专利名称：：磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及用于硬盘装置等磁记录再生装置的磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。
背景技术：
：近年，磁盘装置、软性盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围显著地增大，在其重要性增加的同时，对于这些装置中所使用的磁记录介质，不断谋求其记录密度的显著提高。尤其是引入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加激烈，近年又引入GMR磁头、TMR磁头等，每年在以约100%的速度继续增加。对于这些磁记录介质，今后要求实现更高记录密度，为此要求实现磁性层的高矫顽力化、高信噪比(SNR)、高分辨力。另外，近年来在线记录密度提高的同时通过磁道密度的增加来继续努力提高面记录密度。在最新的磁记录装置中，磁道密度竟达到了llOkTPI。然而，若不断提高磁道密度，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生损害SNR的问题。这直接关系到比特错误率(BitErrorRate)的降低，因此成为提高记录密度的障碍。为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸成为更微细的尺寸，对各记录比特确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。然而，若将记录比特不断微细化，则每一比特的磁化最小体积变小，由热摆导致磁化反转(翻转)，从而产生记录数据消失的问题。另外，为了磁道间距离接近，磁记录装置在要求极高精确度的磁道伺服技术的同时，宽幅地进行记录，为了尽可能排除来自相邻磁道的影响，一般地采用比记录时窄地实行再生的方法。该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。作为解决这样的热摆问题和确保SNR或者确保充分的输出的方法之一，进行了下述尝试在记录介质表面形成沿磁道的凹凸，通过使记录磁道彼此物理地进行分开来提高磁道密度。以下将这样的技术称为分离磁道法(离散磁道法；discretetrackmethod)，将由此制造的磁记录介质称为分离磁道介质(离散磁道介质；discretetrackmedium)。作为分离磁道介质的一例，已知在表面形成了凹凸图形的非磁性基板上形成磁记录介质，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图形从而构成的磁记录介质(例如参照专利文献1)。该磁记录介质，是在表面具有多个凹凸的基板的表面上介有软磁性层而形成强磁性层，在该强磁性层的表面上形成了保护膜的磁记录介质。该磁记录介质，在凸部区域形成有与周围物理性地分隔的磁记录区域。根据该磁记录介质，由于能够抑制在软磁性层中的畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。分离磁道法有在形成由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法；和预先在基板表面上直接形成凹凸图形或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图形之后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如参照专利文献2、专利文献3)。其中，前者的方法往往称为磁层加工型，由于在介质形成后实施对表面的物理加工，因此存在介质在制造工序中容易被污染的缺点，并且制造工序很复杂。而后者的方法往往称为压花加工型，虽然在制造工序中难以污染，但由于形成于基板上的凹凸形状被成膜出的膜继承，因此存在一边在介质上浮动一边进行记录再生的记录再生磁头的浮动姿势、浮动高度不稳定的问题。另外，还公开了对预先形成了分离磁道介质的磁道间区域的磁性层注入氮、氧等的离子，或者通过照射激光，使其部分的磁特性变化而形成的方法(参照专利文献46)。然而，在该方法中，磁性层由于注入离子或激光照射而遭受损伤，有时在磁性层表面上形成凸凹。另外，在该方法中，虽然注入的离子或激光的能量高，但存在介质整个面的能量密度低，直到使介质整个面的磁性变化的处理时间变长的问题。专利文献1日本特开2004-164692号公报专利文献2日本特开2004-178793号公报专利文献3日本特开2004-178794号公报专利文献4日本特开平5-205257号公报专利文献5日本特开2006-209952号公报专利文献6日本特开2006-309841号公报
