专利名称：垂直磁记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种安装在各种磁记录装置中的垂直磁记录介质。更具体而言，本发明涉及一种安装在用作为计算机、AV设备等的外部存储装置的硬盘驱动器(HDD)中的垂直磁记录介质。
背景技术：
由于对于增加HDD记录密度的需求急速增长，磁记录方法正从已知的纵向磁记录方法转变成对于增加密度有优势的垂直磁记录方法。用于垂直磁记录的垂直磁记录介质 (下文中也简称为垂直介质)主要由硬磁性材料的磁记录层、使磁记录层的记录磁化朝垂直方向取向的衬层、保护磁记录层的表面的保护层、以及起到使由用于记录到记录层的磁头所发射的磁通集中的作用的软磁性材料的底层构成。作为磁记录层的详细结构，一般使用称为粒状结构的结构，其中强磁性晶粒被非磁性粒子边界组分包围并磁性分离。在下述描述中，强磁性晶粒可被简称为强磁性粒子。提出了 CoPtCr-SiA等以作为粒状结构的具体示例，其中强磁性粒子由Co、Pt、和Cr形成，且非磁性粒子边界组分为氧化物SW2 (例如，参考JP-A-2003-178412)。磁记录介质主要寻求的特性为记录密度的大小，其表示可写入多少信号，并且为了实现高记录密度，磁记录层的强磁性粒子的微型化或者强磁性粒子之间的磁相互作用的减小是有效的。然而，由于在促进强磁性粒子的微型化时会因所谓的热波动而发生热稳定性的劣化，因此需要增加强磁性粒子所保持的垂直磁各向异性能量Ku。有报告称，关于垂直介质，添加有氧化物的CoPtCr-SiO2相比于用于已知的纵向介质的材料CoPtCrB,在减小粒子间相互作用和高Ku这两个特性上更优异(例如，参考T. Oikawa等，IEEE Transaction on Magnetics (IEEE 磁学学报)(美国)，2002 年，第 38 卷，No. 5，1,976 至 1,978 页)。因此，可推测具有氧化物或氮化物作为非磁性粒子边界组分的硬磁性材料在增加垂直介质的记录密度方面更有优势。与此同时，关于HDD中在磁记录介质上进行记录的磁头所产生的磁场强度，已知所需磁场强度正比于Ku。因而，在Ku增大时，也必需增加磁头磁场的强度。然而，由于磁场强度存在限制，因此在增大Ku时会产生如下问题磁记录层的磁化都朝向一个期望方向的饱和记录变得困难。而且，在促进强磁性粒子大小的微型化时，作用到强磁性粒子的退磁场减小，这还会导致磁化反转磁场增大。即，存在如下权衡关系即，从增加记录密度角度出发的强磁性粒子的微型化和Ku的增大会导致磁记录介质的写入性能劣化。由于上述这种背景，因而需要一种在维持写入性能的同时提高信号质量和磁记录介质的稳定性的方法。针对这种问题，提出了如下方法通过使磁记录层成为具有两个或更多个磁性层的多层结构并在各磁性层间插入控制耦合力的层，减弱各磁性层间的交换耦合力，从而在几乎不使热稳定性劣化的同时减小反转磁场。这种介质被称为交换耦合控制介质。虽然在直接层叠两个磁性层时交换耦合力是无限的，但可通过在两个磁性层间插入交换耦合控制层来控制交换耦合力。在利用交换耦合控制层减弱交换耦合力时，在某一最优交换耦合力下反转磁场达到最小值。当交换耦合力进一步减弱时，获得的结果是，在交换耦合力接近零时反转磁场再次增大(例如，参考J.Magn. Soc. Jpn.，2007，第31卷，第178页)。这是由于虽然维持弱交换耦合，但两个磁性层的每个磁性层都进行不同的磁化反转(即，不相关的磁化反转)。作为其发展形式，提出了如下结构具有总共三个磁性层，其中交换耦合控制层上的磁性层被分成两层，且Ku从上部往下逐渐增大(例如，参考JP-A-2008487853)。在所提出的交换耦合控制介质中，具有低Ku的层设置在最靠近磁头的部分。作为发明人潜心研究的结果，其发现具有这种结构的交换耦合控制介质对于减小磁道间距不利。理想的是，磁头的记录磁场使得仅在下磁道(down track)方向上产生强磁场。然而， 实际上，还会在跨磁道方向上产生弱记录磁场。因此，记录磁场的跨磁道方向分量会影响已被写入信号的相邻磁道，并且写入的信号强度减小。如上所述，发现在认为其作为提供良好写入性能、信号质量、和稳定性的垂直介质有效的交换耦合控制介质中，对于减小磁道间距存在限制。
