磁记录介质和磁存储装置制造方法

磁记录介质和磁存储装置制造方法
【专利摘要】一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
【专利说明】磁记录介质和磁存储装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种磁记录介质和磁存储装置。

【背景技术】
[0002] 近年，硬盘驱动器H D D的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段， 提出了一种采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助磁记 录方式。
[0003] 采用热辅助磁记录方式，藉由对磁记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以， 可在磁记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数K u较高的材料。为此，可在对热稳定性进 行维持的同时进行磁粒粒径的微细化，并可实现1 T b i t / i n c h 2级别的面密度。作 为高Ku磁性材料，提出了 L 1。型F e P t合金、L 1。型C ο P t合金、L 11型0 ο P t 合金等的有序合金等。
[0004] 另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离（isolate)，添 加了作为粒界相材料（grain boundary phase material)的S i 0 2、T i 0 2等的氧化物 或C、B N等。藉由具有在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性粒子间的交 换结合，并可实现较高的介质S N比。
[0005] 非专利文献1中记载了，通过在F e P t添加38%的S i 0 2，可将磁粒粒径降低 至5 nm。再有，在该文献还记载了，通过将S i 02的添加量再增加至50%，可将粒径降 低至2. 9 n m。
[0006] 另外，为了获得具有较高垂直磁气异方性的热辅助磁记录介质，优选为，使磁性层 中的L 1。型有序合金中具有良好的（001)密排方向（orientation)。由于磁性层的密排方 向可由底层进行控制，所以，需要使用适当的底层。
[0007] 关于底层，例如，专利文献1中示出了，通过使用M g 0底层，L ^型？ e P t磁 性层可具有良好的（001)密排方向。
[0008] 另外，专利文献2中记载了，通过在C r - T i - B合金等的具有B C C结构的结 晶粒径控制层之上形成作为"结晶密排方向性控制兼低热传导中间层"的M g 0层，L ^型 F e P t磁性层可具有更好的（001)密排方向。
[0009] 专利文献3的实施例2. 3中记载了，作为底层可使用W -5 a t % Μ 〇 / C r的例 子。
[0010] 另外，作为次世代的记录方式而被注目的其它技术，还具有微波辅助磁记录方式。 微波辅助磁记录方式是一种通过向磁记录介质的磁性层照射微波，使磁化方向从磁化容易 轴倾斜，并使磁性层的磁化局部反转(翻转)，以对磁性信息进行记录的方式。
[0011] 在微波辅助磁记录方式中也与热辅助磁记录方式同样地，作为磁性层的材料，可 使用由具有L ^型结晶结构的合金所组成的高Ku材料。为此，可在对热稳定性进行维持 的同时进行磁粒粒径的微细化。
[0012] 同时，在使用上述热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质的磁存 储装置中，为了实现较高的介质SN比，还需要在磁记录介质中进行磁性结晶粒的微细化 的同时，也要充分地降低磁性结晶粒间的交换结合。作为实现该目的的方法，如上所述，可 向磁性层中添加 S i 02或C等的粒界相材料。
[0013] [现有技术文献]
[0014] [专利文献]
[0015] [专利文献1]特开平11-353648号公报
[0016] [专利文献2]特开2009-158054号公报
[0017] [专利文献3]特开2012-48792号公报
[0018] [非专利文献]
[0019] [非专利文献 l]J.Appl. Phys. 104,023904 (2008)


【发明内容】

[0020][发明要解决的课题]
[0021] 然而，在使用为磁存储装置的情况下，如果为了获得足够高的介质S N比而添加 了多量的粒界相材料，则存在着，磁性层中所含的具有L L结构的合金的结晶粒（以下，也 称「磁性层结晶粒」）、例如、F e P t合金结晶粒的有序度恶化，K u降低的问题。
[0022] 本发明是鉴于上述现有技术所存在的问题而提出的，其目的在于提供一种磁记录 介质，可在不使磁性层中所含的具有L L结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在 使用为磁存储装置的情况下的介质S N比。
