专利名称：：垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及用于硬盘驱动器等的垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录设备。
背景技术：
：诸如硬盘等的磁记录介质用作大存储器、服务器、个人计算机、游戏机等的记录介质。为了满足日益增长的存储需求，需要高密度磁记录介质，并且正进行垂直磁记录介质(方法)的发展和研究。在更密度的垂直磁记录介质的发展中，降低噪声和改进可写性(writability)是至关重要的。此处，可写性是表示执行数据重写的正确程度的指标术语。在专利文献l(日本专利申请特开No.2004-79043)和专利文献2(日本专利申请特开No.2004-272957)等中公开了针对在垂直介质中降低噪声的技术。这种技术包括具有两个铁磁层的软底层(softunderlayer)结构，在两个铁磁层之间具有非磁性金属层，使得两个铁磁层间的磁化方向彼此相反(反向平行)。利用穿过界面间隔层(spacerlayer)的RKKY(Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida)型相互作用能够使两个铁磁层间的磁化方向彼此反向平行。这种软底层结构被称为APS-SUL(反向平行结构的软底层)。APS-SUL结构能够使磁通量有效地返回至写磁头(writehead)，降低并几乎消除磁位(magneticbit)的宽域磁轨擦除(wideareatrackerasure(WITE))，以及从软底层上完全消除磁畴峰值(domainspike)噪声，由此用于实现并进一步提高记录密度。通常，APS-SUL使用非晶钴锆钽(CoZrTa)层或钴锆铌(CoZrNb)层作为构成软底层的铁磁层，以及使用钌(Ru)层作为非磁性金属层。在这种情况下，交换磁场强度约为40Oe，这要求钌(Ru)层的厚度约为0.4nm至0.6nm(4人至6人)。然而，很难控制具有大约0.4nm至0.6nm厚度的薄钌(Ru)层的厚度。此外，当钌(Ru)层的厚度处于上述范围之外时，铁磁层间的磁化方向变为平行，这排除了获得APS-SUL结构的可能性。结果，噪声增大，从而降低S/N比。此外，在较高密度下，将使用除了上述Co合金之外的高磁化强度材料，诸如FeCo合金。在这种情况下，交换场更大，然而，对于我们得到反向平行耦合的Ru层厚度仍需进一步降低。此外，随着交换场增大，可写性变差。换句话说，理论上，通常认为APS-SUL结构能降低噪声，然而，需要一些技术来减轻其它方面的牺牲以及提高垂直磁记录介质的密度。
发明内容根据本发明实施例的一个方案，提供一种垂直磁记录介质，其具有软底层和形成于该软底层上方的记录层。该软底层具有非晶态的第一铁磁层、在该第一铁磁层上形成的非磁性金属层、以及在该非磁性金属层上形成的非晶态的第二铁磁层。该第一铁磁层和该第二铁磁层之间的磁化方向是彼此反向平行的。此外，随着非磁性金属层的厚度的增大，该第一铁磁层和该第二铁磁层之间的交换磁场强度表现出多个峰值。该非磁性金属层的厚度被定义为对应于多个峰值范围中的第二大峰值。根据本发明实施例的另一方案，提供一种设置有上述垂直磁记录介质的磁记录设备。该设备还设置有磁头，用于将信息记录至垂直磁记录介质和从垂直磁记录介质再现信息。根据本发明实施例的又一方案，提供一种垂直磁记录介质的制造方法，其中形成软底层，然后在该软底层的上方形成记录层。在形成该软底层的过程中，形成非晶态的第一铁磁层，在该第一铁磁层上形成非磁性金属层，以及在该非磁性金属层上形成非晶态的第二铁磁层。使得该第一铁磁层和该第二铁磁层之间的磁化方向彼此反向平行。此外，随着该非磁性金属层的厚度的增大，该第一铁磁层和该第二铁磁层之间的交换磁场强度表现出多个峰值。将该非磁性金属层的厚度定义为与所述多个峰值中的第二大峰值对应。图1为示出根据本发明实施例的垂直磁记录介质的结构的剖视图。图2为示出根据本发明实施例的垂直磁记录介质的制造方法的示意图。