发明内容
鉴于上述问题，作为发明人潜心研究的结果，其发现通过对于磁记录层采用特定结构解决了上述问题，并完成了本发明。S卩，本发明如下在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中，磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选当第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为 Ku” Ku2、Ku3、禾口 Ku4 时，满足 Ku4 > Ku3 > Ku2 且 Ku1 > Ku3 > Ku2 的关系。此外，可采用对上述结构添加交换耦合层的结构。即，磁记录层的结构为依次层叠第一磁性层、第一交换耦合控制层、第二磁性层、第二交换耦合控制层、第三磁性层、和第四磁性层的结构；依次层叠第一磁性层、第一交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、第二交换耦合控制层、和第四磁性层的结构；或者依次层叠第一磁性层、第一交换耦合控制层、第二磁性层、第二交换耦合控制层、第三磁性层、第三交换耦合控制层、和第四磁性层的结构。通过如上所述那样构成磁记录层，可实现如下垂直磁记录介质在提供下磁道方向上的良好写入性能、低信号噪声性能、和热稳定性的同时，防止在跨磁道方向上对相邻磁道的不必要写入，从而可实现高磁道密度。
图1是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图。图2是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图。图3是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图。图4是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图。
具体实施例方式下面，参考附图对本发明的实施例进行描述。图1是用于示出本发明的垂直磁记录介质的结构示例的剖视示意图。垂直磁记录介质如下在非磁性基底1上依次层叠有软磁性底层2、籽层3、衬层4、磁记录层5、和保护层6，此外在保护层6上形成有液体润滑层7。如图1所示磁记录层5依次具有第一磁性层 51、交换耦合控制层56、第二磁性层52、第三磁性层53、和第四磁性层M。在更优选的结构中，作为磁记录层5的最外部且设置在最靠近磁头的位置的第四磁性层M的Ku增加，且其下方的层的Ku按第三磁性层53和第二磁性层52的顺序逐渐减小。此外，对于作为跨耦合层设置为最下层的第一磁性层51，Ku再次增加。通过以这种方式构成磁记录层5，可防止对于与实际进行记录的磁道相邻的任一侧磁道的无意写入。其效果如下。通过在磁记录层5的最外部设置具有高Ku的第四磁性层M，可增加对于因磁头在跨磁道方向上产生相对较弱磁场而引起的对相邻磁道的写入的抗性。此外， 由于磁头所产生的记录磁场随着远离磁头而减小，因此跨磁道方向上的相对较弱磁场不会影响磁记录层5下面的层，即第三磁性层53、第二磁性层52等。由于上述优点，可防止整个磁记录层的磁化反转。与此同时，磁头在下磁道方向上产生强记录磁场，并且记录磁场直到磁记录层5 的相对较深位置都具有影响。记录磁场首先促动具有最低Ku的第二磁性层52的磁化反转， 第二磁性层52的磁化反转引起第三磁性层53和第四磁性层M的磁化反转。此外，通过伴随着第二磁性层52、第三磁性层53、和第四磁性层M的磁化反转而带动第一磁性层51反转，整个磁记录层的磁化反转。由于上述优点，可在下磁道方向上确保充分的记录性能。这样，可实现具有良好写入性能、高信号质量、和高热稳定性且实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在本发明的垂直磁记录介质中，可使用用于一般磁记录介质的涂敷有NiP镀层的 Al合金、化学强化玻璃、结晶化玻璃等，作为非磁性基底1的材料(也可称为非磁性基板)。 