[0023][用于解决课题的手段]
[0024] 根据本发明的一方面，提供一种磁记录介质，包含：
[0025] 基板；
[0026] 在所述基板上形成的多个底层；及
[0027] 在所述多个底层上形成的磁性层，
[0028] 其中，
[0029] 所述磁性层的主成分是具有L L结构的合金；
[0030] 所述多个底层中的至少1层是含有w的结晶质底层；
[0031] 所述W是所述结晶质底层的主成分；
[0032] 所述结晶质底层还包含从B、S i、及C中所选择的1种以上的元素，该元素的含 有量为lmo 1 %以上、20 mo 1 %以下；及
[0033] 在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有N a C 1 结构的材料。
[0034] 根据本发明的另一方面，还提供一种磁记录介质，包含：
[0035] 基板；
[0036] 在所述基板上形成的多个底层；及
[0037] 在所述多个底层上形成的磁性层，
[0038] 其中，
[0039] 所述磁性层的主成分是具有L L结构的合金；
[0040] 所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层；
[0041] 所述W是所述结晶质底层的主成分；
[0042] 所述结晶质底层还包含1 v 0 1 %以上、50 v 0 1 %以下的氧化物；及
[0043] 在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有N a C 1 结构的材料。
[0044][发明的效果]
[0045] 根据本发明，能够提供一种磁记录介质，可在不使磁性层中所含的具有L ^结构 的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质S N比。
[0046] 附图概述
[0047] [图1]本发明的一个实施例的磁记录装置的图。
[0048] [图2]本发明的一个实施例的磁头的结构图。
[0049] [图3]实验例1所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
[0050] [图4]实验例2所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
[0051] [图5]实验例5所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
[0052] [符号说明]
[0053] 100、212磁记录介质
[0054] 101磁记录介质驱动部
[0055] 102 磁头
[0056] 103磁头驱动部
[0057] 104记录和再生信号处理系统
[0058] 301、401、501 基板（玻璃基板）
[0059] 304、404、506 底层
[0060] 305、405、507 阻挡层
[0061] 306、406、508 磁性层
[0062] 本发明的实施方式
[0063] 本申请主张基于2013年4月12日申请的日本国专利申请第2013-084285号（以 下简称"第1基础申请")和2013年6月13日申请的日本国专利申请第2013-124791号（以 下简称"第2基础申请"）的优先权，并将这两个申请的全部内容引用于此。
[0064] 以下，对本发明的实施方式进行说明。然而，本发明并不限定于下述的实施方式， 只要不脱离本发明的范围，可对下述实施方式进行各种各样的变形或置换。
[0065] 这里需要说明的是，下述的第1、第2实施方式与上述第1基础申请相对应，下述的 第3、第4实施方式与上述第2基础申请相对应。[第1实施方式]
[0066] 在本实施方式中，对本发明的磁记录介质的结构例进行说明。
[0067] 本实施方式的磁记录介质具有：基板；该基板上所形成的多个底层；及以具有L 込结构的合金为主成分的磁性层。另外，多个底层中的至少1层为含有W的底层。
[0068] 另外，含有W的底层包含W，并且包含从B、S i、C、B 2 〇 3、S i 0 2、C r 2 〇 3、 A1 2〇3、T a2〇5、Nb2〇5、Z r〇2、Y2〇3、Ce〇2、Mn〇、T i 〇2、T i 〇、Z n〇、BN、WN、C r 2N、C rN、T i N、T aN、Nb N、VN中所选择的1种以上的物 质。
[0069] 另外，在含有W的底层与所述磁性层之间，还形成有具有N a C 1型结构的阻挡 层。
[0070] 首先，如上所述，本实施方式的磁记录介质具有基板、基板上所形成的多个底层、 及磁性层。
[0071] 这里，对基板并无特别的限定，可以使用能作为磁记录介质的各种各样的基板。
[0072] 另外，该基板上形成了多个底层，多个底层中的至少1层为含有W (钨）的底层。
[0073] 含有W的底层包含从上述的B、S i、C、S i 0 2等的氧化物、及B N等的氮化物 中所选择的1种以上的物质。
