成用凹部变得容易，这样能提高操作性。
上述保持部和上述盖也可以是同种材料。这样能够降低材料成本。
上述保持部和上述盖的材料如果是树脂，通过金属模具并利用树脂成型，可以很容易形成上述保持部和上述盖。
另外，在一个实施方式中，上述保持部和上述盖的颜色是黑色。
在该实施方式中，使上述半导体激光芯片工作时，激光照射对象物体(例如，光盘等信息记录介质)反射的返回光即使入射到上述保持部和上述盖上，该返回光被黑色的上述保持部和上述盖吸收而不被反射。结果，在该半导体激光装置(例如，光拾取装置)中能够防止激光照射对象物体反射的返回光成为干扰。
关于本发明的第7侧面的半导体激光装置，是具备具有搭载面和与该搭载部相连的前面的金属台、被搭载在所述搭载面上的激光芯片，而且，从所述激光芯片的所述前面侧的光发射端面发射出激光的半导体激光装置，其特征在于，所述前面的至少一部分，相对所述光反射端面倾斜、且相对使所述光发射端面沿着所述搭载面的垂直线周围转动的面平行。
在将上述结构的半导体激光装置作为光盘装置的光源时，上述金属台的前面至少一部分相对光发射端面倾斜，即使上述从光盘返回的副光束到达金属台的前面，也能够防止该副光束再次入射到光盘。因而，能够防止上述半导体激光装置带给光盘装置的刻录特性和拾取器的信号控制系统不好的影响。
另外，上述金属台的前面至少一部分与激光芯片的光发射端面围绕金属台的搭载面的垂线转动的面平行，所以能够将金属台的前面至少一部分使用为决定激光芯片位置的基准面。因而，通过将上述金属台的前面至少一部分作为基准面，能够易于将激光芯片安装在固定位置。
也可在上述激光芯片和金属台之间设置电介体制或半导体制的辅助台。这样，能提高激光芯片的散热效率。
在一个实施方式中，所述辅助台的所述前面侧的端面，相对所述光射出端面倾斜，而且，相对使所述光射出端面沿着所述搭载面的垂直线的周围转动的面平行。
在上述实施方式的半导体激光装置中，即使从光盘返回的副光束到达辅助台的上述端面，也能防止副光束再次入射到光盘。因而，即使在上述激光芯片和金属台之间有辅助台，也能够防止上述半导体激光装置带给光盘装置的刻录特性和拾取器的信号控制系统不好的影响。
另外，可以将辅助台的上述端面用于决定激光芯片位置的基准面。因而，即使在上述激光芯片和金属台之间有辅助台，通过使用辅助台的上述端面，能够很容易地将激光芯片安装在规定位置。
上述金属台也可是由金属薄板构成的构架。这种情况下，能够降低制造成本。
上述辅助台上的金属台的前面侧的端面也可与金属台前面至少一部分近似平行。这种情况下，能够将金属台前面的至少一部分作为决定辅助台位置的基准面使用。因而，通过使用上述金属台前面的至少一部分，可以很容易地将辅助台安装在规定位置。
本发明的第8侧面的半导体激光装置，备有主体部；被固定在所述主体部的半导体激光芯片；第1转动导向机构，其被设置在所述主体部的同时，以使能调整所述激光芯片的激光的射出方向的方式，一边支撑所述主体部，一边可进行转动。
通过将上述第1转动导向机构设置在主体部，上述构造的半导体激光装置在支撑主体部的同时可转动，从而能够调整半导体激光芯片的激光的发射方向。因而，在将上述半导体激光装置搭载在如外壳的情况下，能够调整半导体激光芯片的发射光的光轴。
在一个实施方式中，上述第1转动导向机构可以使上述主体部以半导体激光装置的发光点近旁为中心转动。
在一个实施方式中，上述主体部是由金属板制成的。
在一个实施方式中，上述第1转动导向机构具有被设置在上述主体部的边缘部分的弧形部。
在一个实施方式中，上述第1转动导向机构具有被设置在上述主体部的凹部(例如，在不同部分的边缘部分设置的切口)。
上述凹部的内表面也可是圆锥面。
在一个实施方式中，所述第1转动导向机构，以使与所述半导体激光芯片的发光点近旁作为中心的圆周大致重叠的方式，具备被设置在所述主体部的沟部。
在一个实施方式中，所述主体，由金属板、以及与该金属板作为一体设置的树脂部件构成；所述第1转动导向机构，以使与所述半导体激光芯片作为中心的圆周大致重叠的方式，具备被设置在所述树脂部件的沟部。
关于本发明的第9侧面的外壳，其特征在于，包括外壳主体；第2转动导向机构，被设置在所述外壳主体上的同时，以能够调整半导体激光装置的激光的射出方向的方式，支撑所述半导体激光装置且可进行转动。
在上述构造的外壳中，通过将上述第2转动激光导向机构设置在外壳主体，能够持续支撑半导体激光装置并可转动，从而能调整半导体激光装置的激光发射方向。因而，将上述半导体激光装置搭载在上述外壳时，能够调整半导体激光芯片的发射光的光轴。
在一个实施方式中，所述第2转动导向机构，具有使所述半导体激光装置能够以所述半导体激光装置的发光点近旁作为中心转动的功能。
在一个实施方式中，所述第2转动导向机构，具备被设置在所述外壳主体且具有弯曲面的导向部。
在一个实施方式中，上述第2转动导向机构至少具备一个突起。上述突起可以是如圆锥状或圆弧状。
也可将关于本发明的第8侧面的半导体激光装置和关于本发明的第9侧面的外壳组合装配到光拾取装置。
在该光拾取装置中，能够以使光学系统的光轴和半导体激光芯片的发射光的光轴平行的方式，将半导体激光芯片的光轴以发光点为中心进行调整。
通过以下详细的说明和附图可能会更充分地理解本发明。附图的目的只是为了说明，并没有限制本发明。在附图中，图1表示本发明的第1实施方式的半导体激光装置的立体图。
图2A表示从上方观察上述半导体激光装置的图，图2B表示从右侧方观察上述半导体激光装置的图，图2C表示从下方观察上述半导体激光装置的图。
图3A至图3B表示上述半导体激光装置的制造过程的工序图。
图4A表示对应构架一个半导体激光装置的各部分的图，图4B表示对应图4A中的A-A’向视剖面图，图4C表示对应图4A中的B-B’向视剖面图，图4D表示在搭载部的背面设有凹坑的变形例的与图4C对应的图，图4E表示使用异形构架的变形例的与图4A对应的图。
图5表示本发明第2实施方式的光拾取装置的简要构造图。
图6表示使显示第1引线的半导体激光芯片位置的凹部的内缘倾斜的变形例的图。
图7表示使引线部比第1引线的搭载部厚的变形例的图。
图8表示在外引线部设置颈状部分的变形例的图。
图9表示在颈状部分的位置切断外引线部后的状态图。
图10A表示从上方观察在本发明的第3实施方式的光拾取装置中的半导体激光装置、外壳的示意图，图10B表示从下方观察上述半导体激光装置的示意图，图10C表示从侧方观察上述半导体激光装置、外壳的示意图，图10D表示从后方观察上述半导体激光装置、外壳的示意图。
图11表示从斜后方观察在本发明的第4实施方式的光拾取装置中的半导体激光装置、外壳的示意图。
图12表示从后方观察在本发明的第5实施方式的光拾取装置中的半导体激光装置、外壳的示意图。
图13表示本发明第6实施方式的半导体激光装置的简要构造立体图。
图14A、14B、14C分别表示本发明的半导体激光装置的正视图、侧视图、底视图。
图15表示上述半导体激光装置的剖面图。
图16表示用于制造上述半导体激光装置的树脂成型状态的图。
图17表示具有内装光敏元件的辅助台的第7实施方式的半导体激光装置的图。
图18表示在图17的半导体激光装置中在光反射体上设置倾斜面的变形例的图。
图19表示图17的半导体激光装置进一步形成的变形例的图。
图20表示本发明的半导体激光装置的第8实施方式的同时，表示压入盖前的状态的正视图。
图21表示压入本发明的半导体激光装置的盖的状态的正视图。
图22表示压入本发明的半导体激光装置的盖的状态的侧视图。
图23表示在本发明的半导体激光装置的制造过程中、压入盖后的引线框相连的状态的正视图。
图24A表示倾斜观察本发明的第9实施方式的半导体激光装置的示意图，图24B表示从搭载面侧观察该半导体激光装置的金属台的示意图。
图25A表示倾斜观察本发明的第10实施方式的半导体激光装置的示意图，图25B表示从搭载面侧观察该半导体激光装置的金属台的示意图。
图26表示倾斜观察本发明的第11实施方式的半导体激光装置的示意图。
图27A表示倾斜观察本发明的第12实施方式的半导体激光装置的示意图，图27B表示从搭载面侧观察该半导体激光装置的金属台的示意图。
图28表示本发明的第13实施方式的半导体激光装置和外壳的表面(上面)的示意图。