在将基底的加热温度维持在10°C以内时，还可使用由诸如聚碳酸酯或聚烯烃的树脂形成的塑料基底。除此以外，还可使用Si基底。软磁性底层2是为了通过控制来自用于磁记录的磁头的磁通来提高记录和再现特性而优选形成的层。也可省略软磁性底层2。作为软磁性底层2，可使用结晶体Mi^e合金、山达斯特(FeSiAl)合金、CoFe合金等；微晶i^hC、CoFeNi, CoNiP等、或者包括作为非磁性组分的总共8%或更多的Ta、Zr、Nb、B等的非晶体(等。为了提高记录性能， 优选软磁性底层2的饱和磁化较大。而且，虽然软磁性底层2的厚度的最优值根据用于磁记录的磁头的结构和特性而改变，但在通过与其他层连续沉积而形成软磁性底层2等情况下，在兼顾生产性方面，期望厚度为IOnm或更大、500nm或更小。籽层3是为了提高衬层4的取向性或者为了使粒子尺寸微型化而优选紧邻衬层下方形成的层，但也可省略籽层3。可对籽层3使用非磁性材料或软磁性材料。从记录能力的观点出发，期望磁头和软磁性层之间的距离较小。因而，更优选使用软磁性材料，使得籽层 3以与软磁性底层相同的方式起作用，并且在使用非磁性材料时，期望其尽可能地薄。作为呈现出软磁性特性的籽层3的材料，可使用诸如NiFe、Nii^eNb、NiFeSi、Nii^eB、或Nii^eCr的 Ni类合金。而且，可使用纯Co ；诸如CoB、CoSi, CoNi、或Coi^e的Co类合金；或者CoNii^e、 CoNii^eSi等。优选将hep或fee结构作为结晶结构。在包含！^时，当包含的！^量较大时， 结构容易变成bcc结构，其意味着优选包含的！^量为20%或更小。除了诸如MP的M类合金或者诸如CoCr的Co类合金以外，也可使用Pt、Ta、Ti等作为呈现出非磁性的籽层3的材料。衬层4是为了最佳地控制磁记录层5的结晶取向、晶粒尺寸、粒子尺寸分布、和粒子边界偏析而优选紧邻磁记录层5下方形成的层。可适当地根据磁记录层5来改变结晶结构。在对于磁记录层5采用hep或fee结构时，优选对于衬层4也采用hep或fee结晶结构。优选使用Ru、Mu Os、Ir、Pt等作为衬层4的材料。而且，优选使用具有Ru、他、Os、Ir、 或Pt作为主要组分的合金。而且，为了阻断磁记录层5和软磁性底层2之间的磁相互作用， 优选衬层4为非磁性。在对于籽层3使用软磁性材料时，需要将籽层3也包括在内地来考虑磁相互作用。从减小磁头和软磁性底层2之间的磁空间的角度出发，衬层4的厚度越小越好，优选使用3 30nm的厚度。磁记录层5具有至少依次层叠有第一磁性层51、交换耦合控制层56、第二磁性层 52、第三磁性层53、和第四磁性层讨的结构。在将各磁性层的Ku值设为第一磁性层51为 Ku1,第二磁性层52为Ku2,第三磁性层53为Ku3，第四磁性层M为Ku4时，优选满足Ku4 > Ku3 > Ku2 且 Ku1 > Ku3 > Ku2 的关系。第一磁性层51是主要作用为负责整个磁记录层5的热稳定性的层。优选使用 lX106erg/cm3或更大以作为Ku值。作为呈现出这种性能且其易磁化轴垂直于基底表面的材料，优选使用粒状结构，其为强磁性粒子被氧化物的非磁性粒子边界组分分离的结构。 例如，优选使用诸如CoPtCr-SW2或CoPt-SW2的对至少包括CoPt的强磁性材料添加有氧化物的材料。作为添加的氧化物的示例，除了上述的SiO2以外，还包括Cr氧化物(例如， Cr2O3)、Ti氧化物(例如，TiO2)、Ta氧化物(例如，Ta2O5)、Cu氧化物(例如，CuO)、Co氧化物(例如，CoO)等。可仅添加这些氧化物中的一种，但也可添加多种。可适当地进行选择， 以获得最优的强磁性粒子分离结构和结晶取向。作为结晶结构，可采用基于六方密堆积结晶结构(hep结构)的结晶结构。由于与磁空间之间的关系，优选在可确保所需Ku的范围内厚度尽可能地小，可使其成为20nm或更小，或者更优选为5 lOnm。对于第一磁性层51 不仅可采用单层，而且也可采用多层层叠结构，且在采用多层结构时，优选总厚度在上述范围内。