发明内容本发明的目的其一方面在于提供能够简易地制造确保与以往同等以上的记录再生特性并且使记录密度大幅度增加的磁记录介质的磁记录介质制造方法，另外，另一方面在于提供能够简易地制造通过使磁记录图形部间区域的矫顽力、残余磁化降低到极限而消除磁记录时的渗写(bleedingatwriting)，进而具有增大了的面记录密度的磁记录介质的磁记录介质制造方法。本发明的另外的目的在于提供具备具有如上所述的特性的磁记录介质，而且具有良好的磁头浮动特性的所谓的分离磁道型磁记录介质和图案介质等的磁记录再生装置。为了达到上述目的，本申请发明者潜心努力研究的结果实现了本申请发明。S卩，根据本发明，提供以下列举的磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。[1]一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)、(2)、(3)的顺序来实施的3个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。[2]根据上述[1]所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(2)中所除去的磁性层表层部分的厚度在0.Inm15nm的范围内。[3]根据上述[1]或[2]所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(2)中通过离子铣削(ionmilling)进行磁性层表层部分的除去。[4]根据上述[1][3]的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(3)中，通过将该磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，使具有改性了的磁特性的磁性层区域的磁化量为具有未被改性的磁特性的磁性层区域的磁化量的75%以下。[5]根据上述[1][4]的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(3)中，通过将该磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，使具有改性了的磁特性的磁性层区域的矫顽力为具有未被改性的磁特性的磁性层部分的矫顽力的50%以下。[6]根据上述[1][5]的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，反应性等离子体或反应性离子是含有氧离子的等离子体或反应性离子。[7]根据上述[1][6]的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，反应性等离子体或反应性离子是含有卤离子的等离子体或反应性离子。[8]根据上述[7]所述的磁记录介质的制造方法，其中，卤离子是将选自CF4、SF6、CHF3、CCl4、KBr中的至少一种卤化气体导入到反应性等离子体中而形成的卤离子。[9]根据上述[7]所述的磁记录介质的制造方法，其中，卤离子是F离子(氟离子)。[10]一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)(7)的顺序来实施的7个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)在磁性层上形成掩蔽层的工序；(3)在掩蔽层上形成抗蚀剂层的工序；(4)在抗蚀剂层上形成磁分离磁性层的磁记录图形的工序；(5)除去在磁记录图形中磁分离磁性层的区域的掩蔽层部分的工序；(6)对通过除去掩蔽层部分而露出的区域的磁性层的表层部分进行除去的工序；(7)将通过除去磁性层的表层部分而露出的区域的磁性层暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。