图29表示本发明的第14实施方式的半导体激光装置和外壳的表面(上面)的示意图。
图30表示为了说明上述第14实施方式的半导体激光装置和外壳的变形例的示意图。
图31表示为了说明上述第14实施方式的半导体激光装置的变形例的示意图。
图32表示本发明的第15实施方式的半导体激光装置的背面(下面)的示意图。
图33表示本发明的第15实施方式的外壳的表面(上面)的示意图。
图34表示用于说明上述第15实施方式的半导体激光装置的变形例的示意图。
图35表示用于说明上述第15实施方式的外壳的变形例的示意图。
具体实施例方式
以下对本发明的实施方式参照附图进行说明。
(第1实施方式)图1表示倾斜观察本发明的一个实施方式的框架型的半导体激光装置40的图。另外，分别地，图2A表示从上方观察该半导体激光装置40，而与此对应地，图2B表示将图2A中的结构从右侧观察的结果，图2C表示将图2A的结构从下方观察的结果。其中，在该实施方式中的半导体激光装置40的上下左右的方向，是为了便于说明。
如图1和图2A所示，该框架型的半导体激光装置40有具有搭载半导体激光芯片5的搭载部1a的第1引线1；信号输入输出用的多个第2引线21、22、23；作为将第1引线1和第2引线21、22、23成一体保持的保持部的树脂部3。
具体说第1引线1包括大致矩形的板状的搭载部1a；与该搭载部1a相连、呈细长状延伸的引线部1b；沿着搭载部1a的背面1c、从搭载部1a突出的系杆部6a、6b。借助矩形板状的辅助台部件4将半导体激光芯片5搭载在搭载部1a上。该半导体激光芯片5在光轴方向具有细长的长方体状的外形，向前方(在图2A中的上方)发射激光。如图2C所示，搭载部1a的背面1c从树脂部3露出。
系杆部6a、6b从与半导体激光芯片5的光轴垂直的方向、即图2A、图2C中的左右方向突出。系杆部6a、6b的突出方向的前端，与搭载部1a的任意部分相比，处于距半导体激光芯片5最远的位置上。系杆部6a、6b的宽度(与突出方向垂直的方向的宽度)比半导体激光芯片5的宽度(与该芯片发射出的激光的光轴垂直的方向的宽度)大。
另外，第1引线1在搭载部1a的前缘1e具有用于显示半导体激光芯片5的搭载位置的向退后的凹部7。由此，在制造阶段，将辅助台部件4和半导体激光芯片5安装在搭载部1a上时，决定辅助台部件4或者半导体激光芯片5的位置变得容易。例如，只要该辅助台部件4的前缘与上部凹部7的边缘位置吻合即可。
第2引线21、22、23沿着第1引线1引线部1b、呈细长状延伸。如图1中所示，第2引线21、22、23的内端21a、22a、23a露出到被成型成框状的树脂部3内。由未图示的Au线构成的导线在从半导体激光芯片5和辅助台部件4到第2引线21、22、23的内端21a、22a、23a之间布线。
树脂部3在本例中是由黑色的绝缘性树脂材料、如环氧树脂构成。因而，树脂部3通过用金属模具通过树脂成型很容易形成。
如上所述，在该半导体激光装置40中，第1引线1的搭载部1a的背面1c从树脂部3露出的同时，系杆部6a、6b沿着搭载部1a的背面1c从搭载部1a突出。而且，系杆部6a、6b的面积被确保为某个程度以上。因而，在将该半导体激光装置安装到如光拾取装置的阶段，如果使第1引线1的搭载部1a(的背面1c)和系杆部6a、6b与光拾取装置的外壳相接触，则在操作半导体激光芯片5时，搭载部1a和系杆部6a、6b一起起到散热的作用。即，半导体激光芯片5产生的热量通过搭载部1a和系杆部6a、6b散热到外壳。因而，散热面积增大了，散热性能变好了。
图3A乃至图3B表示上述半导体激光装置40的制造过程的简易工序图。
i)首先，在Cu构成的板材上穿孔，得到具有如图3A所示的图案的构架90(穿孔工序)。此时，穿孔是从搭载部的背面1c侧开始进行的。结果，通过穿孔产生的毛刺是出现在搭载面1a侧，所以将本半导体激光装置40搭载在光拾取器等其它装置时，能够使背面1c与其它装置的搭载部紧密接触。因而，散热性能变好。在该构架90中，第1引线1和第2引线21、22、23的组沿着在图3A的左右方向延伸的杆91、92的2列排列多个。用连接杆93将杆91、92连接。另外，相邻的第1引线1的搭载部1a彼此间借助系杆6连接。
ii)接着，被穿孔的构架90部分地被弯曲(弯曲工序)。关于弯曲的状态，将后述。
iii)接着，如图3B所示，在弯曲的构架90上，设置通过用金属模具由树脂成型的树脂部3(树脂成型工序)。
iv)接着，借助辅助台部件4，半导体激光芯片5被搭载在第1引线1的搭载部1a上(芯片焊接工序)。
v)接着，由Au线构成的导线在从半导体激光芯片5和辅助台部件4到第2引线21、22、23的内端21a、22a、23a之间布线(引线接合工序)。
其中，该阶段中，为了保护半导体激光芯片5而在树脂部3上设置盖是优选的。
vi)接着，将第1引线1的引线部1b和第2引线21、22、23的杆91、92的临近部分、与系杆6之间切断，得到各个半导体激光装置40(系杆切断工序)。此时，使第1引线1的引线部1b和第2引线21、22、23的一部分(外引线部)保留在从各个半导体激光装置40的树脂部3突出的状态。另外，使系杆6中的一部分6a、6b保留在从各个半导体激光装置40的树脂部3突出的状态。
vii)在第1引线1的引线部1b和第2引线21、22、23中的树脂部3突出出来的外引线部，最表面镀上由Ag(银)或Au(金)构成的金属电镀(电镀工序)。由此，在完成后的外引线部沾上焊锡时能够提高焊锡润湿能力。在最表面层是Ag的情况下，能够使用不含有熔点高的Pb的焊剂，代替含有据说有害环境的Pb的焊剂(焊锡)。作为最表面的金属，不局限于这些，也可用Sn、Ni、Zn等能够提高焊锡润湿性的金属。
就这样，半导体激光装置40很容易被制造。
图4A表示从上方观察上述ii)的弯曲工序后的构架90中的对应1个半导体激光装置的部分。另外，图4B表示对应图4A中的A-A’向视剖面图，图4C表示对应图4A中的B-B’向视剖面图。
从图4A和图4B可知，在第1引线1的引线部1b上设有通过弯曲工序被弯曲的防脱离部分1f，同样，在第2引线21、22、23上也设有通过弯曲工序被弯曲的防脱离部分21f、22f、23f。从图4B所示方向观察第2引线21、22、23上的防脱离部分21f、22f、23f，被弯曲成同第1引线1的引线部1b一样的角度。因而，在将该半导体激光装置安装到如光拾取装置上的阶段，浸焊第2引线21、22、23时，树脂部3的材料虽然在焊锡的热量作用下软化，但因为有上述防脱离部分1f、21f、22f、23f，所以上述第2引线21、22、23不会相对树脂部3移动。因而，使浸焊稳定进行，在提高生产性方面具有优势。
第1引线1的防脱离部分1f和第2引线22的防脱离部分22f特别被加工成比其余部分宽。从而，限制第1引线1、第2引线22相对树脂部3移动的效果被提高。
另外，从图4A和图4C中可知，在第1引线1的搭载部1a中的搭载半导体激光芯片5的区域以外的区域、相当于此例中的半导体激光芯片5的两侧区域，设置有为了形成贯穿搭载部1a表背面的穿孔30的切口部分37、38。上述iii)的树脂成型工序后，树脂部3的材料从搭载部1a的表面侧通过穿孔30的切口部分内侧空间进行埋入(参照图2C)。因而，搭载部1a(更确切的是切口部分37、38)被树脂部3夹住。因而，提高搭载部1a和树脂部3的接合强度并能够防止搭载部1a和树脂部3的脱离。
另外，突起35、36从搭载部1a向后方(在图4A中的下方)突出。在上述iii)的树脂成型工序后，树脂部3成为包围突起35、36的状态。由此，能够防止搭载部1a和树脂部3的剥离。
其中，如果将树脂部3的材料恰好埋在切口部分37、38的内侧空间，则搭载部1a的背面1c侧成为平坦构造。这样，在将该半导体激光装置40安装到如光拾取装置的阶段中，第1引线1的搭载部1a(背面1c)和系杆部6a、6b能够被紧密连接到光拾取装置的外壳上。因而，不会有损散热特性。
代替弯曲工序，也可使用形成半导体激光芯片搭载部1a的构架和形成引线1b的构架这两个构架，通过半导体激光芯片搭载部1a和引线1b的熔接连接，同样能够将半导体激光装置40的底面侧形成平面构造。
