1.一种电阻式存储器的修补方法，其特征在于，包括：
对该电阻式存储器执行多数个设定-重置动作循环，各该设定-重置动作循环包括设定动作以及重置动作，其中，通过在设定时间区间中提供设定电压至该电阻式存储器以进行该设定动作，通过在重置时间区间中提供重置电压至该电阻式存储器以进行该重置动作；
检测该电阻式存储器在该些设定-重置动作循环后是否产生过设定状态；以及
在当该过设定状态发生时，对该电阻式存储器执行加强重置动作，
其中，该加强重置动作通过在加强重置时间区间中提供加强重置电压来进行，该加强重置时间区间与该加强重置电压的乘积大于该重置时间区间与该重置电压的乘积。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器的修补方法，其特征在于，该加强重置时间区间的长度大于该重置时间区间的长度。
3.根据权利要求2所述的电阻式存储器的修补方法，其特征在于，该加强重置时间区间为该重置时间区间的100至1000倍。
4.根据权利要求1所述的电阻式存储器的修补方法，其特征在于，该加强重置电压大于该重置电压。
5.根据权利要求4所述的电阻式存储器的修补方法，其特征在于，该加强重置电压为该重置时电压的1.5至2倍。
6.根据权利要求1所述的电阻式存储器的修补方法，其特征在于，检测该电阻式存储器在该些设定-重置动作循环后是否产生该过设定状态的步骤包括：
检测该电阻式存储器的至少一比特线上的读取电流是否小于预设的参考电流。
7.根据权利要求1所述的电阻式存储器的修补方法，其特征在于，当该加强重置时间区间的长度大于该重置时间区间的长度时，该加强重置电压小于该重置电压。
8.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
电阻式存储单元阵列，包括多数个电阻式存储单元；
感测放大器，通过多数条比特线耦接该些电阻式存储单元，并检测该电阻式存储器是否发生过设定状态；以及
电压提供器，耦接至该感测放大器，并耦接至该电阻式存储单元阵列的多数条源极线，该电压提供器在重置时间区间中通过提供重置电压至该电阻式存储器以进行该重置动作，
其中，在当该过设定状态发生时，该电压提供器在加强重置时间区间中通过提供加强重置电压至该电阻式存储器以进行加强重置动作，该加强重置时间区间与该加强重置电压的乘积大于该重置时间区间与该重置电压的乘积。
9.根据权利要求8所述的电阻式存储器，其特征在于，该感测放大器检测该些比特线的至少其中之一的读取电流是否小于预设的参考电流以判定该电阻式存储器是否发生该过设定状态。
10.根据权利要求8所述的电阻式存储器，其特征在于，该加强重置电压大于该重置电压。
11.根据权利要求8所述的电阻式存储器，其特征在于，该加强重置时间区间的长度大于该重置时间区间的长度。
12.根据权利要求8所述的电阻式存储器，其特征在于，当该加强重置时间区间的长度大于该重置时间区间的长度时，该加强重置电压小于该重置电压。