[0074] 含有L L结构的F e P t合金等的结晶粒的磁性层形成在底层上，然而，在底层 的结晶粒径较大的情况下，可为在1个结晶粒上成长具有多个L L结构的合金结晶粒。为 此，现有技术中存在着，磁性层中所含的具有L L结构的合金的各结晶粒的粒径不均，粒径 分布（即，粒径不均）较大的问题。对此，在本实施方式的磁记录介质中，通过设置含有W的 底层，可对底层的粒径进行微细化。通过对底层的粒径进行微细化，可促进在1个底层结 晶粒上成长1个磁性层结晶粒的"Ο n e t ο ο n e成长"。据此，可达到使磁性层中所含 的具有L L结构的合金的结晶粒的粒径均匀化的目的。即，可降低磁性层中所含的具有L 1〇结构的合金结晶粒的粒径分布（即，使粒径均匀化)。另外，同时，在使用为磁存储装置的 情况下，还可提高介质S N比。在本实施方式的磁记录介质中，通过设置上述底层，不仅可 降低保磁力的分布(不均)，还可促进磁性层结晶粒间的分离，进而降低交换结合。另外，也 可降低翻转磁场分布（S FD:Swi tchingFieldDi stribut io n )。
[0075] 在含有W的底层包含从Β、S i、C中所选择的1种以上的物质的情况下，含有量 (添加量）优选为1 m ο 1 %以上、25 m ο 1 %以下。其原因在于，如果超过25 m ο 1 %， 则存在着向底层的（100)面的密排方向性降低的情况，不是较好。另外，如果从B、S i、C 中所选择的1种以上的物质的含有量小于1m ο 1 %，则存在着不能充分发挥添加效果的 情况，所以，含有量优选在上述范围内。
[0076] 在含有W的底层包含从Β 2 0 3、S i 0 2、C r 2 Ο 3、Α 1 2 0 3、T a 2 0 5、N b 2 05、Z r02、Y20 3、Ce02、Mn0、T i 02、T i 0、ZnO、BN、WN、C r2N、C rN、T i N、T &1^、1^&1^、￥1^中所选择的1种以上的物质的情况下，含有量优选为1 mo 1 %以上、40 mo 1 %以下。
[0077] 其原因在于，如果上述氧化物或氮化物的含有量超过40 m o 1 %，则存在着向底 层的（100 )面的密排方向性降低的情况，并非较好。另外，在上述氧化物或氮化物的含有量 小于1 mo 1 %的情况下，存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选为在上 述范围内。
[0078] 这里，作为含有W的底层中的W的含有量，对其并无特别的限定，然而，优选为以 W为主成分的方式进行添加，具体而言，在除了 B、S i、C元素、上述氧化物、或氮化物之 外的W化合物中，将含有量最多的元素设为W。特别地，在除了 B、S i、C元素、上述氧化 物、或氮化物的W化合物中，W的含有量优选为30 a t %以上,最好为90 a t %以上。这里 需要说明的是，并不需要以单体的形态来包含W，可为以添加了其它元素的形态来包含W， 或者如前所述，以化合物的形态来包含W。
[0079] 另外，为了使磁记录介质的性能稳定，多个底层间的晶格错配优选为10%以下。为 了对晶格错配进行调整，含有w的底层还可包含从C r、T i、T a、Nb、V中所选择的1 种以上的元素。在包含从C r、T i、T a、Nb、V中所选择的1种以上的元素的情况下， 对含有量并无特别限定，可采用能对上述晶格错配进行控制的方式来对其添加量进行选 择。
[0080] 为了使上述含有W的底层的密排方向更确实地为（100)密排方向，含有W的底层 的下面优选为形成密排方向控制底层。作为密排方向控制底层的材料，对其并无特别的限 定，例如，可使用从c r (C r金属)、以C r为主成分的B C C结构的合金、及具有B 2结构 的合金中所选择的1种以上的金属。另外，在此情况下，含有W的底层优选为，形成在由从 C r、以C r为主成分的B C C结构的合金、及具有B 2结构的合金中所选择的1种以上的 金属所组成的密排方向控制底层之上。
[0081] 作为以C r为主成分的B C C结构的合金，可列举出C rMn、C rMo、C r W、CrV、CrTi、CrRu等。另外，作为密排方向控制层，如果在C r或以C r为主 成分的B C C结构的合金中再添加 B、S i、C等，则可以改善底层的结晶粒子的大小、分 布度等。但是，在进行添加的情况下，最好不要使密排方向控制层本身的（1〇〇)密排方向性 恶化。
[0082] 另外，作为具有B 2结构的合金，例如，可列举出R u A 1、N i A 1等。
[0083] 接下来对磁性层进行说明。
[0084] 作为磁性层的材料，对其并无特别限定，然而，因为具有较高的磁晶异方性常数K u，可优选使用以具有L L结构的合金为主成分的材料。作为这样的具有L ^结构的合 金，例如，可列举出F e P t合金、C ο P t合金等。
[0085] 如上所述，在形成磁性层时，为了促进磁性层的有序化，优选为进行加热处理，然 而，为了降低此时的加热温度(有序化温度)，可在具有L L结构的合金中添加 A g、A u、 C u、N i等。通过添加这些成分，可将磁性层形成时的加热温度(基板温度)降低至400? 500 °C左右。