图4D表示，代替切口部分37、38，设置贯穿搭载部1a的表背面的穿孔32的同时，在搭载部1a的背面1c设置与穿孔32的周围连接并包围穿孔32的凹坑31。这种情况下，在上述iii)的树脂成型工序后，树脂部3的材料通过搭载部1a的表面侧的穿孔32，填埋凹坑31。由此，搭载部1a成为被树脂部3夹住的状态。因而，提高搭载部1a和树脂部3的粘着强度并能够防止搭载部1a和树脂部3的剥离。
其中，如果恰好将树脂部3的材料埋到凹坑31中，搭载部1a的背面1c侧成为平面构造。这样，在将该半导体激光装置40安装到如光拾取装置的阶段中，第1引线1的搭载部1a(背面1c)和系杆部6a、6b能够被紧密连接到光拾取装置的外壳上。因而，不会有损散热特性。
图4E表示，作为上述构架90，使用厚度部分不同的异形构架的例子。此例中，与第1引线1的搭载部1a中的半导体激光芯片5被搭载的部分1d的厚度相比，上述搭载部1a中其余部分1a’的厚度更厚。由此，半导体激光芯片5的上面与上述其余部分1a’的上面之间的高度差变小。因而，为了例如接地(GND)布线，用引线接合法，就可以容易地用导线将半导体激光芯片5的上面与上述其余部分1a’的上面进行连接。即，能够消除高度不同带来的走线的不方便。因而，在提高生产性方面具有优势。
另外，如图7所示，第1引线1的引线部(用1b’表示)的厚度也可比搭载部1a的厚度厚。由此，半导体激光芯片5的上面与第1引线1的引线部1b’的上面之间的高度差变小。因而，为了例如接地(GND)布线，用引线接合法就可以容易地用导线连接半导体激光芯片5的上面与第1引线1的引线部1b’的上面。即，能够消除高度不同带来的走线的不方便。因而，在提高生产性方面具有优势。其中，该情况下，代替弯曲工序，也可使用形成半导体激光芯片搭载部1a的构架和形成引线1b’的构架这两个构架，通过熔接半导体激光芯片搭载部1a和引线1b’使其连接。由此，第1引线1被很容易地制造。因而，在提高生产性方面具有优势。
(第2实施方式)图5表示使用上述半导体激光装置40的光拾取装置(用符号50表示整体)的简要构造图。除了半导体激光装置40的结构，该光拾取装置50还包括含有分束器10的光学系统8、光敏元件11。这些要素被安装在未图示的外壳中。符号9表示作为激光照射对象物体的信息记录介质的光盘。
从半导体激光芯片5发出的激光L1通过光学系统8到达光盘9，并被光盘9反射。被反射的激光L2返回到光学系统8，激光L2的一部分被分束器10分离射入光敏元件11。根据该光敏元件11读取光盘9中的信息。其中，半导体激光装置40的系杆部6a、6b在与半导体激光芯片5的光轴垂直的方向突出，所以，半导体激光芯片5射出的激光L1不被系杆部6a、6b所影响。
另一方面，被反射的激光L2中的按原方向通过分束器10的部分成为返回光L3，射入到半导体激光装置40内。如同上述，借助辅助台部件4，半导体激光芯片5被配置在搭载半导体激光芯片5的搭载部1a上。因此，返回光L3被辅助台部件4和凹部7的内缘反射，再次输入到光学系统8，通过分束器10射入到光敏元件11上，这样，就有引起干扰的可能性。
如图6所示的例子中，使在搭载部1a中的与半导体激光芯片5紧挨着的凹部7的内缘7a相对半导体激光芯片5的光轴倾斜约5度左右的同时，使辅助台部件4的前缘4a与上述凹部7的内缘7a位置吻合。半导体激光芯片5的光轴笔直地面向前方(在图6的上方)。这种情况下，操作半导体激光芯片5时，即使光盘9的返回光L3射到辅助台部件4a和凹部7的内缘7a，该返回光L3借助辅助台部件4a和凹部7的内缘7a，朝与半导体激光芯片5发射的激光11不同的方向反射。结果，能够防止在该光拾取装置50中光盘9的返回光L3成为干扰。
另外，树脂部3的颜色是黑色，因此即使光盘9的返回光L3射到树脂部3，该返回光L3被树脂部3吸收、不被反射。因而，能够防止光盘9的返回光L3成为干扰。
其中，在将上述半导体激光装置40安装到光拾取装置50的阶段中，在第1引线1的引线部1b和第2引线21、22、23中的树脂部3突出出来的外引线部大多被切断成适合安装的长度。如果在各引线的端面芯部材料Cu露出，则附着焊锡的能力降低。因此，如图8所示，优选在各外引线部局部地设有细颈部位1t、21t、22t、23t。这种情况下，很容易在颈部位1t、21t、22t、23t切断各外引线部。而且，如图9的实例所示，与在颈部位以外的位置被切断的情况相比，该被切断的端面21e更小。因而，与芯部材料Cu的露出面(端面)相比，焊锡润湿性好的的Sn或Au的面就会变得相对更宽。因而，在将上述半导体激光装置40安装到光拾取装置50的阶段中，浸焊各外引线部时，能够提高焊锡润湿性，在提高生产性方面具有优势。
该实施方式中，保持部材料是绝缘性树脂，但也可用陶瓷。如果保持部材料是陶瓷，则能进一步提高散热性能。
(第3实施方式)图10A表示从上方观察将本发明第3实施方式的光拾取装置中的半导体激光装置101固定在外壳102时的状态示意图。另外，图10B表示从下方只观察上述半导体激光装置101的示意图，图10C表示从侧方观察上述状态的示意图，图10D表示从后方观察上述状态的示意图。
如图10A所示，上述光拾取装置具有框架型的半导体激光装置101和支撑该半导体激光装置101的金属制外壳102。
上述半导体激光装置101具有金属制的散热板103，借助辅助台104被固定在金属制的散热板103的表面的、向光盘发射激光的半导体激光芯片105。如图10B所示，在该散热板103的各侧面部分设有凹部如切口110。另外，上述散热板103与树脂106和引线107成为一体。上述树脂106只在散热板103的表面侧设置。即，上述树脂106不向散热板103的背面下方伸出。
如图10D所示，上述外壳102具有与散热板103背面大部分面接触的金属制接触面111。另外，如图10A、10C所示，上述外壳102具有用于半导体激光装置101的一部分进入的中空部108。如图10D所示，该中空部108的壁面上设有散热板103侧部嵌合的沟部109。该沟部109壁面一部分与中空部108壁面一部分构成接触面111。其中，虽然未图示，但在散热板103的背面和中空部108的壁面之间，及散热板103侧面和沟部109壁面中间填充有金属焊剂如焊锡。即，上述散热板103被焊锡固定在中空部108和沟部109壁面。
在上述构造的光拾取装置中，通过散热板103背面大部分与外壳102的接触面111面接触，散热板103大部分散热到外壳102，所以散热板103的散热量多。另外，在上述半导体激光芯片105近旁的散热板103的背面也与外壳102的接触面111面接触，所以半导体激光芯片105近旁的热量被散到外壳102。因而上述半导体阶段装置101的散热性能变高。
另外，只在散热板103的表面侧设有上述树脂106，所以，散热板103的背面向外壳102的接触面111焊接变得容易。
另外，在散热板103各侧部设有切口110，所以焊锡易于蔓延，焊锡可以均匀地在散热板103背面和接触面111中间延伸。即，上述焊锡的附着焊剂能力变高。
在上述第3实施方式中，散热板103背面大部分与外壳102的接触面111面接触，但也可使散热板103背面的几乎全面与外壳102的接触面111面接触。
另外，在该散热板103侧面部分设有切口110，但也可在散热板103上设置穿孔。在散热板103上设置穿孔的情况下，焊锡的附着焊剂能力也会变高。
另外，在散热板103背面和外壳102的接触面111中的至少一方上，实施提高金属焊剂附着能力的表面处理。例如，在散热板103背面与外壳102的接触面111中的至少一方上，实施上述表面处理如镀Ag(银)。
(第4实施方式)图11表示从斜后方观察将本发明的第4实施方式的光拾取装置中的半导体激光装置101固定在外壳122的状态示意图。另外，在图11中，与图1所示的第3实施方式的结构部分同样的结构部分被附加了与图1中结构部分一样的参照编号，省略其说明。另外，在图11中，没有用图表示引线107的一部分，而表示了在图1中未图示的焊锡112。
本实施方式的光拾取装置具有各侧面为弯曲面的外壳122，且只有这一点与上述第3实施方式不同。这样，上述外壳122侧面是弯曲面，所以通过固定有半导体激光装置101的外壳122插入到如圆柱状的孔中，半导体激光装置101和外壳122能够一直被该孔支撑并转动。因而，容易调整上述半导体激光芯片105发射的激光位置。