[11]一种磁记录再生装置，其特征在于，组合地具有由上述[1][10]的任一项所述的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质、将该磁记录介质沿记录方向驱动的驱动部、包括记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录介质进行相对运动的机构、和用于进行向磁头的信号输入和来自磁头的输出信号再生的记录再生信号处理单元而构成。根据本发明的制造方法，是在非磁性基板上成膜出磁性层后形成磁记录图形从而构成的磁记录介质，具有优异的磁记录图形分离性能，不受相邻图形间的信号干扰的影响，能够高生产率地制造高记录密度特性优异的磁记录介质。另外，采用本发明的制造方法制造的磁记录介质，保持了良好的表面平滑性，因此成为实现了磁头低浮动化的磁记录再生装置。图1是表示本发明的磁记录介质的制造方法中的制造工序的模式图。5图2是表示本发明的磁记录介质的制造方法中的制造工序的模式图。图3是表示本发明的磁记录再生装置的模式图。标号说明1-非磁性基板、2-磁性层、3-掩蔽层、4-抗蚀剂层、5-印模、6-铣削离子、7_部分地除去了磁性层表层部分的区域、d-被除去了的磁性层表层部的厚度、8-磁特性被改性了的磁性层区域、9-保护膜、11-介质驱动部、27-磁头、28-磁头驱动部、29-记录再生信号系统、30-磁记录介质具体实施例方式本申请发明涉及在非磁性基板的至少一个表面具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的制造方法。本申请发明的方法，其特征在于，包含按以下的⑴(3)的顺序进行实施的3个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。更具体地讲，本申请发明的方法，其特征在于，包含按以下的(1)(7)的顺序进行实施的7个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)在磁性层上形成掩蔽层的工序；(3)在掩蔽层上形成抗蚀剂层的工序；(4)在抗蚀剂层上形成磁分离磁性层的磁记录图形的工序；(5)除去在磁记录图形中磁分离磁性层的区域的掩蔽层部分的工序；(6)对通过除去掩蔽层部分而露出的区域的磁性层的表层部分进行除去的工序；(7)将通过除去磁性层的表层部分而露出的区域的磁性层暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。由本发明的制造方法得到的磁记录介质，其特征在于，具有磁分离的磁记录图形，通过离子铣削等除去磁分离磁记录图形部的区域即相当于磁记录图形的负型图的部位的磁性层的表层部分，将除去了该表层部分的部位暴露于反应性等离子体或反应性离子，除去了该磁性层表层部分的区域的磁性层的磁特性得到改性，即，通过非晶化等，磁化量和/或矫顽力降低。该制造方法具有在磁分离磁记录图形部时，离子铣削的加工量很少且粉尘的发生少，没有向磁性层注入离子等的对磁性层造成损伤的工序的优点。本申请发明中，所谓磁记录图形包含每1比特具有一定的规则性而配置磁记录图形的所谓的图形介质、磁记录图形配置成磁道状的介质、其他的伺服信号图形等。对于本申请发明而言，在上述的磁记录图形中，从其制造工艺的简便性出发优选适用于磁分离了的磁记录图形是磁记录轨道和伺服信号图形的所谓分离型磁记录介质的6制造。参照图1、图2，对本发明的制造方法具体地按照工序进行说明。所制造的磁记录介质，如图2中工序I所示，例如，具有在非磁性基板1的表面依次地层叠了形成有磁图形的磁性层2、保护膜9的结构，而且，在最表面根据需要形成有润滑膜(没有图示)。再者，本申请发明的磁记录介质，除了非磁性基板1和磁性层2以外，根据需要适当地设置即可。因此，图1中省略了构成磁记录介质的非磁性基板1、磁性层2、保护层9以外的层。虽然没有图示，但通常在非磁性基板1的表面形成软磁性层和中间层后，形成具有磁图形的磁性层2。作为本发明中使用的非磁性基板1，可以使用以A1为主成分的例如Al-Mg合金等的A1合金基板、由通常的钠玻璃、铝硅酸盐系玻璃、结晶化玻璃类、硅、钛、陶瓷、各种树脂形成的基板等，只要是非磁性基板则可以使用任意的非磁性基板。其中，优选使用A1合金基板、结晶化玻璃等的玻璃制基板或硅基板。这些非磁性基板的平均表面粗糙度Ra，优选是lnm以下，更优选是0.5nm以下，特别优选是0.lnm以下。在如上所述的非磁性基板的表面形成的磁性层2，可以是面内磁性层也可以是垂直磁性层，但为了实现更高的记录密度优选是垂直磁性层。