图3示出间隔层3的厚度与交换磁场强度之间的相互关系的坐标图。图4为示出间隔层3的厚度与S/N比之间的相互关系的坐标图。图5为示出间隔层3的厚度与噪声大小之间的相互关系的坐标图。图6为示出间隔层3的厚度与可写性之间的相互关系的坐标图。图7为示出间隔层3的厚度与写磁芯(writecore)宽度之间的相互关系的坐标图。图8为示出磁记录介质设备的结构的示意图。具体实施方式以下参照附图具体描述本发明的实施例。图1为示出根据本发明实施例的垂直磁记录介质的结构的剖视图。在实施例中，提供盘形衬底l，在盘形衬底1上依次形成非晶态的铁磁层2、间隔层3和非晶态的铁磁层4，如图1所示。非晶态的铁磁层2、间隔层3和非晶态的铁磁层4构成软底层11。对于衬底1，使用例如塑料衬底、微晶玻璃(crystallizedglass)衬底、钢化玻璃衬底、硅(Si)衬底、铝合金衬底等。作为非晶态的铁磁层2和4，形成含有铁(Fe)、钴(Co)和/或镍(Ni)的非晶态的铁磁层。此外，非晶态的铁磁层中可含有铬(Cr)、硼(B)、铜(Cu)、钛(Ti)、钒(V)、铌(Nb)、锆(Zr)、铀(Pt)、钯(Pd)和/或钽(Ta)。通过适当合金化上述元素，能够获得稳定的、抗腐蚀的非晶态，或者与仅含有铁(Fe)、钴(Co)和/或镍(Ni)的情况相比，改善非晶态的铁磁层2和4的磁性特征。此外，非晶态的铁磁层中可以含有铝(Al)、硅(Si)、铪(Hf)和/或碳(C)。尤其是，当考虑记录磁场的集中(concentration)时，优选使用具有1.0T或更大的饱和磁通量密度BS的软磁材料层。此外，当考虑具有高交换率的可写性时，优选使用具有高频磁导率的层。具体地，例如可采用铁钴硼(FeCoB)层、铁钴锆钽(FeCoZrTa)层、铁钴锆铌(FeCoZrNb)层、铁钴硼铬(FeCoBCr)层、铁硅(FeSi)层、铁铝硅(FeAlSi)层、铁钽碳(FeTaC)层、钴锆铌(CoZrNb)层、钴铬铌(CoCrNb)层、镍铁铌(NiFeNb)层等。例如可通过电镀方法、溅射方法、蒸发方法(evaporationmethod)、CVD(化学气相沉积)方法等形成非晶态的铁磁层2和4。当应用DC溅射方法时，室的内部被设置为0.5Pa至2Pa的氩(Ar)气。此夕卜，非晶态的铁磁层2和4的每一层的厚度被设置为例如5nm至25nm。作为间隔层3，形成含有例如钌(Ru)、和/或铜(Cu)和/或铬(Cr)的非晶金属层。此外，可通过铑(Rh)、铼(Re)和/或稀土金属形成间隔层。可通过例如电镀方法、溅射方法、蒸发方法、CVD(化学气相沉积)方法等形成间隔层3。当应用DC溅射方法时，室的内部被设置为0.5Pa至2Pa的氩(Ar)气。此外，在实施例中，当在非晶态的铁磁层2和非晶态的铁磁层4之间形成反向平行的磁耦合(magneticcoupling)时，间隔层3的厚度被设定为一值。换句话说，此时非晶态的铁磁层2和非晶态的铁磁层4之间的磁化方向彼此相反，并且在非晶态的铁磁层2和非晶态的铁磁层4之间出现反铁磁耦合(anti-ferromagneticcoupling)。此外，如果非晶态的铁磁层2的饱和磁化强度为MS1，厚度为tP非晶态的铁磁层4的饱和磁化强度为MS2，厚度为t2，则满足下面的公式Ms^ti二Ms2Xt2。因此，软底层11的剩余磁化强度为零。应注意，即使在确定了非晶态的铁磁层2和4的材料和厚度的情况下，也不能将用于产生上述反铁磁耦合的间隔层3的厚度确定为唯一的厚度范围。根据非晶态的铁磁层2和4的材料和厚度，存在用于产生反铁磁耦合的间隔层3的多个厚度范围。具体地，如图3所示，当间隔层3的厚度改变时，出现与非晶态的铁磁层2和4之间的交换磁场长度的峰值对应的多个厚度。这些峰值位置的出现表明非晶态的铁磁层2和4之间反铁磁耦合。注意，图3中的"""o"和"△"表示当铁钴硼(FeCoB)层、铁钴硼铬(FeCoBCr)层和钴铌锆(CoNbZr)层分别用作每一非晶态的铁磁层2和4时的测量结果。此外，在每个测量中钌(Ru)层用作间隔层3。传统的记录介质应用与这些峰值对应的厚度中的最小厚度(lstAPS)。