另外，不必说，上述外壳122有与散热板103背面大部分面接触的金属制的接触面。由此，本实施方式的光拾取装置具有与上述第3实施方式的光拾取装置一样的效果。
上述第4实施方式中，也可使散热板103背面的几乎全面与外壳122的金属制接触面面接触。
另外，在上述散热板103背面和外壳122的金属制接触面中的至少一方，实施提高金属焊剂附着能力的表面处理。例如，在散热板103背面与外壳122的接触面中的至少一方上，实施上述表面处理如镀Ag(银)。
(第5实施方式)图12表示从后方观察将本发明的第5实施方式的光拾取装置中的半导体激光装置101固定在外壳132上的状态示意图。另外，在图12中，与图10A-10D所示的第3实施方式的结构部分同样的结构部分被附加了与图10A-10D中结构部分一样的参照编号，省略其说明。另外，在图12中，表示了在图10A-10D中未图示的焊锡112。
本实施方式的光拾取装置具有设置了中空部138和沟部139的金属制外壳132。该沟部139壁面的一部分与中空部138的一部分构成了金属制的接触面141。该接触面141和散热板103背面之间配置有基板，如半导体基板113。散热板103背面的大部分与该半导体基板113表面面接触。另外，上述半导体基板113背面大部分与外壳132的接触面141面接触。其中，虽然未图示，但在上述半导体基板113的表面，设计了可用焊锡112安装半导体激光装置101的图案。
在上述结构的光拾取装置中，通过使上述散热板103背面大部分与半导体基板113表面面接触、半导体基板113背面大部分与外壳132的接触面141面接触，可以使散热板103大部分借助半导体基板113散热到外壳132，所以散热板103的散热量多，在半导体激光芯片105(参照图10A)近旁的热量也借助半导体基板113被散到外壳132。因而能够提高上述半导体阶段装置101的散热性能。
另外，上述散热板103背面与外壳132的接触面141之间配置有半导体基板113，所以能够将其它半导体元件搭载在半导体基板113上。例如，能够将发射与半导体激光芯片105不同波长激光的半导体激光芯片搭载在半导体基板113上。
在上述第5实施方式中，上述散热板103背面大部分与半导体基板113表面面接触，但也可使散热板103背面的几乎全面与半导体基板113表面面接触、使半导体基板113背面的几乎全面与外壳132的接触面141面接触。
另外，在上述散热板103背面上，实施提高金属焊剂附着能力的表面处理。例如，在散热板103背面上，实施上述表面处理如镀Ag(银)。
另外，也可通过适当组合上述第3～第5实施方式，将其作为本发明的拾取装置。
(第6实施方式)图13表示从斜侧观察本发明的一个实施方式的框架型的光拾取装置240的图。另外，分别地，图14A表示从上方观察上述半导体激光装置240的图，图14B表示从右侧观察图14A构造的图，图14C表示从下方观察图14A构造的图。其中，在该实施方式中的半导体激光装置240的上下左右的方向是为了便于说明。
如图13和图14A所示，该框架型的半导体激光装置240有具有搭载半导体激光芯片205的搭载部201a的第1引线201；信号输入输出用的多个第2引线221、222、223；作为保持第1引线201和第2引线221、222、223为一体的保持部的树脂部203。
具体说第1引线201包括大致矩形的板状搭载部201a；与该搭载部201a相连、呈细长状延伸的引线部201b；沿着搭载部201a的背面201c、从搭载部201a突出的系杆部206a、206b。借助矩形板状的辅助台部件204，将半导体激光芯片205搭载在搭载部201a上。该半导体激光芯片205在光轴方向具有细长的长方体状的外形，向前方(在图14A中的上方)发射激光。在该例中辅助台部件204是由金属制成。
在搭载部201a上的比半导体激光芯片205更后面的位置上，搭载与辅助台部件204分体的监控用光敏元件215。进而，在搭载部201a上的监控用光敏元件215后面的位置上，搭载与监控用光敏元件215和树脂部203分体的光反射体216。
监控用光敏元件215在本例中是由使杂质扩散到Si基板而形成的大致长方体状的光电二极管芯片构成。
光反射体216在本例中由的大致长方体形的白色树脂构成。光反射体216容易用金属模具通过树脂成型形成。该光反射体216具有与半导体激光芯片205的激光发射方向(在图14A中的上下方向)垂直的反射面，且发挥接收半导体激光芯片205向后方发射出的激光的一部分并朝监控用光敏元件215发射的作用。
树脂部203在本例中由黑色的绝缘性树脂材料如环氧树脂构成。因而，树脂部203容易用金属模具通过树脂成型形成。
如图14C所示，搭载部201a的背面201c从树脂部203露出。另外，第2引线221、222、223沿着第1引线201的引线部201b、呈细长状延伸。如图13中所示，第2引线221、222、223的内端221a、222a、223a露出到被成型成框状的树脂部203内。由未图示的Au线构成的导线，从半导体激光芯片205和监控用光敏元件215到第2引线221、222、223的内端221a、222a、223a之间布线。
其中，如图13、14A所示，第1引线201在搭载部201a的前缘201e具备用于显示半导体激光芯片205的搭载位置的向后退进的凹部。由此，在制造阶段，将辅助台部件204和半导体激光芯片205安装在搭载部201a上时，决定辅助台部件204和半导体激光芯片205的位置变得容易。例如，只要该辅助台部件204的前缘与上部凹部207的边缘位置吻合即可。
如图15所示，半导体激光芯片205向前方(在图15的上方)发射的激光L1被用于该半导体激光装置240的本来的用途。例如，将该半导体激光装置240被组合到光拾取装置(未图示)的情况下，能够被用于照射光盘。
半导体激光芯片205向后方发射的激光L2的一部分直接射入监控器用光敏元件215。但是，半导体激光芯片205向后方发射的激光L2的一部分射入到光反射体216。光反射体216将射入的激光反射到监控用光敏元件215。因而，与不设置光反射体216的情况相比，向监控用光敏元件215的入射光量变多。特别在本例中，光反射体216是白色的，所以几乎不吸收接收的光并反射出去。因而，向监控用光敏元件215的入射光量变得更多。而且，光反射体216与树脂部203是分体的，所以将该半导体激光装置240安装在光拾取装置等时，即使向树脂部203施加应力，光反射体216也不会变形。因而，向监控用光敏元件215的入射量是稳定的。结果，半导体激光芯片205向前方射出的激光L1很好地基于监控用光敏元件215的输出进行控制。
其中，构成光反射体216的树脂本身即使是白色以外的颜色(例如黑色)，只要在其表面镀上银等的金属，则与上述的一样，也能使得向监控用光敏元件215的入射光量多，而且稳定。另外，即使光反射体216是由金属制的，也能产生同样的效果。
其中，如上所述，在该半导体激光装置240中，第1引线201的搭载部201a的背面1c从树脂部203露出。因而，在将该半导体激光装置安装到如光拾取装置的阶段，如果使第1引线201的搭载部201a与光拾取装置的外壳相接触，则在操作半导体激光芯片205时，搭载部201a起到散热的作用。即，半导体激光芯片205产生的热量通过搭载部201a散热到外壳。
上述半导体激光装置240按如下方式制造。
首先，如图16所示，准备由Cu制成的构架290。在该构架290中，由以下部分构成半导体激光装置240，即，第1引线201和第2引线221、222、223的组沿着在图16的左右方向延伸的杆291、292、以2列排列多个。用连接杆293将杆291、292连接。另外，相邻的第1引线201的搭载部201a彼此之间借助系杆206连接。在第1引线201和第2引线221、222、223的组每个都设有通过用金属模具由树脂成型制作的树脂部203。
此状态下，借助辅助台部件204，在第1引线201的搭载部201a上搭载半导体激光芯片205的同时，搭载监控用光敏元件215和光反射体216(芯片焊接工序)。为了简化工序，优选将辅助台部件204、监控用光敏元件215和光反射体216同时粘着在搭载部201a上。