对交换耦合控制层56使用非磁性或弱磁性材料。作为非磁性材料，可使用具有例如Ru或Pt作为主要组分的合金。作为弱磁性材料，可使用对作为磁性元素的至少Co、 Fe、或Ni添加诸如Cr、Ta、Ru、Mo、或W的非磁性元素来控制磁化量的合金。作为示例包括 CoCr, CoCrTa, CoRuCr, CoCrff, Coff, CoNiCr, CoNiFeCr 等。这里，优选 100emu/cc 或更小作为磁化的饱和量，且优选选择磁性元素和非磁性元素之间的比率以获得这种数值。对于作为弱磁性材料的示例而给出的材料，即使在非磁性元素的量被设定得较高，且饱和磁化达到零时，也可以与上述非磁性材料相同方式的处理，将材料用作为交换耦合控制层。例如， 对于CoCr，特性在Co42Cr的情况下为非磁性，且在Co33Cr的情况下为弱磁性，但可应用任意一种。可对交换耦合控制层56添加氧化物以作为粒子边界组分。例如，将SiO2作为氧化物的示例，材料为Ru-Si02、Pt-SiO2, CoCr-SiO2等，其中上述的非磁性或弱磁性合金为结晶组分，氧化物为粒子边界组分。通过添加氧化物，可促进从下方的第一磁性层51开始的连续粒子生长。上下的第一磁性层51和第二磁性层52之间的交换耦合力的强度可通过改变交换耦合控制层56的厚度和磁化量来进行控制。在图1中，示出了仅存在一个交换耦合控制层的情况，但可应用多个交换耦合控制层。图2是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图，其中与图1不同的一点是在第二磁性层52和第三磁性层53之间进一步设置交换耦合控制层57。图3是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图，其中与图1不同的一点是在第三磁性层53和第四磁性层M 之间进一步设置交换耦合控制层58。图4是根据本发明的垂直磁记录介质的剖视示意图， 其中与图1不同的一点是在第二磁性层52和第三磁性层53之间进一步设置交换耦合控制层57，并在第三磁性层53和第四磁性层M之间进一步设置交换耦合控制层58。由于第二磁性层52原则上起到减小磁化反转磁场的作用，因此其具有在构成磁记录层5的磁性层中最小的Ku。作为所使用的材料，可使用与第一磁性层51相同种类的材料，例如，可使用CoPtCr-SiO2等。为了将Ku控制在适当范围内，适当地选择组分。例如， 可使用添加有相对较大量的Cr的材料。而且，由于第二磁化层52是需要Ku为相对较小值的层，因此可使用包含少量Pt的材料，也可使用完全不包含Pt的CoCr-SW2等。第三磁性层53具有处于第二磁性层52和第四磁性层M的Ku之间的Ku，并起到将第二磁性层52中开始的磁化反转平滑地传递给第四磁性层M的作用。作为使用的材料， 可使用与第一磁性层51相同种类的材料，例如可使用CoPtCr-SiA等。通过使用第二磁性层52和第四磁性层M的量之间的Cr或Pt的添加量，可适当地控制Ku。而且，也可使用未添加诸如S^2的氧化物的材料。第四磁性层M以与第一磁性层51相同的方式具有高Ku。其起到如下作用确保记录层表面上的对于跨磁道方向磁场的抗性。作为使用的材料，可使用与第一磁性层51相同种类的材料，例如，可使用CoPtCr-Sih等。也可使用未添加诸如S^2的氧化物的材料。给出了基于CoPtCr的材料用于磁性层51、52、53、和M的示例，但为了控制粒子尺寸并提高结晶取向度，可使用添加有诸如B、Ta、W、Mo、Ru、或Ge的添加元素的材料。保护层6可使用以往使用的保护层材料来形成，例如，可使用基于碳的保护层材料来形成。除了单层，保护层6还可为例如具有不同特性的两个碳层、金属膜和碳膜、或者氧化膜和碳的层叠结构。液体润滑层7也可使用以往使用的润滑材料来形成，例如，可使用全氟聚醚类润滑材料来形成。下面，对本发明的垂直磁记录介质的实施例进行描述。这些实施例不过是用于最佳地描述本发明的磁记录介质的代表例，但并不局限于此。实施例1使用具有平滑表面的盘片状玻璃基底作为非磁性基底1，在进行清洗之后被送入溅射装置内在其中沉积各层。