这是为了得到大的交换磁场。另一方面，本实施例应用第二小厚度(2ndAPS)。与采用最小厚度的情况相比，采用第二小厚度会使交换磁场强度降低一点，然而间隔层厚度的容许量(tolerance)更大，并且分布宽度变得更大。这说明在制造过程中间隔层3的厚度变化容许量更大。此外，间隔层3的厚度越小，控制其厚度就越困难。因此采用第二小厚度使得容易控制间隔层3的厚度及其厚度容许量。注意，虽然2ndAPS的厚度可能根据非晶态的铁磁层2和4的材料和厚度、间隔层3的材料等发生变化，但是大多数情况下2ndAPS的厚度为lnm或更大。因此在该实施例中，将间隔层(非磁性金属层)3的厚度设置为1nm或更大。此外，在实施例中，中间层5直接形成在软底层11上。中间层5的厚度例如约为10nm至20nm。作为中间层5，例如形成具有密排六方(hcp)晶体结构的钌(Ru)层。作为中间层5，也可以形成具有密排六方(hcp)晶体结构的钌(Ru)-X(乂=钴(Co)、铬(Cr)、铁(Fe)、镍(Ni)、Si02、Ti02、Cr-0和/或锰(Mn))合金层，其中钌(Ru)为主要成分。可通过例如电镀方法、溅射方法、蒸发方法、CVD(化学气相沉积)方法等形成中间层5。当应用DC溅射方法时，在室的内部使用0.5Pa至8Pa的氩(Ar)气。此外，优选中间层5的厚度处于5nm至25nm的范围内。当中间层5的厚度小于5nm时，噪声可能没有被充分降低。另一方面，当中间层5的厚度大于25nm时，可写性可能下降。在中间层5上形成记录层6。作为记录层6，例如可形成具有钴(Co)和铂(Pt)作为主要组成元素的铁磁层。此外，其中可存在诸如铬(Cr)、硼(B)、二氧化硅(Si02)、二氧化钛(Ti02)、二氧化络(Cr02)、氧化铬(CrO)、Cr203、铜(Cu)、钛(Ti)和/或铌(Nb)之类的化学元素。具体地，使用具有二氧化硅(Si02)粒子分布在晶界的钴铬铂(CoCrPt)层。此外，记录层6可由多层构成。例如，当记录层6由两层构成时，下层为其中分布有二氧化硅(Si02)粒子的钴铬铂(CoCrPt)层，上层为钴铬铂硼(CoCrPtB)层。通过例如电镀方法、溅射方法、蒸发方法、CVD(化学气相沉积)方法等形成记录层6。当应用DC/RF溅射方法时，在室的内部可使用0.5Pa至6Pa的氩(Ar)气。在这种情况下，含有2至5%的氧气的气体也可用作为共溅射气体。此外，将记录层6的厚度设置为6nm至20nm。然后，在记录层6上形成保护层7。作为保护层7，例如可形成非晶碳层、碳氢氧化物(carbonhydroxide)层、氮化碳层、氧化铝层、氮化硅层等。通过例如电镀方法、溅射方法、蒸发方法、CVD(化学气相沉积)方法等形成保护层7。当应用DC溅射方法时，室的内部可使用0.5Pa至2Pa的氩(Ar)气。此外将保护层7的厚度设置为例如lnm至5nm。将图2所示的磁头应用至这样构建的垂直磁记录介质，以用于向其写入(记录)数据和从其读出(再现)数据。磁头21设置有主磁极22、辅助磁极23和线圈24，以执行写操作。磁头还设有大磁阻效应元件或隧道磁阻效应元件25和屏蔽(shield)26，以执行写操作。辅助磁极23也起到对磁阻效应元件25的屏蔽的作用。在写操作期间，向线圈24施加电流，线圈24引起穿过主磁极22和辅助磁极23的磁通量27。此时，从主磁极22出来的磁通量27穿过记录层6，然后在穿过软底层11之后回到辅助磁极23。因此，根据磁通量的方向，记录层6的磁化在竖直方向上按每一记录位发生变化(上或下)。根据上述的实施例，由于间隔层3的厚度被设置为预定值，所以即使在制造过程中厚度发生一些变化，仍能够相当容易地获得APS-SUL结构的优点。换句话说，由于采用了与交换磁场强度的峰值对应的厚度中的第二小厚度(2ndAPS)，所以不但能够加宽与间隔层3的厚度对应的峰值的范围，而且能够容易控制其厚度，从而能够容易地使非晶态的铁磁层2和4之间的磁化方向反向平行。应注意，在间隔层3的厚度不对应最高峰值的情况下，存在磁化方向不是理想的反向平行的可能。然而，只要间隔层3的厚度处于与峰值对应的范围内，就能够获得APS-SUL结构的优点，即实现本发明的目的。