接着，由Au线构成的导线在从半导体激光芯片205和监控用光敏元件215到第2引线221、222、223的内端221a、222a、223a之间布线(引线接合工序)。
其中，该阶段中，为了保护半导体激光芯片205而优选在树脂部203上设置盖。
接着，将第1引线201的引线部201b和第2引线221、222、223的杆291、292的临近部分、与系杆206之间进行切断，得到各个半导体激光装置240(系杆切断工序)。
这样，半导体激光装置240被简单地制造。
在上例中，保持部的材料是绝缘性树脂，但也可是瓷器。保持部的材料是如果瓷器，能进一步提高散热性能。
(第7实施方式)图17表示上述半导体激光装置240的变形了的第7实施方式的半导体激光装置250。其中，与图13中的同样要素被附加了同样的编号，省略其说明。
在该半导体激光装置250中，与上述半导体激光装置240相比不同点在于监控用光敏元件218不是单独的部件，而是被内装在由Si构成的板状辅助台219中。具体说，半导体激光芯片205被搭载在辅助台219前部，在辅助台219中的比半导体激光芯片205更朝后方延伸的部分的表面上，形成监控用光敏元件218。这样的监控用光敏元件218是用公知的手法通过使杂质扩散到Si基板的表面进而形成的。
在该半导体激光装置250中，因为有光反射体216，因此向监控用光敏元件215的入射光量变多。而且，光反射体216与树脂部203是分体的，因此，将该半导体激光装置安装在如光拾取装置时，即使向树脂部203施加应力，光反射体216也不会变形，向监控用光敏元件218的入射量是稳定的。结果，半导体激光芯片205向前方射出的激光L1很好地基于监控用光敏元件218的输出，进行控制。而且，与将辅助台与监控用光敏元件是分体的设计相比，能够减少部件件数。
图18表示图17的半导体激光装置250的变形了其它的半导体激光装置260。
该半导体激光装置260与上述图17的半导体激光装置250的不同点在于光反射体216具有，以使来自半导体激光芯片205的激光L2向监控用光敏元件218反射的方式，相对于半导体激光芯片205的激光发射方向(在图18中的上下方向)倾斜的反射面217。因为有光反射体217，所以向监控用光敏元件218的入射光量变多。另外，对应倾斜角度，能够控制向监控用光敏元件218的入射光量。
图19表示，在图18的半导体激光装置260中，作为将光反射体216粘着到第1引线201的搭载部201a的粘着剂使用银糊220的变形例270。在该变形例270中，内装监控用光敏元件218且搭载半导体激光芯片205的由Si构成的板状辅助台219和光反射体216借助层状的银糊220被粘合在搭载部201a上。
该结构中，同时将辅助台219和光反射体216粘合在搭载部201a上成为可能。具体说，在芯片焊接工序中，用分配器等将银糊220定量涂敷到第1引线搭载部201a上，将辅助台219和光反射体216放在该银糊220上。然后，放入烤炉中加热，同时使之固化。这样的情况下，与在搭载部201a上分别搭载辅助台219和光反射体216相比，能够更简单地制造半导体激光装置270。
(第8实施方式)图20表示本发明的半导体激光装置的一个实施方式的正视图。即，图20表示在将盖压入本发明的半导体激光装置前的状态的正视图。另外，图21表示在将盖压入本发明的半导体激光装置的状态的正视图，图22表示在将盖压入本发明的半导体激光装置后的状态的侧视图。其中，图中的影线不表示元件的断面，而只是用于更容易理解相关元件。
该半导体激光装置是所谓框架型的半导体激光装置，包括具有搭载激光芯片305的搭载部301a的第1引线301、信号输入输出用多个第2引线302、保持上述第1引线301和上述第2引线302为一体的保持部303、被安装在该保持部303并用于保护上述半导体激光芯片305的盖309。
具体说上述第1引线301包括大致矩形的板状的搭载部301a；与该搭载部301a相连、呈细长状延伸的引线部301b；沿着上述搭载部301a的背面301c、从上述搭载部301a的左右端缘向左右方向突出的系杆部306a、306b。借助矩形板状的辅助台部件304将上述半导体激光芯片305搭载在上述搭载部301a上，该半导体激光芯片305在光轴方向具有细长的长方体状的外形，向前方(在图20中的上方)发射激光。
这里，左右方向是指与上述半导体激光芯片305的光轴大致垂直的方向、且称为图20中的左右的方向。另外，前后方向是指上述半导体激光芯片的光轴方向、且称为图20中的上下的方向。
上述搭载部301a的背面301c(与搭载上述半导体激光芯片305的面反面侧的面)从上述保持部303露出。上述系杆部306a、306b的突出方向的前端，位于与距离上述搭载部301a的任意部分相比距离上述半导体激光芯片305最远的位置上。上述系杆部306a、306b的宽度(与突出方向垂直的方向的宽度)比上述半导体激光芯片305的宽度(与该半导体激光芯片305发射出的激光的光轴垂直的方向的宽度)大。
这样，上述第1引线301的搭载部301a的背面301c从树脂部303露出的同时，上述系杆部306a、306b沿着上述搭载部301a的背面301c从上述搭载部301a突出。而且，上述系杆部306a、306b的面积被确保为某个程度以上。因而，在将该半导体激光装置例如安装到如光拾取装置的阶段，如果使上述第1引线301的搭载部301a的背面301c和上述系杆部306a、306b与光拾取装置的外壳相接触，则在上述半导体激光芯片305工作时，上述搭载部301a和上述系杆部306a、306b一起起到散热的作用。即，上述半导体激光芯片305产生的热量通过上述搭载部301a和上述系杆部306a、306b散热到外壳。因而，散热面积增大了，散热性能变好了。
在上述搭载部301a的前缘301e具有用于显示上述半导体激光芯片305的搭载位置的向后退进的位置决定用凹部308。由此，在制造阶段，将上述辅助台部件304和上述半导体激光芯片305安装在上述搭载部301a上时，决定上述辅助台部件304和上述半导体激光芯片305的位置变得容易。例如，只要上述辅助台部件304的前缘与上述用于决定位置的凹部308的边缘位置吻合即可。
上述第2引线302沿着第1引线301的引线部301b呈细长状延伸。上述多个第2引线302的内端露出到被成型成框状的上述保持部303内。由未图示的Au线构成的导线在从上述半导体激光芯片305或者上述辅助台部件304到第2引线302的内端之间布线。
上述保持部303在本例中是由黑色的绝缘性树脂材料、如环氧树脂构成。因而，树脂部303通过用金属模具并通过树脂成型很容易形成。
上述保持部303在上述搭载部301a的上述半导体激光芯片305侧具有框部331，且为了不遮挡上述半导体激光芯片305射出的激光，在该框部331上形成了激光射出用的窗部332。
具体说，上述框部331是大致矩形，具有前后边和左右边。那么，在前边331a上，形成了上述窗部332，在该窗部332上配置有上述辅助台部件304和上述半导体激光芯片305。
上述框部331有在上述半导体激光芯片305的光轴大致垂直的方向延伸的同时还相对的两个内面，在两个内面，分别具有在与上述半导体激光芯片305的光轴大致平行方向凹陷的两个凹部307。即，在上述框部331的前后边的内侧上，分别配置有两个上述凹部307。该凹部307的形状是沿着半球外表面的形状。
上述盖309在本例中由与上述保持部303一样的材料、即黑色的绝缘性材料如环氧树脂构成。因而，上述盖309用金属模具的树脂成型很容易形成。
山火速盖309具有安装在上述框部331内的大致矩形的主体部313、和从该主体部313的前缘突出的同时与所述框部331的窗部332嵌合的嵌合部314。由此，可以用上述盖309确切保护上述半导体激光芯片305。
上述盖309有在上述半导体激光芯片305的光轴大致垂直的方向延伸的同时彼此相对的两个外面，在两个外面上，分别具有在与上述半导体激光芯片305的光轴大致平行方向突出的两个突起部310。即，在上述主体部313的前缘和后缘上，分别配置有两个上述突起部310。该突起部310的形状是半球状。即，上述凹部307的形状是沿着上述突起部310的形状。