首先，将软磁性底层2形成为三层层叠结构。首先，使用 Co54Fe9Ta6Zr靶并在3毫托的Ar气压下将Co!^eTa&层形成为15nm。这里，组分名称的较大数字表示紧接其后的元素的含有量。例如，在的情况下，数字表示包含M 原子重量％的狗、9原子重量％的Ta、6原子重量％的& ，其余为Co。以下相同。接着，使用 Ru靶在3毫托的Ar气压下将Ru层形成为1. 2nm,并且接着，通过使用靶在3 毫托的Ar气压下将Coi^eTa^·层形成为15nm，形成软磁性底层2的Co!^eTa&/Ru/CoFeTaZr。 接着，使用Ni20Cr2Si靶在10毫托的Ar气压下将NiCrSi籽层3沉积为5nm的厚度。进一步地，使用Ru靶在50毫托的Ar气压下将Ru衬层4沉积为20nm的厚度。接着，使用93摩尔％ Co22Pt3Cr-7摩尔％ SiO2的靶，在50毫托的Ar气压下，将CoPtCr-SiO2第一磁性层51形成为5nm的厚度。接下来，使用Ru靶，在10毫托的Ar气压下将Ru交换耦合控制层56形成为0. IOnm的厚度。接下来，使用95摩尔％ Co22CrlOPt-5摩尔0A SiO2的靶将CoCrPt-SiA第二磁性层52形成为6nm的厚度。接下来，使用Col9Crl6Pt 靶将CoCrPt第三磁性层53形成为2nm的厚度。接下来，使用Co20Ptl0Cr靶将CoPtCr第四磁性层M形成为1. 5nm的厚度。至此的层沉积中，靶材中包含SW2的沉积使用脉冲DC 磁控管溅射法来进行，而其他所有的沉积都使用DC磁控管溅射法来进行。接下来，在使用 CVD法将由碳形成的保护层6沉积为2. 5nm之后，将制品从真空装置中取出。之后，使用浸渍法，将由全氟聚醚形成的液体润滑层7形成为lnm，从而形成磁记录介质。比较例1除了以如下方式改变磁记录层5沉积步骤以外，其他都以与实施例1相同的方式来制造垂直磁记录介质。紧接着衬层4的沉积之后，使用93摩尔％ Co22Pt3Cr-7摩尔％ SiO2的靶，在50毫托的Ar气压下，将CoPtCr-SiA第一磁性层51形成为5nm的厚度。接下来，使用Ru靶，在 10毫托的Ar气压下将Ru交换耦合控制层56形成为0. IOnm的厚度。接下来，使用95摩尔％ Co22CrlOPt-5摩尔％ SiO2的靶将CoCrPt-SiA第二磁性层52形成为7. 2nm的厚度。 接下来，使用Co20Ptl0Cr靶，将CoCrPt第三磁性层53形成为2. 3nm的厚度，由此形成磁记录层5。S卩，比较例1中的磁记录层5为存在三个磁性层、而不包括交换耦合控制层的结构。比较例2除了以如下方式改变磁记录层5沉积步骤以外，其他都以与实施例1相同的方式来制造垂直磁记录介质。紧接着衬层4的沉积之后，使用93摩尔％ Co22Pt3Cr-7摩尔％ SiO2的靶，在50毫托的Ar气压下，将CoPtCr-SiA第一磁性层51形成为5nm的厚度。接下来，使用Ru靶，在 10毫托的Ar气压下将Ru交换耦合控制层56形成为0. IOnm的厚度。接下来，使用95摩尔％ Co22CrlOPt-5摩尔％ SiO2的靶将CoCrPt-SiA第二磁性层52形成为5. 7nm的厚度。 接下来，使用Col9Crl6Pt靶，将CoCrPt第三磁性层53形成为3. 8nm的厚度，由此形成磁记录层5。S卩，比较例2中的磁记录层5为存在三个磁性层、而不包括交换耦合控制层的结构。比较例3除了以如下方式改变磁记录层5沉积步骤以外，其他都以与实施例1相同的方式来制造垂直磁记录介质。紧接着衬层4的沉积之后，使用93摩尔％ Co22Pt3Cr-7摩尔％ SiO2的靶，在50毫托的Ar气压下，将CoPtCr-SiA第一磁性层51形成为5nm的厚度。接下来，使用Ru靶，在 10毫托的Ar气压下将Ru交换耦合控制层56形成为0. IOnm的厚度。接下来，使用95摩尔％ Col7Crl6Pt-5摩尔％ SiO2的靶将CoCrPt-SiA第二磁性层52形成为4. 9nm的厚度。 接下来，使用Co22Cr5Pt靶，将CoCrPt第三磁性层53形成为4. 6nm的厚度，由此形成磁记录层5。