这些磁性层，优选由主要以Co为主成分的合金形成。作为合金的具体例，可举出60Co-15Cr-15Pt合金、70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金。在非磁性基板上形成垂直磁记录介质用的磁性层时，根据需要依次形成软磁性层(衬里层)、取向控制膜、Ru等的中间膜，然后，形成磁性层。软磁性层(衬里层)，例如，由FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr,FeCoZrB,FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、Co&NB、CoB等)等形成。可以在衬里层上配置Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等的取向控制膜。此外，可根据需要在其上配置Ru等的中间膜。作为面内磁记录介质用的磁性层，例如，可以利用由非磁性的CrMo基底层和强磁性的CoCrPtTa磁性层构成的叠层结构。通常，磁性层是采用溅射法作为薄膜而形成。磁性层的厚度是3nm20nm，优选是5nm15nm的范围。磁性层只要与使用的磁性合金的种类和叠层结构相对应地形成使得能够得到充分的磁头输出输入即可。磁性层的膜厚，为了在再生时得到一定以上的输出必须为某个程度以上的磁性层膜厚。另一方面，表示记录再生特性的各参数随着输出的上升而劣化是通例。因此，考虑输出和记录再生特性，优选设定成最佳的膜厚。磁记录介质的制造工艺，例如，如图1和图2所示，包括在非磁性基板1上至少形成磁性层2的工序A、在磁性层2上形成掩蔽层3的工序B、在掩蔽3上形成抗蚀剂层4的工序C、使用印模5将磁记录图形的负型图形转印到抗蚀剂层4上的工序D(工序D中的箭头表示印模5的运动方向)、选择性地除去与磁记录图形的负型图形相对应的掩蔽层3的部分的工序E、将与除去了掩蔽层3的区域相对应的磁性层2的表层部部分地进行离子铣削6，除去该表层部分的工序F(标号7表示被离子铣削了的磁性层部分。另外，标号d表示通过离子铣削除去了的磁性层表层部分的厚度。)、将通过离子铣削除去了磁性层表层部分的区域暴露于反应性等离子体或反应性离子从而对该区域7的磁性层的磁特性进行改性的工序G(标号8表示磁特性被改性了的磁性层的区域。)、除去抗蚀剂层4和掩蔽层3的工序H、由保护膜9覆盖磁性层的表面的工序I。本申请发明的磁记录介质的制造方法中的工序B中，在磁性层2上形成的掩蔽层3，优选采用含有选自Ta、W、Ta氮化物、W氮化物、Si、Si02、Ta205、Re、Mo、Ti、V、Nb、Sn、Ga、Ge、As、Ni中的任一种以上的材料形成。通过使用这样的材料，能够提高掩蔽层3的对铣削离子6的遮蔽性，并且，能够提高掩蔽层3所带来的磁记录图形形成特性。此外，通过使用反应性气体的干蚀刻容易除去这些物质，因此在图1的工序H中，能够减少掩模残留物，减少磁记录介质表面的污染。在上述掩蔽层形成工序B中使用的掩蔽层形成用物质之中，优选使用As、Ge、Sn、Ga，更优选使用Ni、Ti、V、Nb，最优选使用Mo、Ta、W。对上述工序C中形成的的抗蚀剂层4，如工序D所图示，按压印模5，转印磁记录图形的负型图形时，优选使转印后的抗蚀剂层4的凹部的厚度为lOnm以下。通过使抗蚀剂层4的凹部的厚度为该范围，在图1的工序E中显示的掩蔽层3的蚀刻工序中，消除掩蔽层3的边缘部分的塌边，提高掩蔽层3的对铣削离子6的遮蔽性，并且，能够提高掩蔽层3所带来的磁记录图形形成特性。优选作为用于在图1的工序C中形成的抗蚀剂层4的材料，使用通过放射线照射显示固化性的材料，并且，在使用印模5将磁记录图形转印到抗蚀剂层4上的工序D中，或者在图形转印工序D之后，对抗蚀剂层4照射放射线。通过使用这样的方法，能够高精确地将印模5的形状转印到抗蚀剂层4上，其结果，在通过蚀刻除去图1的工序E中显示的掩蔽层3的工序中，消除掩蔽层3的边缘部分的塌边，提高掩蔽层的对注入离子的遮蔽性，并且，能够提高掩蔽层所带来的磁记录图形形成特性。所谓用于抗蚀剂固化的放射线，是指热线(heatrays)、可见光线、紫外线、X射线、伽马射线等的广义概念的电磁波。另外，作为通过放射线照射显示固化性的材料，例如可举出针对热线的热固化树脂，针对紫外线的紫外线固化树脂。