然后，将上述盖309安装在上述保持部303的框部331内时，如图21所示，使上述突起部310和上述凹部307压接的同时实现嵌合，将上述保持部303的框部331和上述盖309沿着上述半导体激光芯片305的光轴大致平行方向加力相互压接。即上述突起部310和上述凹部307等构成压接机构320。
上述盖部309具有操作用的捏手311，将上述盖309安装在上述保持部303的框部331内时，该捏手311以面向与上述半导体激光芯片305的光轴大致平行的方向的方式形成。
具体地说，在上述盖309的一面上设有分离相对的两个捏手形成用凹部312、312，从而使上述捏手311被形成在这两个捏手形成用凹部312、312之间。上述两个捏手形成用凹部312是月牙形，上述两个捏手形成用凹部312、312以各自的直线部分相对的方式配置。
在上述构造的半导体激光装置中，将上述盖309安装在上述保持部303和框部331内时，通过上述压接机构320，将上述保持部303的框部331和上述盖309沿着与上述半导体激光芯片305的光轴大致平行方向相互加力压接，所以能够将上述盖309安装在上述保持部303的框部331内，而此时，在被施加在上述保持部303的框部331的应力沿着上述第1引线301的搭载部301a传递时，朝与上述半导体激光芯片305的光轴的平行的方向传递。即，在上述保持部303的框部331中的，避开上述窗部332的部位(即，该部位是上述框部331的左右边，是强度大的部位)吸收上述应力，所以能够控制传递到上述第1引线301的搭载部301a应力。因而，即使将上述盖309压入上述保持部303的框部331，也能够防止上述第1引线301(引线框)翘曲或弯曲。
另外，上述压接机构320具有上述突起部310和上述凹部307，所以虽然是简单构造，也能够持续将上述盖309压入上述保持部303的框部331、并可靠地决定位置。
另外，上述突起部310的形状是半球状，上述凹部307的形状是沿着上述突起部310的形状，所以能够均匀地在大面积上传递压力，避免局部施加强应力。
另外，在上述盖309的两个外面分别被配置有两个上述突起部310(合计四个)，且在上述保持部303的框部331的两个内面分别配置有两个上述凹部307(合计四个)，所以向上述盖309的上述保持部303的框部331压入时的应力能够被均匀地传递。
另外，上述盖309具有上述操作用的捏手311，所以能够用镊子等很容易地操作上述盖309。
另外，上述捏手311是通过设有上述两个捏手形成用凹部312、312而形成的，所以上述捏手311不是通过在上述盖309的上面设置突起而形成的，这样，可以不使上述盖309的厚度增加并能够防止半导体激光装置的厚度增加。
上述两个捏手形成用凹部312是月牙形，所以操作上述捏手311时，使插入镊子的前端到上述两个捏手形成用凹部312、312变得容易，提高了可操作性。
另外，将上述盖309安装在上述保持部303的框部331内时，使上述盖309的捏手311在与上述左右系杆部306a、306b大致平行方向形成，所以如图23所示，在半导体激光装置的制造中，将上述盖309压入上述保持部303时，上述捏手311就会相对于连接相邻的上述第1引线301、301(搭载部位301a、301a)并使多个上述第1引线301面向呈直线状的系杆306，大致成垂直的方向。因而，上述多个第1引线(引线框)以与系杆306相连的状态，提高进行上述盖309的压入操作时的可操作性。
具体说，一边将半导体激光装置向上述系杆306的平行方向送去，一边用手操作镊子从上述系杆306的垂直的方向(在图23中是从半导体激光装置的下方向)使上述盖309压入时，上述捏手311成为与操作者大致垂直的方向，操作者可在夹着腋窝的状态下压入上述盖309，使得操作变得容易，而且操作空间变小。
另外，上述保持部303和上述盖309的颜色是黑色，所以，使上述半导体激光芯片305工作时，激光照射对象物体(例如，光盘等信息记录介质)反射的返回光即使入射到上述保持部303和上述盖309上，该返回光被上述保持部303和上述盖309吸收而不被反射。结果，在该半导体激光装置(例如，光拾取装置)中能够防止激光照射对象物体反射的返回光成为干扰的原因。即，能够防止从激光照射对象物体返回的激光的漫反射，不会发生激光激发的不稳定，也不会发生原本信号以外的光进入拾取器的信号检测用光敏元件而扰乱信号。
其中，本发明不被上述实施方式限制。例如，虽然未图示，但可以将朝上述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向突出的突起部配置到上述保持部的框部，也可在上述盖上配置在与上述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向凹陷的凹部。
(第9实施方式)图24A是示意性表示本发明的第9实施方式的半导体激光装置的立体图。
上述半导体激光装置具有金属制的轴杆405。该轴杆405由圆板状的基部(孔眼金属圈)401和被设置在该基部401的表面(轴杆基准面)的金属台403构成。
在上述基部401的圆周上，以大致180°间隔设置缺欠部401a。另外，3根引线402A、402B、402C被连接在上述基部401上。此3根中有2根引线402A、402B贯穿基部401，另1根引线402C不贯穿基部401。上述引线402A、402B被具有绝缘性的树脂或玻璃固定在基部401、成为一体。由此，上述引线402A、402B与基部401是电绝缘的。另一方面，引线402C被安装在基部401的背面(轴杆基准面的反面)，与基部401电连接。在上述基部401的表面(轴杆基准面)侧设有金属台430。
上述金属台403具有搭载面403a和与该搭载面403a相连的前面403b。上述搭载面403a与前面403b大致垂直。另外，在上述搭载面403a上搭载有激光芯片404，激光从该激光芯片404的前面403b侧的光发射端面404a发射。通过Au线(未图示)，该激光芯片与引线2B电连接。
图24是示意性表示从搭载面403a侧观察上述金属台403的图。
上述金属台403的前面403b相对激光芯片404的光发射端面404a倾斜。即上述金属台403的前面403b的垂线相对激光芯片404的激光发射方向倾斜。另外，上述金属台403的前面403b，平行于与将激光芯片404的光发射端面404a在搭载面403a的垂线(与图24A、24B纸面垂直的线)周围转动的面。
将上述结构的半导体激光装置作为光盘装置光源的情况下，从激光芯片404的光发射端面404a发射的激光通过衍射格栅并被分为1个主光束和2个副光束。此3个光线通过准直透镜、物镜等的光学系统，被聚集在光盘表面，将信息刻录到光盘或读取光盘中的信息。然后，上述光线被光盘反射，返回到半导体激光装置。此时，即使上述从光盘返回的副光束到达金属台403的前面403b，金属台403的前面403b相对激光芯片404的光发射端面404a倾斜，所以被金属台403的前面403b反射的副光束不会再次入射到光盘的表面。因而，能够防止上述半导体激光装置带给光盘装置的刻录特性和拾取器的信号控制系统不好的影响。
另外，上述金属台403的前面403b平行于与将激光芯片404的光发射端面404a在金属台403的搭载面的垂线周围转动的面，所以能够使用作为决定激光芯片404位置的基准面金属台403的前面403b，从而通过将金属台403的前面403b作为基准面，能够易于将激光芯片404安装在固定位置。
(第10实施方式)图25A是示意性表示倾斜观察本发明的第10实施方式的半导体激光装置的立体图，图25B是表示从搭载面403a侧观察该金属台403的示意图。另外，在图25A、25B中，与图24A、24B所示的第9实施方式的结构部分同样的结构部分被附加了与图24A、24B中结构部分一样的参照编号，省略其说明。