具体地，即使间隔层3的厚度不对应于最高峰，只要2ndAPS处于与峰对应的范围内，就被本发明的技术范围所包括。从图3所示的坐标图中获得的间隔层3的厚度变化容许量被总结为下面的表l。注意，描述自发磁化强度Bs目的是用于参考。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>此外，与采用1stAPS时的情况相比，2ndASP的采用要求间隔层3增大其厚度，这使得能够降低每一个非晶态的铁磁层2和4的厚度。例如，当间隔层3的厚度被设置为0.4nm(lstAPS)时，与其对应的每一个非晶态的铁磁层2和4的厚度为25nm。此时,如果间隔层3的厚度被设置为1.9nm(2ndASP),通过降低每一个非晶态的铁磁层2和4的厚度至15nm能够获得类似的交换效应。这说明能够降低垂直磁记录介质的总厚度。注意，取代盘形衬底1，可以使用带状膜作为衬底。在这种情况下，作为衬底的材料，可以使用具有良好耐热性的聚酯(PE)、聚乙烯对苯二酸(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等。接下来将说明通过本发明实际执行的实验的内容和结果。在实验中，制备两种类型的样品。在每一样品中，在作为非晶态的铁磁层2的玻璃衬底上形成25nm厚度的铁钴硼(FeCoB)层，形成钌(Ru)层作为间隔层3，以及形成具有25nm厚度的铁钴硼(FeCoB)层作为非晶态的铁磁层4。此外，在非晶态的铁磁层4上形成中间层5。对于一样品(第一样品)中的中间层5，在非晶态的铁磁层4上形成具有25nm厚度的钽(Ta)层、镍铁铬(NiFeCr)层和钌(Ru)层。对于另一样品(第二样品)中的中间层5，在非晶态的铁磁层4上形成具有25nm厚度的钽(Ta)层、镍铁(NiFe)层和钌(Ru)层。另外，在中间层5上形成记录层6。对于记录层6，在中间层5上形成具有llnm厚度的钴络铂(CoCrPt)-二氧化硅(Si02)层，以及在钴铬铂(CoCrPt)-二氧化硅(Si02)层上形成具有8nm厚度的钴铬铂硼(CoCrPtB)层。钴铬铂(CoCrPt)-二氧化硅(Si02)层由具有晶界且晶界中析出有许多二氧化硅(Si02)的钴铬铂(CoCrPt)构成。然后，在记录层6上形成碳(C)层作为保护层7。在每个样品中，分别分析间隔层3(钌(Ru)层)的厚度与S/N比、噪声大小、整体可写性(over-writability,OW)和写磁芯宽度(WCW)的相互关系。这些结果分别在图4、图5、图6和图7中示出。注意，图4至图7中的和"o"分别表示第一样品和第二样品的结果。关于S/N比，如图4所示，在间隔层3的厚度约为0.5nm时，证实最高峰，以及在间隔层3的厚度处于大约1.6nm至2.2nm范围内时出现第二高峰。这说明，在lstAPS处能够获得最高S/N比，在2ndAPS处能够获得第二高S/N比。然而，这两个值示出了小的差值，所以在2ndAPS处能够获得足够高的S/N比。注意，图4中竖直轴的AS/N值表示与标准样品(其中形成厚度为0.45nm的钌(Ru)层用作间隔层3)的S/N比相比的S/N比的差值。此外，关于噪声大小，证实了与S/N比具有类似的趋势，如图5所示。即，在lstAPS处观察到最小噪声，在2ndAPS处观察到第二小噪声。然而，这两个值的差值也是较小的，所以在2ndAPS处足以使噪声最小化。注意，图5中的竖直轴的噪声值表示通过将在标准样品(其具有0.45nm厚度的钌(Ru)层用作间隔层3)中检测到的噪声设定为"1"而进行规范化的值。通过比较以124kBPI进行写操作时读出的信号与以495kBPI进行写操作时读出的信号而检测到的差值，来估测整体可写性(OW)。可以说，差值变得越小，整体可写性(OW)提高的越多。如图6所示，在每一样品中，与1stAPS相比在2ndAPS处获得更好的整体可写性(OW)。它们之间的差值为8dB至10dB，这是相当优选的结果。通过穿过写磁轨(writetrack)的信号电平测量写磁芯宽度(WCW)，其是执行写操作的宽度大小的指标(index)。