[0086] 另外，在磁性层中，具有L L结构的合金的结晶粒优选为磁气隔离。为此，磁性层 优选为包含从 S i02、Ti02、Cr2〇3、Al 2〇3、Ta2〇5、Zr02、Y2〇 3、Ce 02、Mn0、T i 0、Zn0、B20 3、C、B、BN中所选择的1种以上的物质。据此，可对 结晶粒间的交换结合进行更确实地切断，并可提高介质S N比。
[0087] 另外，为了促进具有L L结构的磁性层的有序化，在制造本实施方式的磁记录介 质时，在形成磁性层时，优选为进行600°C左右的加热。此时，为了对底层与磁性层之间的 界面扩散进行抑制，在含有W的底层与磁性层之间优选为形成具有N a C 1型结构的阻挡 层。
[0088] 此时，对具有N a C 1型结构的阻挡层的材料并无特别限定，然而，优选为，包含 从MgO、T i 0、Ni 0、T iN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、Nb C中所选择的1种以上的化合物。
[0089] 以上对本实施方式的磁记录介质的结构例进行了说明，然而，就本实施方式的磁 记录介质而言，还可以设置任意的各种各样的部件，例如，可为具有以下的部件的结构。
[0090] 例如，在磁性层上最好形成D L C保护膜。
[0091] 对D L C保护膜的制造方法并无特别的限定。例如，可采用：对由碳化氢所组成的 原料气体由高频等离子体进行分解以形成膜的RF - CVD法、由灯丝所放出的电子对原 料气体进行离子化以形成膜的I B D法、不使用原料气体而使用固体C Target以形成膜 的F C VA法等。
[0092] 对D L C保护膜的膜厚并无特别的限定，例如，优选为1 n m以上、6 n m以下。其 原因在于，如果低于1 n m，则存在着磁头的浮上特性恶化的情况，并非较好。另外，如果高 于6 nm，则磁隙（magnetic spacing)变大，存在着介质SN比下降的情况，也并非较好。
[0093] 在D L C保护膜上，还可涂敷由全氟聚醚（PFPE)系氟树脂所组成润滑剂。
[0094] 另外，为了迅速地对磁性层进行冷却，优选为形成散热层。散热层可使用A g、C u、A 1、A u等的热传导率的高的金属、或以A g、C u、A 1、A u等的热传导率的高的 金属为主成分的合金。例如，在热辅助磁记录方式中，磁记录介质的磁性层在被激光加热 后，优选为被迅速冷却，这样，可对加热点的扩大进行抑制。为此，通过设置散热层，可降低 磁化迁移区域的宽度，降低介质噪音，为较好的。对散热层的设置位置并无特别的限定，例 如，优选为，在密排方向控制层的下面、或、在密排方向控制层与阻挡层之间来进行形成。 [0095] 另外，为了改善写入特性，也可形成软磁性底层。作为软磁性底层的材料，对其并 无特别的限定，然而，例如可使用C 〇TaZr、CoFeTaB、CoFeTaS i、Co F e T a Z r等的非晶质合金、F e T a C、F e T a N等的微结晶合金、N i F e等的多 结晶合金等。软磁性底层可为由上述合金所组成的单层膜，也可为通过对适当膜厚的R u 层进行夹持而进行了反强磁性结合的积层膜。
[0096] 另外，除了上述的层以外，根据需要，还可任意地设置种晶（seed)层、黏接层等。
[0097] 以上所说明的本实施方式的磁记录介质可优选作为热辅助磁记录方式或微波辅 助磁记录方式的磁记录介质来使用。
[0098] 根据以上所述的本实施方式的磁记录介质，通过在预定的底层上形成磁性层，可 在不使磁性层中所含的具有L L结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁 存储装置的情况下的介质SN比。[第2实施方式]
[0099] 在本实施方式中，对本发明的磁存储装置的结构例进行说明。这里需要说明的是， 在本实施方式中，尽管对基于热辅助磁记录方式的磁存储装置的结构例进行了说明，然而， 并不限定于该方式，也可将第1实施方式中所说明的磁记录介质使用于基于微波辅助磁记 录方式的磁存储装置。
[0100] 本实施方式的磁存储装置可为具有第1实施方式中所说明的磁记录介质的磁存 储装置。
[0101] 在磁存储装置中，例如，可为还具有用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、 及在前端部具有近场光发生元件的磁头的结构。另外，可具有：用于对磁记录介质进行加热 的激光发生部；将激光发生部所发生的激光导引至近接场光发生元件的导波路；用于使磁 头移动的磁头驱动部；及记录和再生（recording/reproduction)信号处理系统。
[0102] 磁存储装置的具体结构例示于图1中。
[0103] 例如，本实施方式的磁存储装置可为图1所示的结构。具体而言，可为由磁记录介 质100、用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁头 驱动部103、及记录和再生信号处理系统104等构成的结构。