如图25A所示，上述半导体激光装置具有在金属台403和激光芯片404之间设置的电介体制或半导体制的辅助台406。如图25B所示，该辅助台406的前面403b侧的端面406a相对激光芯片404的光发射端面404a倾斜的同时，相对金属台403的前面403b也倾斜。即上述辅助台406的端面406a和金属台403的前面403b的垂线相对激光芯片404发射的激光倾斜。另外，上述辅助台406的端面406a，相对使激光芯片404的光发射端面404a围绕搭载面403a的垂线(与图25A、25B纸面垂直的线)转动的面平行。
将上述半导体激光装置作为光盘装置的光源的情况下，因为上述辅助台406的端面406a和金属台403的前面403b的垂线相对激光芯片404的光射出端404a倾斜，所以即使上述从光盘返回的副光束到达辅助台406的端面406a或金属台403的前面403b，也能防止副光束再次入射到光盘。因而，能够防止上述半导体激光装置带给光盘装置的刻录特性和拾取器的信号控制系统不好的影响。即本实施方式的半导体激光装置也与上述第9实施方式一样有效。
(第11实施方式)图26是表示本发明的第11实施方式的半导体激光装置的立体图。该半导体激光装置被称为构架激光器。
上述半导体激光装置具有构成构架的金属薄板413、被安装在该金属薄板上的辅助台416、被安装在该辅助台416上的激光芯片414。激光从该激光芯片414的光射出端面414a发射。另外，借助绝缘性树脂，引线412A、412B、412C、412D被连接到上述金属薄板413上。
上述金属薄板413具有搭载面413a和与该搭载面413a相连前面413b。上述搭载面413a相对前面413b大致垂直。另外，位于激光芯片414近旁的切口417被设置在上述金属薄板413的前面413b。该切口417的各端面相对激光芯片414的光发射端面414a倾斜，相对使激光芯片414的光发射端面414a围绕搭载面413a的垂线转动的面平行。
上述辅助台416的切口417侧的端面416a相对激光芯片414的光发射端面414a平行。另外，该辅助台416的端面416a相对切口417的各端面倾斜。
将上述半导体激光装置作为光盘装置的光源的情况下，因为切口417被设置在金属薄板413的前面413b上，所以即使上述从光盘返回的副光束到达辅助台416的端面416a或金属台23的前面413b，也能防止副光束再次入射到光盘。因而，能够防止上述半导体激光装置带给光盘装置的刻录特性和拾取器的信号控制系统不好的影响。
另外，上述激光芯片414的光发射端面414a发射的激光呈椭圆的圆锥状扩散，但在金属薄板413的前面413b设有切口417，所以能够防止激光与金属薄板413之间的干扰。
辅助台416的端面416a相对切口417的各端面倾斜，但也可使辅助台416的端面416a相对切口417的一个端面平行。
(第12实施方式)
图27A表示本发明的第12实施方式的半导体激光装置的立体示意图，图27B表示从搭载面403a侧观察该金属台403的示意图。另外，在图27A、27B中，与图25A、25B所示的第10实施方式的结构部分同样的结构部分被附加了与图25A、25B中结构部分一样的参照编号，省略其说明。
本实施方式的半导体激光装置与上述第10实施方式不同的只是辅助台406的端面406a朝向。即如图27A、27B所示，在本实施方式的半导体激光装置中，辅助台406的端面406a与金属台406的前面403b大致平行。
本实施方式的半导体激光装置，与上述第10实施方式具有同样的效果的同时，通过使辅助台406的端面406a与金属台406的前面403b大致平行，当将辅助台406安装在金属台403上时，能够将金属台403的前面403b作为决定辅助台406位置的标记，所以辅助台406的安装变得容易。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限上述实施方式。另外，也可适当地组合上述第9～第12实施方式。
(第13实施方式)图28表示从表面侧观察本发明的第13实施方式的半导体激光装置501和外壳502的示意图，该外壳502是光拾取装置的底盘(chassis)的半导体激光器搭载部。这里，除了半导体激光装置，光拾取装置的底盘还搭载了将从未图示的半导体激光芯片发射的光变换为大致平行的准直透镜、光轴变换镜、物镜驱动装置等，将光拾取器光学系统保持为一体。
上述半导体激光装置501具有厚0.3mm的、例如在铁板或铜板上镀敷锡(Sn)、金(Au)等的薄金属板503；借助辅助台505被固定到该薄金属板503的表面的半导体激光芯片504。与电极用引线507成为一体的厚3mm的树脂框508被设在上述薄金属板的表面。即上述薄金属板503，与树脂框508和电极用引线507成为一体。另外，上述树脂框508的内表面，与半导体激光芯片504的两侧面、后面(与光发射端面504a相反的面)相对。用未图示的金属细线(例如直径25um的Au导线)连接上述半导体激光芯片504的阴极(上面)与引线507，实现电连接。另外，用未图示的金属细线连接上述半导体激光芯片504的阳极和辅助台505上的电极，实现它们之间的电连接，用未图示的金属细线连接辅助台上的电极和薄金属板503(它与引线507中的一个相连)并实现电连接。另外，在上述薄金属板503的边缘部，形成位于半导体激光芯片504侧面的弧形部503a和位于半导体激光芯片504前方的切口503b。上述半导体激光芯片504是半导体激光芯片的一个例子。另外，上述薄金属板503与树脂框508，是主体部的一个例子。
上述外壳502具有矩形板状的外壳主体506，和被设置在该外壳主体506上、有作为弯曲面的一个例子的接触面509a的导向部509。该接触面509a的曲率与薄金属板503的弧形部503a的曲率大致相同。另外，上述外壳主体506与薄金属板503接触的面，比引导部分509的表面低。一个弧形部503a的曲率不必与其它弧形部503a的曲率相等，但和弧形部503a的曲率的中心优选与半导体激光芯片504的发光点(前端面(光发射端面504a)的中心)大致一致。当一方的半径曲率部分503a的曲率半径和另一方弧形部503a的曲率半径不相等时，从上方看，半导体激光芯片504向曲率半径小的弧形部503a侧靠近。另外，上述半导体激光芯片504的发光点不一定是一个，另外，上述半导体激光芯片504不一定是一个。在上述有多个发光点的情况下，弧形部503a的曲率中心可以是作为调整中心的任何一个发光点，也可根据弧形部503a的曲率改变成为中心的发光点。
将上述半导体激光装置501搭载在外壳502的情况下，半导体激光装置501的弧形部503a与外壳502的接触面509a接触，半导体激光装置501相对外壳502滑动。由此，上述薄金属板503被接触面509a持续支撑并转动，所以能够很容易地调整半导体激光芯片504的发射光的光轴。另外，通过将上述弧形部503a的曲率中心定为半导体激光芯片504的发光点，在调整半导体激光芯片504的发射光光轴时，能够防止该光轴在纸面内平行移动。
(第14实施方式)图29表示从表面侧观察本发明的第14实施方式的半导体激光装置521和外壳522的示意图。另外，在图29中，与图28所示的第13实施方式的结构部分同样的结构部分被附加了与图28中结构部分一样的参照编号，省略其说明。
上述半导体激光装置521具有薄金属板523和借助辅助台505被固定在该薄金属板523表面的半导体激光芯片504。在上述薄金属板523的表面设有与电极用引线507设为一体的树脂框508。即上述薄金属板523，与树脂框508及电极用引线507成为一体。另外，上述树脂框508的内表面，与半导体激光芯片504的两侧面、后面(与光发射端面504a相反的面)相对。另外，在上述薄金属板523的边缘部形成了位于半导体激光芯片504前方的切口523b。即上述切口523b位于半导体激光芯片504的发光点近旁。另外，上述切口523b的内壁面是圆柱面。上述半导体激光芯片504是半导体激光芯片的一个例子。另外，上述薄金属板523和树脂框508构成主体部的一个例子。
上述外壳522具有矩形板状外壳主体526和被设在外壳主体526的表面、可以嵌合在切口523b的圆柱状的突起529。
将上述半导体激光装置521搭载在外壳522的情况下，将半导体激光装置521朝图中箭头方向移动，将外壳522的突起529嵌合在半导体激光装置521的切口523b，使半导体激光装置521能相对外壳522滑动。由此，上述薄金属板523被突起529支撑的同时、以半导体激光芯片504的发光点近旁为中心转动，所以能够调整半导体激光芯片504的发射光的光轴。