WCW受到晶粒尺寸和介质中存在的分布物的部分影响。随着该值变得更小，在更小的区域中执行写操作变得可能，其优选用于高密度记录。换句话说，写磁芯宽度(WCW)越小，记录磁轨的宽度能够设置得越小。虽然如图7所示，2ndAPS的写磁芯宽度(WCW)大于lstAPS的写磁芯宽度(WCW)，但是仍能够满足需要。此处，将说明硬盘驱动器，其作为根据上述实施例的设置有垂直磁记录介质的磁记录设备的实例。图8为示出硬盘驱动器(HDD)的内部结构的示意图。硬盘驱动器100设置有外壳101。在外壳101中，容置有下列部件连接至待旋转的旋转轴102的磁盘103;其上安装有磁头的滑动器104，用于向磁盘103记录信息和从磁盘103再现信息；保持滑动器104的悬架108;运输臂106，其具有固定在其上的悬架108，并以臂轴105作为中心沿磁盘103的表面移动；以及用于驱动运输臂106的臂制动器107。根据上述实施例的垂直磁记录介质用作磁盘103。根据本发明，由于非磁性金属层的厚度被设置为具有较大容许量的合适值，所以即使在制造过程中厚度发生一些变化，也能够容易地使软底层结构成为APS-SUL结构，并容易获得其优点。从所有方面，本发明的实施例是示意性的而非限制性，因此落入权利要求等效含义和范围内的所有改变均应包括在本发明保护范围内。本发明可以其它具体形式实施，而不脱离本发明的精神或实质特征。权利要求1.一种垂直磁记录介质，包括软底层；以及记录层，其形成在所述软底层上方，其中所述软底层包括非晶态的第一铁磁层；非磁性金属层，其形成在所述第一铁磁层上；以及非晶态的第二铁磁层，其形成在中间层上，其中所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的磁化方向彼此反向平行；其中随着所述非磁性金属层的厚度的增加，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的交换磁场强度表现出多个峰值，以及其中所述非磁性金属层的厚度被定义为与所述多个峰值中的第二大峰值对应。2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，还包括形成在所述软底层和所述记录层之间的中间层。3.如权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中所述中间层由具有密排六方晶体结构的非磁性金属构成。4.如权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中所述中间层由钌或钌合金构成。5.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述第一铁磁层和所述第二铁磁层含有铁、钴和镍中的至少一种元素。6.如权利要求5所述的垂直磁记录介质，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层还含有铬、硼、铜、钛、钒、铌、锆、铂、钯和钜中的至少一种元素。7.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述非磁性金属层含有钌、铜和铬中的至少一种元素。8.如权利要求7所述的垂直磁记录介质，其中所述非磁性金属层还含有铑、铼和稀土金属中的至少一种元素。9.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中满足下面的公式Mslxtl=MS2xt2，其中MS1是所述第一铁磁层的磁化强度，^是所述第一铁磁层的厚度，Ms2是所述第二铁磁层的磁化强度，以及t2是所述第二铁磁层的厚度。10.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述非磁性金属层的厚度为lnm或更大。11.