本申请发明的磁记录介质的制造方法中，尤其优选在使用印模5将图形转印到抗蚀剂层4上的工序D中，在抗蚀剂层4的流动性高的状态下，对抗蚀剂层4按压印模5，通过在其按压的状态下对抗蚀剂层照射放射线使抗蚀剂层4固化，然后使印模离开抗蚀剂层4。根据这样的方法，能够将印模5的形状精确度良好地转印到抗蚀剂层4上。作为在对抗蚀剂层4按压印模5的状态下对抗蚀剂层照射放射线的方法，可以采用从与印模的按压相反侧，即从基板侧照射放射线的方法；作为印模的材料选择能够透过放射线的物质，从印模按压侧照射放射线的方法；从印模5的侧面照射放射线的方法；使用如热线那样对固体传导性高的放射线，由来自印模材料或基板的热传导来照射放射线的方法。在上述方法中，作为放射线固化性抗蚀材料，优选使用酚醛清漆系树脂、丙烯酸酯类、脂环式环氧类树脂等的紫外线固化树脂，作为印模材料优选使用对紫外线透过性高的玻璃或树脂。通过采用如上所述的方法，能够使磁道间区域的矫顽力、残余磁化降低到极限，其结果，能够提供消除磁记录时的渗写且面记录密度高的磁记录介质。在上述的图形转印工序D中使用的印模，例如可以使用对金属板使用电子束描图等的方法形成微细的磁道图形而形成的印模。作为印模的材料，优选使用具有能够耐受工艺过程的硬度、良好的耐久性的材料例如M等，但只要是符合上述的目的的材料即可。作为形成于印模上的图形，除了通常的记录数据的磁道以外，还包含字符组图、格雷码图、前置码图这些伺服信号的图形。本申请发明，在成膜出的磁性层中，例如，将磁分离磁记录磁道和伺服信号图形部的区域暴露于反应性等离子体和/或反应性离子中，对该区域的磁性层的磁特性进行改性。S卩，如工序F所示，通过离子铣削等，除去磁分离磁性层的磁性层的表层的一部分。除去磁性层的表层的一部分后，将除去部分的表面暴露于反应性等离子体和/或反应性离子，通过使该磁性层部分的磁特性改性，与不进行这样的磁性层表层部分的除去和向反应性等离子体或反应性离子暴露的情况相比，磁记录图形的对比度变得更鲜明，并且磁记录介质的S/N提高。作为其原因认为是因为通过除去磁性层的表层部，可谋求其表面的清洁化和活化，与反应性等离子体和/或反应性离子的反应性提高，另外，可在磁性层的表层部导入空穴等的缺陷，反应性离子容易通过该缺陷侵入磁性层。由离子铣削等除去的磁性层表层部分的厚度d，优选为0.Inm15nm的范围，更优选为InmIOnm的范围内。采用离子铣削除去的厚度小于0.Inm的场合，上述的磁性层的除去效果不充分。反之，除去的厚度大于15nm时，磁记录介质的表面平滑性恶化，所制造的磁记录再生装置的磁头的浮动特性变差。本申请发明的所谓磁分离了的磁记录图形，如图2的工序G所示，是指从表面侧观察磁记录介质的场合，磁性层2被非磁性化的区域8分离的磁记录图形。即，如果从表面侧观看磁性层2而分离，则即使在磁性层2的底部不分离，也能够达到本申请发明的目的，这样的方式也包含在磁分离了的磁记录图形的概念中。本申请发明中，所谓用于形成磁记录图形的磁性层的改性，是指为了将磁性层图形化，而使磁性层的矫顽力、残余磁化等部分地变化，所谓其变化是指降低矫顽力、降低残余磁化。本申请发明中，尤其是作为磁特性的改性，使暴露于反应性等离子体和/或反应性离子的区域的磁性层的磁化量优选为非改性区域的75%以下，更优选为50%以下。另夕卜，优选使矫顽力为非改性区域的50%以下，更优选为20%以下。通过采用这样的方法制造分离磁道型磁记录介质，能够提供消除对该介质进行磁记录时的渗写且面记录密度高的磁记录介质。此外，本申请发明，也可以通过将已经成膜的磁性层暴露于反应性等离子体和/或反应性离子将磁性层非晶化，从而实现磁分离磁记录磁道和伺服信号图形部的区域。本申请发明中的磁性层的磁特性的改性，也包括通过磁性层的晶体结构的改变来实现。本申请发明中，所谓将磁性层非晶化，是指使磁性层的原子排列成为没有长距离秩序的不规则的原子排列的形态，更具体地讲，是指成为小于2nm的微晶粒无序地排列的状态。在采用分析方法确认该原子排列状态的场合，利用X射线衍射或电子束衍射，作为看不到表示晶面的峰并且只能看到光晕的状态确认。作为本申请发明中使用的反应性等离子体，可举出感偶等离子体(ICP；InductivelyCoupledPlasma)(RIE；ReactiveIonPlasma)另外，作为本申请发明中使用的反应性离子，可举出存在于上述的感偶等离子体、反应性离子等离子体内的反应性的离子。所谓感偶等离子体，是通过对气体施加高电压而等离子化，再由高频的变动磁场使该等离子体内部发生由涡电流引起的焦耳热从而得到的高温等离子体。