另外，在上述薄金属板503的边缘部设有切口523b，所以半导体激光装置521向图中箭头方向移动，能够很容易地将突起529嵌合在切口523b。
在上述第14实施方式中，将圆柱状突起529形成在外壳主体526的表面，但如图30所示，也可将圆锥状突起539形成在外壳主体526的表面。在形成该突起539的情况下，也可将内表面是圆锥状的切口533b设在薄金属板533上。上述圆柱状突起或圆锥状突起的高度，优选比半导体激光芯片504的发光点低，不影响到激光。上述半导体激光504的发射光从发光点开始扩散为圆锥状，离发光点越近扩散越小。因而，作为突起的形状，优选圆锥状。另外，将上述突起539形成在外壳主体526的表面时，虽然未图示，但可以将可嵌合上述突起539的凹部设置在薄金属板533的背面。当将上述突起539与设在薄金属板533的背面的可嵌合凹部嵌合时，从外壳522的上方，很容易将半导体激光装置521安装在外壳主体526的表面。
在上述第14实施方式中，将可嵌合圆柱状突起529的切口523b，设在薄金属板523的边缘部，但如图31所示，也可将可嵌合圆柱状突起529的凹部543c设在薄金属板523的背面。该凹部的内壁面是圆柱面。另外，上述凹部543的位置与光发射端面504a的位置大致重叠。即上述凹部543位于半导体激光芯片504的发光点近旁。
(第15实施方式)图32表示从背面侧观察本发明的第15实施方式的半导体激光装置551的示意图。图33表示从表面侧观察本发明的第15实施方式的外壳552的示意图。另外，在图32中，与图28所示的第13实施方式的结构部分同样的结构部分被附加了与图28中结构部分一样的参照编号。
如图32所示，上述半导体激光装置551具有将圆弧状的沟部553c(也可贯穿到薄金属板553的中间)设在背面的薄金属板553。借助辅助台，将半导体激光芯片504固定在该薄金属板553的表面。上述沟部553c形成与该半导体激光芯片504的发光点(前端面(光发射端面504a)的中心)为中心的圆周大致重叠的状态。另外，在上述薄金属板553的表面，形成与电极用引线507设为一体的树脂框508。即上述薄金属板553，和树脂框508及电极用引线507成为一体。
如图33所示，上述外壳552具有外壳主体556、和被设在该外壳主体556表面且可以嵌合薄金属板553的沟部553c的圆弧状的突起559。上述突起559的圆周长比沟部553c的圆周长短。
在将上述半导体激光装置551搭载于外壳552时，使外壳522的突起559嵌合在半导体激光装置521的沟部553c，使半导体激光装置521相对外壳522滑动。由此，上述薄金属板553，一边被突起559支撑、一边以半导体激光芯片504的发光点近旁为中心转动，所以能够调整半导体激光装置551的发射光的光轴。
在上述第15实施方式中，将圆弧状突起559形成在薄金属板553的背面，但如图34所示，也可将可嵌合圆弧状突起559的沟部558c，形成在作为树脂部件一个例子的树脂框背面。上述沟部558c与半导体激光芯片的发光点为中心的圆周大致重叠。
在上述实施方式中，在外壳主体556的表面形成了可与薄金属板553的沟部553c嵌合的一个圆弧形状突起559，但如图35所示，也可在外壳562的外壳主体566的表面形成两个圆柱状突起569。
另外，可使光拾取装置具有上述半导体激光装置和外壳。
在上述第13～第15实施方式和这些变形例中，调整半导体激光芯片的光轴后，通过光固化性树脂等的粘着剂，将半导体激光装置固定在外壳上。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但有一点应该明确，即可以对这些进行各种改变。这种改变并不脱离本发明的宗旨和范围，且对于本行业技术人员能够不加任何创造性劳动的自明的各种改变，都属于本发明的发明范围。
权利要求
1.一种半导体激光装置，其特征在于，备有具有搭载半导体激光芯片的板状搭载部和与此搭载部相连延伸的引线部的第1引线；沿着该第1引线的引线部延伸的第2引线；在所述半导体激光芯片侧具有框部的由绝缘性材料构成的保持部，其中，所述框部，将所述第1引线和第2引线保持为一体的同时、形成有用于使所述半导体激光芯片发出的激光的发射的窗部；在该保持部的框部部内安装有盖；在该保持部的框部内安装所述盖时，使所述保持部的框部和所述盖在与所述半导体激光芯片的光轴平行的方向施加力，而被相互压接的压接构造。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述盖具有与所述保持部的框部的窗部相嵌合的突起部。
3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述盖具有与所述半导体激光芯片的光轴平行的方向的突起部；所述保持部的框部具有与所述半导体激光芯片的光轴平行的方向上凹进的凹部；所述压接构造具有所述突起部和所述凹部，且在所述保持部的框部内安装所述盖时，所述突起部和所述凹部被压接同时实现嵌合。
4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述突起部的形状是半球状；所述凹部的形状是沿着所述突起部的形状。
5.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述盖具有在与所述半导体激光芯片的光轴垂直的方向延伸的同时相互对向的两个外面；所述保持部的框部具有在与所述半导体激光芯片的光轴垂直的方向延伸的同时相互对向的两个内面；在所述盖部的两个外面分别配置两个所述突起部；在所述保持部的框部的两个内面分别配置两个所述凹部。
6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述盖部具有操作用的捏手。
7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第1引线具有在所述搭载部上，从与所述半导体激光芯片的光轴垂直的方向的两端边缘，向与所述半导体激光芯片的光轴垂直的方向突出的系杆部；将所述盖安装在所述保持部的框部内时，所述盖的捏手以面向所述半导体激光芯片的光轴平行的方向的方式形成。
8.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，通过在所述盖的一面上设置分离相对的捏手形成用的两个凹部，在这捏手形成用的两个凹部之间形成所述盖的捏手。
9.根据权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于，所述捏手形成用凹部是月牙形。
10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述保持部和所述盖部是同一种材料。
11.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述保持部和所述盖部的材料是树脂。
12.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述保持部和所述盖部的颜色是黑色。
全文摘要
本发明提供一种半导体激光装置，其特征在于，备有具有搭载半导体激光芯片的板状搭载部和与此搭载部相连延伸的引线部的第1引线；沿着该第1引线的引线部延伸的第2引线；在所述半导体激光芯片侧具有框部的由绝缘性材料构成的保持部，其中，所述框部，将所述第1引线和第2引线保持为一体的同时、形成有用于使所述半导体激光芯片发出的激光的发射的窗部；在该保持部的框部内安装有盖；在该保持部的框部内安装所述盖时，使所述保持部的框部和所述盖在与所述半导体激光芯片的光轴大致平行的方向施加力，而被相互压接的压接构造。
文档编号G11B7/125GK101034789SQ20071009712
公开日2007年9月12日 申请日期2005年3月30日 优先权日2004年3月30日
发明者筱原久幸, 辻亮, 伊藤隆, 西山伸宏 申请人:夏普株式会社