[0104] 另外，作为磁头102,例如，可使用图2所示的记录用磁头。该磁头具有记录头208 和再生头211。记录头208具有：主磁极201 ;辅助磁极202 ;用于产生磁场的线圈203 ;作为 激光发生部的激光二极管（L D ) 204 ;及用于将L D所发出的激光205引导至近接场光发 生元件206的导波路207。再生头211具有由保护部（shield)209所夹持的再生元件210。
[0105] 另外，作为磁记录介质100,如上所述，使用了第1实施方式中所说明的磁记录介 质。为此，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的具有L ^结构的合 金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质S N比。另外，还 可获得0W (覆盖）特性（Over-Write特性）良好的磁记录装置。
[0106][实施例]
[0107] 以下通过列举具体的实施例进行说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。
[0108] [实验例1]
[0109] (实施例1-1?1-13、比较例1-1?1-2)
[0110] 在本实验例中，制作了实施例1-1?1-13、比较例1-1、1-2的试料，并对其进行了 评价。
[0111] 图3表示本实验例中所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。以下对其制造 步骤进行说明。
[0112] 在本实验例中，在2. 5英寸的玻璃基板301上，作为种晶层302,形成了膜厚为25 nm的N i -35 a t %T a层，并进行了 300°C的基板加热。
[0113] 作为密排方向控制底层303,形成了膜厚为20 n m的Ru -50 a t %A 1。
[0114] 接下来，形成了含有W的底层304,其膜厚为15 n m。
[0115] 另外，作为阻挡层305,形成了膜厚为2 n m的Mg 0层。
[0116] 之后，进行580°C的基板加热,形成了 8 n m的（F e -46 a t % P t )-15m ο 1 % 的S i 0 2磁性层306,再形成了膜厚为3 n m的D L C保护膜307。
[0117] 含有W的底层304如表1所不，在各实施例中形成了组成成分不同的层。在实施 例1-1中形成了 W-8mo 1 %的B层，在实施例1-2中形成了 W-8mo 1 %的S i层，在 实施例1-3中形成了W-8mo 1 %的C层，在实施例1-4中形成了W-8mo 1 %的3 2 0 3层，在实施例1-5中形成了W-8 mo 1 %的S i 0 2层，在实施例1-6中形成了W-10 m ο 1 %的C e 0 2层，在实施例1-7中形成了W-16 mo 1 %的T i 0层，在实施例1-8中 形成了W-10 mo 1 %的Z r 0 2层，在实施例1-9中形成了W-10 mo 1 %的A 1 2 0 3 层，在实施例1-10中形成了W-5 mo 1 %的￥ 2 0 3层，在实施例1-11中形成了（W-20 a t%Ta)-5mo 1%的 Ta20 5 层，在实施例 1-12 中形成了（W -20 a t % C r )-8 mo 1 %的C r 2 0 3 层，在实施例 1-13 中形成了（W -20 a t %T i )-17 mo 1 %的T i Ν层。
[0118] 另外，在比较例1-1U-2中，制作了分别形成了不添加 Β、S i、C、氧化物、及氮 化物的W层及W-20 a t %的T a层的介质。
[0119] 通过对本实验例中所制作的试料(介质）进行X线衍射测定，从密排方向控制底层 303的R u -50 a t %的A 1观察到了（100)面的衍射峰值和较弱的（200)面的衍射峰值。
[0120] 从含有W的底层304仅观察到了（200)面的衍射峰值。
[0121] 从磁性层306观察到了 L 1Q- F e P t的（001)面的衍射峰值、以及、L 1Q- F e P t的（002)面的衍射峰值和F C C - F e P t的（200)面的衍射峰值的混合峰值。
[0122] 阻挡层305薄为2 n m，所以，没有看到明显的衍射峰值，然而，由于磁性层306为 上述的密排方向，所以，也为（100)密排方向。
[0123] 另外，由于从种晶层302没有看到明显的衍射峰值，所以，可知该种晶层是非晶质 (非结晶）结构。
[0124] 表1示出了，相对于L 1Q- F e P t的（002)面的衍射峰值和F C C - F e P t的 (200)面的衍射峰值的混合峰值强度（I QQ2 + I 2J的、L 1Q- F e P t的（001)面的衍 射峰值强度I QQ1的比率、即、I QQ1 / ( I QQ2 + I 2QQ)。另外，还示出了保磁力H c和标准化 (正规化）了的保磁力分布Λ H c / H c。