感偶等离子体电子密度高，与以往使用离子束制造分离磁道介质的场合相比，能够在宽的面积的磁性膜上，以高效率实现磁特性的改性。所谓反应性等离子体，是在等离子体中加入了02、SF6、CHF3、CF4、CC14等的反应性气体的反应性高的等离子体。通过将这样的等离子体作为本申请发明的反应性等离子体使用，能够更高效率地实现磁性膜的磁特性的改性。本申请发明中，通过将成膜出的磁性层暴露在反应性等离子体来对磁性层进行改性，但该改性优选通过构成磁性层的磁性金属与反应性等离子体中的原子或离子的反应实现。所谓反应，例如包括反应性等离子体中的原子等侵入到磁性金属中、磁性金属的晶体结构发生变化、磁性金属的组成发生变化、磁性金属进行氧化、磁性金属进行氮化、磁性金属进行硅化等的作用。本申请发明中，特别优选作为反应性等离子体使用含有氧原子的等离子体，通过使构成磁性层的磁性金属与反应性等离子体中的氧原子反应，使磁性层氧化。通过部分地使磁性层氧化，能够高效率地降低氧化部分的残余磁化和矫顽力等，因此通过短时间的反应性等离子体处理，能够制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质。本申请发明中，优选使反应性等离子体中含有卤离子。卤离子优选是将选自CF4、SF6、CHF3、CCl4、KBr中的至少一种卤化气体导入到反应性等离子体中而形成的卤离子，作为卤离子特别优选是F离子。卤离子可以与氧离子一起包含在反应性等离子体中。另外，也可以不使用氧离子而使卤离子包含在反应性等离子体中。如前所述，通过使反应性等离子体中含有氧离子等，构成磁性层的磁性金属与氧离子等反应，能够使磁性层的磁特性改性。此时，通过使卤离子与氧离子一起包含在反应性等离子体中，能够进一步提高反应性。即使不使反应性等离子中含有氧离子的场合，卤离子与磁性合金反应，也能够使磁性层的磁特性改性。虽然其原因尚不清楚，但认为反应性等离子体中的卤离子将形成于磁性层的表面上的异物蚀刻，由此磁性层的表面清洁化，磁性层的反应性提高。并且认为清洁化了的磁性层表面与卤离子以高效率进行反应。作为具有这样的效果的卤离子，特别优选使用F离子。在本申请发明中，然后如工序H所示，除去抗蚀剂4和掩模3，如工序I所示，形成保护层9。也可以省去保护层的形成。此外可以在保护层上涂布润滑材料。进行工序H所示的反应性等离子体处理后的抗蚀剂4和掩膜3的除去，可以采用干蚀刻、反应性离子蚀刻、离子铣削、湿式蚀刻等的方法。作为保护膜，可以使用碳(C)、碳化氢(HXC)、氮化碳(CN)、非晶碳、碳化硅(SiC)等的碳质层和Si02、&203、TiN等通常所使用的保护膜材料。另外，保护膜可以由2层以上的层构成。保护膜9的形成，一般施行采用P-CVD等成膜出类似金刚石的碳的薄膜的方法，但没有特别的限定。保护膜9的厚度需小于lOnm。保护膜的膜厚超过lOnm时，磁头与磁性层的距离增大，不能得到充分的输出输入信号的强度。优选在保护膜上形成润滑层。作为润滑层所使用的润滑剂，可举出氟系润滑剂、烃系润滑剂和它们的混合物等。通常以14nm的厚度形成润滑层。将本发明的磁记录再生装置的构成示于图3。本发明的磁记录再生装置，具有上述的本发明的磁记录介质30、沿记录方向驱动磁记录介质30的介质驱动部11、包括记录部和再生部的磁头27、使磁头27相对于磁记录介质30进行相对运动的机构(磁头驱动部28)、和组合有用于进行向磁头27的信号输入和来自磁头27的输出信号再生的记录再生信号处理单元的记录再生信号系统29。通过将它们组合能够构成记录密度高的磁记录装置。通过将磁记录介质的记录磁道进行磁性不连续地加工，对过去为了排除磁道边缘部的磁化迁移区域的影响而使再生磁头宽度比记录磁头宽度窄地对应的部分，能够使两者大致成相同宽度地工作。由此能够得到充分的再生输出和高的SNR。此外，通过由GMR磁头或TMR磁头构成上述的磁头的再生部，即使是在高记录密度时也能够得到充分的信号强度，能够实现具有高记录密度的磁记录装置，另外当使该磁头的浮动量为0.005iim0.020ym即以比以往低的高度浮动时，可得到输出提高的SNR高的装置，能够提供大容量且高可靠性的磁记录装置。另外，将采用最大似然译码法的信号处理回路组合时能够进一步提高记录密度，例如，即使以磁道密度为100k道/英寸以上、线记录密度为1000k比特/英寸以上、每1平方英寸为100G比特以上的记录密度进行记录再生的场合也能够得到充分的SNR。实施例以下通过实施例具体地说明本发明。(实施例1)将安置有HD用玻璃基板的真空室预先进行真空排气到1.0X10_5Pa以下。