S卩，比较例3中的磁记录层5为存在三个磁性层、而不包括交换耦合控制层的结构。比较例4除了不沉积Ru交换耦合控制层56以外，其他都以与实施例1相同的方式来制造垂直磁记录介质。下面，对该实施例的垂直介质的性能评估结果进行描述。首先，作为初步研究，利用扭矩仪对用于实施例和各比较例的每个磁性层测量单个IOnm膜中的磁各向异性。其结果为，93摩尔％ Co22Pt3Cr-7摩尔％ SiO2具有 8. 2X106erg/cc 的 Ku,95 摩尔 ％ Co22CrlOPt-5 摩尔 ％ SiO2 具有 2. 0X 106erg/cc 的 Ku, Col9Crl6Pt 具有 4. 2X 106erg/cc 的 Ku，Co20Ptl0Cr 具有 8. 0X 106erg/cc 的 Ku，93 摩尔 ％ Col7Crl6Pt-5 摩尔 ％ SiO2 具有 4. 2 X 106erg/cc 的 Ku，且 Co22Cr5Pt 具有 2. 0 X 106erg/cc 的Ku。接下来，为了明确本发明的实用性能，进行实施例1和比较例1 4的电磁转换特性的测量。利用旋转支架测试仪来进行电磁转换特性评估。所使用磁头的记录磁道宽度为 IOOnm,且再现磁道宽度为80nm。表1示出各磁性层的Ku和电磁转换特性评估结果的总结。示出信噪比(SNR)、重写(OW)特性、和倾斜磁场抗性作为电磁转换特性项目。SNR是在600kFCI的线性记录密度下的测量值，且是信号质量即记录密度的指标。OW是在500kFCI线性记录密度信号上重写 70kFCI信号时的值，且是对介质的写入容易度的指标。倾斜磁场抗性的评估进行如下。使用进行倾斜磁场抗性的评估的评估磁道来进行记录和再现，其再现信号输出被设为Si。接下来，在对评估磁道的任一侧上相邻的每个磁道进行50次写入之后，再次进行评估磁道的再现，且此时的信号输出被设定为S2。根据由该评估得到的结果，倾斜磁场抗性被定义为 S2/S1。该值越高，磁头对倾斜磁场的抗性越高，越是能减小磁道间距。即，其意味着磁道密度增加。表1 电磁转换特性评估结果
权利要求
1.一种垂直磁存储介质，包括 在非磁性基底上的磁记录层，其中所述磁记录层依次包括第一磁性层、第一交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、 和第四磁性层。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为 Ku” Ku2、Ku3、禾口 Ku4 时，满足 Ku4 > Ku3 > Ku2 且 Ku1 > Ku3 > Ku2 的关系。
3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，在所述第二磁性层和第三磁性层之间设置有第二交换耦合控制层。
4.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，在所述第三磁性层和第四磁性层之间设置有第二交换耦合控制层。
5.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，在所述第二磁性层和第三磁性层之间设置有第二交换耦合控制层，且在所述第三磁性层和第四磁性层之间设置有第三交换耦合控制层。
全文摘要
本发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中，磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为，当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时，满足Ku4＞Ku3＞Ku2且Ku1＞Ku3＞Ku2的关系。
文档编号G11B5/64GK102347032SQ20111022921
公开日2012年2月8日 申请日期2011年8月1日 优先权日2010年8月2日
发明者渡边贞幸 申请人:富士电机株式会社