一种垂直磁记录介质的制造方法，包括如下步骤形成软底层；以及在所述软底层上方形成记录层，其中所述形成软底层的步骤包括如下步骤形成非晶态的第一铁磁层；在所述第一铁磁层上形成非磁性金属层；以及在所述非磁性金属层上形成非晶态的第二铁磁层，其中所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的磁化方向彼此反向平行，其中随着所述非磁性金属层的厚度的增大，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的交换磁场强度表现出多个峰值，以及其中所述非磁性金属层的厚度被定义为与所述多个峰值中的第二大峰值对应。12.如权利要求11所述的垂直磁记录介质的制造方法，还包括在所述形成记录层的步骤之前，在所述软底层上形成中间层的步骤，其中所述记录层形成在所述中间层上。13.如权利要求12所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中形成具有密排六方晶体结构的非磁性金属层作为所述中间层。14.如权利要求12所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中形成钌层或钌合金层作为所述中间层。15.如权利要求11所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中形成含有铁、钴和镍中的至少一种元素的层作为所述第一铁磁层和所述第二铁磁层。16.如权利要求11所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中形成含有钌、铜和铬中的至少一种元素的层作为所述非磁性金属层。17.如权利要求16所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中形成还含有铑、铼和稀土金属中的至少一种元素的层作为所述非磁性金属层。18.如权利要求11所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中满足下面的公式Ms^h二Ms2Xt2，Ms,是所述第一铁磁层的磁化强度，t!是所述第一铁磁层的厚度，Ms2是所述第二铁磁层的磁化强度，以及t2是所述第二铁磁层的厚度。19.如权利要求11所述的垂直磁记录介质的制造方法，其中所述非磁性金属层的厚度为lnm或更大。20.—种磁记录设备，包括垂直磁记录介质；以及磁头，其用于将信息记录至所述垂直磁记录介质和从所述垂直磁记录介质再现信息，其中所述垂直磁记录介质包括软底层；以及记录层，其形成在所述软底层上方；其中所述软底层包括-非晶态的第一铁磁层；非磁性金属层，其形成在所述第一铁磁层上；以及非晶态的第二铁磁层，其形成在中间层上，其中所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的磁化方向彼此反向平行，其中随着所述非磁性金属层的厚度的增加，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的交换磁场强度表现出多个峰值，以及其中所述非磁性金属层的厚度被定义为与所述多个峰值中的第二大峰值对应。全文摘要本发明提供了一种垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录设备。在垂直磁记录介质中，以如这样的方式设置间隔层的厚度，以在两个非晶态的铁磁层之间获得反向平行的磁耦合。当间隔层的厚度改变时，交换场表现振荡行为，并且在不同的厚度处获得交换场的最高值，以及在两个非晶态的铁磁层之间表现反向平行交换。通常的记录介质采用多个厚度中与交换场的最大值对应的最小厚度(1stAPS)。另一方面，本发明采用第二小厚度(2ndAPS)，以获得较大的间隔层厚度的容许量、改善了可写性并提高了记录性能。文档编号G11B5/73GK101246699SQ20081000573公开日2008年8月20日申请日期2008年2月4日优先权日2007年2月15日发明者安东尼·阿扬,杉本利夫申请人:富士通株式会社