在此使用的玻璃基板是将以Li2Si205、Al203-K20、Al203_K20、Mg0-P205、Sb203-Zn0为构成成分的结晶化玻璃作为材质，外径65mm、内径20mm、平均表面粗糙度Ra为2埃的基板。采用DC溅射法在该玻璃基板上依次地层叠作为软磁性层的FeCoB、作为中间层的Ru、作为磁性层的70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金的薄膜。各层的膜厚是FeCoB软磁性层为600A、Ru中间层为100A、磁性层为150人。在其上采用溅射法形成掩蔽层，掩蔽层使用Ta，膜厚为60nm。在其上采用旋涂法涂布抗蚀材料。抗蚀材料使用作为紫外线固化树脂的酚醛清漆类树脂(novolakresin)0抗蚀剂层的膜厚为lOOnm。在其上，使用具有磁记录图形的负型图的玻璃制的印模，以IMPa(约8.8kgf/cm2)的压力将印模按压在抗蚀剂层上。在该状态下，从紫外线的透射率为95%以上的玻璃制的印模的上部照射波长250nm的紫外线10秒钟，使抗蚀剂固化。然后，使印模从抗蚀剂层分离，转印出磁记录图形。转印到抗蚀剂层上的磁记录图形，抗蚀剂的凸部为幅宽120nm的圆周状，抗蚀剂层的凹部为幅宽60nm的圆周状，抗蚀剂层的厚度为80nm，抗蚀剂层的凹部的厚度为约5nm。另外，抗蚀剂层凹部相对于基板面的角度为大约90度。然后，在掩蔽层上，采用干蚀刻除去抗蚀剂层的凹部的部位和其下的Ta层，干蚀刻条件，关于抗蚀剂的蚀刻，02气为40SScm、压力为0.3Pa、高频等离子体电力为300W、DC偏压为30W、蚀刻时间为10秒，关于Ta层的蚀刻，CF4气为50sCCm、压力为0.6Pa,高频等离子体电力为500W，DC偏压为60W，蚀刻时间为30秒。然后，对磁性层中没有被掩蔽层覆盖的部位，采用离子铣削除去其表面。离子铣削使用Ar离子。离子的量为5X1016原子/cm2，加速电压为20keV，磁性层的铣削深度(被除去了的磁性层表层部分的厚度)为0.lnm。将该表面暴露在反应性等离子体中，对实施了离子铣削的部位的磁性层进行磁特性的改性。磁性层的反应性等离子体处理，使用了ak、y”公司的感偶等离子体装置NE550，作为用于等离子体发生的气体和条件，使用90cc/分的02，用于等离子体发生的投入电力为200W，装置内的压力为0.5Pa，对磁性层进行300秒钟的处理。然后，采用干蚀刻除去抗蚀剂、掩蔽层，采用CVD法在其表面成膜出5nm的碳保护膜，然后，涂布润滑材料，制造出磁记录介质。将制造条件示于表1。(实施例211)除了使磁性膜的离子铣削深度(被除去了的磁性层表层部分的厚度)如表1所示地变化以外，采用与实施例1同样的条件和方法制造了磁记录介质。将制造条件示于表1。(比较例1)与实施例1同样地制造了磁记录介质，但不进行磁性膜的离子铣削。将制造条件示于表1。(比较例2)与实施例1同样地制造磁记录介质。此时不进行磁性层的离子铣削和磁性层的采用反应性等离子体的改性处理。将制造条件示于表1。测定实施例111，比较例1、2中制造的磁记录介质的磁化量、矫顽力量、电磁转换特性(SNR和3T-SquaSh)、磁头浮动高度(滑动雪崩；glideavalanche)。磁化量和矫顽力量，采用相对于对试样(比较例2)测定的磁化量和矫顽力量的各百分率表示，所述试样没有采用离子铣削除去磁性层表层部分和没有进行采用反应性等离子体的改性处理。这些百分率，与进行了采用离子铣削的磁性层表层部分的除去和采用反应性离子体的改性处理的区域的磁力量和矫顽力量，相对于没有进行采用离子铣削的磁性层表层部分的除去和采用反应性等离子体的改性处理的区域的磁化量和矫顽力量的百分率相同。电磁转换特性的评价使用旋转台实施。此时评价用的磁头，记录时使用垂直记录磁头，读取时使用TuMR磁头，测定了记录750kFCI的信号时的SNR值和3T-SquaSh。将评价结果示于表1。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表l所示，采用本发明的方法制造的磁记录介质，SNR、3T—SquaSh这些Rw特性优异，并且磁头浮动特性也稳定。即，磁记录介质表面的平滑性高，磁性层的磁道间的非磁性部带来的分离特性优异。产业上的利用可能性根据本发明的制造方法，能够高生产率地制造具有优异的磁记录图形分离性能，不受相邻图形间的信号干扰的影响，高记录密度特性优异的磁记录介质。