技术总结
本发明公开了一种快闪存储器的读电路，包括：敏感放大器，包括第一、第二输入端，及输出端；切换单元；多个参考单元，各参考单元为浮栅型MOS存储器件；控制单元，用于指示所述切换单元从所述多个参考单元中选中一个参考单元；当该选中的参考单元的工作状态满足预定条件时，指示所述切换单元选中其它的参考单元；所述切换单元用于将所选中的参考单元的漏极连接到所述敏感放大器的第一输入端上。本发明能够增加快闪存储器多次读写后的可靠性。
技术研发人员：王林凯;胡洪
受保护的技术使用者：北京兆易创新科技股份有限公司
文档号码：201210157501
技术研发日：2012.05.18
技术公布日：2016.12.21