[0125] 这里，H c是根据通过使用S U Q I D (超传导量子干涉元件）施加7 T的磁场 而在室温下所测定的磁化曲线所求得的。另外，Λ H c / H c是采用「I E E E T r a η s.Magn.，vol.27，pp 4975-4977,1991」中所述的方法所测定的。具体而言，在 通过施加7 T的最大磁场而在室温下所测定的major loop及minor loop中，对磁化值为 饱和值的50%时的磁场进行测定，然后，根据两者的差，并在假定H c分布为高斯分布的前 提下，算出了 AHc/Hc。AHc/H c是相当于反转(翻转)磁场分布的参数,该值越 低，表示在使用为磁存储装置的情况下所获得的介质S N比越高，是较好的。
[0126] [表 1]
[0127]

【权利要求】
1. 一种磁记录介质，包含： 基板； 在所述基板上形成的多个底层；及 在所述多个底层上形成的磁性层， 其中， 所述磁性层的主成分是具有L L结构的合金； 所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层； 所述W是所述结晶质底层的主成分； 所述结晶质底层还包含1 m ο 1 %以上、20 m ο 1 %以下的从B、S i、及C中所选择 的1种以上的元素，及 在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有N a C 1结构 的材料。
2. 如权利要求1所述的磁记录介质，还包含： 密排方向控制底层，包含从C r、以C r为主成分的B C C结构的合金、及具有B 2结 构的合金中所选择的1种以上的金属， 其中， 所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
3. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中： 所述包含具有N a C 1结构的材料包含从M gO、TiO、NiO、TiN、TiC、T aN、HfN、NbN、Z rC、HfC、Ta C、及N b C中所选择的1种以上的化合物。
4. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中： 所述磁性层包含从 S i 02、T i 02、Cr2〇3、Al 2〇3、Τ&2〇5、Ζγ02、Υ 2〇 3、Ce02、Mn0、T i 0、Zn0、B20 3、C、B、及BN中所选择的1种以上的物质；及 所述磁性层的主成分是C ο P t合金或具有L L结构的F e P t合金。
5. -种磁存储装置，包含： 权利要求1至4的任1项所述的磁记录介质。
6. -种磁记录介质，包含： 基板； 在所述基板上形成的多个底层；及 在所述多个底层上形成的磁性层， 其中， 所述磁性层的主成分是具有L L结构的合金； 所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层； 所述W是所述结晶质底层的主成分； 所述结晶质底层还包含1 V ο 1 %以上、50 V ο 1 %以下的氧化物；及 在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有N a C 1结构 的材料。
7. 如权利要求6所述的磁记录介质，其中： 所述氧化物包含从 B20 3、s i 02、C r20 3、Al 20 3、T a20 5、Nb20 5、Z r 02、 Y 2 03、C e 02、Mn0、T i 02、T i 0、Zn0、L a 2 03、N i 0、F e 0、及 C 〇 〇中所选择的1种以上。
8. 如权利要求6所述的磁记录介质，还包含： 密排方向控制底层，包含从C r、以C r为主成分的B C C结构的合金、及具有B 2结 构的合金中所选择的1种以上的金属， 其中， 所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
9. 如权利要求6所述的磁记录介质，其中： 所述包含具有N a C 1结构的材料包含从M gO、T i 0、Ni 0、T iN、T i C、T aN、HfN、NbN、Z rC、HfC、Ta C、及N b C中所选择的1种以上的化合物。
10. 如权利要求6所述的磁记录介质，其中： 所述磁性层包含从 S i 02、T i 02、Cr2〇3、Al 2〇3、Τ&2〇5、Ζγ02、Υ 2〇 3、 Ce02、Mn0、T i 0、Zn0、B20 3、C、B、及BN中所选择的1种以上的物质；及 所述磁性层的主成分是C ο P t合金或具有L L结构的F e P t合金。
11. 一种磁存储装置，包含： 权利要求6至10的任1项所述的磁记录介质。
【文档编号】G11B5/66GK104103290SQ201410132213
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年4月2日 优先权日:2013年4月12日
【发明者】张磊, 神边哲也, 村上雄二, 丹羽和也 申请人:昭和电工株式会社