另外，由于表面的平滑性良好，因此能够提供实现了磁头的低浮动化的磁盘装置等的磁记录再生装置。本发明中表示数值范围的“以上”和“以下”均包括本数。权利要求一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)、(2)、(3)的顺序进行实施的3个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(2)中被除去的磁性层表层部分的厚度在0.Inm15nm的范围内。3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(2)中，通过离子铣削进行磁性层表层部分的除去。4.根据权利要求13的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(3)中，通过将该磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，使具有改性了的磁特性的磁性层区域的磁化量为具有未被改性的磁特性的磁性层区域的磁化量的75%以下。5.根据权利要求14的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(3)中，通过将该磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，使具有改性了的磁特性的磁性层区域的矫顽力为具有未被改性的磁特性的磁性层部分的矫顽力的50%以下。6.根据权利要求15的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，反应性等离子体或反应性离子是含有氧离子的等离子体或反应性离子。7.根据权利要求16的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，反应性等离子体或反应性离子是含有卤离子的等离子体或反应性离子。8.根据权利要求7所述的磁记录介质的制造方法，其中，卤离子是将选自CF4、SF6,CHF3、CCl4、KBr中的至少一种卤化气体导入到反应性等离子体中而形成的卤离子。9.根据权利要求7所述的磁记录介质的制造方法，其中，卤离子是氟离子。10.一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)(7)的顺序进行实施的7个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)在磁性层上形成掩蔽层的工序；(3)在掩蔽层上形成抗蚀剂层的工序；(4)在抗蚀剂层上形成磁分离磁性层的磁记录图形的工序；(5)除去在磁记录图形中磁分离磁性层的区域的掩蔽层部分的工序；(6)对通过除去掩蔽层部分而露出的区域的磁性层的表层部分进行除去的工序；(7)将通过除去磁性层的表层部分而露出的区域的磁性层暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。11.一种磁记录再生装置，其特征在于，组合地具有由权利要求110的任一项所述的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质、将该磁记录介质沿记录方向驱动的驱动部、包括记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录介质进行相对运动的机构和用于进行向磁头的信号输入和来自磁头的输出信号再生的记录再生信号处理单元而构成。全文摘要本发明提供一种制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的方法，该方法的特征在于，包括按以下的(1)～(3)的顺序进行实施的3个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，降低该磁性层区域的矫顽力和残余磁化，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。根据该方法能够高生产率地制造具有增大的记录密度并且消除了磁记录时溢写的磁记录介质。文档编号G11B5/65GK101809658SQ20088010931公开日2010年8月18日申请日期2008年7月24日优先权日2007年7月30日发明者坂脇彰,山根明,福岛正人申请人:昭和电工株式会社